JPH06140480A - 半導体装置電極パッドの試験方法とその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 電極パッドを持つ半導体の電極パッド試験方
法に関し、電極パッドとプローブ間の位置決めを容易化
して生産性向上を図ることを目的とする。 【構成】 電極パッドを持つ半導体の試験方法であっ
て、圧痕付着容易な被膜36a を持つダミー半導体36を搭
載台35に搭載した後二次元方向に座標検知手段を具えて
移動可能で且つプローブ34とカメラ33が装着されている
測定ヘッド31の該プローブ34をダミー36上に降下させて
圧痕を付着せしめ、圧痕からプローブの位置ずれデータ
を取得すると共に、ダミー36の位置決めマーク13a をカ
メラ33で観察したときの座標からダミー36としての位置
ずれデータを取得し、プローブ34とダミー36の位置ずれ
データを一致させたデータに基づいて測定ヘッド31の移
動とプローブ34の回転とを行わしめ、搭載台上のダミー
36を披検半導体と交換し制御部に繋がる上記プローブ34
を半導体と対応する位置で降下させて構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は高密度に整列した電極パ
ッドを有するＩＣの如き半導体装置の該電極パッドの相
対的位置関係や導通する電極パッド相互間の導体抵抗等
を試験する方法とその装置構成に係り、特に試験治具と
してのプローブ・ブロックの頻繁な交換時にも半導体装
置ひいては電極パッドと該プローブ・ブロック間の位置
決めを容易且つ精密化ならしめることで生産性の向上を
図った半導体装置電極パッドの試験方法とその装置に関
する。

【０００２】最近の半導体装置分野ではその集積度向上
要求に対応せしめるため、デバイスパターンが形成され
ている基板面の該パターン周囲に各パターンに繋がる多
数（例えば 4〜500 個程度）の電極パッドを整列して配
置せしめる技術が多用されている。

【０００３】

【従来の技術】技術的背景を説明する図３は半導体装置
としての一例を示す図であり、 (3-1)は全体斜視図,(3-
2)は (3-1)をａ〜ａ′で切断したときの断面図である。

【０００４】また図４は従来の電極パッド試験方法をそ
の装置と共に説明する概念図であるが、図では図３の半
導体装置の場合を例としているので図３と同じ対象部材
・部位には同一の記号を付して表わしている。

【０００５】図３で半導体装置１は、セラミック等から
なる基板11の片面（図では上面）ほぼ中央部に例えばＩ
Ｃとしてのデバイスパターン12がパターニング形成され
ているものであり、該デバイスパターン12の周囲には該
パターン12に繋がる電極パッド13が単独にまたは相互に
導通した状態で等ピッチのマトリックスに配設されて構
成されている。

【０００６】なお該電極パッド配置領域の外側複数箇所
（図ではコーナ２か所）に形成されている13a は位置合
わせマークである。かかる半導体装置１では、例えばデ
バイスパターン12形成面を上側にした図示の状態で図示
されない回路基板等の所定位置に接着等の手段で固定し
た後該各電極パッド13と回路基板上の対応する電極とを
接続したり、該各電極パッド13と対応する位置に接続電
極が形成されている回路基板等にデバイスパターン12形
成面を下側にした該半導体装置１を対応させて搭載した
後通常のリフロー装置等を通すことで、これらの各回路
基板等に実装することができる。

【０００７】この場合、特に最近の如く半導体装置を稼
働させるための電圧・電流等信号条件が微小化してくる
と電極パッド13としての導体抵抗値のバラツキが該半導
体装置１の特性に大きく影響するので、各電極パッド13
の相対的位置関係を試験する際に電極パッド13としての
導体抵抗も測定するようにしているが、このときの該導
体抵抗値は例えば 20mΩ程度と極めて小さいため通常二
針接触法によるブリッジ回路等で測定するようにしてい
る。

【０００８】一方、半導体装置としての集積度が向上し
実装される回路基板との間で遣り取りする情報量が増加
するにつれて必然的に電極パッドの数が増加するが、こ
のことは顧客の小型化要求とあいまって各電極パッド隣
接間のピッチｐが小さくなることを示しており、最近で
は例えば 400〜500 個の電極パッドが 0.45mm ピッチ間
隔のマトリックス状に整列した半導体装置等が製品化さ
れるようになってきている。

【０００９】かかる半導体装置を試験・検査するときの
方法をその装置構成と共に説明する図４で、 (4-1)は装
置構成を概略的に示しまた (4-2)は (4-1)における半導
体装置の電極パッドとプローブ・ブロックのプローブピ
ン配置位置との関係を拡大視した平面図で示したもので
ある。

【００１０】図の (4-1)で半導体装置電極パッド試験装
置２は、平面視“ロ”の字形でその角孔21a の中心を通
る法線で図示されない基盤面に対して平行を保ったまま
回転し得るように該基盤に装着されている半導体装置搭
載板（以下単に搭載板とする）21と、該搭載板21の上方
向の対応する位置に配設されて該基盤に対して上下動し
得るプローブ・ブロック22および該プローブ・ブロック
22との間の信号を授受して所要のデータを採取し得る制
御装置24とで構成されている。

【００１１】そして前記半導体装置１を少なくともその
全面でカバーする大きさの角形外形と該半導体装置１の
電極パッド13の配置領域をカバーする大きさの角孔21a
とで“ロ”の字形に形成されている上記搭載板21は、そ
の枠片面の複数箇所（図では四隅の４か所）に突出して
設けた突起21b によって上記半導体装置１が位置決めし
て搭載し得るようになっている。

【００１２】またプローブ・ブロック22は、円内拡大図
(a) に示す如く中心ピン23a が絶縁管23b を介してパイ
プ状の外側ピン23c に覆われ且つ該中心ピン23a が絶縁
管23b の内部に挿入されたばね23d で外側ピン23c に対
して出入し得るように構成されているプローブピン23
が、上記半導体装置１の各電極パッド13と対応する各位
置に植設されているものである。

【００１３】なお該各プローブピン23の図示されない他
端は上記制御装置24に接続されている。そこで、上記搭
載板21に図３で説明した半導体装置１を位置決め搭載し
た後プローブ・ブロック22を降下させてその各プローブ
ピン23で該半導体装置１の対応する電極パッド13を押圧
すると、電極パッド13の位置がずれているときを除いて
プローブピン23との間の接触が得られることから該各電
極パッド13の位置ずれと導通する電極パッド間の導体抵
抗値データとを同時に入手することができる。

【００１４】なお各電極パッド13の隣接間ピッチｐが例
えば上述した 0.45mm のように狭小化してくると、上述
したプローブピン23を電極パッド13と対応する全位置に
配置することが困難となる。

【００１５】従ってこの場合には上記プローブ・ブロッ
ク22に配設するプローブピン23の配置位置を、(4-2) の
○で示す電極パッド13の全配置位置に対する一つ置きで
且つプローブ・ブロック22または半導体装置１を 180°
回転させたときに電極パッド13の全配置位置がカバーし
得るような位置すなわち図示の◎位置とすることで、隣
接間ピッチｐが狭小化された半導体装置にも対応させる
ことができる。

【００１６】そこでかかる半導体装置の場合では、上述
したプローブ・ブロック22の降下による電極パッド13の
試験工程を経た後、該プローブ・ブロック22を上昇させ
てから半導体装置１を矢印Ａの如く 180°回転させるか
または矢印Ｂのようにプローブ・ブロック22を 180°回
転させ、しかる後プローブ・ブロック22を再降下させる
等の手段を講ずるようにしている。

【００１７】なお、プローブ・ブロック22はそれぞれの
プローブピン23を半導体装置１の各電極パッド13に接触
させるため該ピン部分での磨耗や変形が起こり易いの
で、プローブ・ブロックとして頻繁に交換する必要があ
る。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】しかし従来の半導体装
置電極パッドの試験方法とその装置では、プローブ・ブ
ロック22を交換する度に該プローブ・ブロック22と半導
体装置間の相対的位置関係をカメラや顕微鏡等によって
正確に位置決めしなければならず、多くの工数がかかる
ことから生産性の向上を期待することができないと言う
問題があった。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記課題は、基板面に形
成されたデバイスパターンの周囲に該デバイスパターン
に繋がる複数の電極パッドがマトリックス状に整列して
形成されている半導体装置の該電極パッドを試験する半
導体装置電極パッドの試験方法であって、披検の半導体
装置と等しい大きさで片面の位置決めマークを除く全面
が圧痕付着容易な被膜で覆われたダミー半導体装置をそ
の被膜形成面が上側を向くように所定の半導体装置搭載
台に位置決め搭載した後、該半導体装置搭載台に対する
Ｘ−Ｙの二次元方向に座標検知手段を具えて移動可能で
且つそのＸ方向の所定間隔を隔てた位置に上記各電極パ
ッドに対応するプローブピンが植設されたプローブ・ブ
ロックとカメラとが下側を向くように装着されている測
定ヘッドの該プローブ・ブロックを上記ダミー半導体装
置と対応する位置で降下させて該ダミー半導体装置表面
に上記プローブピンの圧痕を付着せしめ、該圧痕を上記
カメラで観察したときに得られる圧痕付着位置座標から
該プローブ・ブロックの基準位置に対する位置ずれデー
タを取得すると共に、前記ダミー半導体装置の位置決め
マークを上記カメラで観察したときに得られる位置決め
マーク座標から該ダミー半導体装置の基準位置に対する
位置ずれデータを取得し、上記プローブ・ブロックと該
ダミー半導体装置それぞれの位置ずれデータを演算・修
正して一致せしめたときのデータに基づいて上記測定ヘ
ッドの移動とプローブ・ブロックの微回転とを行わしめ
た後、半導体装置搭載台上のダミー半導体装置を披検の
半導体装置と交換し、しかる後に制御部に繋がる上記プ
ローブ・ブロックを該半導体装置と対応する位置でプロ
ーブピンと各電極パットが接触するまで降下させる半導
体装置電極パッドの試験方法によって解決される。

【００２０】また、基板面に形成されたデバイスパター
ンの周囲に該デバイスパターンに繋がる複数の電極パッ
ドがマトリックス状に整列して形成されている半導体装
置の該電極パッドを試験する半導体装置電極パッドの試
験装置であって、披検の半導体装置と等しい大きさで片
面の位置決めマークを除く全面が圧痕付着容易な被膜で
覆われたダミー半導体装置と、該ダミー半導体装置をそ
の被膜形成面が上側を向くように位置決め搭載し得る半
導体装置搭載台と、該半導体装置搭載台に対するＸ−Ｙ
の二次元方向に座標検知手段を具えて移動可能で且つそ
のＸ方向の所定間隔を隔てた位置に上記各電極パッドに
対応するプローブピンが植設された上下動可能なプロー
ブ・ブロックとカメラとが下側を向くように装着されて
上記半導体装置搭載台の近傍に配置された測定ヘッド
と、上記半導体装置搭載台とプローブ・ブロック，カメ
ラ，および測定ヘッドそれぞれの作動を制御しまた測定
ヘッド移動時の座標を検知して基準座標に対する位置ず
れデータを取得し修正し得る機能を具えた周辺装置とを
少なくとも具えて構成されている半導体装置電極パッド
の試験装置によって解決される。

【００２１】

【作用】図３の半導体装置１に合わせて形成されたダミ
ー半導体装置を例えば図４で説明したような搭載板上に
搭載しプローブ・ブロック22を降下させて該ダミー半導
体装置表面にプローブピン23の圧痕を形成し、しかる後
に該圧痕からダミー半導体装置の基準位置に対する二次
元方向ずれと傾きを検知して自動的に修正させるように
所要の試験方法を構成すると、特別な位置合わせ作業な
しに電極パッド試験が行なえるので生産性の向上を期待
することができる。

【００２２】そこで本発明では、搭載板上のダミー半導
体装置にプローブピン23の圧痕をつけた後該圧痕からダ
ミー半導体装置とプローブ・ブロック22との間の位置ず
れや傾きを自動的に割り出すと共にそのデータをベース
としてプローブ・ブロック22自体を自動的に修正してダ
ミー半導体装置に合致せしめることで、ダミー半導体装
置とプローブ・ブロック22とを位置合わせするようにし
ている。

【００２３】このことは、該ダミー半導体装置と所要の
半導体装置１とを入れ換えることで半導体装置１の各電
極パッド13とプローブ・ブロック22の各プローブピン23
とが完全に合致させられることを意味する。

【００２４】従って、従来の特別な位置合わせ作業を行
うことなく電極パッド試験を実施することができる。

【００２５】

【実施例】図１は本発明の電極パッド試験方法と装置を
原理的に説明する図であり、図２は本発明の電極パッド
試験方法を装置構成例と共に説明する図である。

【００２６】なお図ではいずれも図３で説明した半導体
装置の場合を例としているので、図３，図４と同じ対象
部材・部位には同一の記号を付して表わしていると共に
重複する説明についてはそれを省略する。

【００２７】図１の (1-1)は試験装置の構成原理図であ
り、また (1-2)は試験手順を説明する図である。図の
(1-1)で半導体装置電極パッド試験装置３は、Ｘ−Ｙ−
Ｚの三次元方向に且つ少なくともＸ−Ｙ方向はその移動
量が検出し得るように移動できる可動テーブル32にカメ
ラ33と図４同様のプローブ・ブロック34とがＸ軸方向に
間隔Ｗを保って並んで共に下側を向くように装着された
測定ヘッド31と、該ヘッド下側の上記カメラ33とプロー
ブ・ブロック34を結ぶ線上に上側を向くように配置され
た半導体装置搭載台（以下単に搭載台とする）35とで構
成されている。

【００２８】なお上記プローブ・ブロック34と搭載台35
とは共にそれぞれの回転軸を中心として回転し得るよう
になっている。そこで、図３の半導体装置１と等しい大
きさでその位置合わせマーク13a を除く全面に図４で説
明したプローブピン23を当接せしめたときにその圧痕が
形成されるように例えば厚さ６μm 位の銅(Cu)からなる
被膜36a が形成されているダミー半導体装置36を該搭載
台35上に搭載すると、図の状態にすることができる。

【００２９】以下図(1-2) によって試験方法を説明する
が、（イ）は上記圧痕をつけた状態を平面視して示した
ものであり（ロ）は該圧痕部ひいてはプローブ・ブロッ
ク34の基準位置に対するずれや傾きを検知する方法を示
し（ハ）はダミー半導体装置36の基準位置に対するずれ
や傾きを検知する方法を示したものである。

【００３０】なお (1-2)の（イ）では、点Ｐが上記カメ
ラ33の光軸中心点を示しまた点Ｑは上記プローブ・ブロ
ック34とダミー半導体装置36とが共に一点鎖線Ｃで示す
基準位置に位置したときの中心点を表わしているので、
該点Ｐ，Ｑは共に上述したＸ軸上に位置していることと
なる。

【００３１】先ず、測定ヘッド31をＸ−Ｙの二次元方向
に移動せしめてカメラ33の光軸中心点Ｐを搭載台35の回
転中心に合致せしめた後該測定ヘッド31を上記間隔Ｗだ
けＸ軸方向に移動させてプローブ・ブロック34の回転中
心と搭載台35の回転中心とを合致させたときの上記カメ
ラ33の光軸中心点Ｐの座標を基準点ｐ₁ とする。

【００３２】この状態ではプローブ・ブロック34とダミ
ー半導体装置36とが図(1-1) の如く対面しているので、
該測定ヘッド31を降下させることでプローブ・ブロック
34の図４で説明したプローブピン23の先端が実線Ｄで示
すダミー半導体装置36の表面と接触して該表面に各プロ
ーブピン23の圧痕を破線Ｅ領域のように形成することが
できる。

【００３３】なお、この場合の領域Ｄで示すダミー半導
体装置36は特に正確に位置決めされることなく搭載台35
に装着されているので一点鎖線Ｃで示す基準位置とは必
ずしも一致することがなく、また領域Ｅで示すプローブ
ピン23の圧痕域もプローブ・ブロック34自体が上記測定
ヘッド31に正確に位置決めされずに装着されているので
上記一点鎖線Ｃで示す基準位置に合致しているとは限ら
ない。

【００３４】従って、例えば領域Ｄで示すダミー半導体
装置36の中心点Ｑ₁ と領域Ｅで示す圧痕域の中心点Ｑ₂
とは上述した基準中心点Ｑとは必ずしも一致せず僅かに
ずれることとなるが、図では理解し易くするために基準
位置に対するずれや傾きを誇張して表わしている。

【００３５】次いで（ロ）に示す如く、測定ヘッド31を
Ｘ−Ｙ方向に移動せしめてカメラ33の光軸中心点Ｐをプ
ローブピン23の圧痕域Ｅの対応するコーナ２か所に位置
する圧痕c₁，c₂に順次合致せしめて該各点c₁，c₂の各座
標を読み取ると、上述した基準位置ｐ₁ における座標と
の差から（イ）で説明した中心点Ｑ₂ の座標すなわち基
準中心点Ｑからのずれと該領域ＥのＸ軸に対する傾きα
₂ とを検知することができる。

【００３６】更に（ハ）に示す如く、測定ヘッド31をＸ
−Ｙ方向に移動してカメラ33の光軸中心点Ｐをダミー半
導体装置36の２か所の位置合わせマーク13a に順次合致
せしめて該マーク13a の各座標を読み取ると、上記同様
の方法で該ダミー半導体装置36の中心点Ｑ₁ の座標すな
わち上述した基準中心点Ｑからのずれとダミー半導体装
置36としてのＸ軸に対する傾きα₁ とを検知することが
できる。

【００３７】そこで、上記プローブピンによる圧痕域Ｅ
の傾きα₂ がダミー半導体装置36の傾きα₁ と一致する
ようにプローブ・ブロック34を(1-1) の矢印ｒ方向に回
転させると共に該圧痕域Ｅの中心点Ｑ₂ がダミー半導体
装置36の中心点Ｑ₁ と合致するように測定ヘッド31のＸ
−Ｙ方向の移動量を調整することで、プローブ・ブロッ
ク34とダミー半導体装置36とを同軸上で完全に合致させ
ることができる。

【００３８】従って、上記搭載台35上のダミー半導体装
置36を所要の半導体装置１に置き換えて測定ヘッド31を
降下させることで、半導体装置１の各電極パッドとプロ
ーブ・ブロック34のプローブピン23とが確実に合致させ
られる電極パッド試験方法を実現することができる。

【００３９】具体的な電極パッド試験方法を装置構成例
と共に説明する図２で半導体装置電極パッド試験装置４
は、試験機構部41とそれを操作・制御する周辺部51とで
構成されている。

【００４０】この内試験機構部41は、例えば２個の直交
するアリ機構を介して基盤42に対してＸ−Ｙの二次元方
向に移動可能な可動テーブル43に図１で説明したカメラ
33とプローブ・ブロック34とがＸ軸方向に並んで共に下
側を向くように装着された測定ヘッド44と、該基盤42に
立てた軸45a に回転自在に装着された半導体装置搭載台
（以下搭載台とする）45、および該搭載台45に回転を伝
達する回転駆動部46とで構成されている。

【００４１】そして上記可動テーブル43は２個の直交す
るアリ機構に係合する２個のモータ43a,43b によってＸ
−Ｙ方向への移動距離が検知し得るようになっていると
共に、該テーブル43に装着されているプローブ・ブロッ
ク34はそれ自体が回転し得るモータ34a と該テーブル43
に対して上下動し得るエアシリンダ34b とを備えて構成
されている。

【００４２】また上記搭載台45は、回転駆動部46に繋が
るベルト46a によって所要角度だけ回転し得るようにな
っている。一方周辺部51は、上記各モータ43a,43b,34a
と回転駆動部46の図示されないモータを制御しながら作
動させるモータドライバ52と、上記エアシリンダ34b を
制御するシリンダドライバ53、上記カメラ33に繋がって
視野を認識する位置センサとしての認識装置54とモニタ
55、上記試験機構部41の各部を操作するキーボード56、
および該各周辺装置を制御すると共に上記プローブ・ブ
ロック34に繋がって電極パッドの導体抵抗値を演算する
制御部57とで構成されている。

【００４３】そしてこの場合の制御部57には、図４で説
明した導体抵抗値の演算回路と共に各種のインターフェ
ース・メモリを備えており、図１による手順で得られる
各種座標からダミー半導体装置とプローブ・ブロック34
との基準位置からのずれや角度ずれを基準値と対比して
演算し且つその演算データをベースとして上記各モータ
43a,43b,34a や回転駆動部46，エアシリンダ34b 等に作
動指令を送達することで、上記プローブ・ブロック34を
ダミー半導体装置に合致せしめるようになっている。

【００４４】そこで図１で説明したように、先ず搭載台
45上にダミー半導体装置36を搭載した後キーボード56の
操作で測定ヘッド44を移動させてカメラ33を搭載台45の
回転中心に合致させてから該測定ヘッド44を上記間隔Ｗ
だけＸ軸方向に移動させた位置を基準点ｐとし、以下図
１で説明した手順を踏むことで搭載台45上のダミー半導
体装置36とプローブ・ブロック34とを完全に合致させる
ことができる。

【００４５】従って、ダミー半導体装置36を所要の半導
体装置１に置き換えることで半導体装置１の各電極パッ
ドとプローブ・ブロック34のプローブピンとが確実に合
致させられる電極パッド試験方法を実現することができ
る。

【００４６】なお回転駆動部46による半導体装置１の回
転は図４で説明した矢印Ａによる回転を意味している
が、該半導体装置１としての中心（図１におけるＱ₁ ）
と搭載台45の回転中心（図１におけるＱ）との間に図１
で説明したようなずれがあると180°回転した後では各
電極パッドとプローブ・ブロック34とを合致させること
ができないので該各中心の座標を制御部57で演算させそ
の修正データを上記測定ヘッド44に送達して移動させる
ことで電極パッドとプローブ・ブロック34との合致を図
らせることができる。

【００４７】かかる構成で行う試験方法とその装置構成
では、工数をかけて半導体装置とプローブ・ブロック間
の位置合わせ作業を行うことなく両者の完全な合致が実
現できるので、プローブ・ブロックとしての頻繁な交換
にも対応させることができて生産性の向上を期待するこ
とができる。

【００４８】

【発明の効果】上述の如く本発明により、試験治具とし
てのプローブ・ブロックの頻繁な交換時にも半導体装置
ひいては電極パッドと該プローブ・ブロック間の位置決
めを容易且つ精密化ならしめることで生産性の向上を図
った半導体装置電極パッドの試験方法とその装置を提供
することができる。

【００４９】なお本発明の説明では電極パッドが片面に
のみ形成されている半導体装置の場合を例としている
が、該電極パッドが両面の対応する位置に形成されてい
る半導体装置の場合では上述した測定ヘッドが対面する
ように２個の測定ヘッドを該半導体装置の両面に配設す
ることで同等効果をもって対応させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の電極パッド試験方法と装置を原理的
に説明する図。

【図２】 本発明の電極パッド試験方法を装置構成例と
共に説明する図。

【図３】 技術的背景を説明する図。

【図４】 従来の電極パッド試験方法をその装置と共に
説明する概念図。

【符号の説明】

3,4 半導体装置電極パッドの試験装置 13a 位置合わせマーク 31,44 測定ヘッド 32,43 可動テーブル 33 カメラ 34 プローブ・ブロック 34a モータ 34b エアシリンダ 35,45 半導体装置搭載台 36 ダミー半導体装置 36a 被膜 41 試験機構部 42 基盤 45a 軸 46 回転駆動部 46a ベルト 51 周辺装置 52 モータ
ドライバ 53 シリンダドライバ 54 認識装
置 55 モニタ 56 キーボ
ード 57 制御部

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板面に形成されたデバイスパターンの
   周囲に該デバイスパターンに繋がる複数の電極パッドが
   マトリックス状に整列して形成されている半導体装置の
   該電極パッドを試験する半導体装置電極パッドの試験方
   法であって、 披検の半導体装置と等しい大きさで片面の位置決めマー
   ク(13a) を除く全面が圧痕付着容易な被膜(36a) で覆わ
   れたダミー半導体装置(36)をその被膜形成面が上側を向
   くように所定の半導体装置搭載台(35)に位置決め搭載し
   た後、 該半導体装置搭載台(35)に対するＸ−Ｙの二次元方向に
   座標検知手段を具えて移動可能で且つそのＸ方向の所定
   間隔を隔てた位置に上記各電極パッドに対応するプロー
   ブピンが植設されたプローブ・ブロック(34)とカメラ(3
   3)とが下側を向くように装着されている測定ヘッド(31)
   の該プローブ・ブロック(34)を上記ダミー半導体装置(3
   6)と対応する位置で降下させて該ダミー半導体装置表面
   に上記プローブピンの圧痕を付着せしめ、該圧痕を上記
   カメラ(33)で観察したときに得られる圧痕付着位置座標
   から該プローブ・ブロック(34)の基準位置に対する位置
   ずれデータを取得すると共に、 前記ダミー半導体装置(36)の位置決めマーク(13a) を上
   記カメラ(33)で観察したときに得られる位置決めマーク
   座標から該ダミー半導体装置(36)の基準位置に対する位
   置ずれデータを取得し、 上記プローブ・ブロック(34)と該ダミー半導体装置(36)
   それぞれの位置ずれデータを演算・修正して一致せしめ
   たときのデータに基づいて上記測定ヘッド(31)の移動と
   プローブ・ブロック(34)の微回転とを行わしめた後、半
   導体装置搭載台上のダミー半導体装置(36)を披検の半導
   体装置と交換し、しかる後に制御部に繋がる上記プロー
   ブ・ブロック(34)を該半導体装置と対応する位置でプロ
   ーブピンと各電極パットが接触するまで降下させること
   を特徴とした半導体装置電極パッドの試験方法。
2. 【請求項２】 基板面に形成されたデバイスパターンの
   周囲に該デバイスパターンに繋がる複数の電極パッドが
   マトリックス状に整列して形成されている半導体装置の
   該電極パッドを試験する半導体装置電極パッドの試験装
   置であって、 披検の半導体装置と等しい大きさで片面の位置決めマー
   クを除く全面が圧痕付着容易な被膜で覆われたダミー半
   導体装置(36)と、 該ダミー半導体装置(36)をその被膜形成面が上側を向く
   ように位置決め搭載し得る半導体装置搭載台(45)と、 該半導体装置搭載台(45)に対するＸ−Ｙの二次元方向に
   座標検知手段を具えて移動可能で且つそのＸ方向の所定
   間隔を隔てた位置に上記各電極パッドに対応するプロー
   ブピンが植設された上下動可能なプローブ・ブロック(3
   4)とカメラ(33)とが下側を向くように装着されて上記半
   導体装置搭載台(45)の近傍に配置された測定ヘッド(44)
   と、 上記半導体装置搭載台(45)とプローブ・ブロック(34)，
   カメラ(33)，および測定ヘッド(44)それぞれの作動を制
   御しまた測定ヘッド移動時の座標を検知して基準座標に
   対する位置ずれデータを取得し修正し得る機能を具えた
   周辺装置(51)とを少なくとも具えて構成されていること
   を特徴とした半導体装置電極パッドの試験装置。