JPH06105506B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH06105506B2 JPH06105506B2 JP59160362A JP16036284A JPH06105506B2 JP H06105506 B2 JPH06105506 B2 JP H06105506B2 JP 59160362 A JP59160362 A JP 59160362A JP 16036284 A JP16036284 A JP 16036284A JP H06105506 B2 JPH06105506 B2 JP H06105506B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- optical recording
- recording medium
- protective film
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はレーザー光により高密度の記録及び再生が可能
な光磁気記録媒体に関する。
な光磁気記録媒体に関する。
従来技術 レーザー光により磁気光学的に記録、再生を行うために
各種の光磁気記録媒体が研究されているが、その基本構
成はガラス板のような透明基板上に希土類金属〜遷移金
属非晶室合金、多結晶合金等からなる。膜面に対し垂直
方向に磁化容易軸を有する磁性膜を設けたものである。
しかし以上のような材料からなる磁性膜、特に非晶質合
金磁性膜は空気中の酸素や水分によって酸化腐食を受け
易く、このため保存中、ピンホールが多量に発生する
上、磁性光学特性（例えば保磁力）が劣化して使用に耐
えなくなる。そこでこのような酸化劣化を防止するた
め、通常、磁性膜上には通常、SiO,SiO2などの保護膜が
設けられている。しかし従来の保護膜は酸化劣化防止効
果が未だ不充分である。
各種の光磁気記録媒体が研究されているが、その基本構
成はガラス板のような透明基板上に希土類金属〜遷移金
属非晶室合金、多結晶合金等からなる。膜面に対し垂直
方向に磁化容易軸を有する磁性膜を設けたものである。
しかし以上のような材料からなる磁性膜、特に非晶質合
金磁性膜は空気中の酸素や水分によって酸化腐食を受け
易く、このため保存中、ピンホールが多量に発生する
上、磁性光学特性（例えば保磁力）が劣化して使用に耐
えなくなる。そこでこのような酸化劣化を防止するた
め、通常、磁性膜上には通常、SiO,SiO2などの保護膜が
設けられている。しかし従来の保護膜は酸化劣化防止効
果が未だ不充分である。
目的 本発明の目的は保護膜に酸化劣化防止効果の大きい材料
を用いることにより、磁性膜の酸化腐食を防止した光磁
気記録媒体を提供することである。
を用いることにより、磁性膜の酸化腐食を防止した光磁
気記録媒体を提供することである。
構成 本発明の光磁気記録媒体は基板上に膜面に対し垂直方向
に磁化容易軸を有する磁性膜及びその上に保護膜を有す
る光磁気記録媒体において、前記保護膜がTi,Ta,Alの窒
化物よりなり、かつ、プレスパッタリングを施した磁性
膜上に設けられていることを特徴とするものである。
に磁化容易軸を有する磁性膜及びその上に保護膜を有す
る光磁気記録媒体において、前記保護膜がTi,Ta,Alの窒
化物よりなり、かつ、プレスパッタリングを施した磁性
膜上に設けられていることを特徴とするものである。
本発明の光磁気記録媒体の基本構成は第１図（図中、１
は基板、２は磁性膜、３は保護膜を表わす。）に示す通
りであるが、基板としてアクリル樹脂のような透湿性の
ものを用いた場合には基板側からの水分や酸素の侵入を
防ぐため、第２図に示すように基板と磁性膜との間に更
に同様な元素窒化物の保護膜３′を設けることができ
る。
は基板、２は磁性膜、３は保護膜を表わす。）に示す通
りであるが、基板としてアクリル樹脂のような透湿性の
ものを用いた場合には基板側からの水分や酸素の侵入を
防ぐため、第２図に示すように基板と磁性膜との間に更
に同様な元素窒化物の保護膜３′を設けることができ
る。
本発明の磁性膜は従来と同じくTbFeCo,TbFe,GdTdFe,GdC
o等の希土類金属〜遷移金属非晶質合金やMnbi,MnCuBi等
の多結晶合金が使用できる。成膜法としてはRfスパッタ
リング法、高温又は低温マグネトロンスパッタリング
法、反応性スパッタリング法、光CVD法、プラズマCVD
法、イオンプレーティング法等が採用できる。但し、い
ずれの方法においても実際に成膜を行う前に、予め基板
面、材料（ターゲット材料）等に付着又は吸着した酸化
性成分やゴミ等を除くため、スパッタリング法の場合の
プレスパッタリング工程（ターゲット材料上のシャッタ
ーを閉じたまま装置内を一定時間、成膜条件に維持する
工程）のような適当な除去手段を講じる。なお磁性膜の
厚さは100Å〜１μｍ程度が適当である。
o等の希土類金属〜遷移金属非晶質合金やMnbi,MnCuBi等
の多結晶合金が使用できる。成膜法としてはRfスパッタ
リング法、高温又は低温マグネトロンスパッタリング
法、反応性スパッタリング法、光CVD法、プラズマCVD
法、イオンプレーティング法等が採用できる。但し、い
ずれの方法においても実際に成膜を行う前に、予め基板
面、材料（ターゲット材料）等に付着又は吸着した酸化
性成分やゴミ等を除くため、スパッタリング法の場合の
プレスパッタリング工程（ターゲット材料上のシャッタ
ーを閉じたまま装置内を一定時間、成膜条件に維持する
工程）のような適当な除去手段を講じる。なお磁性膜の
厚さは100Å〜１μｍ程度が適当である。
本発明の保護膜は酸化劣化防止効果の優れたTi,Ta,Alの
窒化物即ちTiN,Ti3N4,TaN,Ta3N5,AlNで構成される。な
お以上のような窒化物はセラミック材として知られ、ま
た市販品としても入手し得る。保護膜の形成法としては
磁性膜の場合と同様、各種のスパッタリング法又はCVD
法或はイオンプレーティング法等が採用される。厚さは
500Å〜２μｍ程度が適当である。
窒化物即ちTiN,Ti3N4,TaN,Ta3N5,AlNで構成される。な
お以上のような窒化物はセラミック材として知られ、ま
た市販品としても入手し得る。保護膜の形成法としては
磁性膜の場合と同様、各種のスパッタリング法又はCVD
法或はイオンプレーティング法等が採用される。厚さは
500Å〜２μｍ程度が適当である。
基板の材料としてはスライドガラス、石英ガラス、パイ
レックスガラス等のガラス；酸化処理し又は処理しない
シリコン；Al2O3，Al2O3・MgO,MgO・LiFY2，O3・LiF,Be
O,ZrO2・Y2O3，ThO2・CaO等の透明のセラミック材；ア
クリル樹脂、ポリカーボネート、ポリエステル等の樹脂
が使用される。
レックスガラス等のガラス；酸化処理し又は処理しない
シリコン；Al2O3，Al2O3・MgO,MgO・LiFY2，O3・LiF,Be
O,ZrO2・Y2O3，ThO2・CaO等の透明のセラミック材；ア
クリル樹脂、ポリカーボネート、ポリエステル等の樹脂
が使用される。
本発明の光磁気記録媒体による記録、再生は従来と同
様、基板側又はその反対側から変調または偏向されたレ
ーザー光を照射することによって行われる。
様、基板側又はその反対側から変調または偏向されたレ
ーザー光を照射することによって行われる。
効果 以上のように本発明の光磁気記録媒体は保護膜が酸化劣
化防止性の優れた第III族、IV族又はＶ族元素の窒化物
よりなるので、磁性膜の酸化腐食が防止され、このた
め、常に安定に高密度記録及び再生を行うことができ
る。
化防止性の優れた第III族、IV族又はＶ族元素の窒化物
よりなるので、磁性膜の酸化腐食が防止され、このた
め、常に安定に高密度記録及び再生を行うことができ
る。
以下に本発明の実施例を示す。
実施例１ 150mmφの鉄板上に２種類の大きさのTbチップ（10mm×1
0mm×2mm及び5mm×5mm×2mm）及び２種類の大きさのCo
チップ（大きさはTbチップに同じ）を規則的に配置して
ターゲット材料を作った。次にRfスパッタリング装置に
前記ターゲット材料及び基板としてスライドガラス板
（大きさ76mm×16mm×0.9mm）を配置し、両ターゲット
上の各シャッターを閉じたまま下記条件下で60分ま放電
させてプレスパッタリングを行い、次に両シャッターを
開けて同条件下で３分間放電を続けてメインスパッタリ
ングを行い、750Å厚のTbFeCoよりなる磁性膜を設け
た。
0mm×2mm及び5mm×5mm×2mm）及び２種類の大きさのCo
チップ（大きさはTbチップに同じ）を規則的に配置して
ターゲット材料を作った。次にRfスパッタリング装置に
前記ターゲット材料及び基板としてスライドガラス板
（大きさ76mm×16mm×0.9mm）を配置し、両ターゲット
上の各シャッターを閉じたまま下記条件下で60分ま放電
させてプレスパッタリングを行い、次に両シャッターを
開けて同条件下で３分間放電を続けてメインスパッタリ
ングを行い、750Å厚のTbFeCoよりなる磁性膜を設け
た。
残留ガス圧:7〜８×10-7Torr Arガス圧:1.5×10-2Torr 放電電力:400W 次に前記ターゲット材料をAlxNyと入れ代え、下記条件
で60分放電させてプレスパッタリングを行い、ついでシ
ャッターを開けて手同条件で40分間放電を続けてメイン
スパッタリングを行い1500Å厚のAlNよりなる保護膜を
設けて第１図のような光磁気記録媒体Ａを作成した。
で60分放電させてプレスパッタリングを行い、ついでシ
ャッターを開けて手同条件で40分間放電を続けてメイン
スパッタリングを行い1500Å厚のAlNよりなる保護膜を
設けて第１図のような光磁気記録媒体Ａを作成した。
残留ガス圧:7〜８×10-7Torr Arガス圧:1.0×10-2Torr 放電電力:200W 実施例２ 保護膜用ターゲット材料としてTiNを用いた他は実施例
１と同じ方法で光磁気記録媒体Ｂを作成した。
１と同じ方法で光磁気記録媒体Ｂを作成した。
実施例３ 保護膜用ターゲット材料としてTaNを用いた他は実施例
１と同じ方法で光磁気記録媒体Ｃを作成した。
１と同じ方法で光磁気記録媒体Ｃを作成した。
比較例１ 保護膜用を設けなかった他は実施例１と同じ方法で保護
膜のない光磁気記録媒体Ｄを作成した。
膜のない光磁気記録媒体Ｄを作成した。
比較例２ 保護膜用ターゲット材料としてSiO2を用いた他は実施例
１と同じ方法で光磁気記録媒体Ｅを作成した。
１と同じ方法で光磁気記録媒体Ｅを作成した。
次に以上のようにして得られた光磁気記録媒体Ａ〜Ｅを
70℃,90％RHの雰囲気中ら保存して保磁力の変化（保存
後の保磁力Hc′／初期保磁力）を調べ、第３〜６図に示
すような結果が得られた。これらの図から判るように保
護膜の材料としてAlN,TiN,TaNを用いた本発明品Ａ〜Ｃ
は850時間も殆ど変化ないが、保護膜のない比較品Ｄ及
び保護膜の材料としてSiO2を用いた比較品Ｅは磁性膜の
劣化が進行し、保磁力の低下が大きい。
70℃,90％RHの雰囲気中ら保存して保磁力の変化（保存
後の保磁力Hc′／初期保磁力）を調べ、第３〜６図に示
すような結果が得られた。これらの図から判るように保
護膜の材料としてAlN,TiN,TaNを用いた本発明品Ａ〜Ｃ
は850時間も殆ど変化ないが、保護膜のない比較品Ｄ及
び保護膜の材料としてSiO2を用いた比較品Ｅは磁性膜の
劣化が進行し、保磁力の低下が大きい。
第１〜２図は本発明の光磁気記録媒体の断面図、第３〜
５図は夫々実施例１〜３で作った光磁気記録媒体の保存
による保磁力変化を表わすグラフ、第６図は比較例１〜
２で作った光磁気記録媒体の前記保磁力変化を表わすグ
ラフである。 １…基板、２…磁性膜 3,3′…保護膜 Ａ…実施例１で作成した光磁気記録媒体 Ｂ…実施例２で作成した光磁気記録媒体 Ｃ…実施例３で作成した光磁気記録媒体 Ｄ…比較例１で作成した光磁気記録媒体 Ｅ…比較例２で作成した光磁気記録媒体 Hc…初期保磁力 Hc′…保存後の保磁力
５図は夫々実施例１〜３で作った光磁気記録媒体の保存
による保磁力変化を表わすグラフ、第６図は比較例１〜
２で作った光磁気記録媒体の前記保磁力変化を表わすグ
ラフである。 １…基板、２…磁性膜 3,3′…保護膜 Ａ…実施例１で作成した光磁気記録媒体 Ｂ…実施例２で作成した光磁気記録媒体 Ｃ…実施例３で作成した光磁気記録媒体 Ｄ…比較例１で作成した光磁気記録媒体 Ｅ…比較例２で作成した光磁気記録媒体 Hc…初期保磁力 Hc′…保存後の保磁力
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 町田 元 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 鯉沼 宜之 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 中村 均 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (56)参考文献 特開 昭61−34747（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−17236（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−219654（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−63747（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−80144（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−171055（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に膜面に対し垂直方向に磁化容易軸
を有する磁性膜及びその上に保護膜を有する光磁気記録
媒体において、前記保護膜がTi,Ta,Alの窒化物よりな
り、かつ、プレスパッタリングを施した磁性膜上に設け
られていることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59160362A JPH06105506B2 (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59160362A JPH06105506B2 (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6139955A JPS6139955A (ja) | 1986-02-26 |
| JPH06105506B2 true JPH06105506B2 (ja) | 1994-12-21 |
Family
ID=15713329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59160362A Expired - Fee Related JPH06105506B2 (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06105506B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7365220B2 (en) | 2005-09-29 | 2008-04-29 | Momentive Performance Materials Inc. | Process for the recovery of alkoxysilanes obtained from the direct reaction of silicon with alkanols |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6134747A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | Hitachi Ltd | 光磁気多層膜媒体 |
-
1984
- 1984-07-31 JP JP59160362A patent/JPH06105506B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6139955A (ja) | 1986-02-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |