JPH06101490B2 - ワイヤボンディング方法 - Google Patents

ワイヤボンディング方法

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JPH06101490B2 JP1283335A JP28333589A JPH06101490B2 JP H06101490 B2 JPH06101490 B2 JP H06101490B2 JP 1283335 A JP1283335 A JP 1283335A JP 28333589 A JP28333589 A JP 28333589A JP H06101490 B2 JPH06101490 B2 JP H06101490B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ウエハチップとリードフレームとの間を接
続するワイヤボンディング方法の改良に関するものであ
る。
〔従来の技術〕
従来のワイヤボンディング方法を第2図について説明す
る。図において、(1)はウエハチツプ、(2)はウエ
ハチツプ(1)上にアルミの部分で構成された第1のボ
ンディング点、(3)はウエハチップ(1)のエツジ
部、(4)はリードフレームのリード端子で構成された
第2のボンディング点、(5)はワイヤ、(6)はワイ
ヤ(5)を通すキャピラリー、(7)はボンディング完
了したワイヤ、(7a)はワイヤ(7)の折曲点であり、
この折曲点(7a)はワイヤ(5)のトーチスパーク入熱
の程度により高さは一定でない。(7b)はウエハチツプ
(1)とリードフレーム(4)との間を接続するワイヤ
(5)の折曲点、(8)はキャピラリー(6)の移動す
る軌跡であり、折曲点(8a),(8b)と最上端(8c)を
経由している。
なお、折曲点(8a)は第1のボンディング点(2)の真
上であり、折曲点(8b)は折曲点(8a)と同じ高さであ
る。折曲点(8a)の高さH1および折曲点(8b)の水平移
動距離L1により、ワイヤ(7)の第1のボンディング点
(2)より折曲部(7b)までのワイヤ長ωは次式
(1)で設定される。
また、ワイヤ(7)の折曲点(7b)より、第2のボンデ
ィング点(4)までのワイヤ長ωは第1のボンディン
グ点(2)と第2のボンディング点(4)の距離をL、
高さをSまたは第2のボンディング(4)と折曲点(7
b)の高さをS1とすると、次式(2)で求められる。
折曲点(8b)より最上端(8c)の高さH2は次式(3)で
求められる。
H2=ω ……(3) キャピラリー(6)を軌跡(8)のように移動させるこ
とにより、上記式で決定されるワイヤ(7)のループを
形成する。
次に動作について説明する。第2図において、第1のボ
ンディング点(2)でボンディング完了後、キャピラリ
ー(6)は折曲点(8a)まで上昇し、第2のボンディン
グ点(4)と反対方向に折曲点(8b)まで水平移動す
る。この水平移動により折曲げが形成される。次に、キ
ャピラリー(6)は最上端(8c)まで上昇し、第2のボ
ンディング点(4)まで移動と同時に下降し、第2のボ
ンディング点(4)にボンディングを行ない、ワイヤ
(7)のループを形成する。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のワイヤボンディング方法は以上のように行なわれ
ているので、トーチスパークの入熱条件によりループ高
さのコントロールができず、一定した均一なループ高さ
の生成が困難で、ループ高さのバラツキ精度が±10μm
以内の安定したワイヤリングの形状が生成できないなど
の問題点があつた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ループ高さ及びループの水平部分の長さを設
定することで、キャピラリー移動で2点の折曲を付け、
常に一定のループ高さ及びループの水平部の長さを保
ち、安定したワイヤリングの形状が生成できるワイヤボ
ンディング方法を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係るワイヤボンディング方法は、半導体装置
の第1のボンディング点でボンディングした後、ワイヤ
の第1の折り曲げ点まで第1のボンディング点を離れる
方向にキャピラリーを上昇するとともに第2のボンディ
ング点と逆方向にキャピラリーを横方向移動する工程
と、ワイヤの第1の折り曲げ点よりさらに第1のボンデ
ィング点を離れた位置にあるワイヤの第2の折り曲げ点
までキャピラリーを上昇するとともに第2のボンディン
グ点と逆方向にキャピラリーを横方向移動する工程と、
第1のボンディング点から半導体装置の第2のボンディ
ング点までの所定のループ長さになるまでキャピラリー
を上昇するとともにキャピラリーを第2のボンディング
点まで移動しボンディングする工程とを備えることで安
定したワイヤボンディングの形状を生成するものであ
る。
〔作用〕
この発明においては、半導体装置の第1のボンディング
点でボンディングした後、ワイヤの第1の折り曲げ点ま
で第1のボンディング点を離れる方向にキャピラリーを
上昇するとともに第2のボンディング点と逆方向にキャ
ピラリーを横方向移動する工程と、ワイヤの第1の折り
曲げ点よりさらに第1のボンディング点を離れた位置に
あるワイヤの第2の折り曲げ点までキャピラリーを上昇
するとともに第2のボンディング点と逆方向にキャピラ
リーを横方向移動する工程と、第1のボンディング点か
ら半導体装置の第2のボンディング点までの所定のルー
プ長さになるまでキャピラリーを上昇するとともにキャ
ピラリーを第2のボンディング点まで移動しボンディン
グする工程とを備えることにより、二つの折れ曲がりの
くせを付け、この部分よりワイヤが折れ曲がり、ループ
高さと長さが均一になるので均一なループが高精度で生
成される。
〔実施例〕
この発明の一実施例を第1図について説明する。図にお
いて、(7A)はボンディング完了したワイヤであり、
(a)は設定されるループ高さで、(b)は設定される
ループの水平部分の長さである。(7a)はワイヤ(7)
の折曲点であり、第1のボンディング点(2)の上に位
置し、高さは(a)である。(7b)はウエハチップ
(1)とリードフレーム(4)との間を接続するワイヤ
の折曲点であり、高さは(a)で、折曲点(7a)との距
離は(b)である。
(8A)はキャピラリー(6)の移動する軌跡であり、折
曲点(8a),(8b),(8c),(8d)と最上端(8e)を
経由している。なお折曲点(8a)は第1のボンディング
点(2)の真上である。折曲点(8b)は折曲点(8a)と
同じ高さである。折曲点(8c)は折曲点(8b)の真上で
ある。折曲点(8d)は折曲点(8c)と同じ高さである。
上記折曲点(8b)及び(8d)より、ワイヤ(7A)にくせ
がつけられ、それにあたる部分が折曲点(7a)及び(7
b)である。
その他の符号の説明は従来方法と同様につき省略する。
次に動作について説明する。第1図において、第1のボ
ンディング点(2)でボンディング完了後、キャピラリ
ー(6)は折曲点(8a)まで上昇し、第2のボンディン
グ点(4)と反対方向に折曲点(8b)まで水平移動す
る。この水平移動により、ワイヤ(7A)にくせがつき、
その部分が折曲点(7a)の部分となる。
次に、キャピラリー(6)は折曲点(8c)まで上昇し、
第2のボンディング点(4)と反対方向に折曲点(8d)
まで水平移動する。この水平移動により、ワイヤ(7A)
にくせがつき、その部分が折曲点(7b)の部分となる。
次にキャピラリー(6)は最上端(8e)まで上昇し、第
2のボンディング点(4)まで移動と同時に下降し、第
2のボンディング点(4)にボンディングを行なう。
キャピラリー(6)を軌跡(8A)のように移動させるこ
とによりワイヤ(7A)のループを形成する。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば半導体装置の第1のボ
ンディング点でボンディングした後、ワイヤの第1の折
り曲げ点まで第1のボンディング点を離れる方向にキャ
ピラリーを上昇するとともに第2のボンディング点と逆
方向にキャピラリーを横方向移動する工程と、ワイヤの
第1の折り曲げ点よりさらに第1のボンディング点を離
れた位置にあるワイヤの第2の折り曲げ点までキャピラ
リーを上昇するとともに第2のボンディング点と逆方向
にキャピラリーを横方向移動する工程と、第1のボンデ
ィング点から半導体装置の第2のボンディング点までの
所定のループ長さになるまでキャピラリーを上昇すると
ともにキャピラリーを第2のボンディング点まで移動し
ボンディングする工程とを備えることにより、二つの折
れ曲がりのくせを付け、この部分よりワイヤを折れ曲
げ、ループ高さと長さを均一にすることで安定したワイ
ヤリングの形状が生成できるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例によるキャピラリーの軌跡
とループ形状を示す図、第2図は従来のキャピリーの軌
跡とループ形状を示す図である。 図において、(1)はウエハチップ、(2)は第1のボ
ンディング点、(4)は第2のボンディング点、(5)
はワイヤ、(6)はキャピラリー、(7A)はワイヤ、
(7a),(7b)はワイヤ(7A)の折曲点、(8A)はキャ
ピラリー(6)の軌跡、(8a)〜(8e)はキャピラリー
(6)の折曲点を示す。 なお、図中同一符号は同一又は相当部を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体装置の第1のボンディング点でボン
    ディングした後、ワイヤの第1の折り曲げ点まで上記第
    1のボンディング点を離れる方向にキャピラリーを上昇
    するとともに第2のボンディング点と逆方向にキャピラ
    リーを横方向移動する工程と、 上記ワイヤの第1の折り曲げ点よりさらに上記第1のボ
    ンディング点を離れた位置にある上記ワイヤの第2の折
    り曲げ点までキャピラリーを上昇するとともに第2のボ
    ンディング点と逆方向にキャピラリーを横方向移動する
    工程と、 上記第1のボンディング点から上記半導体装置の第2の
    ボンディング点までの所定のループ長さになるまでキャ
    ピラリーを上昇するとともにキャピラリーを第2のボン
    ディング点まで移動しボンディングする工程と、 を備えたワイヤボンディング方法。
JP1283335A 1989-10-30 1989-10-30 ワイヤボンディング方法 Expired - Lifetime JPH06101490B2 (ja)

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US7464854B2 (en) 2005-01-25 2008-12-16 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Method and apparatus for forming a low profile wire loop
KR102520094B1 (ko) * 2016-02-02 2023-04-10 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지

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