JPH0610168B2 - 新規光学活性ジエステル誘導体及びその組成物 - Google Patents

新規光学活性ジエステル誘導体及びその組成物

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JPH0610168B2
JPH0610168B2 JP60113578A JP11357885A JPH0610168B2 JP H0610168 B2 JPH0610168 B2 JP H0610168B2 JP 60113578 A JP60113578 A JP 60113578A JP 11357885 A JP11357885 A JP 11357885A JP H0610168 B2 JPH0610168 B2 JP H0610168B2
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和利 宮沢
博道 井上
孝 犬飼
兼詞 寺島
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Description

【発明の詳細な説明】 〔利用分野〕 本発明は新規な液晶物質及び該液晶物質を含有する液晶
組成物に関し、更に詳しくは光学活性基を有するカイラ
ル液晶物質及びそれらを含有するカイラル液晶組成物に
関する。
〔従来の技術〕
現在、液晶表示素子としてはＴＮ(Twisted Nematic)型
表示方式が最も広く用いられているが、応答速度の点に
於て発光型表示素子（エレクトロルミネツセンス、プラ
ズマデイスプレイ等）と比較して劣っており、この点に
於ける改善は種々試みられているにも拘らず、大巾な改
善の可能性はあまり残っていないようである。そのため
ＴＮ型表示素子に代わる別の原理による液晶表示装置が
種々試みられているが、その一つに強誘電性液晶を利用
する表示方式がある(N.A.Clark;APPlied Phys.lett.,3
6,899(1980))。この方式は強誘電性液晶のカイラルスメ
クテックＣ相（以下SC*相と略称する）あるいはカイラ
ルスメクチックＨ相（以下SH*相と略称する）を利用す
るもので、それらの相が室温付近にあるのが望ましい。
〔発明の目的〕
本発明者らはこの表示方式に利用されるに、より適する
液晶物質の開発を主たる目的として、光学活性基を有す
る液晶物質を種々探索して本発明に到達した。
〔発明の構成〕
即ち、本発明の第一は一般式 （但し、上式に於いて、Ｘは-COO-あるいは-OCO-のいず
れかであり、ＹはＸが-COO-のとき-COO-又は-OCO-であ
り、Ｘが-OCO-のとき-OCO-である。また、Ｚ*は炭素数
４〜１０の光学活性なアルコキシ基またはアルコキシカ
ルボニル基を示し、Ａは炭素数４〜１２の光学活性でな
いアルキル基またはアルコキシ基を示す）で表される光
学活性化合物である。本発明の第二は前記の（Ｉ）式で
表される光学活性化合物を少なくとも一つ含有し、少な
くとも二つの成分からなる液晶組成物である。
（Ｉ）式の化合物のうちでも特に好ましい性質を有する
ものは、次の化学構造を有するものである。
（上記、各式に於てＡは前記と同じであるが特に炭素数
４〜１２のアルキル基又はアルコシキ基を示し、Ｒ＊は
炭素数４〜１０の光学活性なアルキル基を示し、特に１
−メチルヘプチル基又は２−メチルブチル基を示す） これらの化合物のうちの代表的なものの相転移温度自発
分極の値及びチルト角を第１表及び第２表に示す。
本発明の液晶組成物において（Ｉ）式の化合物の外に用
いられる成分としては、既に知られている強誘電性液晶
化合物が好ましい。これらの化合物はSC*相及び／又はS
H*相を有する物が好ましいが、室温を含む広い温度範囲
で強誘電性を示すという点からSC*を示す化合物が好ま
しく用いられる。
本発明の化合物の製造法を（Ｉａ）〜（Ｉｆ）式の化合
物について例示する。以下においてＡ、Ｒ＊、Ｂｎおよ
びＸはそれぞれアカイラルなアルキル基またはアルコキ
シ基、光学活性カルキル基、ベンジル基、およびハロゲ
ン原子、トシル基、メシル基、トリフルオロメタンスル
ホニル基などの脱離基を示し、ＤＭＡＰは４−ジメチル
アミノピリジンを意味する。
（Ｉａ）式の化合物 すなわち、ハイドロキノンモノベンジルエーテルに塩基
性条件の下で光学活性アルキルハライドもしくはアルキ
ルトシレートを作用させた後、接触還元により脱ベンジ
ル化を行い、４−光学活性アルコキシフエノールとす
る。この物にピリジン、トリエチルアミン、ＤＭＡＰな
どの塩基性条件の下で４−ベンジルオキシ安息香酸クロ
リドを作用させた後、接触還元により脱ベンジル化を行
い、光学活性４−（４−ヒドロキシベンゾイルオキシ）
アルコキシベンゼンとする。さらに、４−置換安息香酸
クロリドを作用させて（Ｉａ）式の化合物を製造する。
（Ｉｂ）式の化合物 すなわち、４−ベンジルオキシ安息香酸クロリドに光学
活性アルコールを作用させてエステルとした後、接触還
元して脱ベンジル化し、光学活性４−ヒドロキシ安息香
酸エステルとする。この物に４−ヒドロキシ安息香酸を
反応させて光学活性４−ヒドロキシ安息香酸４’−アル
コキシカルボニルフエニルエステルを得る。この物に、
さらに４−置換安息香酸クロリドを作用させて（Ｉｂ）
式の化合物を得る。
（Ｉｃ）式の化合物 すなわち、４−ヒドロキシ安息香酸メチルにＲ＊Ｘを作
用させて光学活性４−アルコシキ安息香酸メチルとした
後、加水分解して光学活性４−アルコキシ安息香酸を得
る。これを塩化チオニルにより酸クロリドとした後、塩
基性溶媒下で４−（４−ヒドロキシベンゾイルオキシ）
アルキルベンゼンもしくは４−（４−ヒドロキシベンゾ
イルオキシ）アルコキシベンゼンと反応させて（Ｉｃ）
式の化合物を得る。
（Ｉｄ）式の化合物 すなわち、テレフタル酸に光学活性アルコールを作用さ
せてモノエステルとした後、塩化チオニルを作用させる
ことにより酸クロリド得る。これに塩基性溶媒の下で４
−（４−ヒドロキシベンゾイルオキシ）アルキルベンゼ
ンもしくは４−（４−ヒドロキシベンゾイルオキシ）ア
ルコキシベンゼンを作用させて（Ｉｄ）式の化合物を得
る。
（Ｉｅ）式の化合物 すなわち、ハイドロキノンモノベンジルエーテルと４−
置換安息香酸クロリドとの反応により得られるエステル
を接触還元して４−（４−置換ベンゾイルオキシ）フエ
ノールを得る。この物に光学活性４−アルコキシ安息香
酸クロリドを塩基性溶媒中で作用させて（Ｉｅ）式の化
合物を得る。
（Ｉｆ）式の化合物 すなわち、光学活性４−アルコキシカルボニル安息香酸
クロリドを塩基性溶媒中で４−（４−アルキルベンゾイ
ルオキシ）フエノールもしくは４−（４−アルコキシベ
ンゾイルオキシ）フエノールと反応させて（Ｉｆ）式の
化合物を製造することができる。
〔発明の作用効果〕 一般式（Ｉ）で示される化合物のうち、あるものは単体
でSC*相を呈することが観察できるが、単体でSC*相が観
察できないものに於いても結晶化点以下に於いてSC*相
を潜在的に有しており、これらのものもSC*液晶組成物
の配合成分として利用できる。前記（Ｉａ）〜（Ｉｆ）
式の化合物のうち（Ｉｅ）及び（Ｉｆ）の化合物は、他
のものに比較してSC*相を生じる傾向が小さい。
（Ｉ）式に於いて、Ｚ*が光学活性アルキル基、例えば
２−メチルブチル基であるものは、自発分極の大きさ
（Ps値）が小さく、（Ｉａ）〜（Ｉｆ）式に示されるよ
うなＺ*＝ＯＲ＊又はＺ*＝COOR*のものの方がより大な
るPsを有するためSC*組成物の配合成分として優れてい
る。本発明の（Ｉ）式の化合物のあるものは、第２表に
示すような大きなPs値を有する。特に試料No.４、５、
６、１２、１３、１６、２０（第２表）に示すようにＺ
*が の型のもの、即ち光学活性２−アルカノールより誘導さ
れた物質は大なるPs値を有する。このような大なる値
は、例えば特開昭５３−２２８８３号記載の次式 の化合物のPs値が、本発明者らの測定によれば約１nC/c
m2という小さい値であるのに比較すれば驚くべき値であ
るといえるものである。更にこれらの物質のすぐれた特
徴としてSC*相のチルト角（基板に対する傾斜角）が大
であることがあげられる（第２表）。後に説明されるSC
*液晶組成物を使用するゲスト・ホスト型光スイッチン
グ素子に於いては、SC*相のチルト角は理想的には４５
°が望ましい。従ってこれらの特徴はゲスト・ホスト型
光スイッチング素子用のSC*液晶組成物の構成成分とし
てのきわめてすぐれた性能を示すものである。
SC*相の光スイッチング効果を表示素子として応用する
場合ＴＮ表示方式に比べて３つのすぐれた特徴がある。
第１の特徴は非常に高速で応答し、その応答時間は通常
のＴＮ表示方式の素子と比較すると、応答時間は1/100
以下である。第２の特徴はメモリー効果があるというこ
とであり、上記の高速応答性とあいまって、時分割駆動
が容易である。第３の特徴はＴＮ表示方式で濃淡の階調
をとるには、印加電圧を調節して行なうが、しきい値電
圧の温度依存性や応答速度の電圧依存性などの難問があ
る。しかしSC*相の光スイッチング効果を応用する場合
には極性の反転時間を調節することにより、容易に階調
を得ることができ、グラフィック表示に非常に適してい
る。
表示方法としては、２つの方式が考えられ、１つの方法
は２枚の偏光子を使用する複屈折型、他の１つの方法は
二色性色素を使用するゲストホスト型である。SC*相は
自発分極をもつため、印加電圧の極性を反転することに
より、らせん軸を回転軸として分子が反転する。SC*相
を有する液晶組成物を液晶分子が電極面に平行にならぶ
ように配向処理を施した液晶表示セルに注入し、液晶分
子のダイレクターと一方の偏光面を平行になるように配
置した２枚の偏光子の間に該液晶セルをはさみ、電圧を
印加して、極性を反転することにより、明視野および暗
視野（偏光子の対向角度により決まる）が得られる。一
方ゲスト・ホスト型で動作する場合には、印加電圧の極
性を反転することにより明視野及び着色視野（偏光板の
配置により決まる）を得ることができる。
一般にスメクチック状態で液晶分子をガラス壁面に平行
に配向させることは難かしく、数十キロガウス以上の磁
場中で等方性液体から非常にゆっくりと冷却する（１℃
〜２℃／hr）ことにより、液晶分子を配向させている
が、スメクチック相を呈する温度より高温域でコレステ
リック相を有する液晶物質では磁場の代わりに５０Ｖ〜
１００Ｖの直流電圧を印加しながらコレステリック相を
呈する温度から１℃／minの冷却速度でスメクチック相
を呈する温度へ冷却することにより、容易に均一に配向
したモノドメイン状態を得ることができる。
尚、（Ｉ）式の化合物に対応するラセミ体は、下記に示
す光学活性体の製法に於いて中間原料として光学活性体
の代りに相当するラセミ体を使用することによって、同
様に製造されるものであるが、光学活性体とほぼ同じ相
転移点を示す。
（Ｉ）式の化合物は、又、光学活性炭素原子を有するた
め、これをネマチック液晶に添加することによって捩れ
た構造を誘起する能力を有する。捩れた構造を有するネ
マチック液晶、即ちカイラルネマチック液晶はＴＮ型表
示素子のいわゆるリバース・ドメイン（reverse domai
n、しま模様）を生成することがないので（Ｉ）式の化
合物はリバース・ドメイン生成の防止剤として使用でき
る。
尚、原料の光学活性アルカノール類のうち、Ｓ（＋）−
２−オクタノール、Ｒ（−）−２−オクタノール、Ｓ
（−）−２−メチルブタノールは市販品として比較的安
価に入手できるが、他の光学活性アルカノール類は現在
のところ高価で大量の使用には向かない。
本発明者らは公知の方法（R.H.Pickardら．J.Chem.So
c.,９９，４５（１９１１）記載の方法）に従ってラセ
ミ体の光学分割をおこなって得たものを原料として使用
したが、これらの光学活性アルカノール類を使用するこ
とによって（Ｉ）式に於けるＺ*の異る諸物質が得られ
る。Ｚ*の鎖長による液晶相転移温度の変化は、わずか
であるので最も容易に入手し得る２−オクタノ−ル及び
２−メチルブタノール以外の光学活性アルカノールを原
料とすることに格別な利点はない。
〔実施例〕
以下、実施例により本発明につき詳細に説明する。
尚、以下の実施例に於ては原料の光学活性アルコールと
してはＳ型のものを使用した例だけを記載するがＲ型の
光学活性アルコールを原料とした場合にも夫々同一の相
転移温度のものが得られる。これは理論上からも当然の
ことである。但し施光度、ら旋の捩れ向き、自発分極の
向きはＳ型とＲ型とでは逆になる。
実施例１ 〔光学活性ｐ−〔Ｐ′−（１−メチルヘプチルオキシ）
ベンゾイルオキシ〕安息香酸ｐ−オクチルオキシフエニ
ルエステル（（Ｉ）式に於いて、Ｘ＝−ＯＣＯ−、Ｙ＝
−ＯＣＯ−、 Ａ＝Ｃ８Ｈ１７Ｏ−のもの（試料No.１３）の製造〕 (i)光学活性ｐ−トルエンスルホン酸１−メチルヘプチ
ルエステルの製造 Ｓ（＋）−２−オクタノール２００ｇ（１．５３６モ
ル）を乾燥ピリジン６００mlに溶解し、そこへ系内の温
度が１０℃以上にならないようにしながらｐ−トルエン
スルホン酸クロリド２９２．８ｇ（１．５３６モル）を
乾燥トルエン４４０mlに溶解した溶液を滴下する。滴下
終了後、室温で１時間攪拌したのち、系内の温度を５０
℃に加温し、そのまま２時間保ってから冷却する。更に
水１とトルエン５００mlを加えて攪拌する。分離した
トルエン層を６Ｎ−ＨＣｌ、次いで２Ｎ−苛性ソーダ水
溶液で洗浄し、更に中性になるまで水洗する。トルエン
を留去すると残留物として３２１．０ｇの光学活性ｐ−
トルエンスルホン酸１−メチルヘプチルエステルを得
た。
(ii)光学活性ｐ−（１−メチルヘプチルオキシ）安息香
酸の製造 ｐ−ヒドロキシ安息香酸メチルエステル１７７．０ｇ
（１．１６モル）をメタノール８００mlに溶解し、水酸
化カリウム６５．０ｇ（１．１６モル）を加える。発熱
がおさまったら(i)で製造した光学活性ｐ−トルエンス
ルホン酸１−メチルヘプチルエステル３００．０ｇ
（１．０６モル）を加え、約４時間還流し室温で放置す
る。冷却したら水１とトルエン５００mlを加えて攪拌
する。分離したトルエン層を２Ｎ−苛性ソーダ水溶液で
十分洗浄し、更に中性になるまで水洗する。トルエンを
留去したのち残留物をエタノール５０mlに溶解し、水酸
化ナトリウム３０．０ｇを水１５０mlに溶解したものを
加え１時間ほど還流する。そののち反応物を塩酸酸性に
し析出した結晶を過し、ヘプタンから再結晶して光学
活性ｐ−（１−メチルヘプチルオキシ）安息香酸９６．
２ｇを得た。
(iii)光学活性ｐ−（１−メチルヘプチルオキシ）安息
香酸クロリドの製造 (ii)で得られた光学活性ｐ−（１−メチルヘプチルオキ
シ）安息香酸９０．０ｇ（０．３６モル）に塩化チオニ
ル５１．２ｇ（０．４３モル）を加え約２時間還流す
る。その後減圧蒸留によって過剰の塩化チオニルを完全
に除去し、光学活性ｐ−（１−メチルヘプチルオキシ）
安息香酸クロリド９０．０ｇを得た。
(iv)ｐ−ヒドロキシ安息香酸ｐ−オクチルオキシフエニ
ルエステルの製造 ｐ−ヒドロキシ安息香酸２０．０ｇ（０．１４５モ
ル）、ｐ−オクチルオキシフエノール４９．０ｇ（０．
２２モル）をトルエン９００mlに溶解し、ホウ酸０．４
５ｇと濃硫酸０．７３ｇを加える。反応によって生じる
水を除去しながら約２１時間還流する。その後トルエン
の大部分を留去し冷却し析出した結晶を過する。この
結晶をエタノールから２回再結晶することによってｐ−
ヒドロキシ安息香酸ｐ−オクチルオキシフエニルエステ
ル２２．４ｇを得た。
(v)表題化合物の製造 (iv)で得られたｐ−ヒドロキシ安息香酸ｐ−オクチルオ
キシフエニルエステル２０．０ｇ（０．０６０モル）を
ピリジン７０mlに溶解する。ここへ氷冷しながら(iii)
で得られた光学活性ｐ−（１−メチルヘプチルオキシ）
安息香酸クロリド１３．７ｇ（０．０５１モル）を滴下
する。約５０〜６０℃に保ちながら２時間攪拌し一晩放
置する。その後トルエン３００ml、水２００mlを加え攪
拌し、トルエン層を６Ｎ−ＨＣｌ次いで２Ｎ−苛性ソー
ダ水溶液で洗浄し更に中性になるまで水洗する。トルエ
ンを留去し残留物をエタノールから再結晶することによ
り目的物である光学活性ｐ−〔ｐ′−（１−メチルヘプ
チルオキシ）ベンゾイルオキシ〕安息香酸ｐ−オクチル
オキシフエニルエステル１０．８ｇを得た。このものの
相転移点は、Ｃ−Ｃｈ点７７．５℃、Ｃｈ−Ｉ点１１
５．６℃、Ｃｈ−SC*点６７．７℃であった。
又、この化合物の元素分析値は次の如く計算値とよく一
致した。
実測値 計算値（C36H46O6として） Ｃ ７５．２０％ ７５．２３％ Ｈ ７．９０％ ８．０７％ 本実施例において種々の光学活性アルコールを用いるこ
とによって対応する種々の（Ｉｃ）式の化合物を得るこ
とができる。また、前記の工程(v)において酸塩化物と
して光学活性ｐ−アルコキシカルボニル安息香酸クロリ
ド、特に光学活性ｐ−（１−メチルヘプチルオキシカル
ボニル）安息香酸クロリドあるいはｐ−（２−メチルブ
トキシカルボニル）安息香酸クロリドを用いることによ
って（Ｉｄ）式の化合物を製造できる。
実施例２ 〔光学活性ｐ−（ｐ′−オクチルオキシベンゾイルオキ
シ）安息香酸ｐ−（１−メチルヘプチルオキシ）フエニ
ルエステル（（Ｉ）式に於いて、X=-COO-、Y=-COO-、 Ａ＝C8H17O−のもの（試料No.5）の製造〕 (i)ｐ−ベンジルオキシ安息香酸クロリドの製造 ｐ−ベンジルオキシ安息香酸１００．０ｇ（０．４４モ
ル）に塩化チオニル６３．１ｇ（０．５３モル）を加
え、約２時間還流する。過剰の塩化チオニルを減圧蒸留
により完全に除去しｐ−ベンジルオキシ安息香酸クロリ
ド６３．４ｇを得た。
(ii)光学活性ｐ−（１−メチルヘプチルオキシ）フエノ
ールの合成 ハイドロキノンモノベンジルエーテル２００．０ｇ
（１．００モル）に、エタノール１０００ml、実施例１
で合成したｐ−トルエンスルホン酸１−メチルヘプチル
エステル２１２．０ｇ（１．１０モル）、水酸化ナトリ
ウム４８．０ｇ（１．２０モル）を水５０．０ｇに溶解
したものを加え約１０時間還流を行なう。エタノールを
留去し残留物に６Ｎ−ＨＣｌ４００ml、トルエン５００
mlを加え攪拌する。トルエン層を６Ｎ−ＨＣｌ、次いで
２Ｎ−苛性ソーダ水溶液で洗浄したのち中性になるまで
水洗しトルエン層を乾燥したのち、トルエンを留去す
る。残留物を活性アルミナ２００ｇのカラムクロマトに
かける。
この残留物をエタノール２００mlに溶解し、５％Ｐｄ／
Ｃｌ０．０ｇの存在下に於いて還元し粗製の光学活性ｐ
−（１−メチルヘプチルオキシ）フエノールを得た。こ
れを減圧において蒸留し光学活性ｐ−（１−メチルヘプ
チルオキシ）フエノール１４２．４ｇ（１．５mmHg１３
２℃）を得た。
(iii)光学活性ｐ−ベンジルオキシ安息香酸ｐ−（１−
メチルヘプチルオキシ）フエニルエステルの製造 (ii)で得られた光学活性ｐ−（１−メチルヘプチルオキ
シ）フエノール５０．０ｇ（０．２２モル）をピリジン
３００mlに溶解し、そこへｐ−ベンジルオキシ安息香酸
クロリド５０．０ｇ（０．２０モル）をトルエン３００
mlに溶解したものを、氷冷しながら滴下する。約５０〜
６０℃に保ちながら２時間攪拌し一晩放置する。その後
トルエン１５００ml、水１０００mlを加え攪拌し、トル
エン層を６Ｎ−ＨＣｌ、次いで２Ｎ−苛性ソーダ水溶液
で洗浄し、更に中性になるまで水洗する。トルエンを留
去し、残留物をエタノールから再結晶することにより光
学活性ｐ−ベンジルオキシ安息香酸ｐ−（１−メチルヘ
プチルオキシ）フエニルエステル６９．０を得た。
(iv)光学活性ｐ−ヒドロキシ安息香酸ｐ−（１−メチル
ヘプチルオキシ）フエニルエステルの製造 (iii)で得られた光学活性ｐ−ベンジルオキシ安息香酸
ｐ−（１−メチルヘプチルオキシ）フエニリルエステル
６９．０ｇ（０．１６モル）を酢酸エチル−エタノール
混合溶媒（２：１）１０００mlに溶解し、５％Ｐｄ／Ｃ
１５．０ｇの存在下に於いて還元し光学活性ｐ−ヒドロ
キシ安息香酸ｐ−（１−メチルヘプチルオキシ）フエニ
ルエステル４９．８ｇを得た。
(v)表題化合物の製造 (iv)で得られた光学活性ｐ−ヒドロキシ安息香酸ｐ−
（１−メチルヘプチルオキシ）フエニルエステル１１．
２ｇ（０．０３３モル）をピリジン５０mlに溶解し、こ
こへｐ−オクチルオキシ安息香酸クロリド８．０ｇ
（０．０３０モル）を氷冷しながら滴下する。約５０〜
６０℃に保ちながら２時間攪拌し一晩放置する。その後
トルエン３００ml、水２００mlを加え攪拌し、トルエン
層を６Ｎ−塩酸、次いで２Ｎ−苛性ソーダ水溶液で洗浄
し、更に中性になるまで水洗する。トルエンを留去し、
残留物をエタノールから再結晶することにより目的物で
ある光学活性ｐ−（ｐ′−オクチルオキシベンゾイルオ
キシ）安息香酸ｐ−（１−メチルヘプチルオキシ）フエ
ニルエステル５．９ｇを得た。このものの相転移点は、
Ｃ−ＳＡ点７５．０℃、ＳＡ−Ｉ点１３４．１℃であっ
た。
又、この化合物の元素分析値は次の如く計算値とよく一
致した。
実測値 計算値（C36H46O6として） Ｃ ７４．９０％ ７５．２３％ Ｈ ８．１０％ ８．０７％ 本実施例においてｐ−トルエンスルホン酸１−メチルヘ
プチルエステルの代わりに種々の光学活性ｐ−トルエン
スルホン酸エステルを用いることによって、対応する種
々の（Ｉａ）式の化合物が製造できる。また、前記の工
程(iii)において光学活性フエノールとして、ｐ−アル
コキシカルボニルフエノール、特にｐ−（１−メチルヘ
プチルオキシカルボニル）フエノールあるいはｐ−（２
−メチルブトキシカルボニル）フエノールを使用するこ
とによって（Ｉｂ）式の化合物を製造することができ
る。
実施例３ 〔光学活性ｐ−（２−メチルブトキシカルボニル）安息
香酸ｐ−（ｐ′−オクチルオキシベンゾイルオキシフエ
ニルエステル（（Ｉ）式に於いてX=-COO-、Y=-OCO-、 Ａ＝Ｃ８Ｈ１７Ｏ−のもの（試料No.２１）の製造〕 (i)ｐ−オキチルオキシ安息香酸ｐ−ベンジルオキシフ
エニルエステルの製造 ハイドロキノンモノベンジルエーテル１００．０ｇ
（０．５０モル）をピリジン６００mlに溶解し、ｐ−オ
クチルオキシ安息香酸クロリド１２２．２ｇ（０．４５
モル）をトルエン６００mlに溶解したものを氷冷しなが
ら滴下する。約５０〜６０℃に保ちながら２時間攪拌し
一晩放置する。その後トルエン３０００ml、水２０００
mlを加え攪拌し、トルエン層を６Ｎ−塩酸次いで２Ｎ−
苛性ソーダ水溶液で洗浄し、更に中性になるまで水洗す
る。トルエンを留去し、残留物をエタノールから再結晶
することによりｐ−オクチルオキシ安息香酸ｐ−ベンジ
ルオキシフエニルエステル１２１．０を得た。
(ii)ｐ−（ｐ′−オクチルオキシベンゾイルオキシ）フ
エノールの製造 ｐ−オクチルオキシ安息香酸ｐ−ベンジルオキシフエニ
ルエステル５０．０ｇ（０．１２モル）を酢酸エチル−
エタノール混合溶媒（２：１）８００mlに溶解し、５％
Ｐｄ／Ｃ２．５ｇの存在下に於いて還元しｐ−（ｐ′−
オクチルオキシベンゾイルオキシ）フエノール３８．６
ｇを得た。
(iii)表題化合物の製造 (ii)で得られたｐ−（ｐ′−オクチルオキシベンゾイル
オキシ）フエノール１０ｇ（０．０２９モル）をピリジ
ン１００mlに溶解し、そこへ光学活性ｐ−（２−メチル
ブトキシカルボニル）安息香酸クロリド５．６ｇ（０．
０２７モル）をトルエン５０mlに溶解したものを氷冷し
ながら滴下する。約５０〜６０℃に保ちながら２時間攪
拌し、トルエン層を６Ｎ−ＨＣｌ次いで２Ｎ−苛性ソー
ダ水溶液で洗浄し、更に中性になるまで水洗する。トル
エンを留去し、残留物をエタノールから再結晶すること
により目的物である光学活性ｐ−（２−メチルブトキシ
カルボニル）安息香酸ｐ−（ｐ’−オクチルオキシベン
ゾイルオキシ）フエニルエステル７．２ｇを得た。
このものの相転移点はＣ−Ｃｈ点１０６．５℃、Ｃｈ−
Ｉ点１４５．５℃であり、また元素分析値は以下の如く
計算値とよく一致した。
実測値 計算値（C33H40O6として） Ｃ ７４．１０％ ７４．４１％ Ｈ ７．４０％ ７．５７％ 本実施例記載の方法と類似の方法で前記（Ｉｆ）式のも
のがすべて製造できる。又、本実施例の第３段階に於い
て光学活性物質として光学活性ｐ−アルコキシ安息香酸
クロリド、特に光学活性ｐ−（１−メチルヘプチルオキ
シ）安息香酸クロリドあるいは光学活性ｐ−（２−メチ
ルブトキシ安息香酸クロリドを使用することによって種
々の（Ｉｅ）式の化合物を製造することができる。
実施例４（使用例１） からなるネマチック液晶組成物を配向処理剤として、ポ
リビニルアルコール（ＰＶＡ）を塗布し、その表面をラ
ビングして平行配向処理を施した透明電極からなる電極
間隔１０μｍのセルに注入してＴＮ型表示セルとし、こ
れを偏光顕微鏡下で観察したところ、リバース・ツイス
トドメインを生じているのが観察された。
この上記のネマチック液晶組成物に本発明の試料No.９
の化合物を１重量％添加し、同様にＴＮ型セルにて観察
したところ、リバース・ツイストドメインは解消され、
均一なネマチック相が観察された。
実施例５（使用例２） 前記第１表中の試料No.１６の光学活性ジエステル液晶
化合物と他の光学活性液晶化合物を用いて、下記の組成
の液晶組成物を調製した。
組成物の調製法は、上記４種の液晶化合物を所定の重量
秤量し、４種の化合物を試料ビン中で加熱溶解しながら
混合するものである。得られた組成物を配向処理とし
て、ＰＶＡを塗布し、表面をラビングして平行配向処理
を施した透明電極を備えたセル厚２μｍのセルに注入
し、この液晶素子を２枚の直交する偏光子の間に設置
し、電界を印加したところ、２０Ｖの印加によって透過
光強度の変化が観測された。この時の透過光強度の変化
から応答時間を求めると、２５℃で約０．７msecの値を
示した。
尚、上記液晶組成物について、偏光顕微鏡によりテクス
チュアの温度変化を調べたところ、１５℃から５０℃の
温度範囲で強誘電性液晶となることが判明し、その自発
分極の大きさは、２５℃で２０nC/cm2であり、チルト角
は２４°であった。
実施例６（使用例３） 前記第１表中の試料番号１３及び１５の光学活性ジエス
テル液晶化合物及び他の光学活性液晶化合物を用い、実
施例５と同様な方法で下記の組成の液晶組成物を調製し
た。
この組成物に二色性色素としてアントラキノン系色素の
Ｄ−１６（ＢＤＨ社製）を３重量％添加していわゆるゲ
スト・ホスト型にしたものを実施例５と同様なセル（た
だし、セル厚は１０μｍ）に注入し、１枚の偏光子を偏
光面が分子軸に平行になる様に設置し、電界を印加した
ところ、４０Ｖの印加によって、透過光強度の変化が観
測された。この時の透過光強度の変化から応答時間を求
めると、２５℃で約２msecの値を示した。
尚、上記液晶組成物について、偏光顕微鏡により、テク
スチュアの温度変化を調べたところ、２０℃から６０℃
の温度範囲で強誘電性液晶となることが判明し、その自
発分極の大きさは、２５℃で１８nC/cm2であり、チルト
角は３５°であった。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】一般式 （但し、上式に於いて、Ｘは-COO-あるいは-OCO-のいず
    れかであり、ＹはＸが-COO-のとき-COO-又は-OCO-であ
    り、Ｘが-OCO-のとき-OCO-である。また、Ｚ*は炭素数
    ４−１０の光学活性なアルコキシ基又はアルコキシカル
    ボニル基を示し、Ａは炭素数４−１２の光学活性でない
    アルキル基又はアルコキシ基を示す）で表わされる光学
    活性化合物。
  2. 【請求項２】（Ｉ）式に於けるＺ*が光学活性な１−メ
    チルヘプチルオキシ基である特許請求の範囲第１項記載
    の光学活性化合物。
  3. 【請求項３】（Ｉ）式に於けるＺ*が光学活性な２−メ
    チルブトキシ基である特許請求の範囲第１項記載の光学
    活性化合物。
  4. 【請求項４】（Ｉ）式に於けるＺ*が光学活性な１−メ
    チルヘプチルオキシカルボニル基である特許請求の範囲
    第１項記載の光学活性化合物。
  5. 【請求項５】（Ｉ）式に於けるＺ*が光学活性な２−メ
    チルブトキシカルボニル基である特許請求の範囲第１項
    記載の光学活性化合物。
  6. 【請求項６】一般式 （但し、上式に於いて、Ｘは-COO-あるいは-OCO-のいず
    れかであり、ＹはＸが-COO-のとき-COO-又は-OCO-であ
    り、Ｘが-OCO-のとき-OCO-である。また、Ｚ*は炭素数
    ４−１０の光学活性なアルコキシ基又はアルコキシカル
    ボニル基を示し、Ａは炭素数４−１２の光学活性でない
    アルキル基又はアルコキシ基を示す）で表わされる光学
    活性液晶化合物を少なくとも１種含有することを特徴と
    する少なくとも２成分からなる液晶組成物。
  7. 【請求項７】特許請求の範囲第６項に記載のカイラルス
    メクチック液晶組成物。
  8. 【請求項８】一般式 （但し、上式に於いて、Ｘは-COO-あるいは-OCO-のいず
    れかであり、ＹはＸが-COO-のとき-COO-又は-OCO-であ
    り、Ｘが-OCO-のとき-OCO-である。また、Ｚ*は炭素数
    ４−１０の光学活性なアルコキシ基又はアルコキシカル
    ボニル基を示し、Ａは炭素数４−１２の光学活性でない
    アルキル基又はアルコキシ基を示す）で表わされる光学
    活性液晶化合物を少なくとも１種含有する少なくとも２
    成分からなるカイラルスメクチックＣ相を呈する液晶組
    成物を使用して構成された光スイッチング素子。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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GB1510610A (en) * 1975-11-06 1978-05-10 Dainippon Toryo Kk Optically active benzoylbenzoates

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