JPS6153737A - 電子装置の組立法及び組立装置 - Google Patents
電子装置の組立法及び組立装置Info
- Publication number
- JPS6153737A JPS6153737A JP59174961A JP17496184A JPS6153737A JP S6153737 A JPS6153737 A JP S6153737A JP 59174961 A JP59174961 A JP 59174961A JP 17496184 A JP17496184 A JP 17496184A JP S6153737 A JPS6153737 A JP S6153737A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- bonding
- laser beam
- pad
- wires
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/03—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05553—Shape in top view being rectangular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48464—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
- H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48617—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
- H01L2224/48624—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
- H01L2224/487—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48717—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
- H01L2224/48724—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/8521—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation
- H01L2224/85214—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation using a laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/1016—Shape being a cuboid
- H01L2924/10162—Shape being a cuboid with a square active surface
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は電子装置の組立の際のレーザ光を用いたワイヤ
ボンディング技術に関する。
ボンディング技術に関する。
ICやLSIなどの半導体装置においては、半導体チッ
プの外端子と外部リードと接続(ポンディング)のため
にチップ周辺に金属からなる外部接続用端子部、すなわ
ちポンディングパッドを設け、このポンディングパッド
に対し金やアルミニウムなどの導電性ワイヤを接続する
。この方法としては、例えば工業調査会発行、伝田精−
著集櫃回路技術147項〜148項に示されるような、
キャピラリのネイルヘッドにより熱圧着する方法や、又
はワイヤ先端にボールをつくシ超音波ボンダによF)
ハツトに押付けて摩擦加熱を行うことが従来より知られ
ている。
プの外端子と外部リードと接続(ポンディング)のため
にチップ周辺に金属からなる外部接続用端子部、すなわ
ちポンディングパッドを設け、このポンディングパッド
に対し金やアルミニウムなどの導電性ワイヤを接続する
。この方法としては、例えば工業調査会発行、伝田精−
著集櫃回路技術147項〜148項に示されるような、
キャピラリのネイルヘッドにより熱圧着する方法や、又
はワイヤ先端にボールをつくシ超音波ボンダによF)
ハツトに押付けて摩擦加熱を行うことが従来より知られ
ている。
上記ポンディングパッドはワイヤポンディング時の位置
合せ余裕や、金ワイヤの場合はワイヤ先端の金ボールの
大きさ、あるいは超音波ポンディングの場合はアルミニ
ウムの超音波の振動方向の余裕等を考慮して、その寸法
及び周囲の素子のクリアランス路離を決めるようにして
いる。
合せ余裕や、金ワイヤの場合はワイヤ先端の金ボールの
大きさ、あるいは超音波ポンディングの場合はアルミニ
ウムの超音波の振動方向の余裕等を考慮して、その寸法
及び周囲の素子のクリアランス路離を決めるようにして
いる。
したがってワイヤポンディングのため半導体チップに訃
いて、有効な素子を起立するための面積がかなシ制限さ
れてしまう。又、熱圧着や超音波振動等の手段によれば
ポンディング時の機械的衝5だが大きく、そのため、パ
ッドへの配線が切れたυパッド下の絶縁膜が破損して短
絡したりすることがあった。
いて、有効な素子を起立するための面積がかなシ制限さ
れてしまう。又、熱圧着や超音波振動等の手段によれば
ポンディング時の機械的衝5だが大きく、そのため、パ
ッドへの配線が切れたυパッド下の絶縁膜が破損して短
絡したりすることがあった。
本発明は上述した問題を克服するべくなされたものであ
る。
る。
本発明の一つの目的は、ポンディングパッドに対して機
械的衝撃を与えることなく、パッド面積も小さくてすむ
ワイヤポンディング技術を提供することKある。
械的衝撃を与えることなく、パッド面積も小さくてすむ
ワイヤポンディング技術を提供することKある。
本発明の他の一つの目的は、ポンディング時間を短縮し
、作業能率化できるワイヤポンディング装置を提供する
ことにある。
、作業能率化できるワイヤポンディング装置を提供する
ことにある。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば下記のとおりである。
を簡単に説明すれば下記のとおりである。
すなわち、半導体チップ上のポンディングパッドに対し
てワイヤを接続するにあたって、両者を接触させた状態
でその部分にレーザ光を照射し、パッドとワイヤとの接
触部分の金属を合金させることによ逆接続させるもので
、これにより機械的衝撃もなくパッド面積が小さくてす
み、チップ上の有効素子面積金増やすことができ、前記
の発明の目的が達成できる。
てワイヤを接続するにあたって、両者を接触させた状態
でその部分にレーザ光を照射し、パッドとワイヤとの接
触部分の金属を合金させることによ逆接続させるもので
、これにより機械的衝撃もなくパッド面積が小さくてす
み、チップ上の有効素子面積金増やすことができ、前記
の発明の目的が達成できる。
第1図乃至第3図は本発明の一実施例を示すも
(のであって、このうち、第1図及び第2図はワイ
ヤボンディング時の半導体装置の一部拡大正面図である
。
(のであって、このうち、第1図及び第2図はワイ
ヤボンディング時の半導体装置の一部拡大正面図である
。
(1) 第1図において1はICなどの半導体チップ
でその主面周辺にアルミニウムよりなるポンディングパ
ッド2が形成されている。
でその主面周辺にアルミニウムよりなるポンディングパ
ッド2が形成されている。
3はチップ1が取付けられたタブ、4はリードで、これ
らはこの段階では一体の銅系金属リードフレームとして
形成されている。
らはこの段階では一体の銅系金属リードフレームとして
形成されている。
5は金(又はアルミニウム)からなるワイヤで、その一
端はリードフレーム4上にボンダ等を用いて、熱圧着ポ
ンディングすることにより接続され、その他端をボンダ
6によりチップ上方に引き出し、水素焔等により溶断し
て先端を小球(ボール)化してポンディングパッド2上
に接触ないし軽くポンディングした状態とする。
端はリードフレーム4上にボンダ等を用いて、熱圧着ポ
ンディングすることにより接続され、その他端をボンダ
6によりチップ上方に引き出し、水素焔等により溶断し
て先端を小球(ボール)化してポンディングパッド2上
に接触ないし軽くポンディングした状態とする。
(2) このあと第2図に示すように、上方よシレー
ザ照射装置によシレーザ光をワイヤとパッドとの接触部
分に照射し、その部分7の金属を溶融して合金化するこ
とによりワイヤのパッドとを接続する。
ザ照射装置によシレーザ光をワイヤとパッドとの接触部
分に照射し、その部分7の金属を溶融して合金化するこ
とによりワイヤのパッドとを接続する。
第3図はワイヤポンディング完了後のワイヤの形態を示
す拡大斜面図である。
す拡大斜面図である。
以上実施例で説明した本発明によればワイヤとポンディ
ングパッドの接触部分をレーザ光照射によシ合会させる
のであるから、熱圧着や超音波の振動も不要でめり、金
ボールの大きさも小言ぐてよいから位置合せを正確にで
きる。
ングパッドの接触部分をレーザ光照射によシ合会させる
のであるから、熱圧着や超音波の振動も不要でめり、金
ボールの大きさも小言ぐてよいから位置合せを正確にで
きる。
また、レーザ光照射のみであるから機械的衝撃もない。
したがって小さい寸法のポンディングパッドに対しても
ワイヤポンディングが可能となり、パッド間や周囲の素
子とのクリアランスも小さくてす゛むO たとえば、従来の熱圧着ポンディングの場合、パッドの
一辺の寸法を120μm、パッド間隔を40μmf少な
くとも必要としたが、本発明によればこれを10%程度
低減することができた。
ワイヤポンディングが可能となり、パッド間や周囲の素
子とのクリアランスも小さくてす゛むO たとえば、従来の熱圧着ポンディングの場合、パッドの
一辺の寸法を120μm、パッド間隔を40μmf少な
くとも必要としたが、本発明によればこれを10%程度
低減することができた。
このような本発明のワイヤポンディング法を採用するこ
とにより、チップにおけるICやLSIの有効素子面積
を増やすことができ、又、ワイヤとバット部分のレーザ
照射は瞬間からに行えるからボンディング作業時間も短
縮される。
とにより、チップにおけるICやLSIの有効素子面積
を増やすことができ、又、ワイヤとバット部分のレーザ
照射は瞬間からに行えるからボンディング作業時間も短
縮される。
〔実施例2〕
第4図、第5図は本発明による他の一実施例を示すもの
であって、第4図はワイヤボンディング時の半導体装置
の全体平面図、第5図は第4図におけるA −A 切
断断面図である。
であって、第4図はワイヤボンディング時の半導体装置
の全体平面図、第5図は第4図におけるA −A 切
断断面図である。
この実施例では、第4図に示すように半導体チップ1を
複数のリード4が一体に形成されたリードフレーム上に
接続(ペレットボンディング)、一方、薄い金屈板から
複数のワイヤ部分8を小フレーム9によシ一体に形成し
たもの(ワイヤフレーム)を用い各ワイヤの内端をチッ
プのポンディングパッド2上に同時に位置決め接触(セ
ット)できるようになっている。
複数のリード4が一体に形成されたリードフレーム上に
接続(ペレットボンディング)、一方、薄い金屈板から
複数のワイヤ部分8を小フレーム9によシ一体に形成し
たもの(ワイヤフレーム)を用い各ワイヤの内端をチッ
プのポンディングパッド2上に同時に位置決め接触(セ
ット)できるようになっている。
第5図に示すようにレーザ光照射を行い(矢印り、)各
組のパッドとワイヤ先端部を同時に合金化してワイヤボ
ンディング(○印)を行う。このあ゛と、又は同時に、
ワイヤの他部分とリードとの接触部分にもレーザ光照射
を行い(矢印Lx)、ワイヤボンディング(○印)を行
う。ワイヤボンディング後はX印の部分でレーザ光照射
り、によシ溶断することにより「ワイヤフレーム」の外
側の不要部(9)を取り除くことになる。
組のパッドとワイヤ先端部を同時に合金化してワイヤボ
ンディング(○印)を行う。このあ゛と、又は同時に、
ワイヤの他部分とリードとの接触部分にもレーザ光照射
を行い(矢印Lx)、ワイヤボンディング(○印)を行
う。ワイヤボンディング後はX印の部分でレーザ光照射
り、によシ溶断することにより「ワイヤフレーム」の外
側の不要部(9)を取り除くことになる。
実施例2で説明した本発明によれば実施例1で述べたよ
うな効果の他に、複数のワイヤ部分を一体のフレームと
して形成したものを使用することによシ、複数のポンデ
ィングパッドに対して、レーザ光照射し、極めて短時間
に能率よく一つのチップのワイヤボンディングを完了す
ることができる効果を有する。
うな効果の他に、複数のワイヤ部分を一体のフレームと
して形成したものを使用することによシ、複数のポンデ
ィングパッドに対して、レーザ光照射し、極めて短時間
に能率よく一つのチップのワイヤボンディングを完了す
ることができる効果を有する。
〔実施例3〕
第6図は本発明の他の一実施例を示すものでありて、実
施例2で述べたワイヤボンディングを自動的に行うため
の半導体装置組立装置(ワイヤボンディング装置)の原
理的構成を示す一部断面図ブロック線図である。
施例2で述べたワイヤボンディングを自動的に行うため
の半導体装置組立装置(ワイヤボンディング装置)の原
理的構成を示す一部断面図ブロック線図である。
10はリードフレーム設置台でありて、この上
!にリードフレーム4を固定設置すると同時にそれ
自体が水平方向(X、Y方向)に任意の路離だけ移動で
きる移動手段を有する。11はワイヤ保持装置であって
、実施例2で説明した「ワイヤフレーム」をたとえば真
空吸引手段により吸着保持するとともにX、Y、及び2
(垂直方向)方向に自ら移動してワイヤ位置決めをする
移動手段を有する。
!にリードフレーム4を固定設置すると同時にそれ
自体が水平方向(X、Y方向)に任意の路離だけ移動で
きる移動手段を有する。11はワイヤ保持装置であって
、実施例2で説明した「ワイヤフレーム」をたとえば真
空吸引手段により吸着保持するとともにX、Y、及び2
(垂直方向)方向に自ら移動してワイヤ位置決めをする
移動手段を有する。
12はレーザ光照射装置であって、垂直方向にレーザ光
を照射するとともに、左、右方向に移動又はスイング(
振動)してボンディング個所に位置決めできる移動手段
を有する。このレーザ光照射装置はポンディングパッド
の数に対応して複数個設置してもよい。
を照射するとともに、左、右方向に移動又はスイング(
振動)してボンディング個所に位置決めできる移動手段
を有する。このレーザ光照射装置はポンディングパッド
の数に対応して複数個設置してもよい。
13は制御装置でありて、リードフレーム設置台10、
ワイヤフレーム保持装置11及びレーザ光照射装置12
を相互に移動して位置決めさせるようにコントロールす
るとともK、位置決めができたところでレーザ光照射を
指令するものである。
ワイヤフレーム保持装置11及びレーザ光照射装置12
を相互に移動して位置決めさせるようにコントロールす
るとともK、位置決めができたところでレーザ光照射を
指令するものである。
このようなワイヤボンディング装置を用いて自動組立を
行うにあたっては、リードフレーム設置台10上にリー
ドフレーム(3,4)を設置固定し、タブ3上に半導体
チップ1をペレットボンディング(図示されないペレッ
トボンダを使用する)を行ったのち、ワイヤフレーム保
持装置11によりワイヤフレーム(第4図8.9)t−
一端で保持して制御装置13を動作して各ワイヤの先端
がチップの各パッド上に位置決めされるようにワイヤフ
レーム保持装置又はリードフレーム設置台を移動させる
。位置決めが完了したところでレーザ光照射装置を移動
させて、所定位置より各ボンディング点でレーザ光照射
を行ってワイヤとパッド、ワイヤとリードとの接続を行
う。さいごにワイヤフレームの周囲部分をレーザ光照射
して溶断する。
行うにあたっては、リードフレーム設置台10上にリー
ドフレーム(3,4)を設置固定し、タブ3上に半導体
チップ1をペレットボンディング(図示されないペレッ
トボンダを使用する)を行ったのち、ワイヤフレーム保
持装置11によりワイヤフレーム(第4図8.9)t−
一端で保持して制御装置13を動作して各ワイヤの先端
がチップの各パッド上に位置決めされるようにワイヤフ
レーム保持装置又はリードフレーム設置台を移動させる
。位置決めが完了したところでレーザ光照射装置を移動
させて、所定位置より各ボンディング点でレーザ光照射
を行ってワイヤとパッド、ワイヤとリードとの接続を行
う。さいごにワイヤフレームの周囲部分をレーザ光照射
して溶断する。
なお、レーザ光照射装置は制御装置よりの指令によって
、その角度を変える(スイングする)ことにより各ボン
ディング点に対するレーザ光照射を行うことができる。
、その角度を変える(スイングする)ことにより各ボン
ディング点に対するレーザ光照射を行うことができる。
実施例3で説明した本発明によれは、実施例2で述べた
複数のワイヤ部分を一体のフレームとして形成したもの
t用いて、複数のボンディング個所に対してレーザ光照
射を連続的に行い、自動的にボンディング作業を行うこ
とができる。
複数のワイヤ部分を一体のフレームとして形成したもの
t用いて、複数のボンディング個所に対してレーザ光照
射を連続的に行い、自動的にボンディング作業を行うこ
とができる。
以上本発明によってなさnた発明を実施例にもとづき具
体的に説明したが本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能で
めることはいうまでもない。
体的に説明したが本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能で
めることはいうまでもない。
たとえは、実力市例1でのべた単独のワイヤの場合も実
施例3で述べた装置を用いて自動的にワイヤボンディン
グが可能である。
施例3で述べた装置を用いて自動的にワイヤボンディン
グが可能である。
本発明はワイヤを用いて、ボンディングを行う全ての半
導体装置の組立に適用することかできる。
導体装置の組立に適用することかできる。
第1図、第2図は本発明の一実施例を示すワイヤボンデ
ィング半導体装置の一部拡大正面図である。 第3図はワイヤボンディング完了後の形態を示す斜面図
である。 第4図は本発明の他の一実施例を示すワイヤボンディン
グ半導体装置の要部平面図である。 第5図は第4図におけるA−A’ 視断面図である。 第6図は本発明の他の一実施例を示す自動ワイヤボンデ
ィング装置の一部正面図、ブロック線図である。 1・・・半導体チップ、2・・・ボンディングバノド、
3・・・タブ、4・・・リード、5・・・ワイヤ、6・
・・ワイヤボンダ、7・・・合金された部分、8・・・
ワイヤフレームのワイヤ部分、9・・・ワイヤフレーム
のフレーム。
ィング半導体装置の一部拡大正面図である。 第3図はワイヤボンディング完了後の形態を示す斜面図
である。 第4図は本発明の他の一実施例を示すワイヤボンディン
グ半導体装置の要部平面図である。 第5図は第4図におけるA−A’ 視断面図である。 第6図は本発明の他の一実施例を示す自動ワイヤボンデ
ィング装置の一部正面図、ブロック線図である。 1・・・半導体チップ、2・・・ボンディングバノド、
3・・・タブ、4・・・リード、5・・・ワイヤ、6・
・・ワイヤボンダ、7・・・合金された部分、8・・・
ワイヤフレームのワイヤ部分、9・・・ワイヤフレーム
のフレーム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体チップ上に形成された導電性物質からなる外
部接続用パッドに対して金属からなるワイヤを接触させ
た状態で、その部分にレーザ光を照射することにより、
前記パッドとワイヤを接続させることを特徴とする電子
装置の組立法。 2、半導体チップ上に形成された導電性物質よりなる外
部接続用パッドに対して導電性物質よりなるワイヤを接
続させるにあたって、複数のワイヤをフレームにより一
体化したものを使用し、これら複数のワイヤ先端を対応
するパッド上に同時に接触させた状態でこの接触部分に
対しレーザ光照射を行い前記パッドとワイヤを接続する
ことを特徴とする電子装置の組立法。 3、半導体チップの一主面上に形成された外部接続用パ
ッドに対して導電性物質よりなるワイヤの一端を位置決
めし、かつ接触を保つためのワイヤ保持装置と、上記パ
ッドとワイヤの接触部分に対してレーザ光を照射するレ
ーザ照射装置及び上記ワイヤ保持装置とレーザ照射装置
の動作を連繋してコントロールする制御装置とからなる
電子装置の組立装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59174961A JPS6153737A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 電子装置の組立法及び組立装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59174961A JPS6153737A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 電子装置の組立法及び組立装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6153737A true JPS6153737A (ja) | 1986-03-17 |
Family
ID=15987762
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59174961A Pending JPS6153737A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 電子装置の組立法及び組立装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6153737A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100467589B1 (ko) * | 2002-06-21 | 2005-01-24 | 삼성전자주식회사 | 잉크젯 프린트헤드 및 fpc 배선 연결방법 |
WO2006120886A1 (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Denso Corporation | 素子部を有する半導体装置およびその製造方法 |
US7820489B2 (en) | 2006-04-19 | 2010-10-26 | Nec Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor apparatus |
US8299620B2 (en) | 2007-07-05 | 2012-10-30 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device with welded leads and method of manufacturing the same |
-
1984
- 1984-08-24 JP JP59174961A patent/JPS6153737A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100467589B1 (ko) * | 2002-06-21 | 2005-01-24 | 삼성전자주식회사 | 잉크젯 프린트헤드 및 fpc 배선 연결방법 |
WO2006120886A1 (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Denso Corporation | 素子部を有する半導体装置およびその製造方法 |
JP2006344934A (ja) * | 2005-05-09 | 2006-12-21 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4710700B2 (ja) * | 2005-05-09 | 2011-06-29 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
US7820489B2 (en) | 2006-04-19 | 2010-10-26 | Nec Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor apparatus |
US8299620B2 (en) | 2007-07-05 | 2012-10-30 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device with welded leads and method of manufacturing the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5872405A (en) | Laser wire bonding for wire embedded dielectrics to integrated circuits | |
US6892927B2 (en) | Method and apparatus for bonding a wire to a bond pad on a device | |
US5938952A (en) | Laser-driven microwelding apparatus and process | |
JPH0455341B2 (ja) | ||
US6268652B1 (en) | CSP type semiconductor device with reduced package size | |
JPS6153737A (ja) | 電子装置の組立法及び組立装置 | |
JPH05211192A (ja) | 半導体装置のワイヤボンディング方法 | |
JPH05109808A (ja) | ワイヤボンデイング方法およびその装置 | |
US5899375A (en) | Bump bonder with a discard bonding area | |
JPH0513503A (ja) | リードの接合方法 | |
JP2821777B2 (ja) | フリップチップ用ic及びその製造方法 | |
TW201308458A (zh) | 導線接合裝置及半導體裝置之製造方法 | |
KR100413477B1 (ko) | 와이어 본더의 본더헤드 | |
JP3293757B2 (ja) | 半導体装置製造用リードフレーム組立体の製造方法 | |
JP2712595B2 (ja) | 半導体装置の接合方法 | |
JPH0456230A (ja) | バンプ成形方法 | |
JPH0590320A (ja) | ボール式ワイヤーボンデイング方法 | |
JPH077034A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JPS61117846A (ja) | 接合用金属突起の製造方法 | |
JPH04251948A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH113905A (ja) | 半導体装置およびその製造方法ならびにその製造に用いるリードフレーム | |
JPH0837191A (ja) | バンプ形成方法 | |
JPS63255928A (ja) | 半導体チツプの接合方法 | |
JPH039525A (ja) | バンプ形成方法及びその形成装置 | |
JPH10199913A (ja) | ワイヤボンディング方法 |