JPH06135962A - 2’,3’−ジデオキシヌクレオシド誘導体の製造方法 - Google Patents

2’,3’−ジデオキシヌクレオシド誘導体の製造方法

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JPH06135962A
JPH06135962A JP17206592A JP17206592A JPH06135962A JP H06135962 A JPH06135962 A JP H06135962A JP 17206592 A JP17206592 A JP 17206592A JP 17206592 A JP17206592 A JP 17206592A JP H06135962 A JPH06135962 A JP H06135962A
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秀幸 杉村
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Abstract

(57)【要約】 【目的】2',3’−ジデオキシヌクレオシドのカップリ
ング法によるβ−選択的な合成。 【構成】フェニル 2,3−ジデオキシ−1−チオ−D
−グリセロ−ペントフラノシドを原料とし、ハロニウム
イオンを活性化剤としてビス(トリアルキルシリル)ピ
リミジンと低温でカップリングさせることにより、2',
3'−ジデオキシヌクレオシドを選択的に得ることがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は抗ウイルス活性を有する
ことが公知である2',3'−ジデオキシヌクレオシド誘
導体の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の方法】2',3'−ジデオキシヌクレオシド誘導
体の合成法は、現在大きく2つの範躊に分類することが
できる。第一の方法は、天然あるいは合成されたピリミ
ジンヌクレオシド類を原料としそのうちの不用な水酸基
をデオキシ化するものである[F. Seelら, Synthesis,
670ヘ゜ーシ゛, 1988年. ]。第二の方法は、2,3−ジデオ
キシ糖誘導体と塩基部分のカップリングである。カップ
リングの手法としては、糖アノマー位の脱離基を活性化
剤(種々のルイス酸)を用いて脱離させ塩基を導入する
方法[D. C. Bakerら, Carbohydr. Res. , 183巻, 261ヘ
゜ーシ゛, 1988年.]があげられる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
方法には、いずれも問題点が残されている。まず、第一
の方法では、天然の原料は高価であり、又、合成工程数
も多く、工業的には不利であると考えられる。第二の、
2,3−ジデオキシ糖誘導体と塩基部分をカップリング
させる方法では、抗ウイルス活性のあるβ体を選択的に
得ることが非常に困難であり(上記文献では、α:β=
1.2〜1.8)、従って有効成分の分離が煩雑であ
る。
【0004】本発明は、原料として既知の方法では用い
られていない1−チオグリコシドを使用することにより
β−選択的なカップリング反応を可能とし、2',3'−
ジデオキシヌクレオシド誘導体を効率よく提供すること
を目的とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討の
結果、化5、化6の反応工程に示したように、1−チオ
グリコシド誘導体とピリミジン誘導体とをカップリング
させる際し、活性化剤の存在下に低温で反応を行うこと
によりβ−N−グリコシドが選択的に得られることをみ
いだし、本発明を完成するに至った。
【化5】 (化5中、Rはシリル基、R1はメチルまたはエチル
基、R2は水素原子あるいはメチル基)
【化6】 (化6中、Rはシリル基、R1はメチルまたはエチル
基、R3は水素原子あるいはアセチル基)
【0006】すなわち、本発明は一般式[1]で表され
る水酸基の保護されたフェニル 2,3−ジデオキシ−
1−チオ−D−グリセロ−ペントフラノシドと一般式
[2]、あるいは一般式[4]で表されるビス(トリア
ルキルシリル)ピリミジンを活性化剤の存在下カップリ
ングさせることを特徴とする一般式[3]、あるいは一
般式[5]で表される2',3'−ジデオキシヌクレオシ
ド誘導体の製造方法に関するものである。
【0007】以下、本発明について詳述する。本発明方
法における原料化合物である1−チオグリコシド誘導体
は、一般式[1]で表されるものである。Rの具体例と
しては通常の水酸基の保護基として使用されるものであ
ればよく、例えば、t−ブチルジフェニルシリル、t−
ブチルジメチルシリルなどのシリル基などが例示でき
る。
【0008】ピリミジン塩基としては、ウラシル、チミ
ン、シトシン及びN−アセチルシトシンのビストリメチ
ルシリル体、ビストリエチルシリル体などがよく、好ま
しくはビストリメチルシリル体が用いられる。その使用
量は、一般式[1]で表される化合物1モルに対して2
〜3モルが用いられる。
【0009】カップリング反応における活性化剤として
は、ハロニウムイオンが好ましく、たとえばN−ブロモ
コハク酸イミド(NBS)、N-ブロモフタル酸イミド
のようなブロモニウムイオンを発生する試剤が用いられ
る。活性化剤の使用量は、一般式[1]で表される化合
物1モルに対して1〜2モル、好ましくは1.1〜1.
3モルである。
【0010】反応は、非プロトン性有機溶媒中(たとえ
ば、ジクロロメタン、プロピオニトリルなど)、窒素あ
るいはアルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で、モレキュ
ラーシーブス4Aを添加して実施し、反応温度は−10
0〜0℃、好ましくは−78〜−30℃である。
【0011】
【実施例】以下に、実施例を挙げて本発明を説明する。
NMRスペクトルは、JEOL社製EX−400を用い
て測定した。
【0012】
【実施例1】 1−(5−O−t−ブチルジフェニルシリル−2,3−
ジデオキシ−D−グリセロ−ペントフラノシル)チミン
の製造
【0013】チミン252 mg(2.0 mmol)に
アルゴン雰囲気下、1,1,1,3,3,3−ヘキサメチル
ジシラザン1.2 mlとN,N−ジメチルホルムアミド
0.1 mlを加え16時間加熱還流する。溶液を室温
に戻し、減圧下過剰の試薬を除去しビス(トリメチルシ
リル)チミンを得る。これをフェニル 5−O−t−ブ
チルジフェニルシリル−2,3−ジデオキシ−1−チオ
−D−トレオ−ペントフラノシド449 mg(1.0
mmol)と共にアルゴン雰囲気下で乾燥ジクロロメタ
ン(10 ml)に溶解し、モレキュラーシーブス4A
を加え10分間攪はんする。この混合物を−78 ℃に
冷却し、この中へ、NBS197 mg(1.1 mm
ol)をアルゴン下で加え、さらに−78 ℃にて13
5分間攪はんする。チオ硫酸ナトリウム水溶液を加え、
室温にもどし、ジクロロメタンにより抽出し、抽出液を
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄する。有機層を無
水硫酸マグネシウムで乾燥後濃縮し、シリカゲル薄層ク
ロマトグラフィー(展開溶媒;ヘキサン:酢酸エチル=
2:3)により標記化合物を386 mg(収率83
%、α:β=1:3.7)を得た。1HNMRによりそ
の構造を確認した。得られたスペクトルデータを下に示
す。
【0014】1HNMR(CDCl3):δ= 1.07(s, 1.
89H), 1.10(s, 7.11H), 1.65(s, 0.63H), 1.65(s, 2.37
H), 1.96-2.17(m, 3H), 2.39(m, 0.79H), 2.51(m, 0.21
H),3.67(dd, 0.21H, J=4.4, 11.2Hz), 3.73(dd, 0. 21
H, J=4.4, 11.2Hz), 3.75(dd, 0.79H, J=3.4, 11.7Hz),
4.03(dd, 0.79H , J=2.7, 11.5Hz), 4.18(m, 0.79H),
4.45(m, 0.21H), 6.08(dd, J=3.2, 6.4Hz), 6.12(dd,
0.79H, J=4.6, 6.1Hz),7.15(d, 0.21H, J=1.5Hz), 7.19
-7.47(m, 6H), 7.49(d, 0.79H, J=1.0Hz), 7.52-7.73
(m, 4H), 8.9(br, 1H).
【0015】
【実施例2】 1−(5−O−t−ブチルジフェニルシリル−2,3−
ジデオキシ−D−グリセロ−ペントフラノシル)チミン
の製造
【0016】−30 ℃において上記実施例1と同様に
反応を行うことにより標記化合物をα:β=1:3.0
で得ることができた。収率93%。
【0017】
【実施例3】 1−(5−O−t−ブチルジフェニルシリル−2,3−
ジデオキシ−D−グリセロ−ペントフラノシル)チミン
の製造
【0018】0 ℃において上記実施例1と同様に反応
を行うことにより標記化合物をα:β=1:2.6で得
ることができた。収率93%。
【0019】
【比較例1】 1−(5−O−t−ブチルジフェニルシリル−2,3−
ジデオキシ−D−グリセロ−ペントフラノシル)チミン
の製造
【0020】室温において上記実施例1と同様に反応を
行うことにより標記化合物がα:β=1:0.7で得ら
れた。収率88%。
【0021】
【実施例4】 1−(5−O−t−ブチルジフェニルシリル−2,3−
ジデオキシ−D−グリセロ−ペントフラノシル)チミン
の製造
【0022】上記実施例1のNBSの代わりにN-ブロ
モフタル酸イミドを使用し、−78℃において同様に反
応を行うことにより標記化合物をα:β=1:3.6で
得ることができた。収率99%。
【0023】
【実施例5】 1−(5−O−t−ブチルジフェニルシリル−2,3−
ジデオキシ−D−グリセロ−ペントフラノシル)チミン
の製造
【0024】上記実施例1のジクロロメタンの代わりに
プロピオニトリルを使用し、−78℃において同様に反
応を行うことにより標記化合物をα:β=1:2.4で
得ることができた。収率83%。
【0025】
【実施例6】 1−(5−O−t-ブチルジメチルシリル−2,3−ジデ
オキシ−D−グリセロ−ペントフラノシル)チミンの製
【0026】上記実施例1のフェニル 5−O−t−ブ
チルジフェニルシリル−2,3−ジデオキシ−1−チオ
−D−グリセロ−ペントフラノシドの代わりにフェニル
5−O−t−ブチルジメチルシリル−2,3−ジデオ
キシ−1−チオ−D−グリセロ−ペントフラノシドを使
用し、−78 ℃において同様に反応を行うことにより
標記化合物をα:β=1:2.9で得ることができた。
収率81%。1HNMRにより構造を確認した。そのデ
ータを以下に示す。
【0027】1HNMR(CDCl3):δ=0.11(s, 1.5
6H), 0.12(s, 4.44H), 0.91(s, 2.34H), 0.93(s, 6.66
H), 1.93(d, 4.44H, J=1.0Hz), 1.94(d, 1.56H, J=1.5H
z), 1.95-2.08(m, 3H), 2.38(m, 0.74H), 2.51(m, 0.26
H), 3.64(dd, 0.26H, J=4.4,10.7Hz), 3.69(dd, 0.26H,
J=4.1, 11.0Hz), 3.71(dd, 0.74H, J=2.9, 11.2Hz),3.
99(dd, 0.74H, J=2.4, 11.2Hz), 4.16(m, 0.74H), 4.43
(m, 0.26H), 6.09(m,1H), 7.17(d, 0.26H, J=1.0Hz),
7.59(d, 0.74H, J=1.0Hz), 9.21(br, 1H).
【0028】
【実施例7】 1−(5−O−t-ブチルジフェニルシリル−2,3−ジ
デオキシ−D−グリセロ−ペントフラノシル)ウラシル
の製造
【0029】上記実施例1のチミンの代わりにウラシル
を使用し、−78 ℃において同様に反応を行うことに
より標記化合物をα:β=1:5. 3で得ることができ
た。収率87%。1HNMRにより構造を確認した。そ
のデータを以下に示す。
【0030】1HNMR(CDCl3):δ=1.07(s, 1.4
3H), 1.09(s, 7.57H), 1.90-2.13(m, 3H), 2.39-2.56
(m, 1H), 3.66(dd, 0.16H, J=4.2, 11.0Hz), 3.73(dd,
1.0Hz,J=2.4, 11.7Hz), 4.11(dd, 0.84H, J=3.2, 10.5H
z), 4.15(m, 0.84H), 4.44(m,0.16H), 5.42(dd, 0.84H,
J=2.0, 8.3Hz), 5.73(dd, 0.16H, J=2.0, 8.3Hz), 6.0
5(dd, 0.16H, J=2.9, 5.9Hz), 6.10(dd, 0.84H, J=2.7,
6.6Hz), 7.34(d, 0.16H, J=8.3Hz), 7.38-7.48(m, 6
H), 7.65-7.68(m, 4.16H), 7.98(d, 0.84H, J=7.8Hz),
8.68(br, 1.00H).
【0031】
【実施例8】 1−(5−O−t-ブチルジフェニルシリル−2,3−ジ
デオキシ−D−グリセロ−ペントフラノシル)シトシン
の製造
【0032】上記実施例1のビス(トリメチルシリル)
チミンの代わりにビス(トリメチルシリル)シトシンを
使用し、−78 ℃において同様に反応を行うことによ
り標記化合物をα:β=1:3. 0で得ることができ
た。収率79%。1HNMRにより構造を確認した。そ
のデータを以下に示す。
【0033】1HNMR(CDCl3):δ=1.06(s, 2.2
5H), 1.09(s, 6.75H), 1.81-2.63(m, 4H), 3.66(dd, 0.
25H, J=4.4, 10.8Hz), 3.70(dd, 0.25H, J=4.7, 11.0H
z), 3.73(dd, 0.75H, J=3.2, 11.5Hz), 4.10(dd, 0.75
H, J=2.4, 10.2Hz), 4.15(m, 0.75H), 4.43(m, 0.25H),
5.38(d, 0.75H, J=7.3Hz), 5.73(d, 0.25H, J=7.3Hz),
6.05(dd, 0.25H, J=2.9, 5.9Hz), 6.11(dd, 0.75H, J=
2.7, 6.6Hz), 7.36-7.46(m, 6H), 7.67(m, 4.25H), 8.0
8(d, 0.75H, J=7.3Hz).
【0034】
【実施例9】 N−アセチル−1−(5−O−t-ブチルジフェニルシ
リル−2,3−ジデオキシ−D−グリセロ−ペントフラ
ノシル)シトシンの製造
【0035】上記実施例1のビス(トリメチルシリル)
チミンの代わりにビス(トリメチルシリル)−N−アセ
チルシトシンを使用し、−78 ℃において同様に反応
を行うことにより標記化合物をα:β=1:2. 9で得
ることができた。収率79%。1HNMRにより構造を
確認した。そのデータを以下に示す。
【0036】1HNMR(CDCl3):δ=1.07(s, 2.3
0H), 1.11(s, 6.70H), 2.23-1.83(m, 3H), 2.26(s, 2.2
3H), 2.28(s, 0.77H), 2.52(m, 0.74H), 2.62(m, 0.26
H), 3.68(dd, 0.26H, J=4.4, 10.7Hz), 3.74(dd, 1.00
H, J=2.9, 11.7Hz), 4.13(dd,0.74H, J=2.7, 11.5Hz),
4.198(m, 0.74H), 4.49(m, 0.26H), 6.07(dd, 0.26H,J=
2.7, 6.1Hz), 6.10(dd, 0.74H, J=2.2, 6.6Hz), 7.23
(d, 0.74H, J=7.3Hz), 7.37-7.50(m, 6.26H), 7.66-7.7
8(m, 4.00H), 7.79(d, 0.26H, J=7.81Hz), 8.43(d, 0.7
4H, J=7.3Hz).
【0037】
【実施例10】 N−アセチル−1−(5−O−t-ブチルジフェニルシ
リル−2,3−ジデオキシ−D−グリセロ−ペントフラ
ノシル)シトシンの製造
【0038】上記実施例1のビス(トリメチルシリル)
チミンの代わりにビス(トリメチルシリル)−N−アセ
チルシトシンを使用し、0 ℃において同様に反応を行
うことにより標記化合物をα:β=1:2. 2で得るこ
とができた。収率78%。
【0039】
【比較例2】 N−アセチル−1−(5−O−t-ブチルジフェニルシ
リル−2,3−ジデオキシ−D−グリセロ−ペントフラ
ノシル)シトシンの製造
【0040】上記実施例1のビス(トリメチルシリル)
チミンの代わりにビス(トリメチルシリル)−N−アセ
チルシトシンを使用し、室温において同様に反応を行う
ことにより標記化合物をα:β=1:1. 1で得た。収
率77%。
【0041】
【発明の効果】本発明によって、原料として既知の方法
では用いられてはいない1−チオグリコシドを使用する
ことによりβ−選択的なカップリング反応を可能とし、
2',3'−ジデオキシヌクレオシド誘導体を効率よく提
供することができる。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成5年12月8日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項1
【補正方法】変更
【補正内容】
【化1】(化1中,Rはシリル基)
【化2】(化2中、Rはメチルまたはエチル基,Xは
酸素原子,NH基あるいはN−アセチル基、Rは水素
原子あるいはメチル基)
【化3】(化3中、Rはシリル基、Rは水素原子ある
いはメチル基)
【化4】(化4中、Rはシリル基、Rは水素原子ある
いはアセチル基)

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 【化1】 【化2】 化1で示されるフェニル 2,3−ジデオキシ−1−チ
    オ−D−グリセロ−ペントフラノシド(化1中、Rはシ
    リル基)と化2で示されるピリミジン塩基(化2中、R
    1はメチルまたはエチル基、Xは酸素原子,NH基ある
    いはN−アセチル基、R2は水素原子あるいはメチル
    基)とを活性化剤の存在下0 ℃以下でカップリングさ
    せることを特徴とする化3あるいは化4で表される2',
    3'−ジデオキシヌクレオシド誘導体の製造方法。 【化3】 (化3中、Rはシリル基、R2は水素原子あるいはメチ
    ル基) 【化4】 (化4中、Rはシリル基、R3は水素原子あるいはアセ
    チル基)
  2. 【請求項2】活性化剤としてN−ブロモコハク酸イミド
    あるいはN−ブロモフタル酸イミドを用いることを特徴
    とする特許請求の範囲第1項記載の製造法。
  3. 【請求項3】ピリミジン塩基としてビス(トリメチルシ
    リル)チミン誘導体、ビス(トリメチルシリル)ウラシ
    ル誘導体あるいはビス(トリメチルシリル)シトシン誘
    導体を用いることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
    載の製造法。
  4. 【請求項4】反応条件として−78〜−30 ℃で行う
    ことを特徴とする請求項1の製造方法。
JP17206592A 1991-08-29 1992-06-05 2’,3’−ジデオキシヌクレオシド誘導体の製造方法 Expired - Lifetime JPH0819124B2 (ja)

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