JPH06104637B2 - シクロヘキサノン及びシクロヘキサノールの混合物から不純物を除去する方法 - Google Patents

シクロヘキサノン及びシクロヘキサノールの混合物から不純物を除去する方法

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JPH06104637B2
JPH06104637B2 JP2091639A JP9163990A JPH06104637B2 JP H06104637 B2 JPH06104637 B2 JP H06104637B2 JP 2091639 A JP2091639 A JP 2091639A JP 9163990 A JP9163990 A JP 9163990A JP H06104637 B2 JPH06104637 B2 JP H06104637B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はシクロヘキサンを酸化することにより得られる
シクロヘキサノンとシクロヘキサノールの混合物からシ
クロヘキサノールと沸点の近い不純物を効率的に分離す
る方法に関するものである。
[従来の技術] シクロヘキサン(沸点81℃)を分子状酸素含有ガスで液
相酸化することによりシクロヘキサンからシクロヘキサ
ノン(沸点156.5℃)とシクロヘキサノール(沸点161
℃)を製造する際に、目的の主生成物であるシクロヘキ
サノン、シクロヘキサノールの他に多数の副生物が生成
する。
この副生物として生成する主なものとしては、カルボン
酸類、アルデヒド類、ケトン類、エステル類、エーテル
類、アルコール類等の酸素含有化合物や、炭化水素類が
ある。これらの不純物は全て未酸化の過剰のシクロヘキ
サン中に溶解している。これら不純物のうち、例えば、
カルボン酸類のような酸性の反応生成物、あるいは水へ
の溶解性の高い低級アルコール類などは、水で抽出する
ことにより、このシクロヘキサン溶液から除去できる。
また、この水抽出工程で除去できなかったカルボン酸類
及びエステル類のうち鹸化されやすい化合物は、アルカ
リ水溶液により鹸化され、除去される。これらの工程で
除去されない不純物は、その後の蒸留工程に供せられ
る。これら不純物の多くは、シクロヘキサノンあるいは
シクロヘキサノールとは沸点に大きな違いがあり、低沸
点成分もしくは、高沸残分として分離することが可能で
ある。
しかしながら、水への溶解性も小さく、鹸化もうけにく
く、主成分蒸留条件下で、シクロヘキサノンとシクロヘ
キサノールの沸点の間、もしくは、シクロヘキサノール
の沸点に非常に近接する点で沸騰する成分が存在する。
即ち、主成分であるシクロヘキサノン、シクロヘキサノ
ールをその混合物から蒸留分離するために、通常、経済
性を考慮し、工業的に採用される塔頂圧20〜400Torr、
塔頂温度70〜130℃の蒸留条件下では分離不可能な少量
の不純物がある。これらの代表的なものとして、例え
ば、ブチルシクロヘキシルエーテル、n−ペンチルシク
ロヘキサン、酢酸シクロヘキシルなどがある。
公知のシクロヘキサノンとシクロヘキサノールの混合物
から純粋なシクロヘキサノンの製造は次のように実施す
る。シクロヘキサノンよりも低沸点の成分を第1留分と
して第1蒸留塔で蒸留分離した後、シクロヘキサノンの
大部分をシクロヘキサノン精溜塔、すなわち第2蒸留塔
で第2留分として溜出する。第3蒸留塔で溜出する第3
留分中にはシクロヘキサノンの残りと全てのシクロヘキ
サノール、及びシクロヘキサノンとシクロヘキサノール
の沸点の間、もしくはシクロヘキサノールの沸点に非常
に近接する点で沸騰する成分が含有される。高沸点不純
物は残分として残る。ついで、第3蒸留塔で溜出させた
シクロヘキノールを主成分とする第3留分を脱水素反応
帯域へと導き、シクロヘキサノールを脱水素してシクロ
ヘキサノンとし、第1蒸留塔に循環させる。通常、この
脱水素反応は気相でCu系の触媒を用い、250〜400℃の間
で行なわれ、シクロヘキサノールの転換率は、60〜80%
に保持される。この脱水素反応の条件では、前述した蒸
留で分離不可能な不純物の多くは反応の前後で変化しな
い。従って、これら不純物を含む成分を単に循環してい
るとシクロヘキサノン蒸留系、脱水素反応系において蓄
積増加することになる。たとえば、該不純物は、蒸留系
に最初に導入されるシクロヘキサノン及びシクロヘキサ
ノールの混合物中に通常数100ppmを含むのみであるが、
この循環が進むことにより液中の不純物量は増加し、10
数パーセントまで上昇することがある。従って、この場
合は、製造プロセスの系を部分的又は完全に止めること
によって無害化を行なわなければならず多大な手間とロ
スを要していた。
また、この不純物の分離方法として特公昭60−39656に
記載あるように、抽出による分離法があるが、分離する
不純物量に対して多量の抽剤を使用するので分離のため
のエネルギーコストが極めて大きいという問題がある。
[発明が解決しようとする課題] このような不純物の増加には、次の三つの重要な欠点が
必然的に伴う。
(1) シクロヘキサノン蒸留系において不純物の含有
量が一定の量を越えると、シクロヘキサノンとの分離が
困難となり、純粋なシクロヘキサノンはこの不純物で汚
染されるので、シクロヘキサノンの品質に影響を与え
る。
(2) これら不純物が存在する分だけ脱水素にかけら
れるシクロヘキサノールの量が減ぜられる。即ち、脱水
素の作用度が低下する。
(3) これら不純物がシクロヘキサノン蒸留系、脱水
素反応系を循環することで、これらを蒸発させる為の熱
負荷などが上昇する。
[課題を解決するための手段] 本発明者らは、上記欠点を解決するために詳細な研究を
行なった結果、シクロヘキサノン蒸留系において、シク
ロヘキサノールと沸点の近い不純物が最も濃縮される場
所、即ち第2蒸留塔の塔底から、すでに循環している不
純物以外で新たに系に供給される不純物量に見合う液量
を抜きだして、シクロヘキサノン及び、シクロヘキサノ
ールを分離するために通常採用される蒸留操作圧力より
も数倍〜数十倍の圧力下で蒸留を行なえば、これら不純
物の分離が可能であることを見出し本発明に到達した。
すなわち、本発明の要旨は、シクロヘキサンの酸化によ
り製造されたシクロヘキサノン及びシクロヘキサノール
の混合物から不純物を除去するに当り、 (a) 該シクロヘキサノン及びシクロヘキサノールの
混合物を第1蒸留塔に供給して軽沸物を留去し、 (b) 第1蒸留塔の塔底液を第2蒸留塔に供給してシ
クロヘキサノンを留去し、 (c) 第2蒸留塔の塔底液を第3蒸留塔に供給してシ
クロヘキサノールを主体とする成分を留去し、 (d) 第3蒸留塔の留出物を脱水素反応帯域を経て第
1蒸留塔に循環させるプロセスにおいて、 (e) 第1〜第3蒸留塔の塔頂圧力を20〜400Torrに
保ち、 (f) 第2蒸留塔の塔底液の一部を塔頂圧力が500〜2
500Torrの第4蒸留塔に供給して軽沸物を留去し、 (g) 第4蒸留塔の溜出液を第1〜第3蒸留塔及び脱
水素反応帯域の少なくとも1つに循環し、 (h) 第3〜第4蒸留塔の塔底液を循環系から除去す
ることを特徴とするシクロヘキサノン及びシクロヘキサ
ノールの混合物から不純物を除去する方法に存する。
本発明の実施態様フローチャートを第1図に示す。第1
図において、Aは第1蒸留塔、Bは第2蒸留塔、Cは第
3蒸留塔、Dは第4蒸留塔、Eは脱水素反応器を示す。
以下、本発明を第1図に従って更に詳細に説明する。
第1蒸留塔Aには、導管1からシクロヘキサノン及びシ
クロヘキサノールの混合物が供給され、同時に、導管8
より脱水素反応器Eからの循環液が供給される。蒸留塔
Aの塔頂からの留出する軽沸物は導管2より留去され
る。一方、塔底液には導管3により取り出され、第2蒸
留塔Bに供給される。
蒸留塔Bでは、塔頂からシクロヘキサノンが導管4によ
り留去される。一方、塔底液は導管5により取り出さ
れ、導管6を通って、第3蒸留塔Cに供給される。
蒸留塔Cでは、塔頂からのシクロヘキサノールを主体と
する留出物は導管7を通って脱水素反応器Eに供給され
る。
脱水素反応器Eの反応液は、導管8を通って第1蒸留塔
に循環される。
蒸留塔A,B,Cの操作条件は、いづれも塔頂圧力20〜400To
rrであり、好ましくはA,B,Cの順で順次圧力を低下させ
る。たとえば、蒸留塔Aが200〜400Torr、蒸留塔Bが50
〜200Torr、蒸留塔Cが20〜100Torrの塔頂圧力で操作さ
れる。塔頂温度は塔頂圧力に相応して、通常70〜130℃
の範囲に制御される。
また、蒸留塔Cの塔底より高沸物が導管9より循環系外
に除去される。
蒸留塔Bの塔底液の一部は導管10より第4蒸留塔Dに供
給される。ここで蒸留塔Dに送られる液量は、該不純物
が新たに系内に循環蓄積される量に見合った量として全
塔底液の通常0.5〜3%である。
蒸留塔Dの操作条件は、塔頂圧力を500〜2500Torr、好
ましくは、600〜1000Torr、最も好ましくは大気圧付近
である。すなわち、蒸留塔Dの塔頂圧力を、蒸留塔A,B
及びCの20〜400Torrより高圧の条件の500〜2500Torrと
することにより該不純物の分離が可能となる。操作圧力
が500Torr以下では、該不純物の分離が悪くなるので好
ましくない。また2500Torr以上では、蒸留温度が通常工
業的に用いられる温度範囲を越えるし、また、塔内温が
高温になることでハルツ化が促進されるので好ましくな
い。蒸留塔Dの塔頂温度は塔頂圧力に相応して、通常15
0〜220℃の範囲に制御される。
蒸留塔Dの留出液は蒸留塔Cの留出液と共に脱水素反応
器Eに供給され、一方塔底液は導管12より循環系外に除
去する。蒸留塔Dの留出液はシクロヘキサノールが主成
分であるので、第1図のように導管11及び導管7を通っ
て脱水素反応器Eに循環させることが好ましいが、第1
〜第3蒸留塔に直接循環することもできる。
[実施例] 以下に実施例によって本発明を具体的に説明するが、本
発明はその要旨を越えない限りこれらの実施例に限定さ
れるものではない。
実施例1 第1図に示すフローチャートに従って実施した。
シクロヘキサンの酸化により得たシクロヘキサノンとシ
クロヘキサノールを含む混合物と脱水素反応器Eからの
循環液を混合し(シクロヘキサノン36%、シクロヘキサ
ノール53%)、これを100部/Hrの流量で第1蒸留塔Aに
供給した。蒸留塔Aの塔頂圧力200Torr、還流比20の条
件下で軽沸物を除去した後、塔底液を99.3部/Hrで第2
蒸留塔Bに供給した。蒸留塔Bの塔頂圧力50Torr、還流
比4の条件下で蒸留してシクロヘキサノンを33.5部/Hr
で回収した。一方、塔底液(シクロヘキサノン3%、シ
クロヘキサノール81%)を65.1部/Hrで第3蒸留塔Cに
供給した。蒸留塔Cの塔頂圧力30Torr、還流比2の条件
下で塔底の高沸物を1.2部/Hrで除去した。また、留出分
を64.6部/Hrで銅系の触媒を充てんした脱水素反応器E
に導入し、気相で250℃の温度でシクロヘキサノールの
脱水素反応を行ない、更に反応物は上記の第1蒸留塔A
に循環させた。
一方、第2蒸留塔Bの塔底液の約1%の量を0.7部/Hrで
第4蒸留塔Dに供給し、塔頂圧力が大気圧の760Torr、
還流比5の条件下で操作した。塔底から不純物を0.1部/
Hrで除去し、留出分は0.6部/Hrで脱水素反応器Eへ供給
した。
蒸留開始後100日経過して定常状態に達した際の脱水素
反応混合物の組成は次の通りであった。
また、このときの蒸留塔Bの塔底液と、蒸留塔Dの留出
分及び塔底液の組成を第1表に示す。
比較例1 第2図に示すフローチャートに従って実施した。第2図
において、Aは第1蒸留塔、Bは第2蒸留塔、Cは第3
蒸留塔、Eは脱水素反応器を示す。すなわち、第1図の
フローチャート中の第4蒸留塔Dに分枝する工程がない
場合である。
蒸留塔Dの部分を除き、実施例1と同様の条件で操作し
たところ、蒸留開始後150日経過して定常状態に達した
際の脱水素反応混合物の組成は次の通りであった。
実施例2 第1図に示すフローチャートに従って実施した。操作条
件は、蒸留塔Dの塔頂圧力を1000Torrとした以外は実施
例1と同一である。
定常状態での水素反応混合物の組成は次の通りであっ
た。
比較例2 第1に示すフローチャートに従って実施した。操作条件
は、蒸留塔Dの塔頂圧力を300Torrとした以外は実施例
1と同一である。
実施の際、蒸留塔Dでの不純物の分離は認められず、蒸
留開始100において、脱水素反応混合物の不純物の濃度
が10%を越えた。
[発明の効果] 本発明方法によりシクロヘキサノン蒸留、脱水素反応系
を循環蓄積する不純物の蓄積レベル低下させると、留出
シクロヘキサノン中の該不純物の濃度レベルの低下が可
能となる。又、脱水素作用度の上昇、即ち、供給液中の
不純物レベルの低下した分だけシクロヘキサノールが増
加するので同一液空間速度(LHSV)でシクロヘキサノン
製造量を増加させることが可能である。並びに、該不純
物がシクロヘキサノン蒸留、及び脱水素系を循環するた
めに消費していた熱負荷の低下等も可能となる。シクロ
ヘキサノン、シクロヘキサノール類は極めて大規模に生
産されているので、その工業的価値は多大なものとな
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施における実施態様の一例を示すフ
ローチャートであり、A:第1蒸留塔、B:第2蒸留塔、C:
第3蒸留塔、D:第4蒸留塔、E:脱水素反応器を示す。 第2図は比較例1の実施態様を示すフローチャートであ
り、A:第1蒸留塔、B:第2蒸留塔、C:第3蒸留塔、E:脱
水素反応器を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】シクロヘキサンの酸化により製造されたシ
    クロヘキサノン及びシクロヘキサノールの混合物から不
    純物を除去するに当り、 (a) 該シクロヘキサノン及びシクロヘキサノールの
    混合物を第1蒸留塔に供給して軽沸物を留去し、 (b) 第1蒸留塔の塔底液を第2蒸留塔に供給してシ
    クロヘキサノンを留去し、 (c) 第2蒸留塔の塔底液を第3蒸留塔に供給してシ
    クロヘキサノールを主体とする成分を留去し、 (d) 第3蒸留塔の留出物を脱水素反応帯域を経て第
    1蒸留塔に循環させるプロセスにおいて、 (e) 第1〜第3蒸留塔の塔頂圧力を20〜400Torrに
    保ち、 (f) 第2蒸留塔の塔底液の一部を塔頂圧力が500〜2
    500Torrの第4蒸留塔に供給して軽沸物を留去し、 (g) 第4蒸留塔の溜出液を第1〜第3蒸留塔及び脱
    水素反応帯域の少なくとも1つに循環し、 (h) 第3〜第4蒸留塔の塔底液を循環系から除去す
    ることを特徴とするシクロヘキサノン及びシクロヘキサ
    ノールの混合物から不純物を除去する方法。
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