JPH06112579A - 半導体レーザ装置とその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置とその製造方法Info
- Publication number
- JPH06112579A JPH06112579A JP4258613A JP25861392A JPH06112579A JP H06112579 A JPH06112579 A JP H06112579A JP 4258613 A JP4258613 A JP 4258613A JP 25861392 A JP25861392 A JP 25861392A JP H06112579 A JPH06112579 A JP H06112579A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- face
- film
- optical thin
- thin film
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】反射、透過の連続した分布を端面に持つ半導体
レーザ装置およびその製造方法を提供することを目的と
する。 【構成】端面９に、該端面の酸化を防止するための端面
保護膜１０ａと、反射率を制御するための光学薄膜１１
ａとを有する半導体レーザ装置であって、前記端面保護
膜１０ａが連続的に変化する膜厚を有し、且つ前記光学
薄膜１１ａが一定の膜厚を有してなる。
レーザ装置およびその製造方法を提供することを目的と
する。 【構成】端面９に、該端面の酸化を防止するための端面
保護膜１０ａと、反射率を制御するための光学薄膜１１
ａとを有する半導体レーザ装置であって、前記端面保護
膜１０ａが連続的に変化する膜厚を有し、且つ前記光学
薄膜１１ａが一定の膜厚を有してなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ装置及び
その製造方法に係わり、特に半導体レーザ装置の端面反
射率を制御することに関するものである。
その製造方法に係わり、特に半導体レーザ装置の端面反
射率を制御することに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光通信、光情報処理および光計測におけ
る光源として不可欠な半導体レーザは、活性層（発光
層）をｎ−クラッド層及びＰ−クラッド層で両側から挟
んだダブルヘテロ構造を通常用いる。
る光源として不可欠な半導体レーザは、活性層（発光
層）をｎ−クラッド層及びＰ−クラッド層で両側から挟
んだダブルヘテロ構造を通常用いる。
【０００３】図５は半導体レーザ装置の斜視図である。
図５に示すように、バンドギャップの小さい半導体であ
る活性層４、バンドギャップの大きい半導体であるｎ−
クラッド層３、Ｐ−クラッド層５に順方向電圧をかける
と、ｎ−クラッド層４から電子が、Ｐ−クラッド層５か
ら正孔が活性層４に流れ込む。これらのキャリアは、ヘ
テロ接合でのバンドギャップ差からくるエネルギー障壁
によって、活性層４内に閉じ込められる。このキャリア
の閉じ込めは、効率の良い電子とホールの再結合を促
し、自然放出光を発生させる。その自然光がつぎの電子
とホールの再結合を促す。一方、活性層４の端面が光共
振器の反射鏡の役目をするので、光が共振器内を往復す
る間に誘導放出と光増幅が進む。
図５に示すように、バンドギャップの小さい半導体であ
る活性層４、バンドギャップの大きい半導体であるｎ−
クラッド層３、Ｐ−クラッド層５に順方向電圧をかける
と、ｎ−クラッド層４から電子が、Ｐ−クラッド層５か
ら正孔が活性層４に流れ込む。これらのキャリアは、ヘ
テロ接合でのバンドギャップ差からくるエネルギー障壁
によって、活性層４内に閉じ込められる。このキャリア
の閉じ込めは、効率の良い電子とホールの再結合を促
し、自然放出光を発生させる。その自然光がつぎの電子
とホールの再結合を促す。一方、活性層４の端面が光共
振器の反射鏡の役目をするので、光が共振器内を往復す
る間に誘導放出と光増幅が進む。
【０００４】ここで、注入電流をある程度大きくする
と、ついにはレーザ発振に至り、発光の出力強度が急に
大きくなり、その結果指向性があり、スペクトル幅の狭
いレーザ光が発光点８から放射される。
と、ついにはレーザ発振に至り、発光の出力強度が急に
大きくなり、その結果指向性があり、スペクトル幅の狭
いレーザ光が発光点８から放射される。
【０００５】また、ｎ−電極１及びＰ−電極７は注入電
流を制御するためのものであり、キャップ層６はＰ−電
極７との抵抗を小さくするためのものである。
流を制御するためのものであり、キャップ層６はＰ−電
極７との抵抗を小さくするためのものである。
【０００６】ところで、半導体レーザのｎ−クラッド層
３、活性層４、Ｐ−クラッド層５にはＡｌＧａＡｓ系、
ＡｌＩｎＰ系等のＡｌを含んだ半導体が多く用いられ
る。このＡｌが酸化すると素子が劣化する。そこで、図
５（ｂ）に示すようにＡｌの酸化を防ぐために端面保護
膜１０を成長させる。
３、活性層４、Ｐ−クラッド層５にはＡｌＧａＡｓ系、
ＡｌＩｎＰ系等のＡｌを含んだ半導体が多く用いられ
る。このＡｌが酸化すると素子が劣化する。そこで、図
５（ｂ）に示すようにＡｌの酸化を防ぐために端面保護
膜１０を成長させる。
【０００７】一方、端面９はレーザ発振をする際に反射
鏡の役目をしており、端面保護膜１０上に光学薄膜を成
長させ、鏡面の反射の効率（以下端面反射率と呼ぶ）を
変えることにより、高出力、低消費電力等の特性向上を
実現している。
鏡の役目をしており、端面保護膜１０上に光学薄膜を成
長させ、鏡面の反射の効率（以下端面反射率と呼ぶ）を
変えることにより、高出力、低消費電力等の特性向上を
実現している。
【０００８】しかし、光学系に半導体レーザ装置が組み
込まれると、半導体レーザ装置から発光した光が光学系
から戻ってくる為ノイズが発生する。このため、従来で
は戻ってくる光による影響を抑えるために、以下のよう
な方法を用いていた。
込まれると、半導体レーザ装置から発光した光が光学系
から戻ってくる為ノイズが発生する。このため、従来で
は戻ってくる光による影響を抑えるために、以下のよう
な方法を用いていた。
【０００９】図６は、第１の従来例による光学薄膜形成
方法を説明するための図である。半導体レーザ装置の端
面保護膜１０上に、光学薄膜３０を形成した後、フォト
リソグラフィーにより図６（ａ）に示すように発光点８
の近傍のみに光源６０によりレーザ光線等を照射し、光
学薄膜３０ａを形成してその膜厚を変え、図６（ｂ）に
示すように、発光点８の近傍に反射率の高い光学薄膜３
０ａ、それ以外の領域には反射率の低い光学薄膜３０ｂ
を形成する。
方法を説明するための図である。半導体レーザ装置の端
面保護膜１０上に、光学薄膜３０を形成した後、フォト
リソグラフィーにより図６（ａ）に示すように発光点８
の近傍のみに光源６０によりレーザ光線等を照射し、光
学薄膜３０ａを形成してその膜厚を変え、図６（ｂ）に
示すように、発光点８の近傍に反射率の高い光学薄膜３
０ａ、それ以外の領域には反射率の低い光学薄膜３０ｂ
を形成する。
【００１０】図７は、第２の従来例による光学薄膜形成
方法を説明するための図である。図７（ａ）または図７
（ｂ）に示すように、半導体レーザ装置の端面保護膜１
０の前方に仕切板４０を配置し、この仕切板４０により
蒸着源から発せられた金属をさえぎり、光学薄膜３１ａ
と３１ｂ、光学薄膜３１ｃと３１ｂの膜厚をそれぞれ変
え、発光点８においては反射率の高い光学薄膜３１ａ，
３１ｃそれ以外の領域においては反射率の低い光学薄膜
３１ｂ，３１ｄを形成する。また、図７（ｃ）は図７
（ａ）の蒸着源方向から見た図である。
方法を説明するための図である。図７（ａ）または図７
（ｂ）に示すように、半導体レーザ装置の端面保護膜１
０の前方に仕切板４０を配置し、この仕切板４０により
蒸着源から発せられた金属をさえぎり、光学薄膜３１ａ
と３１ｂ、光学薄膜３１ｃと３１ｂの膜厚をそれぞれ変
え、発光点８においては反射率の高い光学薄膜３１ａ，
３１ｃそれ以外の領域においては反射率の低い光学薄膜
３１ｂ，３１ｄを形成する。また、図７（ｃ）は図７
（ａ）の蒸着源方向から見た図である。
【００１１】図８は、第３の従来例による光学薄膜形成
方法を説明するための図である。図８に示すように、半
導体レーザ装置の厚さｔを薄くし、端面全体に反射率の
高い光学薄膜３２を形成する。
方法を説明するための図である。図８に示すように、半
導体レーザ装置の厚さｔを薄くし、端面全体に反射率の
高い光学薄膜３２を形成する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】まず、図６に示した第
１の従来例では反射率の異なる光学薄膜３０ａ，３０ｂ
をレーザ光線等の照射により形成するものであるが、こ
のレーザ光線等を照射するための装置及び制御が複雑と
なり問題である。また、図７に示した第２の従来例で
は、仕切板４０により反射率の異なる光学薄膜３１ａと
３１ｂ、光学薄膜３１ｃと３１ｄを形成するものである
が、この仕切板４０を制御するための装置が複雑となり
問題である。また、図８に示した第３の従来例では、ウ
ェハー状態で半導体レーザ装置を薄くする際に割れによ
る歩留りが低下し問題である。更に、図６〜図８に示し
たいずれの方法においても反射率の分布をもたせるのに
制限があり、半導体レーザ装置の特性を向上させるのに
制約がある。
１の従来例では反射率の異なる光学薄膜３０ａ，３０ｂ
をレーザ光線等の照射により形成するものであるが、こ
のレーザ光線等を照射するための装置及び制御が複雑と
なり問題である。また、図７に示した第２の従来例で
は、仕切板４０により反射率の異なる光学薄膜３１ａと
３１ｂ、光学薄膜３１ｃと３１ｄを形成するものである
が、この仕切板４０を制御するための装置が複雑となり
問題である。また、図８に示した第３の従来例では、ウ
ェハー状態で半導体レーザ装置を薄くする際に割れによ
る歩留りが低下し問題である。更に、図６〜図８に示し
たいずれの方法においても反射率の分布をもたせるのに
制限があり、半導体レーザ装置の特性を向上させるのに
制約がある。
【００１３】そこで、本発明は反射、透過の連続した分
布を端面に持つ半導体レーザ装置およびその製造方法を
提供することを目的とする。
布を端面に持つ半導体レーザ装置およびその製造方法を
提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題は本発明によれ
ば、端面に、該端面の酸化を防止するための端面保護膜
と、反射率を制御するための光学薄膜とを有する半導体
レーザ装置であって、前記端面保護膜が連続的に変化す
る膜厚を有し、且つ前記光学薄膜が一定の膜厚を有して
なることを特徴とする半導体レーザ装置によって解決さ
れる。
ば、端面に、該端面の酸化を防止するための端面保護膜
と、反射率を制御するための光学薄膜とを有する半導体
レーザ装置であって、前記端面保護膜が連続的に変化す
る膜厚を有し、且つ前記光学薄膜が一定の膜厚を有して
なることを特徴とする半導体レーザ装置によって解決さ
れる。
【００１５】また、上記課題は本発明によれば端面に、
該端面の酸化を防止するための端面保護膜と、反射率を
制御するための光学薄膜とを有する半導体レーザ装置で
あって、前記端面保護膜が一定の膜厚を有し、且つ前記
光学薄膜が連続的に変化する膜厚を有してなることを特
徴とする半導体レーザ装置によって解決される。
該端面の酸化を防止するための端面保護膜と、反射率を
制御するための光学薄膜とを有する半導体レーザ装置で
あって、前記端面保護膜が一定の膜厚を有し、且つ前記
光学薄膜が連続的に変化する膜厚を有してなることを特
徴とする半導体レーザ装置によって解決される。
【００１６】また、上記課題は本発明によれば端面に、
該端面の酸化を防止するための端面保護膜と、反射率を
制御するための光学薄膜とを有する半導体レーザ装置で
あって、前記端面保護膜が連続的に変化する膜厚を有
し、且つ前記光学薄膜が連続的に変化する膜厚を有して
なることを特徴とする半導体レーザ装置によって解決さ
れる。
該端面の酸化を防止するための端面保護膜と、反射率を
制御するための光学薄膜とを有する半導体レーザ装置で
あって、前記端面保護膜が連続的に変化する膜厚を有
し、且つ前記光学薄膜が連続的に変化する膜厚を有して
なることを特徴とする半導体レーザ装置によって解決さ
れる。
【００１７】また、上記課題は本発明によれば発光を制
御するために対向配置された第１の電極及び第２の電極
と、端面に、該端面の酸化を防止するための端面保護膜
または反射率を制御するための光学薄膜を有する半導体
レーザ装置の製造方法であって、前記第１の電極または
第２の電極の少なくともいずれか一方の電極の全面上に
前記端面保護膜または光学薄膜の材料膜としての絶縁膜
を形成する工程と、前記絶縁膜を全面エッチバックして
前記端面上にサイドウォールによる端面保護膜または光
学薄膜を形成する工程とを、含むことを特徴とする半導
体装置の製造方法によって解決される。
御するために対向配置された第１の電極及び第２の電極
と、端面に、該端面の酸化を防止するための端面保護膜
または反射率を制御するための光学薄膜を有する半導体
レーザ装置の製造方法であって、前記第１の電極または
第２の電極の少なくともいずれか一方の電極の全面上に
前記端面保護膜または光学薄膜の材料膜としての絶縁膜
を形成する工程と、前記絶縁膜を全面エッチバックして
前記端面上にサイドウォールによる端面保護膜または光
学薄膜を形成する工程とを、含むことを特徴とする半導
体装置の製造方法によって解決される。
【００１８】また、上記課題は本発明によれば端面上
に、該端面の酸化を防止するための端面保護膜または反
射率を制御するための光学薄膜のいずれか一方を有する
半導体レーザ装置であって、前記端面保護膜または光学
薄膜が連続的に変化する膜厚を有してなることを特徴と
する半導体レーザ装置によって解決される。
に、該端面の酸化を防止するための端面保護膜または反
射率を制御するための光学薄膜のいずれか一方を有する
半導体レーザ装置であって、前記端面保護膜または光学
薄膜が連続的に変化する膜厚を有してなることを特徴と
する半導体レーザ装置によって解決される。
【００１９】また、上記課題は本発明によれば端面に、
該端面の酸化を防止するための端面保護膜または反射率
を制御するための光学薄膜を蒸着により形成する半導体
レーザ装置の製造方法であって、被蒸着面を所定の角度
に傾け、蒸着源と被蒸着面との間の距離を連続的に変化
させることにより、連続的に変化する膜厚を有する前記
端面保護膜または光学薄膜を形成することを特徴とする
半導体レーザ装置の製造方法によって解決される。
該端面の酸化を防止するための端面保護膜または反射率
を制御するための光学薄膜を蒸着により形成する半導体
レーザ装置の製造方法であって、被蒸着面を所定の角度
に傾け、蒸着源と被蒸着面との間の距離を連続的に変化
させることにより、連続的に変化する膜厚を有する前記
端面保護膜または光学薄膜を形成することを特徴とする
半導体レーザ装置の製造方法によって解決される。
【００２０】
【作用】本発明によれば、図３に示すように光学薄膜の
膜厚により端面上の反射率を変えることができるので、
図１（ｂ）〜図１（ｄ）に示すように膜厚が連続的に変
化する光学薄膜１１ｂ，１１ｃ，１１ｄにより端面の反
射率を連続的に変化させることができる。また、端面保
護膜の膜厚によっても端面の反射率を変えることができ
るので、図１（ａ），図１（ｃ），図１（ｅ）に示すよ
うに膜厚が連続的に変化する端面保護膜１０ａ，１０
ｃ，１０ｄにより端面の反射率を連続的に変化させるこ
とができる。
膜厚により端面上の反射率を変えることができるので、
図１（ｂ）〜図１（ｄ）に示すように膜厚が連続的に変
化する光学薄膜１１ｂ，１１ｃ，１１ｄにより端面の反
射率を連続的に変化させることができる。また、端面保
護膜の膜厚によっても端面の反射率を変えることができ
るので、図１（ａ），図１（ｃ），図１（ｅ）に示すよ
うに膜厚が連続的に変化する端面保護膜１０ａ，１０
ｃ，１０ｄにより端面の反射率を連続的に変化させるこ
とができる。
【００２１】また、本発明によれば、図４（ｃ）に示す
ように対向した第１の電極１ａまたは第２の電極１ｂの
いずれか一方の電極の全面上に絶縁膜１２を形成する
と、端面９上には絶縁膜１２の形成された電極に近い
程、絶縁膜１２の膜厚が厚くなる。しかもこの膜厚は電
極上の絶縁膜の膜厚により制御することができる。従っ
て、図４（ｄ）に示すように絶縁膜１２を全面エッチバ
ックすると、端面９上に連続的な膜厚の変化を有する端
面保護膜１２ａ（または光学薄膜）を形成することがで
きる。また、第１の電極１ａと第２の電極１ｂの両面か
ら絶縁膜を形成して、この絶縁膜をエッチバックするこ
とにより端面保護膜１２ａ（または光学薄膜）の膜厚を
精度良く制御することができる。
ように対向した第１の電極１ａまたは第２の電極１ｂの
いずれか一方の電極の全面上に絶縁膜１２を形成する
と、端面９上には絶縁膜１２の形成された電極に近い
程、絶縁膜１２の膜厚が厚くなる。しかもこの膜厚は電
極上の絶縁膜の膜厚により制御することができる。従っ
て、図４（ｄ）に示すように絶縁膜１２を全面エッチバ
ックすると、端面９上に連続的な膜厚の変化を有する端
面保護膜１２ａ（または光学薄膜）を形成することがで
きる。また、第１の電極１ａと第２の電極１ｂの両面か
ら絶縁膜を形成して、この絶縁膜をエッチバックするこ
とにより端面保護膜１２ａ（または光学薄膜）の膜厚を
精度良く制御することができる。
【００２２】また、本発明によれば被蒸着面を所定の角
度に傾けると、蒸着源と被蒸着面との間の距離を連続的
に変化させることができ、この距離が近いとそれだけ被
蒸着面上に形成する光学薄膜または端面保護膜の膜厚を
厚くすることができるので、光学薄膜または端面保護膜
の膜厚を連続的に変えることができる。
度に傾けると、蒸着源と被蒸着面との間の距離を連続的
に変化させることができ、この距離が近いとそれだけ被
蒸着面上に形成する光学薄膜または端面保護膜の膜厚を
厚くすることができるので、光学薄膜または端面保護膜
の膜厚を連続的に変えることができる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【００２４】図１は、本発明の実施例を示す半導体レー
ザ装置の断面図である。
ザ装置の断面図である。
【００２５】図１（ａ）は第１実施例を示す半導体レー
ザ装置の断面図であり、図１（ａ）に示すように、端面
９上に膜厚の変化のある端面保護膜（ＳｉＮ）１０ａ
と、膜厚の一定な光学薄膜（Ａｌ2Ｏ3）１１ａがそれぞ
れ形成されている。このような構造とすることにより、
発光点Ａとそれ以外の領域で端面反射率が変えられるこ
とを以下に説明する。
ザ装置の断面図であり、図１（ａ）に示すように、端面
９上に膜厚の変化のある端面保護膜（ＳｉＮ）１０ａ
と、膜厚の一定な光学薄膜（Ａｌ2Ｏ3）１１ａがそれぞ
れ形成されている。このような構造とすることにより、
発光点Ａとそれ以外の領域で端面反射率が変えられるこ
とを以下に説明する。
【００２６】図３は光学薄膜厚（Ａｌ2Ｏ3）を変えるこ
とにより、波長が７８５ｎｍの光の端面反射率が変化す
ることを示した図であり、図１（ａ）に示した各Ａ，
Ｂ，Ｃでの端面保護膜（ＳｉＮ）１０ａの膜厚がそれぞ
れ１９０ｎｍ，１７０ｎｍ，１５０ｎｍであり、この端
面保護膜（ＳｉＮ）１０ａ上に光学薄膜の膜厚を変化さ
せたものである。端面保護膜（ＳｉＮ）１０ａのみの場
合には、Ａ，Ｂ，Ｃ各点において端面反射率はそれぞれ
３２％，２８％，２０％となる。ここで、光学薄膜（Ａ
ｌ2Ｏ3）１１ａの膜厚を８０ｎｍにすると、図３に示す
ように、端面反射率はＡ，Ｂ，Ｃ各点に対してそれぞれ
１２％，１８％，２２％となる。
とにより、波長が７８５ｎｍの光の端面反射率が変化す
ることを示した図であり、図１（ａ）に示した各Ａ，
Ｂ，Ｃでの端面保護膜（ＳｉＮ）１０ａの膜厚がそれぞ
れ１９０ｎｍ，１７０ｎｍ，１５０ｎｍであり、この端
面保護膜（ＳｉＮ）１０ａ上に光学薄膜の膜厚を変化さ
せたものである。端面保護膜（ＳｉＮ）１０ａのみの場
合には、Ａ，Ｂ，Ｃ各点において端面反射率はそれぞれ
３２％，２８％，２０％となる。ここで、光学薄膜（Ａ
ｌ2Ｏ3）１１ａの膜厚を８０ｎｍにすると、図３に示す
ように、端面反射率はＡ，Ｂ，Ｃ各点に対してそれぞれ
１２％，１８％，２２％となる。
【００２７】また光学薄膜（Ａｌ2Ｏ3）１１ａの膜厚を
１６０ｎｍにすると、端面反射率はＡ，Ｂ，Ｃに対して
それぞれ１２％，４％，０．５％となる。このように、
上記構造により端面反射率を変えることができる。
１６０ｎｍにすると、端面反射率はＡ，Ｂ，Ｃに対して
それぞれ１２％，４％，０．５％となる。このように、
上記構造により端面反射率を変えることができる。
【００２８】次に、図１（ｂ）は第２実施例を示す、半
導体レーザ装置の断面図であり、図１（ｂ）に示すよう
に端面９上に膜厚の一定な端面保護膜（ＳｉＮ）１０ｂ
と、膜厚の変化のある光学薄膜（Ａｌ2Ｏ3）１１ｂが形
成されている。このような構造とすることにより、発光
点Ａとそれ以外の領域で端面反射率が変えられることを
以下に説明する。
導体レーザ装置の断面図であり、図１（ｂ）に示すよう
に端面９上に膜厚の一定な端面保護膜（ＳｉＮ）１０ｂ
と、膜厚の変化のある光学薄膜（Ａｌ2Ｏ3）１１ｂが形
成されている。このような構造とすることにより、発光
点Ａとそれ以外の領域で端面反射率が変えられることを
以下に説明する。
【００２９】端面保護膜（ＳｉＮ）１０ｂの膜厚を１７
０ｎｍとすると、光学薄膜（Ａｌ2Ｏ3）１１ｂにより端
面反射率は図３に示したＢ点での反射率の曲線上に位置
する。従って、光学薄膜（Ａｌ2Ｏ3）１１ｂの膜厚を変
えることにより端面反射率を変えることができる。例え
ばＡ点の膜厚を７０ｎｍ，Ｂ点の膜厚を８０ｎｍ，Ｃ点
の膜厚を１００ｎｍとすると端面反射率はそれぞれ２２
％，１８％，１２％となる。このように、上記構造によ
り端面反射率を連続的に変化させることができる。
０ｎｍとすると、光学薄膜（Ａｌ2Ｏ3）１１ｂにより端
面反射率は図３に示したＢ点での反射率の曲線上に位置
する。従って、光学薄膜（Ａｌ2Ｏ3）１１ｂの膜厚を変
えることにより端面反射率を変えることができる。例え
ばＡ点の膜厚を７０ｎｍ，Ｂ点の膜厚を８０ｎｍ，Ｃ点
の膜厚を１００ｎｍとすると端面反射率はそれぞれ２２
％，１８％，１２％となる。このように、上記構造によ
り端面反射率を連続的に変化させることができる。
【００３０】次に図１（ｃ）は第３実施例を示す、半導
体レーザ装置の断面図であり、端面９上に膜厚の変化の
ある端面保護膜（Ａｌ2Ｏ3）１０ｃと、膜厚の変化のあ
る光学薄膜（Ａｌ2Ｏ3）１１ｃがそれぞれ形成されてい
る。このような構造とすることにより、発光点Ａ及びそ
れ以外の領域で端面反射率が変えられることを以下に説
明する。
体レーザ装置の断面図であり、端面９上に膜厚の変化の
ある端面保護膜（Ａｌ2Ｏ3）１０ｃと、膜厚の変化のあ
る光学薄膜（Ａｌ2Ｏ3）１１ｃがそれぞれ形成されてい
る。このような構造とすることにより、発光点Ａ及びそ
れ以外の領域で端面反射率が変えられることを以下に説
明する。
【００３１】端面保護膜（ＳｉＮ）１０ｃの膜厚を、
Ａ，Ｂ，Ｃ各点に対してそれぞれ１９０ｎｍ，１７０ｎ
ｍ，１５０ｎｍとし、この上に光学薄膜（Ａｌ2Ｏ3）１
１ｃを形成すると端面反射率は、図３に示したＡ点での
反射率の曲線、Ｂ点での反射率の曲線、Ｃ点での反射率
の曲線上にそれぞれ位置するので光学薄膜（Ａｌ2Ｏ3）
１１ｃの膜厚を変えることにより、端面反射率を連続的
に変えることができる。
Ａ，Ｂ，Ｃ各点に対してそれぞれ１９０ｎｍ，１７０ｎ
ｍ，１５０ｎｍとし、この上に光学薄膜（Ａｌ2Ｏ3）１
１ｃを形成すると端面反射率は、図３に示したＡ点での
反射率の曲線、Ｂ点での反射率の曲線、Ｃ点での反射率
の曲線上にそれぞれ位置するので光学薄膜（Ａｌ2Ｏ3）
１１ｃの膜厚を変えることにより、端面反射率を連続的
に変えることができる。
【００３２】次に図１（ｄ）は、第４実施例を示す半導
体レーザ装置の断面図であり、端面９上に膜厚の変化の
ある光学薄膜（Ａｌ2Ｏ3）１１ｄが形成されている。こ
の構造は、膜厚の一定な端面保護膜上に、膜厚の変化の
ある光学薄膜（Ａｌ2Ｏ3）を形成した第２実施例の、端
面保護膜の膜厚を０にした特別な場合であるので、端面
反射率を連続的に変化させることができる。
体レーザ装置の断面図であり、端面９上に膜厚の変化の
ある光学薄膜（Ａｌ2Ｏ3）１１ｄが形成されている。こ
の構造は、膜厚の一定な端面保護膜上に、膜厚の変化の
ある光学薄膜（Ａｌ2Ｏ3）を形成した第２実施例の、端
面保護膜の膜厚を０にした特別な場合であるので、端面
反射率を連続的に変化させることができる。
【００３３】次に図１（ｅ）は、第５実施例を示す半導
体レーザ装置の断面図であり、端面９上に膜厚の変化の
ある端面保護膜（ＳｉＮ）１０ｄのみが形成されてい
る。この構造は図１（ａ）における光学薄膜１１ａの膜
厚を０とした特別な場合であるので、端面反射率を連続
的に変化させることができる。
体レーザ装置の断面図であり、端面９上に膜厚の変化の
ある端面保護膜（ＳｉＮ）１０ｄのみが形成されてい
る。この構造は図１（ａ）における光学薄膜１１ａの膜
厚を０とした特別な場合であるので、端面反射率を連続
的に変化させることができる。
【００３４】また、図２は図１に示した端面保護膜と光
学薄膜の膜厚の変化による分類を細かくしたものであ
る。図２（ａ）は、電極Ａ１ａ側が電極Ｂ１ｂ側より端
面保護膜１０ｆ、光学薄膜１１ｆが共に厚く、図２
（ｂ）は端面保護膜１０ｇが厚く、光学薄膜１１ｇが薄
く、図２（ｃ）は端面保護膜１０ｈが薄く、光学薄膜１
１ｈが厚く、図２（ｄ）は端面保護膜１０ｉ、光学薄膜
１１ｉが共に薄く、図２（ｅ）は端面保護膜１０ｊが等
しく、光学薄膜１１ｊが厚く、図２（ｆ）は端面保護膜
１０ｋが等しく、光学薄膜１１ｋが薄く、図２（ｇ）は
端面保護膜１０ｌが厚く、光学薄膜１１ｌが等しく、図
２（ｈ）は端面保護膜１０ｍが薄く、光学薄膜１１ｍが
等しいものである。以上のように、膜厚を様々に変化さ
せることにより精度良く、端面反射率を連続的に変化さ
せることができる。
学薄膜の膜厚の変化による分類を細かくしたものであ
る。図２（ａ）は、電極Ａ１ａ側が電極Ｂ１ｂ側より端
面保護膜１０ｆ、光学薄膜１１ｆが共に厚く、図２
（ｂ）は端面保護膜１０ｇが厚く、光学薄膜１１ｇが薄
く、図２（ｃ）は端面保護膜１０ｈが薄く、光学薄膜１
１ｈが厚く、図２（ｄ）は端面保護膜１０ｉ、光学薄膜
１１ｉが共に薄く、図２（ｅ）は端面保護膜１０ｊが等
しく、光学薄膜１１ｊが厚く、図２（ｆ）は端面保護膜
１０ｋが等しく、光学薄膜１１ｋが薄く、図２（ｇ）は
端面保護膜１０ｌが厚く、光学薄膜１１ｌが等しく、図
２（ｈ）は端面保護膜１０ｍが薄く、光学薄膜１１ｍが
等しいものである。以上のように、膜厚を様々に変化さ
せることにより精度良く、端面反射率を連続的に変化さ
せることができる。
【００３５】次に、本発明の実施例による半導体レーザ
装置の製造方法について説明する。
装置の製造方法について説明する。
【００３６】図４（ａ）はウェハー１５を劈開した状態
を示す平面図および平面図を部分拡大した斜視図であ
り、図４（ｂ）は斜視図のＩ−Ｉ方向断面図である。ま
た図４（ｃ）〜図４（ｅ）は端面保護膜および光学薄膜
を形成する工程における断面図である。
を示す平面図および平面図を部分拡大した斜視図であ
り、図４（ｂ）は斜視図のＩ−Ｉ方向断面図である。ま
た図４（ｃ）〜図４（ｅ）は端面保護膜および光学薄膜
を形成する工程における断面図である。
【００３７】本実施例においては、まず図４（ａ）に示
すように結晶面にウェハー１５を短冊状に割る劈開を行
うと図４（ｂ）に示す断面図となる。次に図４（ｃ）に
示すようにプラズマＣＶＤ（化学的気相成長）法により
ＳｉＮ膜１２を電極Ａ１ａ側より２００ｎｍ程度の厚さ
に形成する。次にＲＩＥ（反応性イオンエッチング）に
より電極Ａ１ａの全面をエッチバックし、図４（ｄ）に
示すように端面保護膜（ＳｉＮ）１２ａを形成すると、
発光点Ａ、端面の中心Ｂ、Ａと対称な点Ｃの膜厚は１９
０ｎｍ，１７０ｎｍ，１５０ｎｍとなり、端面反射率は
３２％，２８％，２０％となる。
すように結晶面にウェハー１５を短冊状に割る劈開を行
うと図４（ｂ）に示す断面図となる。次に図４（ｃ）に
示すようにプラズマＣＶＤ（化学的気相成長）法により
ＳｉＮ膜１２を電極Ａ１ａ側より２００ｎｍ程度の厚さ
に形成する。次にＲＩＥ（反応性イオンエッチング）に
より電極Ａ１ａの全面をエッチバックし、図４（ｄ）に
示すように端面保護膜（ＳｉＮ）１２ａを形成すると、
発光点Ａ、端面の中心Ｂ、Ａと対称な点Ｃの膜厚は１９
０ｎｍ，１７０ｎｍ，１５０ｎｍとなり、端面反射率は
３２％，２８％，２０％となる。
【００３８】次に蒸着源であるＡｌ2Ｏ3をスパッタリン
グにより光学薄膜（Ａｌ2Ｏ3）１１ｅを形成する。この
時、光学薄膜（Ａｌ2Ｏ3）１１ｅの膜厚は、端面保護膜
（ＳｉＮ）１２ａの面の傾斜により、蒸着源と端面保護
膜（ＳｉＮ）１２ａ上の各領域との間の距離が変わるの
で、連続的に変えられることができる。光学薄膜（Ａｌ
2Ｏ3）１１ｅの膜厚を８０ｎｍとすると、Ａ，Ｂ，Ｃの
各点の端面反射率は１２％，１８％，２２％となる。
グにより光学薄膜（Ａｌ2Ｏ3）１１ｅを形成する。この
時、光学薄膜（Ａｌ2Ｏ3）１１ｅの膜厚は、端面保護膜
（ＳｉＮ）１２ａの面の傾斜により、蒸着源と端面保護
膜（ＳｉＮ）１２ａ上の各領域との間の距離が変わるの
で、連続的に変えられることができる。光学薄膜（Ａｌ
2Ｏ3）１１ｅの膜厚を８０ｎｍとすると、Ａ，Ｂ，Ｃの
各点の端面反射率は１２％，１８％，２２％となる。
【００３９】また、端面保護膜（ＳｉＮ）１２ａの膜厚
は電極Ａ１ａ上の膜厚や、再度電極Ｂ１ｂ側からＳｉＮ
膜を形成することにより連続的に且つ所定の膜厚に変え
ることができる。
は電極Ａ１ａ上の膜厚や、再度電極Ｂ１ｂ側からＳｉＮ
膜を形成することにより連続的に且つ所定の膜厚に変え
ることができる。
【００４０】従って、端面保護膜（ＳｉＮ）１２ａおよ
び光学薄膜（Ａｌ2Ｏ3）１１ｅの膜厚を連続的に変化を
もたせることができ、これらの組み合せにより端面反射
率を連続的に変化をもたせることができる。
び光学薄膜（Ａｌ2Ｏ3）１１ｅの膜厚を連続的に変化を
もたせることができ、これらの組み合せにより端面反射
率を連続的に変化をもたせることができる。
【００４１】また、光学薄膜にａ−Ｓｉを使用すること
も可能であり、光学薄膜は多層膜であっても良い。また
端面には光学薄膜、端面保護膜の順であっても良く、光
学薄膜をエッチバックにより、端面保護膜をスパッタリ
ングにより形成することも可能である。
も可能であり、光学薄膜は多層膜であっても良い。また
端面には光学薄膜、端面保護膜の順であっても良く、光
学薄膜をエッチバックにより、端面保護膜をスパッタリ
ングにより形成することも可能である。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば端
面保護膜の膜厚の変化と光学薄膜の膜厚の変化により反
射率を容易にコントロールすることができ、半導体レー
ザ自身の発光が光学系から戻ってくることによるノイズ
の発生を抑えることができるので、測定歩留りを向上さ
せることができる。またノイズ発生を半導体レーザ自身
で抑えるので、光学系が簡素化でき、コストダウンする
ことができる。
面保護膜の膜厚の変化と光学薄膜の膜厚の変化により反
射率を容易にコントロールすることができ、半導体レー
ザ自身の発光が光学系から戻ってくることによるノイズ
の発生を抑えることができるので、測定歩留りを向上さ
せることができる。またノイズ発生を半導体レーザ自身
で抑えるので、光学系が簡素化でき、コストダウンする
ことができる。
【図１】実施例による半導体レーザ装置断面図（Ｉ）で
ある。
ある。
【図２】実施例による半導体レーザ装置断面図（II）で
ある。
ある。
【図３】端面反射率分布図である。
【図４】実施例による半導体レーザ装置プロセスチャー
トである。
トである。
【図５】半導体レーザ装置図である。
【図６】従来例による光学薄膜形成方法（Ｉ）を示す図
である。
である。
【図７】従来例による光学薄膜形成方法（II）を示す図
である。
である。
【図８】従来例による光学薄膜形成方法（III）を示す
図である。
図である。
１ ｎ−電極 １ａ 電極Ａ １ｂ 電極Ｂ ２ ｎ−ＧａＡｓ基板 ４ 活性層 ５ Ｐ−クラッド層 ６ キャップ層 ７ Ｐ−電極 ８ 発光点 ９ 端面 １０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｆ，１０
ｇ，１０ｈ，１０ｉ，１０ｊ，１０ｋ，１０ｌ，１０
ｍ，１２ａ 端面保護膜（ＳｉＮ） １１，１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１１ｅ，１１
ｆ，１１ｇ，１１ｈ，１１ｉ，１１ｊ，１１ｋ，１１
ｌ，１１ｍ，３０，３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ，
３２ 光学薄膜（Ａｌ2Ｏ3） １２ ＳｉＮ膜 １５ ウェハー ４０ 仕切板 ６０ 光源
ｇ，１０ｈ，１０ｉ，１０ｊ，１０ｋ，１０ｌ，１０
ｍ，１２ａ 端面保護膜（ＳｉＮ） １１，１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１１ｅ，１１
ｆ，１１ｇ，１１ｈ，１１ｉ，１１ｊ，１１ｋ，１１
ｌ，１１ｍ，３０，３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ，
３２ 光学薄膜（Ａｌ2Ｏ3） １２ ＳｉＮ膜 １５ ウェハー ４０ 仕切板 ６０ 光源
Claims (6)
- 【請求項１】 端面に、該端面の酸化を防止するための
端面保護膜と、反射率を制御するための光学薄膜とを有
する半導体レーザ装置であって、 前記端面保護膜が連続的に変化する膜厚を有し、且つ前
記光学薄膜が一定の膜厚を有してなることを特徴とする
半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 端面に、該端面の酸化を防止するための
端面保護膜と、反射率を制御するための光学薄膜とを有
する半導体レーザ装置であって、 前記端面保護膜が一定の膜厚を有し、且つ前記光学薄膜
が連続的に変化する膜厚を有してなることを特徴とする
半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 端面に、該端面の酸化を防止するための
端面保護膜と、反射率を制御するための光学薄膜とを有
する半導体レーザ装置であって、 前記端面保護膜が連続的に変化する膜厚を有し、且つ前
記光学薄膜が連続的に変化する膜厚を有してなることを
特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 端面上に、該端面の酸化を防止するため
の端面保護膜または反射率を制御するための光学薄膜の
いずれか一方を有する半導体レーザ装置であって、 前記端面保護膜または光学薄膜が連続的に変化する膜厚
を有してなることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 発光を制御するために対向配置された第
１の電極及び第２の電極と、端面に該端面の酸化を防止
するための端面保護膜または反射率を制御するための光
学薄膜を有する半導体レーザ装置の製造方法であって、 前記第１の電極または第２の電極の少なくともいずれか
一方の電極の全面上に前記端面保護膜または光学薄膜の
材料膜としての絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜を全面エッチバックして前記端面上にサイド
ウォールによる端面保護膜または光学薄膜を形成する工
程とを、 含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 端面に、該端面の酸化を防ぐための端面
保護膜または反射率を制御するための光学薄膜を蒸着に
より形成する半導体レーザ装置の製造方法であって、 被蒸着面を所定の角度に傾け、蒸着源と被蒸着面との間
の距離を連続的に変化させることにより、連続的に変化
する膜厚を有する前記端面保護膜または光学薄膜を形成
することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25861392A JP3381073B2 (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 半導体レーザ装置とその製造方法 |
| KR1019930019093A KR100266842B1 (ko) | 1992-09-28 | 1993-09-21 | 반도체레이저장치와 그 제조방법 |
| US08/127,525 US5430750A (en) | 1992-09-28 | 1993-09-28 | Method and device for semiconductor laser with controlled thickness of protective and optical films |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25861392A JP3381073B2 (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 半導体レーザ装置とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112579A true JPH06112579A (ja) | 1994-04-22 |
| JP3381073B2 JP3381073B2 (ja) | 2003-02-24 |
Family
ID=17322711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25861392A Expired - Lifetime JP3381073B2 (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 半導体レーザ装置とその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5430750A (ja) |
| JP (1) | JP3381073B2 (ja) |
| KR (1) | KR100266842B1 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004327637A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ素子 |
| KR100584376B1 (ko) * | 2004-11-10 | 2006-05-26 | 삼성전자주식회사 | 산화 차단층들을 갖는 레이저 다이오드의 제작 방법 |
| JP2006228892A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| US7112460B2 (en) | 2002-12-10 | 2006-09-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device, production method therefor, and jig for use in the production method |
| JP2008210992A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子 |
| JP2008211112A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子 |
| DE102012106943A1 (de) * | 2012-07-30 | 2014-01-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode und Halbleiterlaserdiode |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6013540A (en) * | 1998-05-01 | 2000-01-11 | Lucent Technologies, Inc. | Laser diode with substrate-side protection |
| WO2007021849A2 (en) * | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Essex Corporation | Variable reflectivity coatings with constant optical thickness and phase |
| US7764722B2 (en) * | 2007-02-26 | 2010-07-27 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element |
| US7701995B2 (en) | 2007-07-06 | 2010-04-20 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element |
| DE102012215265B4 (de) * | 2012-08-28 | 2022-09-22 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zum herstellen einer laserdiode, halterung und laserdiode |
| DE102017123798B4 (de) * | 2017-10-12 | 2022-03-03 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiterlaser und Herstellungsverfahren für optoelektronische Halbleiterbauteile |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55115386A (en) * | 1979-02-26 | 1980-09-05 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser unit |
| JPS59119890A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レ−ザ |
| US4751710A (en) * | 1984-07-26 | 1988-06-14 | Nec Corporation | Semiconductor laser device |
| JPH0644663B2 (ja) * | 1987-03-31 | 1994-06-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体レ−ザ |
| US5208468A (en) * | 1989-02-03 | 1993-05-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device with a sulfur-containing film provided between the facet and the protective film |
| JP2941364B2 (ja) * | 1990-06-19 | 1999-08-25 | 株式会社東芝 | 半導体レーザ装置 |
| US5056099A (en) * | 1990-09-10 | 1991-10-08 | General Dynamics Corp., Electronics Division | Rugate filter on diode laser for temperature stabilized emission wavelength |
| JPH04154185A (ja) * | 1990-10-17 | 1992-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
-
1992
- 1992-09-28 JP JP25861392A patent/JP3381073B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-09-21 KR KR1019930019093A patent/KR100266842B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1993-09-28 US US08/127,525 patent/US5430750A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7112460B2 (en) | 2002-12-10 | 2006-09-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device, production method therefor, and jig for use in the production method |
| CN1322642C (zh) * | 2002-12-10 | 2007-06-20 | 夏普株式会社 | 半导体激光器件、其制造方法和该制造方法中使用的夹具 |
| JP2004327637A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ素子 |
| KR100584376B1 (ko) * | 2004-11-10 | 2006-05-26 | 삼성전자주식회사 | 산화 차단층들을 갖는 레이저 다이오드의 제작 방법 |
| JP2006228892A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2008210992A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子 |
| JP2008211112A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子 |
| DE102012106943A1 (de) * | 2012-07-30 | 2014-01-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode und Halbleiterlaserdiode |
| DE102012106943B4 (de) * | 2012-07-30 | 2019-06-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode und Halbleiterlaserdiode |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3381073B2 (ja) | 2003-02-24 |
| US5430750A (en) | 1995-07-04 |
| KR100266842B1 (ko) | 2000-09-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4998258A (en) | Semiconductor laser device | |
| US6195381B1 (en) | Narrow spectral width high-power distributed feedback semiconductor lasers | |
| US5351257A (en) | VCSEL with vertical offset operating region providing a lateral waveguide and current limiting and method of fabrication | |
| US8455279B2 (en) | Surface gratings on VCSELS for polarization pinning | |
| US8249122B2 (en) | Spatial filters | |
| JP3381073B2 (ja) | 半導体レーザ装置とその製造方法 | |
| JP2003209318A (ja) | 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JP2884603B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| US7016386B2 (en) | Semiconductor laser device | |
| KR100731241B1 (ko) | 반도체 레이저 디바이스 및 반도체 레이저의 제조 방법 | |
| JP5099948B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザ素子 | |
| JPH08340156A (ja) | 面発光型半導体レーザ | |
| JP2003031894A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPH11330609A (ja) | モニタ付き面発光レーザおよびその製造方法 | |
| JP3466830B2 (ja) | 半導体装置の製造装置及び製造方法 | |
| JP2002368332A (ja) | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JPH0319292A (ja) | 半導体レーザ | |
| US20040076206A1 (en) | Semiconductor laser and element for optical communication | |
| US20210135431A1 (en) | Quantum cascade laser | |
| JP2005116926A (ja) | 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 | |
| JP2003304035A (ja) | 半導体光素子 | |
| KR100255693B1 (ko) | 레이저 다이오드와 그 제조방법 | |
| JP2001284724A (ja) | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 | |
| Cheng et al. | Folded-cavity surface-emitting InGaAs-GaAs lasers with low-threshold current density and high efficiency | |
| JPH053364A (ja) | 半導体レーザ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071220 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081220 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091220 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091220 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101220 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101220 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111220 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111220 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121220 Year of fee payment: 10 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121220 Year of fee payment: 10 |