JPH06103574A - 磁気モーメント低下方法及びデータ記憶装置 - Google Patents
磁気モーメント低下方法及びデータ記憶装置Info
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- JPH06103574A JPH06103574A JP5092447A JP9244793A JPH06103574A JP H06103574 A JPH06103574 A JP H06103574A JP 5092447 A JP5092447 A JP 5092447A JP 9244793 A JP9244793 A JP 9244793A JP H06103574 A JPH06103574 A JP H06103574A
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- B82—NANOTECHNOLOGY
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Abstract
(57)【要約】
【目的】強磁性材料の磁気モーメントを低下させる方法
及びデータ記憶装置を提案する。 【構成】この方法及び装置は、磁性膜と、ブランケツト
すなわち磁性膜に隣接するゲルマニウムでなるパターン
化された膜と、これらの２つの膜の界面を少なくとも 2
00〔℃〕に加熱することによりゲルマニウムを磁性膜内
に拡散させ、これによつて磁気モーメントを低下させる
手段とを含む。本発明は記憶媒体上に記録トラツク１
４、１５を形成して誘導ヘツド及び磁気抵抗ヘツドのた
めの磁性膜をパターン化する問題を克服して移動する記
憶媒体からデータを検索する。
及びデータ記憶装置を提案する。 【構成】この方法及び装置は、磁性膜と、ブランケツト
すなわち磁性膜に隣接するゲルマニウムでなるパターン
化された膜と、これらの２つの膜の界面を少なくとも 2
00〔℃〕に加熱することによりゲルマニウムを磁性膜内
に拡散させ、これによつて磁気モーメントを低下させる
手段とを含む。本発明は記憶媒体上に記録トラツク１
４、１５を形成して誘導ヘツド及び磁気抵抗ヘツドのた
めの磁性膜をパターン化する問題を克服して移動する記
憶媒体からデータを検索する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気モーメント低下方法
及びデータ記憶装置に関し、特に強磁性膜について、強
磁性膜のパターンと連続しかつその外側にある強磁性膜
の磁気モーメントを低下させることによつて強磁性膜を
パターン化するプロセスに適用して好適なものである。
及びデータ記憶装置に関し、特に強磁性膜について、強
磁性膜のパターンと連続しかつその外側にある強磁性膜
の磁気モーメントを低下させることによつて強磁性膜を
パターン化するプロセスに適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、磁性膜をパターン化する方法には
化学エツチング、イオンミーリング及びスパツタエツチ
ングがある。これらの方法は、磁性材料を確実に完全に
除去するためにエツチング時間及びバイアス電圧の両方
を厳密に制御する必要がある。磁性膜をパターン化又は
磁気回路を描画することが望ましいのは、磁気記憶媒体
にトラツクを形成する場合、磁気記憶媒体からの読出し
及び磁気記憶媒体への書込みのための誘導型ヘツド並び
に磁気記憶媒体からデータを読み出すための磁気抵抗型
ヘツドにおいてである。磁気記憶媒体にトラツクを形成
することにより磁気記憶媒体におけるヘツド位置決め問
題が緩和すると共に、高密度にデータを記憶することが
できる。
化学エツチング、イオンミーリング及びスパツタエツチ
ングがある。これらの方法は、磁性材料を確実に完全に
除去するためにエツチング時間及びバイアス電圧の両方
を厳密に制御する必要がある。磁性膜をパターン化又は
磁気回路を描画することが望ましいのは、磁気記憶媒体
にトラツクを形成する場合、磁気記憶媒体からの読出し
及び磁気記憶媒体への書込みのための誘導型ヘツド並び
に磁気記憶媒体からデータを読み出すための磁気抵抗型
ヘツドにおいてである。磁気記憶媒体にトラツクを形成
することにより磁気記憶媒体におけるヘツド位置決め問
題が緩和すると共に、高密度にデータを記憶することが
できる。
【０００３】従来、磁気記憶媒体の記録トラツクはホト
レジストマスクを用いて媒体を電着させることによつて
形成されて来た。
レジストマスクを用いて媒体を電着させることによつて
形成されて来た。
【０００４】1975年発行、ＩＢＭテクニカル・デイスク
ロージヤ・ブリテイン、第18巻、第５号「磁気的に分離
しているが物理的には連続している記録トラツク」1641
頁には、磁気記憶媒体の分離トラツクを非磁性非晶質Ｆ
ｅ2 Ｏ3 又はＦｅx Ｃｏy Ｏ3 から形成するプロセスが
説明されている。非磁性非晶質Ｆｅ2 Ｏ3 又はＦｅxＣ
ｏy Ｏ3 はスパツタリング、蒸着又は化学気相成長によ
つて堆積させてもよい。非磁性非晶質Ｆｅ2 Ｏ3 層又は
Ｆｅx Ｃｏy Ｏ3 層の厚さは1000〔Å〕であり、その上
に所望のトラツクに対応するホトレジストのパターンを
有する。次にＦｅ、Ｃｏ又はＦｅ−Ｃｏの薄膜を蒸着又
はスパツタすることによりホトレジスト及び非磁性非晶
質Ｆｅ2 Ｏ3 膜又はＦｅx Ｃｏy Ｏ3 膜上に層を形成す
る。適正なレジスト溶剤を用いることにより、不必要な
エリア内のＦｅ、Ｃｏ又はＦｅ−Ｃｏの薄膜を除去する
と同時にレジスト溶剤を除去する。この処理の後に残つ
た構造をアニール処理することによりＦｅ、Ｃｏ又はＦ
ｅ−Ｃｏが非磁性非晶質Ｆｅ2 Ｏ3 層又はＦｅx Ｃｏy
Ｏ3 層に拡散し、かくしてこの非磁性非晶質Ｆｅ2Ｏ3
層又はＦｅx Ｃｏy Ｏ3 層を強磁性Ｆｅ3 Ｏ4 又はＦｅ
x Ｃｏy Ｏ4 に変換する。その後非磁性非晶質Ｆｅ2 Ｏ
3 層又はＦｅx Ｃｏy Ｏ3 層内に拡散された金属を除去
することにより、その間に非磁性材料が設けられた均一
な厚さの層でなる強磁性トラツクを形成する。
ロージヤ・ブリテイン、第18巻、第５号「磁気的に分離
しているが物理的には連続している記録トラツク」1641
頁には、磁気記憶媒体の分離トラツクを非磁性非晶質Ｆ
ｅ2 Ｏ3 又はＦｅx Ｃｏy Ｏ3 から形成するプロセスが
説明されている。非磁性非晶質Ｆｅ2 Ｏ3 又はＦｅxＣ
ｏy Ｏ3 はスパツタリング、蒸着又は化学気相成長によ
つて堆積させてもよい。非磁性非晶質Ｆｅ2 Ｏ3 層又は
Ｆｅx Ｃｏy Ｏ3 層の厚さは1000〔Å〕であり、その上
に所望のトラツクに対応するホトレジストのパターンを
有する。次にＦｅ、Ｃｏ又はＦｅ−Ｃｏの薄膜を蒸着又
はスパツタすることによりホトレジスト及び非磁性非晶
質Ｆｅ2 Ｏ3 膜又はＦｅx Ｃｏy Ｏ3 膜上に層を形成す
る。適正なレジスト溶剤を用いることにより、不必要な
エリア内のＦｅ、Ｃｏ又はＦｅ−Ｃｏの薄膜を除去する
と同時にレジスト溶剤を除去する。この処理の後に残つ
た構造をアニール処理することによりＦｅ、Ｃｏ又はＦ
ｅ−Ｃｏが非磁性非晶質Ｆｅ2 Ｏ3 層又はＦｅx Ｃｏy
Ｏ3 層に拡散し、かくしてこの非磁性非晶質Ｆｅ2Ｏ3
層又はＦｅx Ｃｏy Ｏ3 層を強磁性Ｆｅ3 Ｏ4 又はＦｅ
x Ｃｏy Ｏ4 に変換する。その後非磁性非晶質Ｆｅ2 Ｏ
3 層又はＦｅx Ｃｏy Ｏ3 層内に拡散された金属を除去
することにより、その間に非磁性材料が設けられた均一
な厚さの層でなる強磁性トラツクを形成する。
【０００５】磁気記録デイスクの分離トラツクを形成す
る他の方法については、1990年６月19日に付与された米
国特許第 4,935,278号「薄膜磁気記録デイスク及びその
製造プロセス」に開示されている。磁性材料の薄膜が基
板上に形成され、化学的にエツチングし得る支持層及び
高解像力のホトレジスト層を用いてスパツタエツチング
することによつてパターン化される。磁性膜が除去され
た部分を好適にはスパツタ堆積によつて非磁性材料で再
度充填することにより、同心の非磁性保護帯を形成す
る。元の磁性膜層はコバルトを基礎に置く磁気を帯びた
合金でもよく、この合金がほぼ 300〔Å〕の厚さに堆積
するようにスパツタする。この基板すなわちデイスクは
３価のリンを含むニツケル（nickel-phosphorous）の表
面膜をもつアルミニウム合金でなるデイスクでもよい。
磁性膜でなる記録トラツクとこれらの記録トラツク間の
非磁性材料との間を、不活性化保護デイスクオーバーコ
ートとして働く非磁性材料でなる頂部層によつて覆つて
もよい。
る他の方法については、1990年６月19日に付与された米
国特許第 4,935,278号「薄膜磁気記録デイスク及びその
製造プロセス」に開示されている。磁性材料の薄膜が基
板上に形成され、化学的にエツチングし得る支持層及び
高解像力のホトレジスト層を用いてスパツタエツチング
することによつてパターン化される。磁性膜が除去され
た部分を好適にはスパツタ堆積によつて非磁性材料で再
度充填することにより、同心の非磁性保護帯を形成す
る。元の磁性膜層はコバルトを基礎に置く磁気を帯びた
合金でもよく、この合金がほぼ 300〔Å〕の厚さに堆積
するようにスパツタする。この基板すなわちデイスクは
３価のリンを含むニツケル（nickel-phosphorous）の表
面膜をもつアルミニウム合金でなるデイスクでもよい。
磁性膜でなる記録トラツクとこれらの記録トラツク間の
非磁性材料との間を、不活性化保護デイスクオーバーコ
ートとして働く非磁性材料でなる頂部層によつて覆つて
もよい。
【０００６】磁性膜をパターン化する他の例には1988年
５月24日に付与された米国特許第 4,746,580号「読出し
専用磁気記録媒体」に開示されている。この米国特許第
4,746,580号においては、高保磁力の金属でなる分離ビ
ツトは基板上のレジストをパターン化し、高保磁力の金
属例えばアルミニウム、ニツケル及びコバルトでなる合
金を堆積することによつて形成される。ホトレジスト上
に堆積された高保磁力の金属をリフトオフして当該ホト
レジストを化学的に除去することにより、定義された分
離ビツトのパターンを基板上に残す。この基板は約 0.0
0508〔cm〕の厚さの薄い非磁性ステンレス鋼又はポリエ
ステル膜でもよい。分離ビツトすなわち金属島は定常状
態の磁場の影響を受けやすいので、この金属島を、磁気
ヘツドが読み出し得る読出し専用のデータパターンに変
換する。
５月24日に付与された米国特許第 4,746,580号「読出し
専用磁気記録媒体」に開示されている。この米国特許第
4,746,580号においては、高保磁力の金属でなる分離ビ
ツトは基板上のレジストをパターン化し、高保磁力の金
属例えばアルミニウム、ニツケル及びコバルトでなる合
金を堆積することによつて形成される。ホトレジスト上
に堆積された高保磁力の金属をリフトオフして当該ホト
レジストを化学的に除去することにより、定義された分
離ビツトのパターンを基板上に残す。この基板は約 0.0
0508〔cm〕の厚さの薄い非磁性ステンレス鋼又はポリエ
ステル膜でもよい。分離ビツトすなわち金属島は定常状
態の磁場の影響を受けやすいので、この金属島を、磁気
ヘツドが読み出し得る読出し専用のデータパターンに変
換する。
【０００７】従来の磁性薄膜技術範囲外の技術である
が、記憶媒体の分野においては、集束レーザビームに露
出することによつて適正な記憶媒体に情報を記憶するこ
とができる。1976年５月25日に付与された米国特許第
3,959,799号「レーザビームによつて生じた反応による
情報記憶」においては、２つ又は３つ以上の材料でなる
２つの隣接する薄膜層を含む記憶媒体が最初に設けられ
た。この２つ又は３つ以上の材料でなる２つの隣接する
薄膜層は熱に反応して、この反応材料の対応する特性と
は異なる光学的特性、磁気的特性又は電気的特性をもつ
反応生成物を形成する。記憶媒体の１つの例はアルミニ
ウム層とそれに隣接したセレン層でなる層である。レー
ザをこの層の選択されたエリアに集束させてもよく、レ
ーザによる加熱の結果、このエリアにはＡｌ2 Ｓｅ3 の
反応生成物が生成される。レーザを用いて記憶媒体に情
報を記憶したのでこの記憶媒体は比較的低コストの読出
し専用メモリを提供する。
が、記憶媒体の分野においては、集束レーザビームに露
出することによつて適正な記憶媒体に情報を記憶するこ
とができる。1976年５月25日に付与された米国特許第
3,959,799号「レーザビームによつて生じた反応による
情報記憶」においては、２つ又は３つ以上の材料でなる
２つの隣接する薄膜層を含む記憶媒体が最初に設けられ
た。この２つ又は３つ以上の材料でなる２つの隣接する
薄膜層は熱に反応して、この反応材料の対応する特性と
は異なる光学的特性、磁気的特性又は電気的特性をもつ
反応生成物を形成する。記憶媒体の１つの例はアルミニ
ウム層とそれに隣接したセレン層でなる層である。レー
ザをこの層の選択されたエリアに集束させてもよく、レ
ーザによる加熱の結果、このエリアにはＡｌ2 Ｓｅ3 の
反応生成物が生成される。レーザを用いて記憶媒体に情
報を記憶したのでこの記憶媒体は比較的低コストの読出
し専用メモリを提供する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は実質的
に非磁性の材料によつて分離された強磁性材料でなる複
数の隣接する記録トラツクを形成する方法を提供するこ
とである。
に非磁性の材料によつて分離された強磁性材料でなる複
数の隣接する記録トラツクを形成する方法を提供するこ
とである。
【０００９】本発明の他の目的はその間に非磁性材料が
設けられ、ほぼ平坦な上面を有する強磁性材料でなる複
数の隣接トラツクを提供することである。
設けられ、ほぼ平坦な上面を有する強磁性材料でなる複
数の隣接トラツクを提供することである。
【００１０】本発明の他の目的は磁性膜からデータを読
み出す誘導型ヘツドに用いられる磁性薄膜をパターン化
することであり、このパターン化は磁性材料の境界を高
度に限定する。
み出す誘導型ヘツドに用いられる磁性薄膜をパターン化
することであり、このパターン化は磁性材料の境界を高
度に限定する。
【００１１】本発明の他の目的は磁性薄膜からデータを
読み出す磁気抵抗型ヘツドに用いられる磁気抵抗膜をパ
ターン化するプロセスを提供することであり、パターン
を極めて精度よく定義し、平坦で、磁気抵抗膜と連続す
る非磁性材料は磁気抵抗膜と電気的にコンタクトする。
読み出す磁気抵抗型ヘツドに用いられる磁気抵抗膜をパ
ターン化するプロセスを提供することであり、パターン
を極めて精度よく定義し、平坦で、磁気抵抗膜と連続す
る非磁性材料は磁気抵抗膜と電気的にコンタクトする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、強磁性材料の磁気モーメントを低
下させる方法において、強磁性材料の表面３２、３８と
ゲルマニウム及びシリコンでなる族から選択された第１
の材料の表面２８との界面を最初に形成するステツプ
と、当該界面を少なくとも 150〔℃〕に加熱し、これに
よつて第１の材料が強磁性材料に拡散して２元化合物を
含む第２の材料を形成するステツプとを含むようにす
る。
め本発明においては、強磁性材料の磁気モーメントを低
下させる方法において、強磁性材料の表面３２、３８と
ゲルマニウム及びシリコンでなる族から選択された第１
の材料の表面２８との界面を最初に形成するステツプ
と、当該界面を少なくとも 150〔℃〕に加熱し、これに
よつて第１の材料が強磁性材料に拡散して２元化合物を
含む第２の材料を形成するステツプとを含むようにす
る。
【００１３】また本発明においては、データを記憶する
適正な装置において、強磁性材料でなる第１の領域１
４、１５を有する第１の層を設け、第１の層は第１の領
域１４、１５と連続する、２元化合物でなる選択された
第２の領域１６〜１８を有し、２元化合物は強磁性材料
の原子を含み、これによつて第１の領域１４、１５は第
１の磁気モーメントを有しかつ第２の領域１６〜１８の
磁気モーメントが第１の磁気モーメントと比較して低下
しているようにする。
適正な装置において、強磁性材料でなる第１の領域１
４、１５を有する第１の層を設け、第１の層は第１の領
域１４、１５と連続する、２元化合物でなる選択された
第２の領域１６〜１８を有し、２元化合物は強磁性材料
の原子を含み、これによつて第１の領域１４、１５は第
１の磁気モーメントを有しかつ第２の領域１６〜１８の
磁気モーメントが第１の磁気モーメントと比較して低下
しているようにする。
【００１４】また本発明においては、データを記憶する
装置において、基板１２と、基板１２上のゲルマニウム
でなる第１の層２６、３４、４０と、第１の層２６、３
４、４０上の第１の材料でなる第２の層３０、３６、４
２とを設け、第１の材料はニツケル、鉄及びコバルトで
なる族から選択され、第１の材料でなる第２の層３０、
３６、４２はゲルマニウム及び第１の材料でなる２元化
合物を含む第３の材料でなる選択されたエリアをその中
に有するようにする。
装置において、基板１２と、基板１２上のゲルマニウム
でなる第１の層２６、３４、４０と、第１の層２６、３
４、４０上の第１の材料でなる第２の層３０、３６、４
２とを設け、第１の材料はニツケル、鉄及びコバルトで
なる族から選択され、第１の材料でなる第２の層３０、
３６、４２はゲルマニウム及び第１の材料でなる２元化
合物を含む第３の材料でなる選択されたエリアをその中
に有するようにする。
【００１５】
【作用】本発明によると、強磁性材料の磁気モーメント
を低下させる方法及び装置を提供し、この方法及び装置
はまず強磁性材料の表面とゲルマニウム及びシリコンで
なる族から選択された第１の材料の表面との界面を形成
するステツプと、当該界面を少なくとも 150〔℃〕に加
熱し、これによつて第１の材料を強磁性材料内に拡散さ
せて、強磁性材料及び非磁性である第１の材料でなる２
元化合物を含む第２の材料を形成するステツプとを含
む。例えば強磁性材料はニツケル、鉄及びコバルト又は
これらを化合した合金若しくは他の材料例えばプラチナ
をもつ合金でなる材料でもよい。２元化合物の例として
はＮｉ3 Ｇｅ、Ｆｅ3 Ｇｅ、Ｃｏ2 Ｇｅ及びＮｉ3 Ｓｉ
がある。
を低下させる方法及び装置を提供し、この方法及び装置
はまず強磁性材料の表面とゲルマニウム及びシリコンで
なる族から選択された第１の材料の表面との界面を形成
するステツプと、当該界面を少なくとも 150〔℃〕に加
熱し、これによつて第１の材料を強磁性材料内に拡散さ
せて、強磁性材料及び非磁性である第１の材料でなる２
元化合物を含む第２の材料を形成するステツプとを含
む。例えば強磁性材料はニツケル、鉄及びコバルト又は
これらを化合した合金若しくは他の材料例えばプラチナ
をもつ合金でなる材料でもよい。２元化合物の例として
はＮｉ3 Ｇｅ、Ｆｅ3 Ｇｅ、Ｃｏ2 Ｇｅ及びＮｉ3 Ｓｉ
がある。
【００１６】さらに本発明は、基板と、基板上のシリコ
ン又はゲルマニウムでなる第１の層と、シリコン層又は
ゲルマニウム層上の第１の材料でなる第２の層とを含む
データ記憶装置を提供する。第１の材料はニツケル、鉄
及びコバルトでなる族から選択され、第１の材料でなる
第２の層はシリコン又はゲルマニウムと第１の材料とで
なる２元化合物を含む第３の材料でなる選択されたエリ
アをその中に有する。このような層を多数用いてもよ
い。さらに本発明は第１の材料でなる第２の層の選択さ
れたエリアを加熱することにより、その中に２元化合物
を形成する手段を含む。
ン又はゲルマニウムでなる第１の層と、シリコン層又は
ゲルマニウム層上の第１の材料でなる第２の層とを含む
データ記憶装置を提供する。第１の材料はニツケル、鉄
及びコバルトでなる族から選択され、第１の材料でなる
第２の層はシリコン又はゲルマニウムと第１の材料とで
なる２元化合物を含む第３の材料でなる選択されたエリ
アをその中に有する。このような層を多数用いてもよ
い。さらに本発明は第１の材料でなる第２の層の選択さ
れたエリアを加熱することにより、その中に２元化合物
を形成する手段を含む。
【００１７】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【００１８】図１はデイスク１２と磁気モーメントが低
下した材料１６、１７及び１８によつて分離された記録
トラツク１４及び１５とを含む磁気記憶媒体１０を示
す。磁気記憶媒体１０はその上に例えば 100,000個の記
録トラツクをさらにもつていてもよく、デイスク１２の
直径は1.27〔cm〕から26〔cm〕の範囲にある。デイスク
１２はアルミニウム、ガラス又はプラステイツクからな
る。記録トラツク１４及び１５はニツケル、鉄及びコバ
ルト又はこれらの合金でなる族から選択される。材料１
６、１７及び１８は記録トラツク用に選択された元素と
同様の元素を含む化合物からなり、これにより例えばニ
ツケル、鉄及びコバルトが有する磁気的特性、強磁性特
性をもつ。例えば、記録トラツク１４及び１５の主な元
素がニツケルであつた場合、材料１６〜１８はＮｉ3 Ｇ
ｅ又はＮｉ3 Ｓｉである。記録トラツク１４及び１５の
主な元素が鉄である場合、材料１６〜１８は例えばＦｅ
3 Ｇｅ又はＦｅ3 Ｓｉである。記録トラツク１４及び１
５の主な元素がコバルトである場合、材料１６〜１８は
例えばＣｏ2 Ｇｅ又はＣｏ2 Ｓｉである。
下した材料１６、１７及び１８によつて分離された記録
トラツク１４及び１５とを含む磁気記憶媒体１０を示
す。磁気記憶媒体１０はその上に例えば 100,000個の記
録トラツクをさらにもつていてもよく、デイスク１２の
直径は1.27〔cm〕から26〔cm〕の範囲にある。デイスク
１２はアルミニウム、ガラス又はプラステイツクからな
る。記録トラツク１４及び１５はニツケル、鉄及びコバ
ルト又はこれらの合金でなる族から選択される。材料１
６、１７及び１８は記録トラツク用に選択された元素と
同様の元素を含む化合物からなり、これにより例えばニ
ツケル、鉄及びコバルトが有する磁気的特性、強磁性特
性をもつ。例えば、記録トラツク１４及び１５の主な元
素がニツケルであつた場合、材料１６〜１８はＮｉ3 Ｇ
ｅ又はＮｉ3 Ｓｉである。記録トラツク１４及び１５の
主な元素が鉄である場合、材料１６〜１８は例えばＦｅ
3 Ｇｅ又はＦｅ3 Ｓｉである。記録トラツク１４及び１
５の主な元素がコバルトである場合、材料１６〜１８は
例えばＣｏ2 Ｇｅ又はＣｏ2 Ｓｉである。
【００１９】図４は図１の線４〜４に沿つて破断した断
面図である。図１及び図４はデータを磁気的に記憶する
際に有用な、非磁性材料によつて分離された複数の記録
トラツクを有する磁気記憶媒体１０を示す。
面図である。図１及び図４はデータを磁気的に記憶する
際に有用な、非磁性材料によつて分離された複数の記録
トラツクを有する磁気記憶媒体１０を示す。
【００２０】図２はパターン化されたゲルマニウムの断
面図を示し、図１に示す磁気記憶媒体を製造するプロセ
スの中間の製造ステツプである。デイスク１２はその上
面２２上に形成されたホトレジスト層を有し、その後マ
スクすなわちパターンを用いてホトレジスト（図示せ
ず）を露光する。ホトレジストを現像してホトレジスト
層に開口を残し、この開口がデイスク１２の表面２２を
露出させる。次にゲルマニウム層２４が例えば蒸着によ
つてデイスク１２の露出した上面２２及び残りのホトレ
ジスト層（図示せず）上に形成される。次にホトレジス
トを除去し、続いて周知のリフト−オフプロセスによつ
てホトレジスト上のゲルマニウム層２４を除去し、デイ
スク１２の上面２２上に、パターン化されたゲルマニウ
ム層２６を残す。次に、デイスク１２の上面２２及びパ
ターン化されたゲルマニウム層２６の上面２８上にニツ
ケル、鉄、コバルト又はこれらの合金でなるブランケツ
ト層をブランケツトとして堆積するか又はデイスク１２
の上面２２及びパターン化されたゲルマニウム層２６の
上面２８上のパーテイクル又は粉末でなるスラリのため
にニツケル、鉄、コバルト又はこれらの合金でなるブラ
ンケツト層をめつき若しくは塗布する。
面図を示し、図１に示す磁気記憶媒体を製造するプロセ
スの中間の製造ステツプである。デイスク１２はその上
面２２上に形成されたホトレジスト層を有し、その後マ
スクすなわちパターンを用いてホトレジスト（図示せ
ず）を露光する。ホトレジストを現像してホトレジスト
層に開口を残し、この開口がデイスク１２の表面２２を
露出させる。次にゲルマニウム層２４が例えば蒸着によ
つてデイスク１２の露出した上面２２及び残りのホトレ
ジスト層（図示せず）上に形成される。次にホトレジス
トを除去し、続いて周知のリフト−オフプロセスによつ
てホトレジスト上のゲルマニウム層２４を除去し、デイ
スク１２の上面２２上に、パターン化されたゲルマニウ
ム層２６を残す。次に、デイスク１２の上面２２及びパ
ターン化されたゲルマニウム層２６の上面２８上にニツ
ケル、鉄、コバルト又はこれらの合金でなるブランケツ
ト層をブランケツトとして堆積するか又はデイスク１２
の上面２２及びパターン化されたゲルマニウム層２６の
上面２８上のパーテイクル又は粉末でなるスラリのため
にニツケル、鉄、コバルト又はこれらの合金でなるブラ
ンケツト層をめつき若しくは塗布する。
【００２１】パターン化されたゲルマニウム層及びニツ
ケル、鉄、コバルト又はこれらの合金でなるブランケツ
ト層を形成するステツプを何回も繰り返すことにより、
予め決められた厚さを有する多層構造を形成してもよ
い。
ケル、鉄、コバルト又はこれらの合金でなるブランケツ
ト層を形成するステツプを何回も繰り返すことにより、
予め決められた厚さを有する多層構造を形成してもよ
い。
【００２２】ニツケル、鉄、コバルト又はこれらの合金
のめつきを完了することにより、当分野において周知の
電気めつき又は無電解めつきによつてブランケツト層を
形成してもよい。
のめつきを完了することにより、当分野において周知の
電気めつき又は無電解めつきによつてブランケツト層を
形成してもよい。
【００２３】図３は個々のパターン化されたゲルマニウ
ム層を覆うニツケル、鉄、コバルト又はこれらの合金で
なる複数の薄膜層の断面図である。
ム層を覆うニツケル、鉄、コバルト又はこれらの合金で
なる複数の薄膜層の断面図である。
【００２４】図３において磁気材料でなる層３０がパタ
ーン化されたゲルマニウム層２６上に形成される。磁気
金属層３０の上面３２にはパターン化されたゲルマニウ
ム層３４が形成される。磁気金属層３６はパターン化さ
れたゲルマニウム層３４及び磁気金属層３０の露出した
上面３２上に形成される。磁気金属層３６は上面３８を
有する。パターン化されたゲルマニウム層４０は磁気金
属層３６の上面３８上に形成される。磁気金属層４２は
パターン化されたゲルマニウム層４０及び磁気金属層３
６の露出した上面３８上に形成される。磁気金属層４２
は上面４４を有する。パターン化されたゲルマニウム層
２６、３４及び４０は互いに位置決めされ、互いが磁気
金属層３０、３６及び４２と一致するように結合される
ことにより多層スタツク５０を形成する。多層スタツク
５０を例えば 200〔℃〕の温度に加熱して、２時間すな
わち 7.2×103 秒アニール処理した後に、化学量論的組
成のニツケル／ゲルマニウム２重層又は多層をＮｉ3 Ｇ
ｅ化合物に変換する。磁気金属層３０、３６及び４２は
それぞれパターン化されたゲルマニウム層２６、３４及
び４０の約３倍の厚さを有し、これにより化学量論的組
成のバランスがとれ、化合物Ｎｉ3 Ｇｅを形成する。鉄
を用いてＦｅ3 Ｇｅを形成するときにもニツケルの場合
と同じように磁気金属層の厚さを３倍にする。磁気金属
層３０、３６及び４２が主にコバルトである場合、その
厚さを個々のパターン化されたゲルマニウム層２６、３
４及び４０の２倍の厚さにしてＣｏ2 Ｇｅを形成する。
パターン化されたゲルマニウム層２６、３４及び４０の
代わりにパターン化されたシリコン層を用いて、シリコ
ンをもつその対応する化合物、例えばＮｉ3 Ｓｉを形成
してもよい。パターン化されたゲルマニウム層２６、３
４及び４０の表面と磁気金属層３０、３６及び４２の表
面とを清浄して隣接する層との界面をクリーンにするこ
とにより、パターン化されたゲルマニウム層２６、３４
及び４０が磁気金属層３０、３６及び４２に容易に拡散
するようにしなければならない。アニーリングステツプ
は本来の場所である真空又は不活性ガス内でなされる。
アニーリングステツプによりゲルマニウム又はシリコン
を磁気金属層内に拡散することができ、この結果固体反
応が生じて磁気金属層に相又は化合物を形成し、これに
より、拡散の影響を受けた磁気金属層のエリアの磁気モ
ーメントを実質的に低下させる。磁気金属層３０、３６
及び４２だけでなくパターン化されたゲルマニウム層２
６、３４及び４０の厚さを調整することにより、ゲルマ
ニウム原子が磁気金属層内に拡散するのに必要な拡散長
さを制限してもよい。ゲルマニウムの磁気金属層内への
原子拡散は主に原子の置換による拡散というメカニズム
による。かくして、アニール時間を短くする場合には、
拡散距離を一段と短縮して磁気金属層のエリアを所望の
相又は化合物に変換し得るので、一段と薄い層を多数ス
タツクすることにより全体の厚さが同じ厚さの多層スタ
ツク５０を形成してアニール時間を一段と短くし、境界
を一段と明確に定めてもよい。所望の相又は化合物はニ
ツケル、鉄、コバルト又はこれらの合金でなる隣接する
純粋な磁気金属に比べて磁気モーメントは実質的に低下
した。
ーン化されたゲルマニウム層２６上に形成される。磁気
金属層３０の上面３２にはパターン化されたゲルマニウ
ム層３４が形成される。磁気金属層３６はパターン化さ
れたゲルマニウム層３４及び磁気金属層３０の露出した
上面３２上に形成される。磁気金属層３６は上面３８を
有する。パターン化されたゲルマニウム層４０は磁気金
属層３６の上面３８上に形成される。磁気金属層４２は
パターン化されたゲルマニウム層４０及び磁気金属層３
６の露出した上面３８上に形成される。磁気金属層４２
は上面４４を有する。パターン化されたゲルマニウム層
２６、３４及び４０は互いに位置決めされ、互いが磁気
金属層３０、３６及び４２と一致するように結合される
ことにより多層スタツク５０を形成する。多層スタツク
５０を例えば 200〔℃〕の温度に加熱して、２時間すな
わち 7.2×103 秒アニール処理した後に、化学量論的組
成のニツケル／ゲルマニウム２重層又は多層をＮｉ3 Ｇ
ｅ化合物に変換する。磁気金属層３０、３６及び４２は
それぞれパターン化されたゲルマニウム層２６、３４及
び４０の約３倍の厚さを有し、これにより化学量論的組
成のバランスがとれ、化合物Ｎｉ3 Ｇｅを形成する。鉄
を用いてＦｅ3 Ｇｅを形成するときにもニツケルの場合
と同じように磁気金属層の厚さを３倍にする。磁気金属
層３０、３６及び４２が主にコバルトである場合、その
厚さを個々のパターン化されたゲルマニウム層２６、３
４及び４０の２倍の厚さにしてＣｏ2 Ｇｅを形成する。
パターン化されたゲルマニウム層２６、３４及び４０の
代わりにパターン化されたシリコン層を用いて、シリコ
ンをもつその対応する化合物、例えばＮｉ3 Ｓｉを形成
してもよい。パターン化されたゲルマニウム層２６、３
４及び４０の表面と磁気金属層３０、３６及び４２の表
面とを清浄して隣接する層との界面をクリーンにするこ
とにより、パターン化されたゲルマニウム層２６、３４
及び４０が磁気金属層３０、３６及び４２に容易に拡散
するようにしなければならない。アニーリングステツプ
は本来の場所である真空又は不活性ガス内でなされる。
アニーリングステツプによりゲルマニウム又はシリコン
を磁気金属層内に拡散することができ、この結果固体反
応が生じて磁気金属層に相又は化合物を形成し、これに
より、拡散の影響を受けた磁気金属層のエリアの磁気モ
ーメントを実質的に低下させる。磁気金属層３０、３６
及び４２だけでなくパターン化されたゲルマニウム層２
６、３４及び４０の厚さを調整することにより、ゲルマ
ニウム原子が磁気金属層内に拡散するのに必要な拡散長
さを制限してもよい。ゲルマニウムの磁気金属層内への
原子拡散は主に原子の置換による拡散というメカニズム
による。かくして、アニール時間を短くする場合には、
拡散距離を一段と短縮して磁気金属層のエリアを所望の
相又は化合物に変換し得るので、一段と薄い層を多数ス
タツクすることにより全体の厚さが同じ厚さの多層スタ
ツク５０を形成してアニール時間を一段と短くし、境界
を一段と明確に定めてもよい。所望の相又は化合物はニ
ツケル、鉄、コバルト又はこれらの合金でなる隣接する
純粋な磁気金属に比べて磁気モーメントは実質的に低下
した。
【００２５】ゲルマニウムの溶解度は 200〔℃〕及び12
00〔℃〕間の温度での原子百分率10〔％〕のニツケル、
鉄、コバルト又はこれらの合金の溶解度の範囲にある。
ゲルマニウムの代わりにシリコンを用いることもでき、
シリコン及びゲルマニウムの状態図はシリコン相のそれ
ぞれの融点が僅かに上方にシフトしているだけでほとん
ど同じであるので、原子百分率10〔％〕のニツケル、
鉄、コバルト及びこれらの合金の溶解度と同様である。
従つて当該明細書においてゲルマニウムに言及したこと
はシリコンにも適用し得る。
00〔℃〕間の温度での原子百分率10〔％〕のニツケル、
鉄、コバルト又はこれらの合金の溶解度の範囲にある。
ゲルマニウムの代わりにシリコンを用いることもでき、
シリコン及びゲルマニウムの状態図はシリコン相のそれ
ぞれの融点が僅かに上方にシフトしているだけでほとん
ど同じであるので、原子百分率10〔％〕のニツケル、
鉄、コバルト及びこれらの合金の溶解度と同様である。
従つて当該明細書においてゲルマニウムに言及したこと
はシリコンにも適用し得る。
【００２６】多層スタツク５０をアニーリングするステ
ツプに続いて、記録トラツク１４及び１５がこれに隣接
する材料１６〜１８で定義される。材料１６〜１８は図
１及び図４に示す記録トラツク１４及び１５と比較して
磁気モーメントが実質的に低下する。ここで図４は図１
の線４〜４に沿つて破断した断面図である。
ツプに続いて、記録トラツク１４及び１５がこれに隣接
する材料１６〜１８で定義される。材料１６〜１８は図
１及び図４に示す記録トラツク１４及び１５と比較して
磁気モーメントが実質的に低下する。ここで図４は図１
の線４〜４に沿つて破断した断面図である。
【００２７】図５は 200〔℃〕での、残留磁気モーメン
トのパーセントと総アニール時間との関係を表すグラフ
である。図５において縦軸は元の磁気モーメントのパー
セントを表し、横軸は総アニール時間（秒）を表す。図
５において磁化が低下したデータが摂氏 200〔℃〕でア
ニールされたニツケル／ゲルマニウム２重層から得られ
た。曲線５４は時間と共に磁気モーメントが低下するこ
とを示している。曲線５４の曲線部分５６は約 6,300秒
後に磁気モーメントが 100〔％〕から符号５７の約５
〔％〕まで低下することを示している。曲線部分５６は
ほとんど線形すなわちほぼ直線である。曲線５４の曲線
部分５８は 6,300秒から約 9,900秒まで延び、元の磁気
モーメントの５〔％〕の位置で一定している（水平であ
る）。磁気モーメントが低下したのはゲルマニウムがニ
ツケルに拡散して非磁性であるＮｉ3 Ｇｅを形成した結
果である。アニーリングの温度が上昇すると、ゲルマニ
ウムは一段と速く拡散し、曲線部分５６は 100〔％〕か
らこの曲線部分５６上の符号５７より左側の地点の値５
〔％〕まで延びる。アニーリングの温度が低下すると、
ゲルマニウムは一段とゆつくりと拡散し、曲線部分５６
は０秒での 100〔％〕から、磁気モーメント値が低下し
た５〔％〕まで延びるが、その位置は符号５７よりも右
側の地点である。ゲルマニウムが原子の置換によつてニ
ツケルに拡散するので、その結果生成された化合物Ｎｉ
3 Ｇｅはニツケル／ゲルマニウムの元の２重層と比較し
て約10〔％〕体積が縮小する。この化合物Ｎｉ3 Ｇｅは
次式（１）によつて表される。
トのパーセントと総アニール時間との関係を表すグラフ
である。図５において縦軸は元の磁気モーメントのパー
セントを表し、横軸は総アニール時間（秒）を表す。図
５において磁化が低下したデータが摂氏 200〔℃〕でア
ニールされたニツケル／ゲルマニウム２重層から得られ
た。曲線５４は時間と共に磁気モーメントが低下するこ
とを示している。曲線５４の曲線部分５６は約 6,300秒
後に磁気モーメントが 100〔％〕から符号５７の約５
〔％〕まで低下することを示している。曲線部分５６は
ほとんど線形すなわちほぼ直線である。曲線５４の曲線
部分５８は 6,300秒から約 9,900秒まで延び、元の磁気
モーメントの５〔％〕の位置で一定している（水平であ
る）。磁気モーメントが低下したのはゲルマニウムがニ
ツケルに拡散して非磁性であるＮｉ3 Ｇｅを形成した結
果である。アニーリングの温度が上昇すると、ゲルマニ
ウムは一段と速く拡散し、曲線部分５６は 100〔％〕か
らこの曲線部分５６上の符号５７より左側の地点の値５
〔％〕まで延びる。アニーリングの温度が低下すると、
ゲルマニウムは一段とゆつくりと拡散し、曲線部分５６
は０秒での 100〔％〕から、磁気モーメント値が低下し
た５〔％〕まで延びるが、その位置は符号５７よりも右
側の地点である。ゲルマニウムが原子の置換によつてニ
ツケルに拡散するので、その結果生成された化合物Ｎｉ
3 Ｇｅはニツケル／ゲルマニウムの元の２重層と比較し
て約10〔％〕体積が縮小する。この化合物Ｎｉ3 Ｇｅは
次式（１）によつて表される。
【００２８】
【数１】
【００２９】ここでＢは磁場、Ｈは印加された磁場、４
πＭは強磁性材料に印加し得る化合物Ｎｉ3 Ｇｅの自然
磁気である。かくして図５に示す元の磁気モーメントが
低下するのは等式（１）で定義された値Ｍが低下するか
らである。Ｂ、Ｈ及びＭがベクトルであることは分か
る。
πＭは強磁性材料に印加し得る化合物Ｎｉ3 Ｇｅの自然
磁気である。かくして図５に示す元の磁気モーメントが
低下するのは等式（１）で定義された値Ｍが低下するか
らである。Ｂ、Ｈ及びＭがベクトルであることは分か
る。
【００３０】Ｎｉ／Ｇｅ２重層から得られたデータに加
えて、コバルト−ゲルマニウム２重層膜からもデータを
得た。注意すべきは、コバルトは 360〔℃〕のＴｃを有
するニツケルよりも一段と高い約1121〔℃〕のキユリー
温度のＴｃを有することである。キユリー温度が高くな
ればなるほど、Ｃｏ2 Ｇｅを形成することによつてコバ
ルトの磁気モーメントを完全に消滅又は低下させるには
一段と長いアニーリング時間又は一段と高い温度でコバ
ルトを処理する必要があると考えられていた。
えて、コバルト−ゲルマニウム２重層膜からもデータを
得た。注意すべきは、コバルトは 360〔℃〕のＴｃを有
するニツケルよりも一段と高い約1121〔℃〕のキユリー
温度のＴｃを有することである。キユリー温度が高くな
ればなるほど、Ｃｏ2 Ｇｅを形成することによつてコバ
ルトの磁気モーメントを完全に消滅又は低下させるには
一段と長いアニーリング時間又は一段と高い温度でコバ
ルトを処理する必要があると考えられていた。
【００３１】ゲルマニウムを拡散してＣｏ2 Ｇｅを形成
することによつてコバルトの磁気モーメントを消滅又は
低下させることが如何に簡単であるかを調べるために、
コバルト−ゲルマニウム２重層膜を電子ビーム蒸着によ
つて形成し、異なる温度で本来の場所でアニールした。
アニーリングの結果磁気モーメントの低下が非常に促進
された。例えば 650〔Å〕のコバルト層が３つの異なる
基板上の1350〔Å〕のゲルマニウム厚膜層の頂部に堆積
された。これらのコバルト層は 600〔℃〕、 400〔℃〕
及び 200〔℃〕で3600秒（１時間）アニールされた。い
ずれの場合においても磁気モーメントは全く残らなかつ
た。形成された種々のコバルト−ゲルマニウム金属間相
及びコバルト−ゲルマニウム固溶体はすべて非磁性であ
つた。ゲルマニウム層上のアニールされていない参考の
ためのコバルトは純粋なコバルトが有する予期した磁気
モーメント及び結晶構造を示した。 200〔℃〕以下の温
度及び3600秒（１時間）以下の時間でも非磁性材料を生
成し得る。ゲルマニウムをコバルト層内に拡散した場合
のデータはゲルマニウムをニツケル層内に拡散した場合
のデータと比較して非常に好ましい。コバルトは将来の
磁気記憶媒体に用いられる一段と有望な材料であること
が分かる。
することによつてコバルトの磁気モーメントを消滅又は
低下させることが如何に簡単であるかを調べるために、
コバルト−ゲルマニウム２重層膜を電子ビーム蒸着によ
つて形成し、異なる温度で本来の場所でアニールした。
アニーリングの結果磁気モーメントの低下が非常に促進
された。例えば 650〔Å〕のコバルト層が３つの異なる
基板上の1350〔Å〕のゲルマニウム厚膜層の頂部に堆積
された。これらのコバルト層は 600〔℃〕、 400〔℃〕
及び 200〔℃〕で3600秒（１時間）アニールされた。い
ずれの場合においても磁気モーメントは全く残らなかつ
た。形成された種々のコバルト−ゲルマニウム金属間相
及びコバルト−ゲルマニウム固溶体はすべて非磁性であ
つた。ゲルマニウム層上のアニールされていない参考の
ためのコバルトは純粋なコバルトが有する予期した磁気
モーメント及び結晶構造を示した。 200〔℃〕以下の温
度及び3600秒（１時間）以下の時間でも非磁性材料を生
成し得る。ゲルマニウムをコバルト層内に拡散した場合
のデータはゲルマニウムをニツケル層内に拡散した場合
のデータと比較して非常に好ましい。コバルトは将来の
磁気記憶媒体に用いられる一段と有望な材料であること
が分かる。
【００３２】図６はデータを記憶し記憶媒体６８からデ
ータを検索するメモリシステム６６を示す。記憶媒体６
８はデイスク７０の上面７１上に形成されたゲルマニウ
ム層７２を有するデイスク７０を含む。ニツケル層７４
はゲルマニウム層７２の上面７３上に形成される。ニツ
ケル層７４はニツケル、鉄、コバルト及びこれらの合金
でなる族から選択された材料を有してもよい。ゲルマニ
ウム層７２はゲルマニウム及びシリコンでなる族から選
択された材料でなる。ゲルマニウム層７２及びニツケル
層７４の厚さを調整することにより、選択されたエリア
がアニールされた場合に形成される予期した化合物の化
学量論的組成のバランスをとつてもよい。デイスク７０
はスピンドル７８によつて支持され、例えば毎分3600回
転、すなわち毎秒60回転の速度でデイスク７０を右回り
に回転する。スピンドル７８は軸受け８０によつて支持
されモータ８２によつて回転される。メモリ制御装置８
４はリード線８５を介してモータ８２に制御信号を送出
する。
ータを検索するメモリシステム６６を示す。記憶媒体６
８はデイスク７０の上面７１上に形成されたゲルマニウ
ム層７２を有するデイスク７０を含む。ニツケル層７４
はゲルマニウム層７２の上面７３上に形成される。ニツ
ケル層７４はニツケル、鉄、コバルト及びこれらの合金
でなる族から選択された材料を有してもよい。ゲルマニ
ウム層７２はゲルマニウム及びシリコンでなる族から選
択された材料でなる。ゲルマニウム層７２及びニツケル
層７４の厚さを調整することにより、選択されたエリア
がアニールされた場合に形成される予期した化合物の化
学量論的組成のバランスをとつてもよい。デイスク７０
はスピンドル７８によつて支持され、例えば毎分3600回
転、すなわち毎秒60回転の速度でデイスク７０を右回り
に回転する。スピンドル７８は軸受け８０によつて支持
されモータ８２によつて回転される。メモリ制御装置８
４はリード線８５を介してモータ８２に制御信号を送出
する。
【００３３】記憶すべきデータはリード線８６を介して
メモリ制御装置８４の入力端に送られる。メモリ制御装
置８４はリード線８７を介して書込みレーザ９０の入力
端に制御信号及びデータ信号を送出する。書込みレーザ
９０はレーザビーム９１を放射し、レーザビーム９１は
レンズ９２を通つて集束レーザビーム９４を放射する。
集束レーザビーム９４は記憶媒体６８の上面９５に集束
する。集束レーザビーム９４はゲルマニウムがニツケル
層７４内に拡散し得るような温度でゲルマニウム層７２
及びニツケル層７４を局部に限定して加熱する。ニツケ
ル層７４は磁気モーメントが低下した化合物又は容体を
形成する。集束レーザビーム９４は個々の集束レーザビ
ーム９４又はマスクを用いての保護によるパターン化さ
れたビームを記憶媒体６８に適用することにより、複数
のデータ点を同時に与えることよつて記憶媒体６８の複
数の位置にデータを記憶する。集束レーザビーム９４は
記憶媒体６８上の選択されたエリアを局部に限定して加
熱するが、本発明の精神から脱しない限り他の手段を用
いて記憶媒体６８を局部に限定して加熱してもよい。
メモリ制御装置８４の入力端に送られる。メモリ制御装
置８４はリード線８７を介して書込みレーザ９０の入力
端に制御信号及びデータ信号を送出する。書込みレーザ
９０はレーザビーム９１を放射し、レーザビーム９１は
レンズ９２を通つて集束レーザビーム９４を放射する。
集束レーザビーム９４は記憶媒体６８の上面９５に集束
する。集束レーザビーム９４はゲルマニウムがニツケル
層７４内に拡散し得るような温度でゲルマニウム層７２
及びニツケル層７４を局部に限定して加熱する。ニツケ
ル層７４は磁気モーメントが低下した化合物又は容体を
形成する。集束レーザビーム９４は個々の集束レーザビ
ーム９４又はマスクを用いての保護によるパターン化さ
れたビームを記憶媒体６８に適用することにより、複数
のデータ点を同時に与えることよつて記憶媒体６８の複
数の位置にデータを記憶する。集束レーザビーム９４は
記憶媒体６８上の選択されたエリアを局部に限定して加
熱するが、本発明の精神から脱しない限り他の手段を用
いて記憶媒体６８を局部に限定して加熱してもよい。
【００３４】センサ９８によつて記憶媒体６８からデー
タを検索してもよく、センサ９８は磁気光学センサ又は
磁気センサでもよく、これらの磁気光学センサ又は磁気
センサは誘導型ヘツド又は磁気抵抗型ヘツドを利用して
もよい。センサ９８の出力端はリード線９９を介して、
リード線１０１を介して出力を与えるメモリ制御装置８
４の入力端に結合される。
タを検索してもよく、センサ９８は磁気光学センサ又は
磁気センサでもよく、これらの磁気光学センサ又は磁気
センサは誘導型ヘツド又は磁気抵抗型ヘツドを利用して
もよい。センサ９８の出力端はリード線９９を介して、
リード線１０１を介して出力を与えるメモリ制御装置８
４の入力端に結合される。
【００３５】一段と便利な方法においては、メモリ制御
装置８４はリード線１０３を介して書込みヘツド１０４
に書込みデータを送出する。書込みヘツド１０４は当分
野において周知の記憶媒体６８に磁気的にデータを書き
込む。書込みレーザ９０又は代わりの熱源を用いて、そ
れぞれのエリアを加熱してゲルマニウムをニツケル層内
に拡散させて磁気モーメントを低下させることにより、
所望の記録トラツクの両側に非磁性材料を形成すること
によつて記憶媒体６８に記録トラツクを形成する。デイ
スク７０をメモリシステム６６のスピンドル７８に挿入
する前に熱源によつて記憶媒体６８に記録トラツクを形
成してもよい。
装置８４はリード線１０３を介して書込みヘツド１０４
に書込みデータを送出する。書込みヘツド１０４は当分
野において周知の記憶媒体６８に磁気的にデータを書き
込む。書込みレーザ９０又は代わりの熱源を用いて、そ
れぞれのエリアを加熱してゲルマニウムをニツケル層内
に拡散させて磁気モーメントを低下させることにより、
所望の記録トラツクの両側に非磁性材料を形成すること
によつて記憶媒体６８に記録トラツクを形成する。デイ
スク７０をメモリシステム６６のスピンドル７８に挿入
する前に熱源によつて記憶媒体６８に記録トラツクを形
成してもよい。
【００３６】図７はデイスク上の記憶媒体からデータを
検索する誘導型読出しヘツドの正面図である。図８は図
７の側面図である。図７は通常均一の厚さを有する形づ
けられた、すなわちパターン化された磁性膜１１０を示
し、図８にも示す。コイル１１２を磁性膜１１０で巻く
ことにより、磁性膜１１０の印加された磁場Ｈを先端１
１４に向ける。磁性膜１１０及びこれと同様の形状を有
するパターン化された磁性膜１１６は共にこれらの主な
機能が互いに隣接するように位置決めされている。磁性
膜１１０の頂部１１８及び磁性膜１１６の頂部１１９に
おいて、これらの磁性膜が接合されることにより、磁性
膜１１０から磁性膜１１６に磁路を連続させる。
検索する誘導型読出しヘツドの正面図である。図８は図
７の側面図である。図７は通常均一の厚さを有する形づ
けられた、すなわちパターン化された磁性膜１１０を示
し、図８にも示す。コイル１１２を磁性膜１１０で巻く
ことにより、磁性膜１１０の印加された磁場Ｈを先端１
１４に向ける。磁性膜１１０及びこれと同様の形状を有
するパターン化された磁性膜１１６は共にこれらの主な
機能が互いに隣接するように位置決めされている。磁性
膜１１０の頂部１１８及び磁性膜１１６の頂部１１９に
おいて、これらの磁性膜が接合されることにより、磁性
膜１１０から磁性膜１１６に磁路を連続させる。
【００３７】磁性膜１１０の先端１１４及び磁性膜１１
６の先端１２２において、これらの磁性膜は非常に接近
しているが誘電体１２４によつて分離されることによ
り、磁性膜１１０及び磁性膜１１６間にギヤツプができ
る。終端１２６における磁性膜１１０及び１１６の終端
が一段と低くなれば低くなるほど、磁場は終端１２６を
越えてその勢力を伸ばすので終端１２６に隣接する磁界
及び記憶媒体を検出する。矢印１２８で示す終端１２６
の厚さは通常製造時に問題にならない。しかしながら、
矢印１３０で示す終端１２６と先端１１４及び１２２と
の幅はこれが必要以上に大きいという点で問題となる。
６の先端１２２において、これらの磁性膜は非常に接近
しているが誘電体１２４によつて分離されることによ
り、磁性膜１１０及び磁性膜１１６間にギヤツプができ
る。終端１２６における磁性膜１１０及び１１６の終端
が一段と低くなれば低くなるほど、磁場は終端１２６を
越えてその勢力を伸ばすので終端１２６に隣接する磁界
及び記憶媒体を検出する。矢印１２８で示す終端１２６
の厚さは通常製造時に問題にならない。しかしながら、
矢印１３０で示す終端１２６と先端１１４及び１２２と
の幅はこれが必要以上に大きいという点で問題となる。
【００３８】本発明によると、ゲルマニウム層又はシリ
コン層は磁性膜１１０及び１１６上に形成されてパター
ン化される。磁性膜１１６は磁性膜１１０と同様であ
る。図７に示すように、先端１１４の両側及び先端１２
２（図示せず）の両側に形成されたパターン化されたゲ
ルマニウム１３２及び１３３が、磁場が通る先端１１
４、先端１２２及び終端１２６の幅を狭くする手段を与
える。パターン化されたゲルマニウム１３２及び１３３
を加熱することによつて、ゲルマニウムがそれぞれゲル
マニウムエリアをもつ磁性膜１１４及び１１６に拡散す
る。磁性膜１１４及び１１６は矢印１４０で示すように
狭くなる。物理的な幅は矢印１３０で示すような幅であ
るが、磁性膜１１４及び１１６の磁気を帯びた幅は矢印
１４０で示す幅である。かくして、終端１２６から勢力
を伸ばす磁場は矢印１４０で示す幅を有する終端１２６
からその勢力を伸ばす。矢印１４０の幅は記録トラツク
が終端１２６の下を通過するときの記憶媒体の記録トラ
ツクの幅に対応する。
コン層は磁性膜１１０及び１１６上に形成されてパター
ン化される。磁性膜１１６は磁性膜１１０と同様であ
る。図７に示すように、先端１１４の両側及び先端１２
２（図示せず）の両側に形成されたパターン化されたゲ
ルマニウム１３２及び１３３が、磁場が通る先端１１
４、先端１２２及び終端１２６の幅を狭くする手段を与
える。パターン化されたゲルマニウム１３２及び１３３
を加熱することによつて、ゲルマニウムがそれぞれゲル
マニウムエリアをもつ磁性膜１１４及び１１６に拡散す
る。磁性膜１１４及び１１６は矢印１４０で示すように
狭くなる。物理的な幅は矢印１３０で示すような幅であ
るが、磁性膜１１４及び１１６の磁気を帯びた幅は矢印
１４０で示す幅である。かくして、終端１２６から勢力
を伸ばす磁場は矢印１４０で示す幅を有する終端１２６
からその勢力を伸ばす。矢印１４０の幅は記録トラツク
が終端１２６の下を通過するときの記憶媒体の記録トラ
ツクの幅に対応する。
【００３９】図９は磁気抵抗型ヘツド１４４の正面図で
ある。当該明細書に述べる本発明を利用することによつ
て、磁性膜を必要に応じてパターン化することにより記
憶媒体上の記録トラツクのビツトを検出してもよい。こ
の場合の記録トラツクの幅を矢印１４８で示す。エリア
１４９及び１５０で示すように非磁性にすることが望ま
しいエリアの磁性膜上にゲルマニウムを形成してもよ
い。磁性膜及びパターン化されたゲルマニウムエリア１
４９及び１５０を加熱することにより、磁性膜にゲルマ
ニウムを拡散させてエリア１４９及び１５０の磁性膜の
磁化又は磁気モーメントを低下させてもよい。しかしな
がら、エリア１４９及び１５０は導電性であり、磁気抵
抗型ヘツド１４４が動作している間電流が磁性膜１４６
を通過する手段を提供する。磁性膜１４６の出力はΔ／
Ｒであり、ここでΔ／Ｒは磁性膜１４６の抵抗の変化で
あり、Ｒはエリア１４９及び１５０の抵抗を含むエリア
１４９からエリア１５０までの電流路の抵抗である。エ
リア１４９及び１５０は電流が磁性膜１４６を通過する
際のそれぞれのエリアに対するオーミツクコンタクトを
低くし得るほど十分に大きい。矢印１４８で示す幅をゲ
ルマニウムのパターン化及びアニーリング中のゲルマニ
ウムの拡散深さ又は拡散長さによつて正確に決定しても
よいことをゲルマニウムをパターン化することによつて
理解できる。注意すべきはエリア１４９、磁性膜１４６
及びエリア１５０は物理的に１つの膜の一部であるとい
うことである。
ある。当該明細書に述べる本発明を利用することによつ
て、磁性膜を必要に応じてパターン化することにより記
憶媒体上の記録トラツクのビツトを検出してもよい。こ
の場合の記録トラツクの幅を矢印１４８で示す。エリア
１４９及び１５０で示すように非磁性にすることが望ま
しいエリアの磁性膜上にゲルマニウムを形成してもよ
い。磁性膜及びパターン化されたゲルマニウムエリア１
４９及び１５０を加熱することにより、磁性膜にゲルマ
ニウムを拡散させてエリア１４９及び１５０の磁性膜の
磁化又は磁気モーメントを低下させてもよい。しかしな
がら、エリア１４９及び１５０は導電性であり、磁気抵
抗型ヘツド１４４が動作している間電流が磁性膜１４６
を通過する手段を提供する。磁性膜１４６の出力はΔ／
Ｒであり、ここでΔ／Ｒは磁性膜１４６の抵抗の変化で
あり、Ｒはエリア１４９及び１５０の抵抗を含むエリア
１４９からエリア１５０までの電流路の抵抗である。エ
リア１４９及び１５０は電流が磁性膜１４６を通過する
際のそれぞれのエリアに対するオーミツクコンタクトを
低くし得るほど十分に大きい。矢印１４８で示す幅をゲ
ルマニウムのパターン化及びアニーリング中のゲルマニ
ウムの拡散深さ又は拡散長さによつて正確に決定しても
よいことをゲルマニウムをパターン化することによつて
理解できる。注意すべきはエリア１４９、磁性膜１４６
及びエリア１５０は物理的に１つの膜の一部であるとい
うことである。
【００４０】集束ビームによる加熱により磁気抵抗膜の
局部に限定された領域における磁気モーメントを低下さ
せることによつて、磁気抵抗型ヘツドの寸法及び特性を
修正又は仕上げることができる。
局部に限定された領域における磁気モーメントを低下さ
せることによつて、磁気抵抗型ヘツドの寸法及び特性を
修正又は仕上げることができる。
【００４１】上述の通り本発明をその最適な実施例に基
づいて図示、説明したが、本発明の精神及び範囲から脱
することなく詳細構成について種々の変更を加えてもよ
い。
づいて図示、説明したが、本発明の精神及び範囲から脱
することなく詳細構成について種々の変更を加えてもよ
い。
【００４２】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、パターン
化されたゲルマニウム層又はシリコン層上に強磁性材料
であるニツケル、鉄、コバルト又はこれらの合金でなる
層を堆積し、これをアニールしてゲルマニウム又はシリ
コンを拡散させることにより、強磁性材料でなる層の磁
気モーメントを低下させ、これによつて非磁性材料によ
り分離された強磁性材料でなる複数の隣接するトラツク
を簡易かつ確実に形成することができる。
化されたゲルマニウム層又はシリコン層上に強磁性材料
であるニツケル、鉄、コバルト又はこれらの合金でなる
層を堆積し、これをアニールしてゲルマニウム又はシリ
コンを拡散させることにより、強磁性材料でなる層の磁
気モーメントを低下させ、これによつて非磁性材料によ
り分離された強磁性材料でなる複数の隣接するトラツク
を簡易かつ確実に形成することができる。
【図１】図１は本発明の一実施例を示す略線図である。
【図２】図２は１つのプロセスステツプを示すパターン
化されたゲルマニウムの断面図である。
化されたゲルマニウムの断面図である。
【図３】図３は１つのプロセスステツプを示すパターン
化されたゲルマニウム層又はシリコン層によつて分離さ
れた複数のニツケル層の断面図である。
化されたゲルマニウム層又はシリコン層によつて分離さ
れた複数のニツケル層の断面図である。
【図４】図４は図１の線４〜４に沿つて破断した断面図
である。
である。
【図５】図５は 200〔℃〕での、残留磁気モーメントの
パーセントとアニール処理総時間との関係を示すグラフ
である。
パーセントとアニール処理総時間との関係を示すグラフ
である。
【図６】図６は本発明の他の実施例を示す略線図であ
る。
る。
【図７】図７はデイスク上の記憶媒体からデータを検索
する適正な誘導型ヘツドの正面図である。
する適正な誘導型ヘツドの正面図である。
【図８】図８は図７の誘導型ヘツドの側面図である。
【図９】図９はデイスク上の記憶媒体からデータを検索
する磁気抵抗型ヘツドの略線図である。
する磁気抵抗型ヘツドの略線図である。
１０、６８……磁気記憶媒体、１２、７０……デイス
ク、１４、１５……記録トラツク、１６、１７、１８…
…非磁性材料、２６、３４、４０、７２、１３２、１３
３……パターン化されたゲルマニウム層、３０、３６、
４２……磁気金属層、５０……多層スタツク、６６……
メモリシステム、７４……ニツケル層、７８……スピン
ドル、８０……軸受け、８２……モータ、８４……メモ
リ制御装置、８５、８６、８７、９９、１０１、１０３
……リード線、９０……書込みレーザ、９１……レーザ
ビーム、９２……レンズ、９４……集束レーザビーム、
９８……センサ、１０４……書込みヘツド、１１０、１
１６……磁性膜、１１２……コイル、１１４、１２２…
…先端。
ク、１４、１５……記録トラツク、１６、１７、１８…
…非磁性材料、２６、３４、４０、７２、１３２、１３
３……パターン化されたゲルマニウム層、３０、３６、
４２……磁気金属層、５０……多層スタツク、６６……
メモリシステム、７４……ニツケル層、７８……スピン
ドル、８０……軸受け、８２……モータ、８４……メモ
リ制御装置、８５、８６、８７、９９、１０１、１０３
……リード線、９０……書込みレーザ、９１……レーザ
ビーム、９２……レンズ、９４……集束レーザビーム、
９８……センサ、１０４……書込みヘツド、１１０、１
１６……磁性膜、１１２……コイル、１１４、１２２…
…先端。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 リチヤード・ジエイ・ガンビノ アメリカ合衆国、ニユーヨーク州10598、 ヨークタウン・ハイツ、ハンターブルツ ク・ロード 2433番地 (72)発明者 ラルフ・アール・ラフ アメリカ合衆国、ニユーヨーク州10956、 ニユー・シテイー、ロング・クロウブ・ロ ード 195番地
Claims (8)
- 【請求項１】強磁性材料の磁気モーメントを低下させる
方法において、 上記強磁性材料の表面とゲルマニウム及びシリコンでな
る族から選択された第１の材料の表面との界面を最初に
形成するステツプと、 上記界面を少なくとも 150〔℃〕に加熱し、これによつ
て上記第１の材料が上記強磁性材料内に拡散して２元化
合物を含む第２の材料を形成するステツプとを含むこと
を特徴とする磁気モーメント低下方法。 - 【請求項２】さらに、強磁性材料をニツケル、鉄及びコ
バルトでなる族から選択するステツプを含むことを特徴
とする請求項１に記載の磁気モーメント低下方法。 - 【請求項３】データを記憶する適正な装置において、 強磁性材料でなる第１の領域を有する第１の層を具え、
上記第１の層は上記第１の領域と連続する、２元化合物
でなる選択された第２の領域を有し、上記２元化合物は
上記強磁性材料の原子を含み、これによつて上記第１の
領域は第１の磁気モーメントを有しかつ上記第２の領域
の磁気モーメントは上記第１の磁気モーメントと比較し
て低下していることを特徴とするデータ記憶装置。 - 【請求項４】上記第１の領域は上記第２の領域によつて
分離された複数の隣接するトラツクを縦方向に形成する
ことを特徴とする請求項３に記載のデータ記憶装置。 - 【請求項５】上記第１の領域は上記第２の領域によつて
分離された複数の隣接するトラツクを半径方向に形成す
ることを特徴とする請求項３に記載のデータ記憶装置。 - 【請求項６】上記２元化合物はＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｓｉ
及びＧｅでなる族から選択された元素を含むことを特徴
とする請求項３に記載のデータ記憶装置。 - 【請求項７】データを記憶する装置において、 基板と、 上記基板上のゲルマニウムでなる第１の層と、 上記第１の層上の第１の材料でなる第２の層と を具え、 上記第１の材料はニツケル、鉄及びコバルトでなる族か
ら選択され、 第１の材料でなる上記第２の層は上記ゲルマニウム及び
上記第１の材料でなる２元化合物を含む第３の材料でな
る選択されたエリアをその中に有することを特徴とする
データ記憶装置。 - 【請求項８】データを記憶する装置おいて、 基板と、 上記基板上のシリコンでなる第１の層と、 上記第１の層上の第１の材料でなる第２の層と を具え、 上記第１の材料はニツケル、鉄及びコバルトでなる族か
ら選択され、 第１の材料でなる上記第２の層は上記シリコン及び上記
第１の材料でなる２元化合物を含む第３の材料でなる選
択されたエリアをその中に有することを特徴とするデー
タ記憶装置。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007094481A1 (en) * | 2006-02-14 | 2007-08-23 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium5 method for production thereof and magnetic recording and reproducing device |
| CN100342463C (zh) * | 2003-10-08 | 2007-10-10 | 国际商业机器公司 | 使用气态转变图形化磁性薄膜的方法和系统 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6795273B2 (en) | 2002-01-08 | 2004-09-21 | Quantum Materials Design, Inc. | Magnetic recording head with high saturation magnetization write pole having alternating interface-defining Fe/Co layers |
| JP2006331578A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録装置 |
| US7732071B2 (en) * | 2006-11-10 | 2010-06-08 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording system with patterned medium and manufacturing process for the medium |
| US7670696B2 (en) * | 2007-05-01 | 2010-03-02 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording medium with patterned magnetic islands and nonmagnetic trenches and manufacturing method for suppressing surface diffusion of trench material |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS629517A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-01-17 | Nec Corp | 磁気記録体及びその製造方法 |
| JPS6479919A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-24 | Hitachi Maxell | Magnetic disk and its production |
| JPH0264914A (ja) * | 1988-03-09 | 1990-03-05 | Toshiba Corp | 磁気記録方法および磁気記録体 |
| JPH05109047A (ja) * | 1991-03-12 | 1993-04-30 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Family Cites Families (9)
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|---|---|---|---|---|
| GB1034946A (en) * | 1963-09-20 | 1966-07-06 | Nippon Telegraph & Telephone | Improved process for producing magnetic thin film elements and elements produced thereby |
| US3902930A (en) * | 1972-03-13 | 1975-09-02 | Nippon Musical Instruments Mfg | Method of manufacturing iron-silicon-aluminum alloy particularly suitable for magnetic head core |
| GB1443248A (en) * | 1974-08-29 | 1976-07-21 | Burroughs Corp | making same |
| US3959799A (en) * | 1974-09-09 | 1976-05-25 | International Business Machines Corporation | Information storage by laser beam initiated reactions |
| US4746580A (en) * | 1983-03-31 | 1988-05-24 | International Business Machines Corporation | Read-only magnetic recording media |
| US4556597A (en) * | 1983-08-22 | 1985-12-03 | International Business Machines Corporation | Ion doped servo pattern for magnetic recording disk |
| DE3470811D1 (en) * | 1984-10-31 | 1988-06-01 | Ibm Deutschland | Magnetic disc and process for producing it |
| DE3546325C2 (de) * | 1985-01-17 | 1994-06-01 | Hitachi Metals Ltd | Magnetisches Aufzeichnungsmedium |
| US4935278A (en) * | 1988-04-28 | 1990-06-19 | International Business Machines Corporation | Thin film magnetic recording disk and fabrication process |
-
1993
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-
1995
- 1995-02-27 US US08/396,285 patent/US5571591A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS629517A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-01-17 | Nec Corp | 磁気記録体及びその製造方法 |
| JPS6479919A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-24 | Hitachi Maxell | Magnetic disk and its production |
| JPH0264914A (ja) * | 1988-03-09 | 1990-03-05 | Toshiba Corp | 磁気記録方法および磁気記録体 |
| JPH05109047A (ja) * | 1991-03-12 | 1993-04-30 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100342463C (zh) * | 2003-10-08 | 2007-10-10 | 国际商业机器公司 | 使用气态转变图形化磁性薄膜的方法和系统 |
| WO2007094481A1 (en) * | 2006-02-14 | 2007-08-23 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium5 method for production thereof and magnetic recording and reproducing device |
| US8213118B2 (en) | 2006-02-14 | 2012-07-03 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, method for production thereof and magnetic recording and reproducing device |
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