JPH06118445A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】液晶駆動用ＴＦＴのある液晶表示装置に関し、
ＴＦＴの動作半導体層を薄くし、パターニング用マスク
の作成工程の簡略化を図り、生産性を向上する。 【構成】ゲート電極16の上に積層したゲート絶縁膜19と
動作半導体層20とチャネル保護膜21Ａをパターニングす
る際にポジ型イメージ・リバーサル・レジスト22を使用
し、ゲート電極16を含むトランジスタ形成領域にあるそ
のレジスト22の上層に光を照射し、リバーサルベークし
て該部分を現像不能な変質部22Ａとした後、透明基板11
の上と下から光を照射し、変質部22Ａとゲート電極16と
の間を除くイメージ・リバーサル・レジスト22を光照射
状態にする工程と、現像により前記イメージ・リバーサ
ル・レジスト22を断面Ｔ字型のパターンにする工程と、
そのパターンをマスクに用いてチャネル保護膜21Ａを等
方性エッチングし、動作半導体層20とゲート絶縁膜19を
異方性エッチングするパターニング工程を含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置の製造方
法に関し、更に詳しく言えば、液晶駆動用の薄型トラン
ジスタマトリクスを有する液晶表示装置の製造方法に関
する。

【０００２】このような薄型トランジスタマトリクスの
製造においては、製造工程を簡略化し、製造コストを低
下させることが要求されている。

【０００３】

【従来の技術】従来は、このような液晶駆動用の薄型ト
ランジスタマトリクスの製造は、通常７〜８枚のフォト
マスク工程を通って行われていたが、工程の簡略化の必
要から図８〜１０に示すような製造方法が提案されてい
る。

【０００４】なお、図８は製造工程を示す平面図であ
り、図９は、その工程のＸ−Ｘ線断面図、図１０は、Ｙ
−Ｙ線断面図である。この方法によれば、まずガラス基
板１上に透明電膜であるＩＴＯ（Indium TinOxide）膜
２及びＣｒ膜３を順次スパッタリング法によって３０n
m、２００nmずつ形成する（図８(a),図９(a),図１０
(a))。

【０００５】次に、レジストＲ₁ を塗布し、１枚目のフ
ォトマスクを用いて露光した後に、そのレジストＲ₁ を
現像し、これによりゲート領域、ゲートバスライン領
域、画素領域を覆うパターンを形成する（図８(b),図９
(b),図１０(b))。

【０００６】この後に、レジストＲ₁ をマスクとして、
Ｃｒ膜３及びＩＴＯ膜２を塩素系のエッチング液によっ
て選択的にエッチング・除去し、ゲート電極４、ゲート
バスライン電極５及びのちに画素となる電極６を形成す
る（図８(c),図９(c),図１０(c))。

【０００７】次に、シラン（SiH₄）をベースガスとする
プラズマ化学気相成長法( 以下Ｐ−ＣＶＤ法と称する）
により、シリコン窒化（SiN)膜７と動作アモルファスシ
リコン膜（以下動作a-Si膜と称する）８を３００nm、２
００nmずつ順次形成し、続いて、フィスフォン（PH₃)と
シラン( SiH₄) の混合ガスを用いたＰ−ＣＶＤ法によっ
て、ｎ⁺ アモルファスシリコン膜（以下ｎ⁺ 型a-Si膜と
称する）９を５０nmの厚さに形成する（図８(d),図９
(d),図１０(d))。

【０００８】動作a-Si膜８とｎ⁺ 型a-Si膜９の膜厚は、
後の工程でｎ⁺ 型a-Si膜９をパターニングする際に動作
a-Si膜８が同時にパターニングされないように設定す
る。この後、それらの膜の上部にレジストＲ₂ を塗布
し、２枚目のフォトマスクを用いてレジストＲ₂ をパタ
ーニングする（図８(e),図９(e),図１０(e))。このパタ
ーンは、ゲート電極４とゲートバスライン電極５を覆う
ような形状にする。

【０００９】次に、そのレジストＲ₂ をマスクにして、
フレオン（CF₄ ) ガスを用いたｎ⁺型a-Si膜９，動作a-S
i膜８及びシリコン窒化膜７を異方性プラズマエッチン
グ法により連続してエッチングしてパターニングした後
に、レジストＲ₂ を剥離する（図８(f),図９(f),図１０
(f))。なお、ゲート電極４の上のシリコン窒化膜７は、
ゲート絶縁膜となる。

【００１０】この後に、Al層１１をスパッタリング法に
よって３００nm形成してから、その上にレジストＲ₃ を
塗布する。さらに、そのレジストＲ₃ を３枚目のフォト
マスクを用いて露光し、ついで現像し、これによりドレ
イン領域、ドレインバスライン領域と、画素電極に延在
するソース領域を覆うパターンを形成する（図８(g),図
９(g),図１０(g))。

【００１１】次に、そのレジストＲ₃ をマスクとして燐
酸系のエッチング液によってAl層１１をエッチングして
ソース電極（Ｓ）１３、ドレイン電極（Ｄ）１４を及び
ドレインバスライン（ＤＢ）１５を形成する。ついで、
塩素系のエッチング液によって画素電極６の上で露出し
ているＣｒ膜３をエッチング・除去し、ＩＴＯ膜２を露
出させ、画素電極６を透明にする。

【００１２】これに続いて、フレオン（CF₄ ) によるプ
ラズマエッチングを行い、ｎ⁺ 型a-Si膜９をパターニン
グしてソース電極１３、ドレイン電極１４及びドレイン
バスライン１５の下だけに残存させ、動作a-Si膜８との
コンタクト層として使用する。そのエッチングは動作a-
Si膜８に多少のエッチングが進んだ時点で停止させる
（図８(h),図９(h),図１０(h))。この場合、ゲート電極
４の上でソース電極１３とドレイン電極１４が電気的に
分離されることになる。

【００１３】以上の工程により、動作a-Si膜８のチャネ
ル領域が露出している薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと
称する）が形成され、このようなＴＦＴの構造をチャネ
ル・エッチング型ＴＦＴと呼ぶ。

【００１４】このようなＴＦＴはマトリクス状に多数配
置され、液晶駆動などに用いられている。なお、以上の
製造方法では、３回のフォトレジスト塗布とパターニン
グを行っている。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のチャネ
ル・エッチング型ＴＦＴでは、動作a-Si膜８の表面が直
接外界に曝され、動作の不安定性が発生する。よって、
動作a-Si膜８の上部に図９(h) に示すようなSiN などの
チャネル保護膜１０を形成する必要があり、これをパタ
ーニングするための４回目のレジスト塗布とこのパター
ニングが必要になり、工程の簡略化が図れない。

【００１６】更に、ｎ⁺ 型a-Si膜９をパターニングする
際の動作a-Si膜８のパターニング防止のために、動作a-
Si膜８を厚くする必要があり、これよれば成膜に多くの
時間を要し、生産性が低下するという欠点がある。

【００１７】このような問題を解決するために、図１１
に示すように、動作a-Si膜８の中央の上に絶縁性のチャ
ネル保護膜Ｍを形成し、その後に、ｎ⁺ 型a-Si膜９、Al
膜１１を形成し、これらをパターニングしてソース電極
とドレイン電極を形成することが提案されている。この
場合、チャネル保護膜Ｍはエッチングストッパとして機
能し、また、ソース電極１３とドレイン電極１４はその
チャネル保護膜Ｍの上で分離される。このＴＦＴは、エ
ッチングストッパ型と呼ばれている。

【００１８】しかし、この構造のＴＦＴを実現するため
には、動作a-Si膜８に接触するソース／ドレイン電極１
３，１４をゲート電極４の一部と重なりを持たせる必要
があり、このためには、チャネル保護膜Ｍをゲート長よ
りも狭くするパターニングが必要となり、工程を簡略化
することにならない。

【００１９】本発明はかかる従来例の問題点に鑑み創作
されたものであり、ＴＦＴの動作半導体層の厚さを減ら
し、パターニング用マスクの作成工程の簡略化を図っ
て、生産性を向上することができる液晶表示装置の製造
方法の提供を目的とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】上記した課題は、図１の
原理図に示すように、透明基板11の上に遮光層を有する
ゲート電極16を形成する工程と、それぞれ光透過性のあ
る第一の絶縁膜19、動作半導体層20及び第二の絶縁膜21
を、ゲート電極16側の前記透明基板11の上に順に積層す
る工程と、前記第二の絶縁膜21の上にポジ型のイメージ
・リバーサル・レジスト22を塗布する工程と、露光用マ
スクを用いて、前記ゲート電極16とその両側に広がるト
ランジスタ形成領域にある前記イメージ・リバーサル・
レジスト22の上層に光を選択的に照射し、リバーサル・
べークし、この光照射部分を現像に不溶なリバーサル変
質部22Ａとする工程と、前記透明基板11の上と下から光
を照射し、前記リバーサル変質部22Ａと前記ゲート電極
16とに挟まれる部分以外のイメージ・リバーサル・レジ
スト22を光照射状態にする工程と、現像することによっ
て、前記リバーサル変質部22Ａと前記ゲート電極16とに
挟まれる部分と前記リバーサル変質部22Ａを除く前記イ
メージ・リバーサル・レジスト22を熔解して断面Ｔ字状
のパターンを形成する工程と、パターニングされた前記
イメージ・リバーサル・レジスト22をマスクにして前記
第二の絶縁膜21を等方性エッチングし、前記ゲート電極
16に沿って残存した前記第二の絶縁膜21をチャネル保護
膜21Ａとなす工程と、前記イメージ・リバーサル・レジ
スト22をマスクに使用し、前記第一の絶縁膜19及び前記
動作半導体層20を垂直方向に異方性エッチングして前記
トランジスタ形成領域に残存させる工程と、前記イメー
ジ・リバーサル・レジスト22を除去した後に、不純物含
有半導体層23と金属膜30を積層する工程と、前記不純物
含有半導体層23と前記金属膜30をパターニングして、前
記チャネル保護膜21Ａ上で分離されるソース電極31とド
レイン電極32を形成する工程とを有することを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法により達成する。

【００２１】または、前記ゲート電極16の側方に間隔を
おいて透明電極33が形成され、該透明電極３３が前記ソ
ース電極31の一端と導通することを特徴とする液晶表示
装置の製造方法により達成する。

【００２２】または、前記動作半導体層20は、非晶質シ
リコンからなり、前記ゲート電極16の前記遮光層は、ア
ルミニウムとモリブデンの積層構造又はアルミニウム合
金とモリブデンの積層構造からなることを特徴とする液
晶表示装置の製造方法により達成する。

【００２３】

【作 用】本発明によれば、不透明なゲート電極１６を
覆う透明な第一の絶縁膜１９、動作半導体層２０及び第
二の絶縁膜２１をパターニングする際に、イメージ・リ
バーサル・レジスト２２を塗布し、ついで、露光用マス
クを用いて露光してからリバーサルベークを行うことに
よりトランジスタ形成領域にあるイメージ・リバーサル
・レジスト２２の上層部を現像不可能な変質部２２Ａと
し、ついで、透明基板１１の上と下から光を照射して、
ゲート電極１６と変質部２２Ａに挟まれる部分以外のイ
メージ・リバーサル・レジスト２２を光照射状態にす
る。次に、イメージ・リバーサル・レジスト２０を現像
してトランジスタ形成領域の上に断面略Ｔ字状のパター
ンを形成するようにしている。

【００２４】そして、このレジストパターンをマスクに
して、等方性エッチングにより第二の絶縁膜２１をパタ
ーニングしてチャネル保護膜２２Ａを形成し、つづい
て、異方性エッチングにより第一の絶縁膜１９及び動作
半導体層２０を連続してパターニングしている。

【００２５】従って、２つのパターン形成のために１回
のレジスト塗布と、１回の現像で足りる。しかも、チャ
ネル保護膜２２Ａを形成する際には自己整合的に露光が
行われ、位置合わせ精度が良くなる。

【００２６】また、本発明によれば、エッチングストッ
プ層となるチャネル保護膜２１Ａを設けているので、オ
ーバーエッチングを防止するために動作半導体膜２０を
厚くする必要がなく、成膜時間が短縮され、スループッ
トが向上する。

【００２７】

【実施例】そこで、以下に本発明の実施例を図面に基づ
いて説明する。図２、３は、本発明の一実施例の製造工
程を示す平面図、図４、５は、そのＡ−Ａ線断面図、図
６、７は、Ｂ─Ｂ線断面図である。

【００２８】まず、図２(a),図４(a),図６(a) に示すよ
うに、ガラス基板１１の上に膜厚３０nmのＩＴＯ膜１
２、膜厚１００nmのAl膜１３及び膜厚７０nmのMo膜１４
を順次スパッタリング法によって形成する。

【００２９】次に、フォトレジスト１５を全面に塗布
し、露光、現像することで画素領域、ゲート領域及びゲ
ートバスライン領域を覆うパターンを形成する（図２
(b),図４(b),図６(b))。

【００３０】次いで、フォトレジスト１５から露出した
Al膜１３及びMo膜１４を燐酸系エッチング液でエッチン
グ・除去し、続いて、ＩＴＯ膜１２を塩素系エッチング
液でエッチング・除去することでゲート電極１６，ゲー
トバスライン１７及び画素電極１８を形成し、ついで、
フォトレジスト１５を剥離する（図２(c),図４(c),図６
(c))。

【００３１】この後に、シラン(SiH₄)をベースガスとす
るＰ−ＣＶＤ法によって、膜厚３００nmのシリコン窒化
膜以下SiN 膜と称する）１９、膜厚２０nmのアモルファ
スシリコン膜以下a-Si膜と称する）２０を順次形成し、
ついで、アンモニア(NH₃) とシラン(SiH₄)との混合ガス
を用いたＰ−ＣＶＤ法によって、膜厚３００nmのSiN膜
２１を形成する（図２(d),図４(d),図６(d))。この場
合、トランジスタ領域において、SiN 膜１９はゲート絶
縁膜となり、a-Si膜２０は動作半導体層となる。

【００３２】ついで、ポジ型のイメージ・リバーサル・
レジスト２２をスピンコート法により膜厚２．０μｍの
厚さに塗布する（図２(e),図４(e),図６(e))。このレジ
ストとして、例えばヘキスト（株）のＡＺ５２００Ｅが
ある。

【００３３】次に、ガラス基板１の上方露光マスクPM₁
を配置し、紫外線を用いる通常のステッパ露光を行う
（図２(f),図４(f),図６(f))。この場合の紫外線の照射
部分は、ゲート電極１６とその両側方に広がるトランジ
スタ領域と、このトランジスタ領域から間隔をおいて形
成されたゲートバスライン１７及びその周辺領域とに位
置するイメージ・リバーサル・レジスト２２である。ま
た、その照射する深さは、イメージ・リバーサル・レジ
スト２２の上層部１．０μｍであり、深さの調整は、紫
外線強度を調整したり、露光時間を調整することにより
容易に行える。

【００３４】続いて、１２０℃のリバーサルベークを行
い、アルカリ性の現像液に不溶なリバーサル変質部２２
Ａ，２２Ｂを形成する。この場合、紫外線が照射されな
かった部分はポジレジストの性質を保持している。

【００３５】次いで、ガラス基板１１の上部からは、前
工程で用いた露光マスクPM₁ のネガパターンの露光マス
クPM₂ に使用して紫外線を照射し、またと下部からはガ
ラス基板１１全面に紫外線を照射してフラッド露光を行
う（図２(g),図４(g),図５(g))。

【００３６】このとき、Al膜１３、Mo膜１４を有するゲ
ート電極１６及びゲートバスライン１７が露光マスクと
して機能し、これらとリバーサル変質部２２Ａ，２２Ｂ
に挟まれた部分のイメージ・リバーサル・レジスト２２
は、光が照射されない部分となる。

【００３７】なお、画素電極１８の上のAl膜１３、Mo膜
１４は遮光膜であって、下からの光を通さないが、上方
の光に照射されるので、画素電極１８の上のイメージ・
リバーサル・レジスト２２は光照射部分となる。また、
ゲート電極１６はマスクになるので、その上の部分は未
露光状態となる。

【００３８】ここで、イメージ・リバーサル・レジスト
２２はポジ型であるので、露光領域はアルカリ性の現像
液に溶解するが、上記したように、リバーサル変質部２
２Ａ，２２Ｂ及びその下部の細い未露光領域はアルカリ
性の現像液に不溶になっており、それらの断面形状はＴ
字状となる（図４(g),図６(g))。

【００３９】そこで次に、アルカリ性の現像液を用いて
イメージ・リバーサル・レジスト２２を現像すると、変
質領域層２２Ａ，２２Ｂ及びその下部の未露光領域が残
存する。そのパターンの下部は、ゲート電極１６やゲー
トバスライン１７に対応し、その上部はゲート電極１６
及びゲートバスライン１７を上下及び側方から覆う大き
さのパターンとなる（図３(a),図５(a),図７(a))。

【００４０】次いで、そのイメージ・リバーサル・レジ
スト２２をマスクにして緩衝弗酸によりSiN 膜２１を等
方性エッチングによりパターニングし、ゲート電極１６
の上の窒化膜２１をチャンネル保護膜２１Ａとして使用
する（図３(b),図５(b) 図７(b))。このチャネル保護膜
２１Ａについては、オーバーエッチングによりゲート電
極１６よりも僅かに細い形状にする。

【００４１】続いて、同じイメージ・リバーサル・レジ
スト２２をマスクにし、フレオン（CF₄)ガスを用いて異
方性のプラズマエッチングを行い、これにより動作a-Si
膜２０及びSiN 膜１９を、ガラス基板１１に対してほぼ
垂直にエッチングしてパターニングする（図３(c),図５
(c),図７(c))。この場合、ゲート電極１６を覆う動作a-
Si膜２０は動作半導体層となり、その下のSiN 膜１９は
ゲート絶縁膜として機能する。その他の領域では、それ
らは層間絶縁膜となる。

【００４２】以上のように、１つのイメージ・リバーサ
ル・レジスト２２をマスクにして、大きさの違うチャネ
ル保護膜２１Ａと動作半導体層のパターニングを連続し
て行えるので、それらのパターニングのためのフォトレ
ジスト塗布や現像が１回で済み、しかもチャネル保護膜
２１Ａを形成する際の位置合わせ精度が良くなる。

【００４３】その後に、イメージ・リバーサル・レジス
ト２２を有機溶剤で剥離してから、フォスフィン（PH₃)
とシラン(SiH₄)との混合ガスを用いたＰ−ＣＶＤ法によ
り、全面に膜厚５０nmのｎ⁺ アモルファスシリコン膜
（以下ｎ⁺ 型a-Si膜と称する）２３を形成する。続い
て、スパッタリング法によって膜厚５０nmのＴｉ膜２４
と膜厚３００nmのAl膜２５を順次形成する（図３(d),図
５(d),図７(d))。

【００４４】この後に、全面にフォトレジスト２６を塗
布し、これを露光、現像することによりソース／ドレイ
ン領域及びドレインバスライン形成領域を覆うパターン
を形成する（図３(e),図５(e),図７(e))。

【００４５】次に、フォトレジスト２６をマスクにし
て、Al膜２５を燐酸系のエッチング液でエッチングし、
ついで、塩素系のガスを用いてTi膜２４とｎ⁺ 型a-Si膜
２３を異方性プラズマエッチングしてソース電極３１及
びドレイン電極３２を形成するとともに、ドレイン電極
３２に繋がるドレインバスライン３３を形成する（図３
(f),図５(f),図７(f))。

【００４６】この場合、エッチングストップ層となるチ
ャネル保護膜２１Ａを設けているので、動作a-Si膜８を
オーバーエッチングすることはなく、その膜厚を厚くす
る必要がなくなり、成膜時間が少なくて済む。

【００４７】以上により、チャネル保護膜を具備するエ
ッチング・ストッパ型のＴＦＴが完成する。この後に、
画素電極１８の上層部に残存するMo膜１４とAl膜１３を
燐酸系のエッチング液で除去し、ＩＴＯ膜１２のみを残
存させることにより、画素電極１８を透明化する。

【００４８】上記したＴＦＴ及び画素電極はマトリクス
状に配置され、また、ゲートバスラインとドレインバス
ラインは交差する方向に配置されて液晶駆動などに用い
られる。

【００４９】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、不透
明なゲート電極を覆う透明な第一の絶縁膜、動作半導体
層及び第二の絶縁膜をパターニングする際に、イメージ
・リバーサル・レジストを塗布し、ついで、露光用マス
クを用いて露光してからリバーサルベークを行うことに
よりトランジスタ形成領域にあるイメージ・リバーサル
・レジストの上層部を現像不可能な変質部とし、ついで
透明基板の上と下から光を照射して、ゲート電極と変質
部に挟まれる部分以外のイメージ・リバーサル・レジス
トを光照射状態にする。次に、イメージ・リバーサル・
レジストを現像してトランジスタ形成領域の上に断面略
Ｔ字状のパターンを形成するようにしている。そして、
このレジストパターンをマスクにして、等方性エッチン
グにより第二の絶縁膜をパターニングしてチャネル保護
膜を形成し、つづいて、異方性エッチングにより第一の
絶縁膜及び動作半導体層を連続してパターニングしてい
る。

【００５０】従って、２つのパターン形成のために１回
のレジスト塗布と、１回の現像で足り、工程の簡略化を
図ることができる。しかも、チャネル保護膜を形成する
際には自己整合的に露光を行うので、位置合わせ精度を
良くすることができる。

【００５１】また、本発明によれば、エッチングストッ
プ層となるチャネル保護膜を設けているので、オーバー
エッチングを防止するために動作半導体膜を厚くする必
要がなく、成膜時間を短縮し、スループットを向上する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理図である。

【図２】本発明の一実施例に係る装置の製造工程を示す
平面図（その１）である。

【図３】本発明の一実施例に係る装置の製造工程を示す
平面図（その２）である。

【図４】本発明の一実施例に係る装置の製造工程を示す
正断面図（その１）である。

【図５】本発明の一実施例に係る装置の製造工程を示す
正断面図（その２）である。

【図６】本発明の一実施例に係る装置の製造工程を示す
側断面図（その１）である。

【図７】本発明の一実施例に係る装置の製造工程を示す
側断面図（その２）である。

【図８】従来例に係る装置の製造工程を示す平面図であ
る。

【図９】従来例に係る装置の製造工程を示す正断面図で
ある。

【図１０】従来例に係る装置の製造工程を示す側断面図
である。

【図１１】チャネル・エッチング型ＴＦＴの構造を示す
断面図である。

【符号の説明】 １１ ガラス基板 １２ ＩＴＯ膜 １３ Al膜 １４ Mo膜 １５ フォトレジスト １６ ゲート電極 １７ ゲートバスライン １８ 画素電極 １９ SiN 膜 ２０ a-Si膜 ２１ SiN 膜 ２１Ａ チャネル保護膜 ２２ イメージ・リバーサル・レジスト ２２Ａ、２２Ｂ 変質部 ２３ ｎ⁺ 型a-Si膜 ２４ Ti膜 ２５ Al膜 ２６ フォトレジスト ３１ ソース電極 ３２ ドレイン電極 ３３ ドレインバスライン

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】透明基板（11）の上に遮光層を有するゲー
   ト電極（16）を形成する工程と、 それぞれ光透過性のある第一の絶縁膜（19）、動作半導
   体層（20）及び第二の絶縁膜（21）を、ゲート電極（1
   6）側の前記透明基板（11）の上に順に積層する工程
   と、 前記第二の絶縁膜（21）の上にポジ型のイメージ・リバ
   ーサル・レジスト（22）を塗布する工程と、 露光用マスクを使用して、前記ゲート電極（16）とその
   両側に広がるトランジスタ形成領域にある前記イメージ
   ・リバーサル・レジスト（22）の上層に光を選択的に照
   射し、リバーサル・べークし、この光照射部分を現像に
   不溶なリバーサル変質部（22Ａ）とする工程と、 前記透明基板（11）の上と下から光を照射し、前記リバ
   ーサル変質部（22Ａ）と前記ゲート電極（16）とに挟ま
   れる部分以外のイメージ・リバーサル・レジスト（22）
   を光照射状態にする工程と、 現像することによって、前記リバーサル変質部（22Ａ）
   と前記ゲート電極（16）とに挟まれる部分と前記リバー
   サル変質部（22Ａ）を除く前記イメージ・リバーサル・
   レジスト（22）を熔解して断面Ｔ字状のパターンを形成
   する工程と、 パターニングされた前記イメージ・リバーサル・レジス
   ト（22）をマスクにして前記第二の絶縁膜（21）を等方
   性エッチングし、前記ゲート電極（16）に沿って残存し
   た前記第二の絶縁膜（21）をチャネル保護膜（21Ａ）と
   なす工程と、 前記イメージ・リバーサル・レジスト（22）をマスクに
   使用し、前記第一の絶縁膜（19）及び前記動作半導体層
   （20）を垂直方向に異方性エッチングして前記トランジ
   スタ形成領域に残存させる工程と、 前記イメージ・リバーサル・レジスト（22）を除去した
   後に、不純物含有半導体層（23）と金属膜（30）を積層
   する工程と、 前記不純物含有半導体層（23）と前記金属膜（30）をパ
   ターニングして、前記チャネル保護膜（21Ａ）上で分離
   されるソース電極（31）とドレイン電極（32）を形成す
   る工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造
   方法。
2. 【請求項２】前記ゲート電極（16）の側方に間隔をおい
   て透明電極（33）が形成され、該透明電極（33）が前記
   ソース電極（31）の一端と導通することを特徴とする請
   求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
3. 【請求項３】前記動作半導体層（20）は、非晶質シリコ
   ンからなり、前記ゲート電極（16）の前記遮光層は、ア
   ルミニウムとモリブデンの積層構造又はアルミニウム合
   金とモリブデンの積層構造からなることを特徴とする請
   求項１、２記載の液晶表示装置の製造方法。