JPH06103673B2 - 反応性イオン・エツチングによって基板材料にパターンを転写する方法 - Google Patents
反応性イオン・エツチングによって基板材料にパターンを転写する方法Info
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- JPH06103673B2 JPH06103673B2 JP63233844A JP23384488A JPH06103673B2 JP H06103673 B2 JPH06103673 B2 JP H06103673B2 JP 63233844 A JP63233844 A JP 63233844A JP 23384488 A JP23384488 A JP 23384488A JP H06103673 B2 JPH06103673 B2 JP H06103673B2
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- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/942—Masking
- Y10S438/948—Radiation resist
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Description
【発明の詳細な説明】 A.産業上の利用分野 本発明は一般に基板の反応性イオン・エツチング（RI
E）及びエツチング工程で使用する材料に関し、具体的
には、エツチされるべき基板上にパターンを形成するた
めの改良されたエツチ・バリヤ（障壁）材料層を使用し
た、有機ポリマもしくははシリコンのような基板材の選
択的反応性イオン・エツチングのための方法に関する。
E）及びエツチング工程で使用する材料に関し、具体的
には、エツチされるべき基板上にパターンを形成するた
めの改良されたエツチ・バリヤ（障壁）材料層を使用し
た、有機ポリマもしくははシリコンのような基板材の選
択的反応性イオン・エツチングのための方法に関する。
B.従来技術 反応性イオン・エツチングはエツチされるべき材料に依
存してO2、CF4＋O2、CF4及び他のフルオロカーボン、も
しくは他の気体、あるいはこれ等の組合せを含む種々の
気体を使用する一般に知られている方法である。たとえ
ば、シリコンをベースとするMOS装置の製造では、エツ
チングはシリコンもしくはポリシリコン基板中にトレン
チをエツチングするという形式をとる。このエツチング
は通常CF4＋O2、SF6、CCl2CF2、CFCl3等のようなフツ素
を含む気体で行われている。他の場合には、反応性イオ
ン・エツチングはベーキングしたシプレイ社（Shiple
y）のAZ1350Jのような有機ポリマ層もしくは可溶性のポ
リアミド／ポリイミド層中にパターンを転写して、下層
上に金属層のためのパターンを形成し、その後に金属層
を形成する場合に好ましい方法である。金属層を形成し
た後に、残されたポリアミド／ポリイミド層は上のマス
ク及びブランケツト金属とともに通常のリフト・オフ方
法で除去され、導電性金属線のパターンが残される。こ
の金属線形成方法は通常「消耗型マスク方法」と呼ばれ
ている。
存してO2、CF4＋O2、CF4及び他のフルオロカーボン、も
しくは他の気体、あるいはこれ等の組合せを含む種々の
気体を使用する一般に知られている方法である。たとえ
ば、シリコンをベースとするMOS装置の製造では、エツ
チングはシリコンもしくはポリシリコン基板中にトレン
チをエツチングするという形式をとる。このエツチング
は通常CF4＋O2、SF6、CCl2CF2、CFCl3等のようなフツ素
を含む気体で行われている。他の場合には、反応性イオ
ン・エツチングはベーキングしたシプレイ社（Shiple
y）のAZ1350Jのような有機ポリマ層もしくは可溶性のポ
リアミド／ポリイミド層中にパターンを転写して、下層
上に金属層のためのパターンを形成し、その後に金属層
を形成する場合に好ましい方法である。金属層を形成し
た後に、残されたポリアミド／ポリイミド層は上のマス
ク及びブランケツト金属とともに通常のリフト・オフ方
法で除去され、導電性金属線のパターンが残される。こ
の金属線形成方法は通常「消耗型マスク方法」と呼ばれ
ている。
いずれの場合にも、エツチされるべき基板上に反応性イ
オン・エツチ（RIE）に耐性のあるバリア材料のフイル
ム、すなわち、マスク層、を設け、該マスク層を選択的
にパターン化して、基板を、エツチすべき所望のパター
ンに露出することが必要である。
オン・エツチ（RIE）に耐性のあるバリア材料のフイル
ム、すなわち、マスク層、を設け、該マスク層を選択的
にパターン化して、基板を、エツチすべき所望のパター
ンに露出することが必要である。
シリコン基板をエツチするための通常のRIEバリヤ材料
の中で、一部はMgO、SiO2、Al2O3及びMgF2等の場合のよ
うに蒸着もしくはスパツタリングで付着される。これ等
の層で通常みられる問題は、厚さに均一性がなく、高密
度に欠陥が存在する。他方、SiO2、Si3N4及び有機ポリ
マのような標準的なマスク材料においては、エツチング
工程中のマスク材料に対する基板のエツチング比率が小
さく、従つて深いシリコンのトレンチをエツチするため
には比較的厚い層を使用しなければならない。
の中で、一部はMgO、SiO2、Al2O3及びMgF2等の場合のよ
うに蒸着もしくはスパツタリングで付着される。これ等
の層で通常みられる問題は、厚さに均一性がなく、高密
度に欠陥が存在する。他方、SiO2、Si3N4及び有機ポリ
マのような標準的なマスク材料においては、エツチング
工程中のマスク材料に対する基板のエツチング比率が小
さく、従つて深いシリコンのトレンチをエツチするため
には比較的厚い層を使用しなければならない。
RIE技術を使用して、有機材料の下層にパターンを転写
する場合には、スピン・オン（スピン・コーテイングし
た）「ガラス樹脂」もしくはポリジメチルシロキサン樹
脂層がO2を用いてRIEのバリア層として適用できること
が一般に知られている。リフト・オフ機構に使用される
RIEマスクの場合は、米国特許第4493855号、第4499243
号及び第4562091号に開示されているように、O2を用い
たRIEのバリヤ層としてプラズマ重合化オルガノ・シラ
ンが使用されている。オルガノ・シランから誘導した層
はO2を用いたRIEに対して良好な抵抗を有し、有機基板
中にパターンをエツチするのに有用であるが、SF6、フ
ルオロカーボンもしくは他のハロゲン化炭化水素のエツ
チヤントで深いシリコンのトレンチをエツチングするの
に必要なプロセスのマスクとしてはあまり効果的でな
い。叉メチルシロキサンをベースとするスピン・オン・
ガラス樹脂は、適切に付着させるためには特殊な注意深
い基板の調整を要し、高温度で硬化した位置にひび割れ
を生ずる傾向を示し、溶液でコーテイングした層中の欠
陥の主な原因となるゲルを形成する傾向がある。さらに
これ等の層はMgO及びMgF2の場合のようにドライ・エツ
チングによつてしかパターン化できない。
する場合には、スピン・オン（スピン・コーテイングし
た）「ガラス樹脂」もしくはポリジメチルシロキサン樹
脂層がO2を用いてRIEのバリア層として適用できること
が一般に知られている。リフト・オフ機構に使用される
RIEマスクの場合は、米国特許第4493855号、第4499243
号及び第4562091号に開示されているように、O2を用い
たRIEのバリヤ層としてプラズマ重合化オルガノ・シラ
ンが使用されている。オルガノ・シランから誘導した層
はO2を用いたRIEに対して良好な抵抗を有し、有機基板
中にパターンをエツチするのに有用であるが、SF6、フ
ルオロカーボンもしくは他のハロゲン化炭化水素のエツ
チヤントで深いシリコンのトレンチをエツチングするの
に必要なプロセスのマスクとしてはあまり効果的でな
い。叉メチルシロキサンをベースとするスピン・オン・
ガラス樹脂は、適切に付着させるためには特殊な注意深
い基板の調整を要し、高温度で硬化した位置にひび割れ
を生ずる傾向を示し、溶液でコーテイングした層中の欠
陥の主な原因となるゲルを形成する傾向がある。さらに
これ等の層はMgO及びMgF2の場合のようにドライ・エツ
チングによつてしかパターン化できない。
最近、「電気化学学会論文集（Proceedings of the Ele
ctrochemical Society）」第85−１巻、第235−243頁の
論文にJ.ゴブレヒト及びM.ロツシネリにより説明されて
いるウエツト現像できるアルミナ・スピン・オン・ガラ
ス組成物はアルミニウム・アセチル・アセトネートもし
くはアルミニウム・エチル・アセト・アセテートのよう
なベータ−ジケトン及びベータ−ケトエステルから誘導
されたアルミニウム・アルコキシド及びアルミニウム・
キレートに基づいている。ヘキサン中のこれ等の材料の
溶液はスピン付着した後適切なベーキング／硬化によつ
て効果的なRIEマスクとして使用できる層にすることが
できるが、これ等の材料はいくつかの重大な欠陥があ
る。第１にこれ等の材料の溶液は極端に湿度に敏感であ
り、従つてスピンもしくはスプレー付着に厳密に制御さ
れた条件を必要とし、コーテイングは極めて貧弱な機械
的特性を有し、常に高温度の硬化ではヒビ割れ及び他の
欠陥を生ずる。これ等の型のコーテイングはジアゾナフ
トキノン・ノボラツク樹脂をベースとするレジスト材料
を使用するリソグラフイ処理で代表的に使用されている
水溶性塩基の現像溶液中で溶解し、従つてレジストの現
像及び下側のバリヤフイルムのパターン化によつて基板
を露出する段階は単一の段階によつて行われるが、その
溶解速度の制御が比較的難しく、著しいアンダーカツテ
イングを生じる問題がある。
ctrochemical Society）」第85−１巻、第235−243頁の
論文にJ.ゴブレヒト及びM.ロツシネリにより説明されて
いるウエツト現像できるアルミナ・スピン・オン・ガラ
ス組成物はアルミニウム・アセチル・アセトネートもし
くはアルミニウム・エチル・アセト・アセテートのよう
なベータ−ジケトン及びベータ−ケトエステルから誘導
されたアルミニウム・アルコキシド及びアルミニウム・
キレートに基づいている。ヘキサン中のこれ等の材料の
溶液はスピン付着した後適切なベーキング／硬化によつ
て効果的なRIEマスクとして使用できる層にすることが
できるが、これ等の材料はいくつかの重大な欠陥があ
る。第１にこれ等の材料の溶液は極端に湿度に敏感であ
り、従つてスピンもしくはスプレー付着に厳密に制御さ
れた条件を必要とし、コーテイングは極めて貧弱な機械
的特性を有し、常に高温度の硬化ではヒビ割れ及び他の
欠陥を生ずる。これ等の型のコーテイングはジアゾナフ
トキノン・ノボラツク樹脂をベースとするレジスト材料
を使用するリソグラフイ処理で代表的に使用されている
水溶性塩基の現像溶液中で溶解し、従つてレジストの現
像及び下側のバリヤフイルムのパターン化によつて基板
を露出する段階は単一の段階によつて行われるが、その
溶解速度の制御が比較的難しく、著しいアンダーカツテ
イングを生じる問題がある。
従つてこれ等のスピン・オン・アルミナ型の層は深いシ
リコン・トレンチのエツチングに必要なRIE耐性を有
し、あるプロセスはドライ・スパツタ・コーテイングよ
りも優れているが、ヒビ割れの問題、及び湿度に対する
敏感性及び過度な塩基溶解性が重大な欠点であり、高密
度のIC装置のためのマイクロエレクトロニクスでの使用
が制限されている。
リコン・トレンチのエツチングに必要なRIE耐性を有
し、あるプロセスはドライ・スパツタ・コーテイングよ
りも優れているが、ヒビ割れの問題、及び湿度に対する
敏感性及び過度な塩基溶解性が重大な欠点であり、高密
度のIC装置のためのマイクロエレクトロニクスでの使用
が制限されている。
C.発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は改良されたエツチ・バリヤ材料を使用し
て基板を選択的に反応性イオン・エツチングする方法を
与えることにある。
て基板を選択的に反応性イオン・エツチングする方法を
与えることにある。
D.問題点を解決するための手段 本発明に従い、特に有機ジルコアルミネート・ポリマ、
有機ハフニウムアルミネート・ポリマもしくは有機ジル
コチタネート・ポリマと呼ばれる混合金属の有機金属組
物から誘導される改良された有機金属ポリマを反応性イ
オン・エツチング・バリア層として選択し、無機性基板
または該基板上の有機層（基板と総称する）の表面にス
ピン法で付着し、乾燥し、硬化させた後、このバリア層
上に、所定の開口パターンを有するホト・レジスト層を
形成し、次に、このレジスト層を介して下側バリア層を
エツチングしてマスク層を形成する。このマスク層を有
する基板を反応性エツチング雰囲気に曝らすと、露出し
た基板表面がエツチングされて所定の開口パターンが基
板表面に転写される。下側バリア層に所定の開口パター
ンを転写してマスク層を形成するための好ましい態様に
よれば、ホト・リソグラフイ法で、通常、使用されてい
るホト・レジスト材料のための水溶性塩基現像剤によ
り、バリア層が溶解するようにバリア材料が選択される
のが好ましい。この態様によれば、単一の現像段階の間
に、先ず、露光済レジスト層が除去され、次にそのレジ
スト層をマスクとして下側バリア層が除去されてマスク
層を形成する、代替的には、レジスト層及び下側バリア
層を、各々、別個の現像雰囲気中に、順次に曝らしてマ
スク層を形成してもよい。いずれの場合でも、所定パタ
ーンの放射線に露光済のホト・レジスト層が所定パター
ンに従つて先ず除去され、次にその所定パターンが下側
バリア層に転写される。
有機ハフニウムアルミネート・ポリマもしくは有機ジル
コチタネート・ポリマと呼ばれる混合金属の有機金属組
物から誘導される改良された有機金属ポリマを反応性イ
オン・エツチング・バリア層として選択し、無機性基板
または該基板上の有機層（基板と総称する）の表面にス
ピン法で付着し、乾燥し、硬化させた後、このバリア層
上に、所定の開口パターンを有するホト・レジスト層を
形成し、次に、このレジスト層を介して下側バリア層を
エツチングしてマスク層を形成する。このマスク層を有
する基板を反応性エツチング雰囲気に曝らすと、露出し
た基板表面がエツチングされて所定の開口パターンが基
板表面に転写される。下側バリア層に所定の開口パター
ンを転写してマスク層を形成するための好ましい態様に
よれば、ホト・リソグラフイ法で、通常、使用されてい
るホト・レジスト材料のための水溶性塩基現像剤によ
り、バリア層が溶解するようにバリア材料が選択される
のが好ましい。この態様によれば、単一の現像段階の間
に、先ず、露光済レジスト層が除去され、次にそのレジ
スト層をマスクとして下側バリア層が除去されてマスク
層を形成する、代替的には、レジスト層及び下側バリア
層を、各々、別個の現像雰囲気中に、順次に曝らしてマ
スク層を形成してもよい。いずれの場合でも、所定パタ
ーンの放射線に露光済のホト・レジスト層が所定パター
ンに従つて先ず除去され、次にその所定パターンが下側
バリア層に転写される。
E.実施例 反応性イオン・エツチングにおいてはエツチ媒体に抵抗
性のあるバリヤ材料のマスク層がエツチすべき基板上に
形成され、パターン化される。パターン化は、好ましく
は、次のように、即ち、このエツチ・バリヤ層上にレジ
スト材料としてイメージ形成可能な層を付着して、レジ
ストを紫外線のような適切な放射線源にパターンに従つ
て露光し、露光したレジスト領域を現像し、同時にこの
パターンを下のバリヤ層中に転写することによつて行な
われ、そしてレジスト層の現像パターンに対応して基板
材料を露出する。次に露出した下の基板材料は反応性イ
オン・エツチされる。この時先ず残りのレジスト層、次
にバリヤ層は（レジスト層はRIE過程中にエツチし去ら
れるので）パターンをRIE技術によつて基板材料中に複
製する過程中のマスクとして働く。もしくはマスク・パ
ターンに影響を与えることなく、レジスト層を選択的に
有機溶媒もしくはO2RIEによつて除去する。この場合は
混合金属有機金属マスクのみがRIE過程中のバリヤとし
て使用される。このような方法には多くの異なる応用と
変更が存在するが、RIEマスクの２つの特定の応用が本
発明に特に適している。そのうち１つは第1A図乃至第1D
図に示した半導体装置の製造のためのシリコン・トレン
チのエツチングである。他方は第2A図乃至第2H図に示し
た、有機もくしは無機ベース材料上にもしくはその中に
金属パターンを形成する目的で、ベース材料上のポリマ
層を反応性イオン・エツチングする多層レジスト・プロ
セスの応用である。
性のあるバリヤ材料のマスク層がエツチすべき基板上に
形成され、パターン化される。パターン化は、好ましく
は、次のように、即ち、このエツチ・バリヤ層上にレジ
スト材料としてイメージ形成可能な層を付着して、レジ
ストを紫外線のような適切な放射線源にパターンに従つ
て露光し、露光したレジスト領域を現像し、同時にこの
パターンを下のバリヤ層中に転写することによつて行な
われ、そしてレジスト層の現像パターンに対応して基板
材料を露出する。次に露出した下の基板材料は反応性イ
オン・エツチされる。この時先ず残りのレジスト層、次
にバリヤ層は（レジスト層はRIE過程中にエツチし去ら
れるので）パターンをRIE技術によつて基板材料中に複
製する過程中のマスクとして働く。もしくはマスク・パ
ターンに影響を与えることなく、レジスト層を選択的に
有機溶媒もしくはO2RIEによつて除去する。この場合は
混合金属有機金属マスクのみがRIE過程中のバリヤとし
て使用される。このような方法には多くの異なる応用と
変更が存在するが、RIEマスクの２つの特定の応用が本
発明に特に適している。そのうち１つは第1A図乃至第1D
図に示した半導体装置の製造のためのシリコン・トレン
チのエツチングである。他方は第2A図乃至第2H図に示し
た、有機もくしは無機ベース材料上にもしくはその中に
金属パターンを形成する目的で、ベース材料上のポリマ
層を反応性イオン・エツチングする多層レジスト・プロ
セスの応用である。
第1A図乃至第1D図を参照するに、シリコン基板10上には
第1A図に示したように反応性イオン・エツチングに抵抗
性のあるバリヤ材料の層12が被覆される。バリヤ層12上
には該1B図に示したようにレジスト層14が付着される。
このレジスト層はUVのような選択された放射線に感応す
るので、このような放射線にパターン状に露光され、続
いて本発明に従い、好ましくは、露光されたレジスト層
14の除去に続いて下側のバリヤ層12も除去する溶媒現像
が行われ、第1C図に示したように下側のシリコン基板10
を露出する、両層を通る開孔パターン16が形成される。
次にシリコン基板を反応性イオン・エツチングして第1D
図に示したようにその中に所望のトレンチ18が形成され
る。バリヤ層は下側の露出していない基板10のマスクと
して働く。反応性イオン・エツチングは、最初バリヤ層
12の上にレジスト層14を残したまま行うことができ、も
しくは望まれるならば反応性イオン・エツチングによつ
てパターンを第1D図に示されたようにシリコン／ポリシ
リコン基板に転写する前に、残つたレジスト層を通常の
方法（溶媒もしくはO2のRIEによる選択的除去）によつ
て除去できる。
第1A図に示したように反応性イオン・エツチングに抵抗
性のあるバリヤ材料の層12が被覆される。バリヤ層12上
には該1B図に示したようにレジスト層14が付着される。
このレジスト層はUVのような選択された放射線に感応す
るので、このような放射線にパターン状に露光され、続
いて本発明に従い、好ましくは、露光されたレジスト層
14の除去に続いて下側のバリヤ層12も除去する溶媒現像
が行われ、第1C図に示したように下側のシリコン基板10
を露出する、両層を通る開孔パターン16が形成される。
次にシリコン基板を反応性イオン・エツチングして第1D
図に示したようにその中に所望のトレンチ18が形成され
る。バリヤ層は下側の露出していない基板10のマスクと
して働く。反応性イオン・エツチングは、最初バリヤ層
12の上にレジスト層14を残したまま行うことができ、も
しくは望まれるならば反応性イオン・エツチングによつ
てパターンを第1D図に示されたようにシリコン／ポリシ
リコン基板に転写する前に、残つたレジスト層を通常の
方法（溶媒もしくはO2のRIEによる選択的除去）によつ
て除去できる。
本発明に従い、スピン・コーテイング法によつて付着で
きる非エツチ性のRIEマスク材料は、ジルコアルミネー
ト、ハフニウム−アルミニウム有機金属、ジルコチタネ
ートのような２金属アルコキシドに基づいている。この
クラスの材料の調製の一般的な方法及び性質はたとえば
1978年に、アカデミツク・プレス社から発行されたD.C.
ブラドレー、R.C.メロトラ及びD.P.ゴアによる「メタル
・アルコキシド」の第５章（“Metal Alkoxides"by D.
C.Bradley、R.C.Mehrotra and D.P.Gour、Academic Pre
ss、1978、Chapter 5）及び1962年にアカデミツク・プ
レス社により発行されたF.G.A.ストーン及びW.A.G.グラ
ハム編の「無機ポリマ」（“Inorganic Polymers"、Edi
ted by F.G.A.Stone and W.A.G.Graham、Academic、Aca
demic Press、1962）のような無機ポリマに関する文献
に説明されている。
きる非エツチ性のRIEマスク材料は、ジルコアルミネー
ト、ハフニウム−アルミニウム有機金属、ジルコチタネ
ートのような２金属アルコキシドに基づいている。この
クラスの材料の調製の一般的な方法及び性質はたとえば
1978年に、アカデミツク・プレス社から発行されたD.C.
ブラドレー、R.C.メロトラ及びD.P.ゴアによる「メタル
・アルコキシド」の第５章（“Metal Alkoxides"by D.
C.Bradley、R.C.Mehrotra and D.P.Gour、Academic Pre
ss、1978、Chapter 5）及び1962年にアカデミツク・プ
レス社により発行されたF.G.A.ストーン及びW.A.G.グラ
ハム編の「無機ポリマ」（“Inorganic Polymers"、Edi
ted by F.G.A.Stone and W.A.G.Graham、Academic、Aca
demic Press、1962）のような無機ポリマに関する文献
に説明されている。
ジルコアルミネートのような混合金属有機金属を調製す
る一つの方法は次のようにアルミニウム・アルコキシド
を他の金属アルコキシドと反応させて任意の所望の錯化
合物の系列を形成するものである。
る一つの方法は次のようにアルミニウム・アルコキシド
を他の金属アルコキシドと反応させて任意の所望の錯化
合物の系列を形成するものである。
溶液中のこれ等の材料の分子錯化度はＲ基の性質に依存
する。非架橋基であるOR*と記されたアルコキシ基はエ
チレン・グリコール、プロピレン・グリコール及び１、
２ジオキシ・プロパン等を含むジオキシアルコールある
いはグリコール；有機酸；乳酸及びその高級同族体（好
ましくはC2〜C10）のような、アミノ酸アルフア・オキ
シ酸；アミノ酸；又はエタノールアミンのようなアルカ
ノールアミンなどの代替配位子によつて容易に置換され
て一連の誘導体を与えることが知られている。これ等の
材料は本発明に従つてRIEバリヤとして種々の基板上に
薄い層を形成するのに使用できる。
する。非架橋基であるOR*と記されたアルコキシ基はエ
チレン・グリコール、プロピレン・グリコール及び１、
２ジオキシ・プロパン等を含むジオキシアルコールある
いはグリコール；有機酸；乳酸及びその高級同族体（好
ましくはC2〜C10）のような、アミノ酸アルフア・オキ
シ酸；アミノ酸；又はエタノールアミンのようなアルカ
ノールアミンなどの代替配位子によつて容易に置換され
て一連の誘導体を与えることが知られている。これ等の
材料は本発明に従つてRIEバリヤとして種々の基板上に
薄い層を形成するのに使用できる。
ジルコニウム・オキシクロライド・ハイドレートから出
発してジルコニウム・アルコキシド成分を調製する方法
は文献に次のように説明されている。
発してジルコニウム・アルコキシド成分を調製する方法
は文献に次のように説明されている。
1952年刊ジヤーナル・オブ・ケミカル・ソサイアテイ第
2302頁のD.C.ブラドレー、F.M.A.ハリム、E.A.サデツク
及びW.ワードローの論文（D.C.Bradely、F.M.A.Halim、
E.A.Sadek and W.Wardlaw、J.Chem、Soc、2032（1952）
を参照されたい。
2302頁のD.C.ブラドレー、F.M.A.ハリム、E.A.サデツク
及びW.ワードローの論文（D.C.Bradely、F.M.A.Halim、
E.A.Sadek and W.Wardlaw、J.Chem、Soc、2032（1952）
を参照されたい。
アルミニウム・アルコキシド成分も又次に示すように最
大の配位数を得ようとする金属の傾向によつて高度に錯
化した重合体構造を有する。
大の配位数を得ようとする金属の傾向によつて高度に錯
化した重合体構造を有する。
同じようにチタン・アルコキシドについても錯化構造を
表わすことができるが、分子錯化度はジルコニウムを含
む化合物よりも高い。これ等の混合金属有機金属、特に
ジルコアルミネートのような２重金属アルコキシドは本
発明に従いバリヤ層として有用であることがわかつた。
本発明に従い使用される他の混合金属有機金属はオルガ
ノ・ジルコチタネート・オルガノ・ハフニウムアルミネ
ート錯化合物である。このクラスの材料の調製方法、構
造錯化合物及び性質の詳細を与える上述の文献の外に、
ジルコアルミネートについては接着促進剤、結合剤もし
くは無機充填剤表面修正剤としての特定の応用を有する
ものとして米国特許第4539048号、第4539049号にも開示
されている。米国特許第4539048号に従うこの材料の調
製方法はジルコニウム・オキシクロライド・ハイドレー
ト（ZrOCl2・8H2O）をアルミニウム・クロロハイドレー
ト（Al2(OH)5Cl）錯体と反応させて次の一般構造のジル
コニウム・アルミニウムを含むバツクボーンを発生す
る。
表わすことができるが、分子錯化度はジルコニウムを含
む化合物よりも高い。これ等の混合金属有機金属、特に
ジルコアルミネートのような２重金属アルコキシドは本
発明に従いバリヤ層として有用であることがわかつた。
本発明に従い使用される他の混合金属有機金属はオルガ
ノ・ジルコチタネート・オルガノ・ハフニウムアルミネ
ート錯化合物である。このクラスの材料の調製方法、構
造錯化合物及び性質の詳細を与える上述の文献の外に、
ジルコアルミネートについては接着促進剤、結合剤もし
くは無機充填剤表面修正剤としての特定の応用を有する
ものとして米国特許第4539048号、第4539049号にも開示
されている。米国特許第4539048号に従うこの材料の調
製方法はジルコニウム・オキシクロライド・ハイドレー
ト（ZrOCl2・8H2O）をアルミニウム・クロロハイドレー
ト（Al2(OH)5Cl）錯体と反応させて次の一般構造のジル
コニウム・アルミニウムを含むバツクボーンを発生す
る。
いくつかの有機官能錯化剤の任意の一つで処理すると、
配位子の移動及び配位の共有結合錯化が生じて（Ｂ）で
示したようなオルガノ・ジルコアルミネート・ポリマを
形成する。
配位子の移動及び配位の共有結合錯化が生じて（Ｂ）で
示したようなオルガノ・ジルコアルミネート・ポリマを
形成する。
ここでＲはイソプロパノール、Ｎ−ブタノール、イソブ
タノール１、２−オキシイソブタン;2−オキシプロピオ
ン酸のような２−オキシ・カルボン酸、エチレン・グリ
コールのモノエステル、エチレン・グリコール及びプロ
ピレン・グリコールのような種々の材料から誘導された
有機官能性配位子であり、Ｘは−NH2、−COOH、−CONH2
等のような官能基である。このタイプの有機ジルコアル
ミネート・ポリマは商標CAVCO MODとして米国ロード・
アイライド州ウーンソケツト市のカベドン社（Cavedon
Co.,Inc.）から販売されている。説明の目的に、次の組
成が本発明の実施に使用された。
タノール１、２−オキシイソブタン;2−オキシプロピオ
ン酸のような２−オキシ・カルボン酸、エチレン・グリ
コールのモノエステル、エチレン・グリコール及びプロ
ピレン・グリコールのような種々の材料から誘導された
有機官能性配位子であり、Ｘは−NH2、−COOH、−CONH2
等のような官能基である。このタイプの有機ジルコアル
ミネート・ポリマは商標CAVCO MODとして米国ロード・
アイライド州ウーンソケツト市のカベドン社（Cavedon
Co.,Inc.）から販売されている。説明の目的に、次の組
成が本発明の実施に使用された。
カルボキシ官能性ジルコアルミネート・ポリマ（カルボ
キシラト−ジルコアルミネート・クロライド・ヒドキシ
ド・ポリマは商標名CAVCO MOD CPMでプロピレン・グリ
コール・ジメチル・エーテル中の25％固体成分として市
販されており、4.3％乃至4.8％の金属（ジルコニウム及
びアルミニウム）を含む。アミノ官能性ジルコアルミネ
ート（アミノ・ジルコアルミネート・クロライド・ヒド
ロキシド・ポリマ）は商標名CAVCO MOD APGでプロポレ
ン・グリコール中の25％固体成分として市販されてい
て、4.1％乃至4.4％の金属を含む。
キシラト−ジルコアルミネート・クロライド・ヒドキシ
ド・ポリマは商標名CAVCO MOD CPMでプロピレン・グリ
コール・ジメチル・エーテル中の25％固体成分として市
販されており、4.3％乃至4.8％の金属（ジルコニウム及
びアルミニウム）を含む。アミノ官能性ジルコアルミネ
ート（アミノ・ジルコアルミネート・クロライド・ヒド
ロキシド・ポリマ）は商標名CAVCO MOD APGでプロポレ
ン・グリコール中の25％固体成分として市販されてい
て、4.1％乃至4.4％の金属を含む。
上述の２つの組成に加えてCAVCO MOD FPM、CAVECO MOD
C−1PM及びCAVCO MOD CPGとして販売されている組成が
あり、同じように本発明に従いマスク材料として使用で
きる。
C−1PM及びCAVCO MOD CPGとして販売されている組成が
あり、同じように本発明に従いマスク材料として使用で
きる。
CAVCO MOD APG及びCAVCO MOD CPMを使用して層が形成さ
れ、それらの層の品質を調べると共に、シリコン／ポリ
シリコン基板及びSiO2、窒化シリコン等のような他の無
機材料をエツチングするのに典型的に用いられるRIE条
件及びO2を用いたRIEに対する耐性を調べるためにテス
トを行つた。APGの場合は、入手した被覆溶液を30秒間4
000乃至5000RPMでシリコン・ウエハ上にスピン付着し、
85℃で20分、続いて150℃で30分、続いて230℃で30分か
けてベーキング／硬化した。ある実施例では層を400℃
迄加熱した。CPMの場合には、市販の溶液（40g）を先ず
１−メトキシ−２−プロパノール若しくはイソプロピル
・アルコール60gで希釈し、次に有機もしくは無機基板
上にスピン付着し、続いて直ちにAPGの場合のようにベ
ーキング／硬化した。このような修正をしない場合に
は、被覆膜の品質は貧弱である。この手順により、厚さ
が1600Å乃至3000Å（スピン速度に依存する）の優れた
品質の一様な膜が得られた。250℃乃至400℃で硬化した
これらの膜の表面の化学的性質をXPS分析で調べた結
果、次の第Ｉ表に示す表面の組成が得られた。
れ、それらの層の品質を調べると共に、シリコン／ポリ
シリコン基板及びSiO2、窒化シリコン等のような他の無
機材料をエツチングするのに典型的に用いられるRIE条
件及びO2を用いたRIEに対する耐性を調べるためにテス
トを行つた。APGの場合は、入手した被覆溶液を30秒間4
000乃至5000RPMでシリコン・ウエハ上にスピン付着し、
85℃で20分、続いて150℃で30分、続いて230℃で30分か
けてベーキング／硬化した。ある実施例では層を400℃
迄加熱した。CPMの場合には、市販の溶液（40g）を先ず
１−メトキシ−２−プロパノール若しくはイソプロピル
・アルコール60gで希釈し、次に有機もしくは無機基板
上にスピン付着し、続いて直ちにAPGの場合のようにベ
ーキング／硬化した。このような修正をしない場合に
は、被覆膜の品質は貧弱である。この手順により、厚さ
が1600Å乃至3000Å（スピン速度に依存する）の優れた
品質の一様な膜が得られた。250℃乃至400℃で硬化した
これらの膜の表面の化学的性質をXPS分析で調べた結
果、次の第Ｉ表に示す表面の組成が得られた。
第Ｉ表 APGCPM 元素 原子％ 原子％ C1s 37.6 45.5 O1s 43.0 39.0 Al2p 17.3 12.9 Zr3d 2.1 1.4 さらにAPGジルコアルミネートで形成した層をテスト
し、ジルコアルミネートに対する種々の関連基板材料の
エツチ速度比を求めた。この比が高い程、ジルコアルミ
ネート層のRIEマスクとしての性能は良好である。これ
等のエツチ速度比を次に示す実施例１及び２について得
られた結果とともに次の第II表に示す。
し、ジルコアルミネートに対する種々の関連基板材料の
エツチ速度比を求めた。この比が高い程、ジルコアルミ
ネート層のRIEマスクとしての性能は良好である。これ
等のエツチ速度比を次に示す実施例１及び２について得
られた結果とともに次の第II表に示す。
（１）標準cm3／分 （２）電力（ワツト） （３）圧力（mTorr） （４）ZrAlマスク層のエツチ速度（Å／分） （５）ZrAlマスク層のエツチ速度に対する基板のエツチ
速度の比 第II表を調べると、SF6によるRIEの場合に、ジルコアル
ミネート・ポリマに対するシリコン及びポリシリコンの
エツチ速度比が極めて高いので、これ等のポリマが特に
シリコン基板に深いトレンチをエツチングするのに有用
なことがわかる。
速度の比 第II表を調べると、SF6によるRIEの場合に、ジルコアル
ミネート・ポリマに対するシリコン及びポリシリコンの
エツチ速度比が極めて高いので、これ等のポリマが特に
シリコン基板に深いトレンチをエツチングするのに有用
なことがわかる。
次の２つの実施例は２つの異なるエツチング方法におい
て２つの異なる材料を使用した本発明の代表的な実施例
を示す。
て２つの異なる材料を使用した本発明の代表的な実施例
を示す。
実施例Ｉ （金属パターンのための３層処理においてO2RIEマスク
としてジルコアルミネート層を使用した場合の代表的な
実施例） 以下に説明する段階を第2A図乃至第2H図に示す。この応
用の場合、ジルコアルミネートCAVCO MOD CPMを先ず40:
60の比の１−メトキシ２−プロパノール及びイソプロピ
ル・アルコールで希釈した。この希釈を行つたのは、入
手した時点の溶液がこの用途に必要な厚さよりもはるか
に厚い低質の層を生ずるからである。有機ポリマについ
ては通常の方法に従つて、ガンマー−アミノプロピルト
リエトキシ・シランを下塗り＊したシリコン・ウエハ上
にシプレイ（Shipley）AZ−1350Jの平坦化層をスピン付
着し、順次85℃で30分、次に230℃で30分ベークし、熱
的に安定な非感光性の有機ポリマ層を形成した（これに
代つてチバ・ガイギー（CIBA Geigy）社製のXU218のよ
うな可溶性のポリイミドが使用できる）（第2A図）。
としてジルコアルミネート層を使用した場合の代表的な
実施例） 以下に説明する段階を第2A図乃至第2H図に示す。この応
用の場合、ジルコアルミネートCAVCO MOD CPMを先ず40:
60の比の１−メトキシ２−プロパノール及びイソプロピ
ル・アルコールで希釈した。この希釈を行つたのは、入
手した時点の溶液がこの用途に必要な厚さよりもはるか
に厚い低質の層を生ずるからである。有機ポリマについ
ては通常の方法に従つて、ガンマー−アミノプロピルト
リエトキシ・シランを下塗り＊したシリコン・ウエハ上
にシプレイ（Shipley）AZ−1350Jの平坦化層をスピン付
着し、順次85℃で30分、次に230℃で30分ベークし、熱
的に安定な非感光性の有機ポリマ層を形成した（これに
代つてチバ・ガイギー（CIBA Geigy）社製のXU218のよ
うな可溶性のポリイミドが使用できる）（第2A図）。
この後，、ジルコアルミネートの溶液（上述）を4000RP
Mで30分かけてスピン付着し、85℃で20乃至25分、次に2
30℃で30分かけてベークして約２μｍの厚さのポリマ層
上にジルコアルミネートの約2500Åの厚さの層を形成し
た（第2B図）。これに続き中間UV及び近UVに感応するシ
プレー（Shipley）AZ1350Jレジストをスピン付着して、
オーブン中で85℃で30分ベークし、約0.9乃至1.1μｍの
フイルムを形成した（第2C図）。次にイメージに従う露
光をパーキン−エルマ（Perkin−Elmer）200露光装置を
使用して通常のように行い（第2D図）、このパターンを
シプレー（Shipley）社製の4.5:1に希釈したAZ2401現像
液中に20〜25秒間浸漬して現像し、脱イオン水でリンス
し、N2で吹付け乾燥した（第2E図）。露光したレジスト
層と下側のバリヤ層がともに、この現像段階でパターン
化されるので、レジスト層のパターンがバリヤ層を通し
て転写され、下側のポリマ層が露出された。露出した下
側の有機ポリマ層をO2によるRIEで次の条件:40乃至50SC
CMのO2の流速、60mTorrの圧力、100ワツトのRF電力を使
用してエツチングした（第2F図）。パターンがポリマ層
中にエツチされたことを、レーザ干渉法を使用する終点
検出方法で確認した後、終点を100％越える迄エツチン
グを続けた。この方法はオーバーハングもしくはリフト
・オブ・プロフイールを発生するための通常の方法であ
る。RIEエツチングされたパターンの断面のSEM写真は下
のポリマ層に所望のアンダーカット及びジルコアルミネ
ート・パターンにオーバーハングを示した。SEM写真は
又RIE後のスパツタ残留物の存在を示したが、この残留
物は５乃至（０秒間7:1の緩衝HF溶液に浸漬し、続いて
脱イオン水で洗浄し、N2の吹付け乾燥によつて完全に除
去された。この段階の後のパターンの断面のSEM写真は
残留物のないイメージを示し、また緩衝HFクリーニング
段階中にジルコアルミネート層の一部が除去されてオー
バーハングが著しく減少した。この段階に続いて真空蒸
着を含む標準の金属形成プロセスに従つて２μｍ厚さの
Al/Cu層がゲランケテツト付着された。リフト・オフ
（剥離）段階は金属のスタツクを90℃で約45分間ｎ−メ
チルピロリドン（NMP）に露らすことによつて行われ
た。残つた金属パターンは1.5μｍ幅まで鮮明な線を示
した。
Mで30分かけてスピン付着し、85℃で20乃至25分、次に2
30℃で30分かけてベークして約２μｍの厚さのポリマ層
上にジルコアルミネートの約2500Åの厚さの層を形成し
た（第2B図）。これに続き中間UV及び近UVに感応するシ
プレー（Shipley）AZ1350Jレジストをスピン付着して、
オーブン中で85℃で30分ベークし、約0.9乃至1.1μｍの
フイルムを形成した（第2C図）。次にイメージに従う露
光をパーキン−エルマ（Perkin−Elmer）200露光装置を
使用して通常のように行い（第2D図）、このパターンを
シプレー（Shipley）社製の4.5:1に希釈したAZ2401現像
液中に20〜25秒間浸漬して現像し、脱イオン水でリンス
し、N2で吹付け乾燥した（第2E図）。露光したレジスト
層と下側のバリヤ層がともに、この現像段階でパターン
化されるので、レジスト層のパターンがバリヤ層を通し
て転写され、下側のポリマ層が露出された。露出した下
側の有機ポリマ層をO2によるRIEで次の条件:40乃至50SC
CMのO2の流速、60mTorrの圧力、100ワツトのRF電力を使
用してエツチングした（第2F図）。パターンがポリマ層
中にエツチされたことを、レーザ干渉法を使用する終点
検出方法で確認した後、終点を100％越える迄エツチン
グを続けた。この方法はオーバーハングもしくはリフト
・オブ・プロフイールを発生するための通常の方法であ
る。RIEエツチングされたパターンの断面のSEM写真は下
のポリマ層に所望のアンダーカット及びジルコアルミネ
ート・パターンにオーバーハングを示した。SEM写真は
又RIE後のスパツタ残留物の存在を示したが、この残留
物は５乃至（０秒間7:1の緩衝HF溶液に浸漬し、続いて
脱イオン水で洗浄し、N2の吹付け乾燥によつて完全に除
去された。この段階の後のパターンの断面のSEM写真は
残留物のないイメージを示し、また緩衝HFクリーニング
段階中にジルコアルミネート層の一部が除去されてオー
バーハングが著しく減少した。この段階に続いて真空蒸
着を含む標準の金属形成プロセスに従つて２μｍ厚さの
Al/Cu層がゲランケテツト付着された。リフト・オフ
（剥離）段階は金属のスタツクを90℃で約45分間ｎ−メ
チルピロリドン（NMP）に露らすことによつて行われ
た。残つた金属パターンは1.5μｍ幅まで鮮明な線を示
した。
実施例II （深いシリコン・トレンチ・エツチングのためのジルコ
アルミネートを使用した代表的実施例） 以下説明する段階は第1A図乃至第1D図に示されている。
（受取つたままの）ジルコアルミネートCAVCO MOD APG
を4000RPMで30分かけてシリコン・ウエハ上にスピン付
着し、直ちにオーブン中に置いて85℃に加熱した。この
温度に保つて30分後に、この層を150℃で20分間、次に2
00℃で40分間及び275℃で40分間ベークして、約2000Å
の厚さの一様で輝きのある欠陥のない層を得た（1500乃
至2500Åの範囲の厚さの異なる層はスピン速度を調節す
ることによつて得ることができる）。次に硬化したAPG
フイルム上にホトレジスト材料、シプレー（Shipley）A
Z1350Jがスピン付着され、85℃で30分ベークされ、約１
μｍの厚さのレジストの層が形成された。この段階に続
いて前の実施例で説明されたイメージに従う露光／現像
段階が行われた。この場合もレジストの現像と同時に下
側のバリヤ層のパターニングが行なわれた。100乃至120
℃で短時間ポスト・ベークした後、パターンを短時間CF
4 RIEでクリーニング処理、次の条件のもとに標準の反
応性スパツタ・エツチング装置においてSF6を使用して
シリコン基板中にエツチした。
アルミネートを使用した代表的実施例） 以下説明する段階は第1A図乃至第1D図に示されている。
（受取つたままの）ジルコアルミネートCAVCO MOD APG
を4000RPMで30分かけてシリコン・ウエハ上にスピン付
着し、直ちにオーブン中に置いて85℃に加熱した。この
温度に保つて30分後に、この層を150℃で20分間、次に2
00℃で40分間及び275℃で40分間ベークして、約2000Å
の厚さの一様で輝きのある欠陥のない層を得た（1500乃
至2500Åの範囲の厚さの異なる層はスピン速度を調節す
ることによつて得ることができる）。次に硬化したAPG
フイルム上にホトレジスト材料、シプレー（Shipley）A
Z1350Jがスピン付着され、85℃で30分ベークされ、約１
μｍの厚さのレジストの層が形成された。この段階に続
いて前の実施例で説明されたイメージに従う露光／現像
段階が行われた。この場合もレジストの現像と同時に下
側のバリヤ層のパターニングが行なわれた。100乃至120
℃で短時間ポスト・ベークした後、パターンを短時間CF
4 RIEでクリーニング処理、次の条件のもとに標準の反
応性スパツタ・エツチング装置においてSF6を使用して
シリコン基板中にエツチした。
SF6エツチ条件 13.56MHzRFゼネレータ RF電力…450ワツト Siペレツト上の水晶 流れ速度…50SCCM 22・86cmのAl槽 室圧…20mTorr これ等の条件の下で、Siのエツチ速度は約0.7μm/分
で、Si:APG層のエツチ速度比は約200:1である。エツチ
したパターンのSEM写真は約12μｍの深いシリコン・ト
レンチ及び残された略1400Åのジルコアルミネート層を
示した。最後の段階として、残つた層を4.5:1のAZ現像
剤及び7:1の緩衝HF中に短時間浸漬することによつて除
去した。さらに残つたZrAl層は装置の構造の一体部分に
なるようにその場に残すことができる。
で、Si:APG層のエツチ速度比は約200:1である。エツチ
したパターンのSEM写真は約12μｍの深いシリコン・ト
レンチ及び残された略1400Åのジルコアルミネート層を
示した。最後の段階として、残つた層を4.5:1のAZ現像
剤及び7:1の緩衝HF中に短時間浸漬することによつて除
去した。さらに残つたZrAl層は装置の構造の一体部分に
なるようにその場に残すことができる。
同じ結果は他の有機ジルコアルミネート・ポリマ、アル
ミニウムがチタンで置換された有機ジルコチタネート、
あるいは有機マグネシウムもしくはハフニウムがジルコ
ニウムにかえられて２金属アルコキシドでも得ることが
できる。
ミニウムがチタンで置換された有機ジルコチタネート、
あるいは有機マグネシウムもしくはハフニウムがジルコ
ニウムにかえられて２金属アルコキシドでも得ることが
できる。
本発明に従うフイルムの優れた性質は次の事実によるも
のと考えられる。（ａ）ジルコニウムは大きな原子半径
（1.45Å）を有し、Zr4は0.75Åのイオン半径を有する
ので７乃至８の配位数を得ることができ、溶媒効果によ
つて高度の重合化／凝集及び安定状態が得られる。この
特定のジルコニウムの性質は、ジルコニウムが相対的に
小さな化学量論的比で存在しても、周囲雰囲気の条件の
下で溶液の安定性に寄与する。（ｂ）ジルコアルミネー
ト・ポリマは多くの他のアルコキシドと異なつて、雰囲
気の湿度に敏感でなく、たとえば、ヒビ割れを示すアル
ミニウム、エチルアセトアセテート型の被覆と比較して
優れた品質の層を与えることがわかつた。（ｃ）ジルコ
アルミネート・ポリマは、有極性の高沸点アルコールも
しくはエーテルのような、スピン付着中に急速に蒸発せ
ず、従つて槽の形成に良く適した溶媒で調製できる。ヘ
キサンのような無極性の低沸点溶媒から付着されるアル
ミニウム・キレートは層の不均一性及び急速な溶媒の蒸
発による欠陥を生ずる。
のと考えられる。（ａ）ジルコニウムは大きな原子半径
（1.45Å）を有し、Zr4は0.75Åのイオン半径を有する
ので７乃至８の配位数を得ることができ、溶媒効果によ
つて高度の重合化／凝集及び安定状態が得られる。この
特定のジルコニウムの性質は、ジルコニウムが相対的に
小さな化学量論的比で存在しても、周囲雰囲気の条件の
下で溶液の安定性に寄与する。（ｂ）ジルコアルミネー
ト・ポリマは多くの他のアルコキシドと異なつて、雰囲
気の湿度に敏感でなく、たとえば、ヒビ割れを示すアル
ミニウム、エチルアセトアセテート型の被覆と比較して
優れた品質の層を与えることがわかつた。（ｃ）ジルコ
アルミネート・ポリマは、有極性の高沸点アルコールも
しくはエーテルのような、スピン付着中に急速に蒸発せ
ず、従つて槽の形成に良く適した溶媒で調製できる。ヘ
キサンのような無極性の低沸点溶媒から付着されるアル
ミニウム・キレートは層の不均一性及び急速な溶媒の蒸
発による欠陥を生ずる。
F.発明の効果 本発明に従い、改良されたエツチ・バリヤ材料を使用し
て有機ポリマ、もしくはシリコンのような基板を選択的
に反応性イオン・エツチングして基板上にパターンを形
成する改良方法が与えられる。
て有機ポリマ、もしくはシリコンのような基板を選択的
に反応性イオン・エツチングして基板上にパターンを形
成する改良方法が与えられる。
第1A図、第1B図、第1C図、第1D図は本発明に従うシリコ
ン・トレンチ・エツチングの方法を示す図である。 第2A図乃至第2H図は本発明に従う有機基板の反応性イオ
ン・エツチング及びその後の金属パターンの形成方法を
示す図である。 10……シリコン基板、12……バリヤ材料、 14……レジスト被膜、16……パターン、 18……トレンチ。
ン・トレンチ・エツチングの方法を示す図である。 第2A図乃至第2H図は本発明に従う有機基板の反応性イオ
ン・エツチング及びその後の金属パターンの形成方法を
示す図である。 10……シリコン基板、12……バリヤ材料、 14……レジスト被膜、16……パターン、 18……トレンチ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ハーバンズ・スイング・セイシデブ アメリカ合衆国ニユーヨーク州ワツピンガ ーズ・フオールズ、タングルウツド・ドラ イブ14番地 (72)発明者 クリチナ・ガンジイ・セイシデブ アメリカ合衆国ニユーヨーク州ワツピンガ ーズ・フオールズ、タングルウツド・ドラ イブ14番地 (72)発明者 スーザン・アン・サーンシエイス アメリカ合衆国ニユーヨーク州グレンハ ム、ピイー・オー・ボツクス616番地
Claims (1)
- 【請求項１】（イ）エツチングされるべき表面を有する
基板を準備する段階、 （ロ）該基板表面上に、有機官能性ジルコアルミネー
ト、有機官能性ジルコチタネート及び有機官能性ハフニ
ウムアルミネートより成る群から選択された有機金属ポ
リマ材料のバリア層をスピン法で付着し、乾燥し、硬化
させる段階、 （ハ）上記バリア層上に放射線感応レジスト層を付着
し、該レジスト層を所定パターンの放射線に露出する段
階、 （ニ）上記レジスト層及び下側バリア層を現像雰囲気に
曝らし、各層を順次に上記パターンに従つて除去する段
階、 （ホ）少なくとも上記パターン化バリア層をマスク層と
して含む上記基板表面を反応性イオン・エツチング雰囲
気に曝らし、露出した基板表面を除去する段階、 となり成る、反応性イオン・エツチングによつて基板材
料にパターンを転写する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/115,140 US4826564A (en) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | Method of selective reactive ion etching of substrates |
| US115140 | 1987-10-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01137635A JPH01137635A (ja) | 1989-05-30 |
| JPH06103673B2 true JPH06103673B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=22359519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63233844A Expired - Lifetime JPH06103673B2 (ja) | 1987-10-30 | 1988-09-20 | 反応性イオン・エツチングによって基板材料にパターンを転写する方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4826564A (ja) |
| EP (1) | EP0314599B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06103673B2 (ja) |
| DE (1) | DE3854113T2 (ja) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1987
- 1987-10-30 US US07/115,140 patent/US4826564A/en not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-09-20 JP JP63233844A patent/JPH06103673B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1988-09-27 DE DE3854113T patent/DE3854113T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-09-27 EP EP88480049A patent/EP0314599B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0314599A3 (en) | 1991-03-06 |
| EP0314599B1 (en) | 1995-07-05 |
| JPH01137635A (ja) | 1989-05-30 |
| US4826564A (en) | 1989-05-02 |
| DE3854113T2 (de) | 1996-02-29 |
| EP0314599A2 (en) | 1989-05-03 |
| DE3854113D1 (de) | 1995-08-10 |
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