JPH0612750B2 - パタ−ン形成法 - Google Patents
パタ−ン形成法Info
- Publication number
- JPH0612750B2 JPH0612750B2 JP60031255A JP3125585A JPH0612750B2 JP H0612750 B2 JPH0612750 B2 JP H0612750B2 JP 60031255 A JP60031255 A JP 60031255A JP 3125585 A JP3125585 A JP 3125585A JP H0612750 B2 JPH0612750 B2 JP H0612750B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scale
- substrate
- photoresist layer
- row
- graduation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分 本発明は、基板上に所望のパターンを有する層を形成し
たり、基板に所望のパターンの加工を施したりする場合
に適用されるパターン形成法に関し、特に、半導体集積
回路装置を製造する場合に適用して好適なものである。
たり、基板に所望のパターンの加工を施したりする場合
に適用されるパターン形成法に関し、特に、半導体集積
回路装置を製造する場合に適用して好適なものである。
従来の技術 従来、第１図〜第６図を伴なって次に述べるパターン形
成法が提案されている。
成法が提案されている。
すなわち、基板１を予め用意する（第１図）。
しかして、その基板１上に、その全域に亘ってフォトレ
ジスト層２を形成する（第２図）。
ジスト層２を形成する（第２図）。
次に、フォトレジスト層２に対する露光マスク（図示せ
ず）を用いた露光処理を行い、続いて、現像処理を行っ
て、フォトレジスト層２から、幅Ｗａの矩形パターンを
有する複数例えば５本の目盛用窓Ａ−２、Ａ−１、
Ａ０、Ａ１、Ａ２がそれらの幅方向に順次ピッチＰａで
配列されている目盛用窓列４を有するエッチング用マス
ク５を形成する（第３図）。
ず）を用いた露光処理を行い、続いて、現像処理を行っ
て、フォトレジスト層２から、幅Ｗａの矩形パターンを
有する複数例えば５本の目盛用窓Ａ−２、Ａ−１、
Ａ０、Ａ１、Ａ２がそれらの幅方向に順次ピッチＰａで
配列されている目盛用窓列４を有するエッチング用マス
ク５を形成する（第３図）。
この場合、エッチング用マスク５が有する目盛用窓列４
は、それを構成している目盛用窓Ａ−２、Ａ−１、
Ａ０、Ａ１、Ａ２の一側面がそれらに共通の配列線Ｌ−
Ｌと一致するように形成されている。
は、それを構成している目盛用窓Ａ−２、Ａ−１、
Ａ０、Ａ１、Ａ２の一側面がそれらに共通の配列線Ｌ−
Ｌと一致するように形成されている。
次に、基板１に対するエッチング用マスク５を用いたエ
ッチング処理によって、基板１の表面に、目盛用窓列４
に対応しているパターンを有する、目盛用溝条Ｂ−２、
Ｂ−１、Ｂ０、Ｂ１、Ｂ２が配列されている目盛用溝条
列６でなる目盛尺７を形成する（第４図）。この目盛尺
７としての目盛用溝条列６は、それを構成している複数
の目盛用溝条Ｂ−２、Ｂ−１、Ｂ０、Ｂ１、Ｂ２の一側
面がそれらの共通の配列線Ｌ−Ｌと一致するように形成
される。
ッチング処理によって、基板１の表面に、目盛用窓列４
に対応しているパターンを有する、目盛用溝条Ｂ−２、
Ｂ−１、Ｂ０、Ｂ１、Ｂ２が配列されている目盛用溝条
列６でなる目盛尺７を形成する（第４図）。この目盛尺
７としての目盛用溝条列６は、それを構成している複数
の目盛用溝条Ｂ−２、Ｂ−１、Ｂ０、Ｂ１、Ｂ２の一側
面がそれらの共通の配列線Ｌ−Ｌと一致するように形成
される。
次に、基板１上に、エッチング用マスク５を除去して
後、他のフォトレジスト層８を形成する（第５図）。
後、他のフォトレジスト層８を形成する（第５図）。
次に、フォトレジスト層８に対する他の露光マスク（図
示せず）を用いた露光処理を行い、続いて現像処理を行
って、フォトレジスト層８から、所望のパターンを有す
る加工用窓９が、目盛尺７と共働する他の目盛尺１１と
しての目盛用溝条列１０とともに形成されている加工用
マスク１２を形成する。
示せず）を用いた露光処理を行い、続いて現像処理を行
って、フォトレジスト層８から、所望のパターンを有す
る加工用窓９が、目盛尺７と共働する他の目盛尺１１と
しての目盛用溝条列１０とともに形成されている加工用
マスク１２を形成する。
この場合、目盛尺１１としての目盛用溝条列１０は、例
えば、目盛尺７としての目盛用溝条列６の各目盛用溝条
Ｂｉ（ｉ＝−２、−１、０、１、２）の幅Ｗａと同じ幅
Ｗｃの矩形パターンを有する例えば５本の目盛用溝条Ｃ
−２、Ｃ−１、Ｃ０、Ｃ１、Ｃ２が、それらの幅方向に
順次ピッチＰａとは異なるピッチＰａに比し小さなピッ
チＰａで配列されている。また、複数の目盛用溝条Ｃ
−２、Ｃ−１、Ｃ０、Ｃ１、Ｃ２の一側面が、配列線Ｌ
−Ｌと一致するように形成されている。
えば、目盛尺７としての目盛用溝条列６の各目盛用溝条
Ｂｉ（ｉ＝−２、−１、０、１、２）の幅Ｗａと同じ幅
Ｗｃの矩形パターンを有する例えば５本の目盛用溝条Ｃ
−２、Ｃ−１、Ｃ０、Ｃ１、Ｃ２が、それらの幅方向に
順次ピッチＰａとは異なるピッチＰａに比し小さなピッ
チＰａで配列されている。また、複数の目盛用溝条Ｃ
−２、Ｃ−１、Ｃ０、Ｃ１、Ｃ２の一側面が、配列線Ｌ
−Ｌと一致するように形成されている。
以上が、従来提案されているパターン形成法である。
このようなパターン形成法によれば、基板１上に、加工
用マスク１２を用いて、その加工用窓９のパターンを以
て基板１に接している層を形成したり、基板１を、加工
用窓９のパターンに加工（イオン打込加工、エッチング
加工など）することができる。
用マスク１２を用いて、その加工用窓９のパターンを以
て基板１に接している層を形成したり、基板１を、加工
用窓９のパターンに加工（イオン打込加工、エッチング
加工など）することができる。
また、上述したパターン形成法によれば、目盛尺７及び
１１を用い、目盛尺７としての目盛用溝条列６のどの目
盛用溝条と、目盛尺１１としての目盛用溝条列１０のど
の目盛用溝条とが一致しているか否かによって、加工用
窓９が基板１上の基準位置に対して位置ずれなく形成さ
れているか、または位置ずれを有して形成されていると
して、その位置ずれが許容値内にあるか否かを判知する
ことができる。
１１を用い、目盛尺７としての目盛用溝条列６のどの目
盛用溝条と、目盛尺１１としての目盛用溝条列１０のど
の目盛用溝条とが一致しているか否かによって、加工用
窓９が基板１上の基準位置に対して位置ずれなく形成さ
れているか、または位置ずれを有して形成されていると
して、その位置ずれが許容値内にあるか否かを判知する
ことができる。
発明が解決しようとする問題 しかしながら、上述したパターン形成法の場合、加工用
マスク１２を、加工用窓９が基板１に達する深さに形成
されるとともに、目盛尺１１としての目盛用溝条列１０
の目盛用溝条Ｃｉも、基板１に達する深さに形成される
ように、形成していた。
マスク１２を、加工用窓９が基板１に達する深さに形成
されるとともに、目盛尺１１としての目盛用溝条列１０
の目盛用溝条Ｃｉも、基板１に達する深さに形成される
ように、形成していた。
このため、上述したように、加工用マスク１２の加工用
窓９を用いて、基板１に接する層を形成したり、基板１
に加工を施したりする場合、これと同時に、基板１の目
盛尺１１が形成されている領域において、目盛用溝条列
１１のパターンで基板１に接している層が形成された
り、基板１が目盛用溝条列１１のパターンに加工された
りし、よって、加工用マスク１２を用いた上述した処理
を行って後、それを除去し、再度上述した加工用マスク
１２と同様の加工用マスクを形成せんとする場合、その
加工用マスクの上述した目盛用溝条列１０と同様の目盛
用溝条列を、上述した目盛用溝条列１０が形成されてい
る領域以外の領域に形成するとともに、上述した目盛尺
７も、新たに形成された目盛用溝条列の形成されている
領域に形成するを要する。
窓９を用いて、基板１に接する層を形成したり、基板１
に加工を施したりする場合、これと同時に、基板１の目
盛尺１１が形成されている領域において、目盛用溝条列
１１のパターンで基板１に接している層が形成された
り、基板１が目盛用溝条列１１のパターンに加工された
りし、よって、加工用マスク１２を用いた上述した処理
を行って後、それを除去し、再度上述した加工用マスク
１２と同様の加工用マスクを形成せんとする場合、その
加工用マスクの上述した目盛用溝条列１０と同様の目盛
用溝条列を、上述した目盛用溝条列１０が形成されてい
る領域以外の領域に形成するとともに、上述した目盛尺
７も、新たに形成された目盛用溝条列の形成されている
領域に形成するを要する。
従って、全体としての目盛尺が、基板１に大なる面積を
占め、従って、基板１の利用率が悪いという欠点を有し
ていた。
占め、従って、基板１の利用率が悪いという欠点を有し
ていた。
問題を解決するための手段 よって、本発明は上述した欠点のない、新規なパターン
形成法を提案せんとするものである。
形成法を提案せんとするものである。
本発明によるパターン形成法は、次に述べる順次の工程
をとる。
をとる。
すなわち、第１図〜第６図で上述したと同様に、基板上
に第１のフォトレジスト層を形成する。
に第１のフォトレジスト層を形成する。
次に、第１のフォトレジスト層に対する第１の露光マス
クを用いた露光処理、及びそれに続く現像処理によっ
て、上記第１のフォトレジスト層から、矩形パターンを
有する複数の第１の目盛用窓がそれらの幅方向に順次第
１のピッチで配列されている第１の目盛用窓列を有する
エッチング用マスクを形成する。
クを用いた露光処理、及びそれに続く現像処理によっ
て、上記第１のフォトレジスト層から、矩形パターンを
有する複数の第１の目盛用窓がそれらの幅方向に順次第
１のピッチで配列されている第１の目盛用窓列を有する
エッチング用マスクを形成する。
次に、上記基板に対する上記第１のエッチング用マスク
を用いたエッチング処理によって、上記基板の表面に、
上記第１の目盛用窓列に対応しているパターンを有する
第１の目盛用溝条列でなる第１の目盛尺を形成する。
を用いたエッチング処理によって、上記基板の表面に、
上記第１の目盛用窓列に対応しているパターンを有する
第１の目盛用溝条列でなる第１の目盛尺を形成する。
次に、上記基板上に、上記第１のエッチング用マスクを
除去して後、上記第２のフォトレジスト層を形成する。
除去して後、上記第２のフォトレジスト層を形成する。
次に、上記第２のフォトレジスト層に対する第２の露光
マスクを用いた第２の露光処理、及びそれに続く現像処
理によって、上記第２のフォトレジスト層から、所望の
パターンを有する加工用窓が、上記第１の目盛尺と共働
する第２の目盛尺としての、矩形パターンを有する複数
の第２の目盛用溝条がそれらの幅方向に順次上記第１の
ピッチとは異なる第２のピッチで配列されている第２の
目盛用溝条列とともに形成されている加工用マスクを形
成する。
マスクを用いた第２の露光処理、及びそれに続く現像処
理によって、上記第２のフォトレジスト層から、所望の
パターンを有する加工用窓が、上記第１の目盛尺と共働
する第２の目盛尺としての、矩形パターンを有する複数
の第２の目盛用溝条がそれらの幅方向に順次上記第１の
ピッチとは異なる第２のピッチで配列されている第２の
目盛用溝条列とともに形成されている加工用マスクを形
成する。
しかしながら、本発明によるパターン形成法は、上記第
２の目盛尺を、それを構成している上記第２の目盛用溝
条列の各溝条が、上記基板に達しない深さになるように
形成する。
２の目盛尺を、それを構成している上記第２の目盛用溝
条列の各溝条が、上記基板に達しない深さになるように
形成する。
効果 このような本発明によれば、上述した従来の欠点を有し
ない。
ない。
実施例 次に、本発明によるパターン形成法の実施例を述べよ
う。
う。
本発明によるパターン形成法は、第１図／第６図で上述
した従来のパターン形成法において、その第６図で上述
した加工用マスク１２を形成する工程において、その加
工用マスク１２に形成している目盛尺１１としての目盛
用溝条列１０の目盛用溝条列Ｃ−２、Ｃ−１、Ｃ０、Ｃ
１、Ｃ２が、第７図に示すように、基板１に達しない深
さで形成されるように、加工用マスク１２を形成するこ
とを除いて、第１図〜第６図で上述したパターン形成法
の場合と同様である。なお、このためには、フォトレジ
スト層８に対する露光処理時に用いる露光マスクの矩形
パターンの幅を従来の場合に比し狭くすればよいもので
ある。
した従来のパターン形成法において、その第６図で上述
した加工用マスク１２を形成する工程において、その加
工用マスク１２に形成している目盛尺１１としての目盛
用溝条列１０の目盛用溝条列Ｃ−２、Ｃ−１、Ｃ０、Ｃ
１、Ｃ２が、第７図に示すように、基板１に達しない深
さで形成されるように、加工用マスク１２を形成するこ
とを除いて、第１図〜第６図で上述したパターン形成法
の場合と同様である。なお、このためには、フォトレジ
スト層８に対する露光処理時に用いる露光マスクの矩形
パターンの幅を従来の場合に比し狭くすればよいもので
ある。
このような本発明によるパターン形成法によれば、目盛
尺１１としての目盛用溝条列１０の目盛用溝条Ｃｉが、
基板１に達しなくても、目盛尺１１としての作用が前述
した場合と同様に得ることができるとともに、前述した
ように加工用マスク１２と同様の加工用マスクを再度形
成するとき、その場合の目盛尺を、目盛尺１１の系税さ
れている領域に目盛尺７の共働する目盛尺として形成す
ることができる。従って、目盛尺が基板１に占める面積
が大にならない。
尺１１としての目盛用溝条列１０の目盛用溝条Ｃｉが、
基板１に達しなくても、目盛尺１１としての作用が前述
した場合と同様に得ることができるとともに、前述した
ように加工用マスク１２と同様の加工用マスクを再度形
成するとき、その場合の目盛尺を、目盛尺１１の系税さ
れている領域に目盛尺７の共働する目盛尺として形成す
ることができる。従って、目盛尺が基板１に占める面積
が大にならない。
第１図、第２図、第３図Ｂ、第４図、第５図、第６図Ｂ
は、従来のパターン形成法を示す順次の高低における略
線的断面図、第３図Ａ及び第６図Ａは、第３図Ｂ及び第
６図Ｂの平面図である。 第７図Ａ及びＢは、本発明によるパターン形成法の実施
例を示す略線的平面図及びその断面図である。 １……基板 ２……フォトレジスト層 ４……目盛用窓列 ５……エッチング用マスク ６……目盛用溝条列 ７……目盛尺 ８……フォトレジスト層 ９……加工用窓 10……目盛用溝条列 11……目盛尺
は、従来のパターン形成法を示す順次の高低における略
線的断面図、第３図Ａ及び第６図Ａは、第３図Ｂ及び第
６図Ｂの平面図である。 第７図Ａ及びＢは、本発明によるパターン形成法の実施
例を示す略線的平面図及びその断面図である。 １……基板 ２……フォトレジスト層 ４……目盛用窓列 ５……エッチング用マスク ６……目盛用溝条列 ７……目盛尺 ８……フォトレジスト層 ９……加工用窓 10……目盛用溝条列 11……目盛尺
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に第１のフォトレジスト層を形成す
る工程と、 上記第１のフォトレジスト層に対する第１の露光マスク
を用いた露光処理、及びそれに続く現像処理によって、
上記第１のフォトレジスト層から、矩形パターンを有す
る複数の第１の目盛用窓がそれらの幅方向に順次第１の
ピッチで配列されている第１の目盛用窓列を有するエッ
チング用マスクを形成する工程と、 上記基板に対する上記第１のエッチング用マスクを用い
たエッチング処理によって、上記基板の表面に、上記第
１の目盛用窓列に対応しているパターンを有する第１の
目盛用溝条列でなる第１の目盛尺を形成する工程と、 上記基板上に、上記第１のエッチング用マスクを除去し
て後、上記第２のフォトレジスト層を形成する工程と、 上記第２のフォトレジスト層に対する第２の露光マスク
を用いた第２の露光処理、及びそれに続く現像処理によ
って、上記第２のフォトレジスト層から、所望のパター
ンを有する加工用窓が、上記第１の目盛尺と共働する第
２の目盛尺としての、矩形パターンを有する複数の第２
の目盛用溝条がそれらの幅方向に順次上記第１のピッチ
とは異なる第２のピッチで配列されている第２の目盛用
溝条列とともに形成されている加工用マスクを形成する
工程とを有するパターン形成法において、 上記第２の目盛尺を、それを構成している上記第２の目
盛用溝条列の各溝条が、上記基板に達しない深さになる
ように形成することを特徴とするパターン形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60031255A JPH0612750B2 (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | パタ−ン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60031255A JPH0612750B2 (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | パタ−ン形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61190939A JPS61190939A (ja) | 1986-08-25 |
| JPH0612750B2 true JPH0612750B2 (ja) | 1994-02-16 |
Family
ID=12326245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60031255A Expired - Lifetime JPH0612750B2 (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | パタ−ン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0612750B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2970473B2 (ja) * | 1995-06-29 | 1999-11-02 | 日本電気株式会社 | アライメント方法およびアライメント誤差検査方法 |
-
1985
- 1985-02-19 JP JP60031255A patent/JPH0612750B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61190939A (ja) | 1986-08-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |