JPH05144820A - 半導体装置の製造方法及びその装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及びその装置Info
- Publication number
- JPH05144820A JPH05144820A JP2402585A JP40258590A JPH05144820A JP H05144820 A JPH05144820 A JP H05144820A JP 2402585 A JP2402585 A JP 2402585A JP 40258590 A JP40258590 A JP 40258590A JP H05144820 A JPH05144820 A JP H05144820A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- ball
- capillary
- chip
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の製造方法及びその製造装置に関
し、チップに設けられたパッド上にボールバンプを形成
してワイヤを切り離したとき、テールなどが残らないで
パッドの上面が平らになることを目的とする。 【構成】 ボールバンプ４を形成したあとワイヤ３を切
断するために、所定の長さのワイヤ３に共振周波数の振
動をＸ方向またはＹ方向の少なくとも一方に印加するよ
うに製造方法を構成し、チップ１またはキャピラリ２の
少なくとも一方に振動手段５を付設するように製造装置
を構成する。
し、チップに設けられたパッド上にボールバンプを形成
してワイヤを切り離したとき、テールなどが残らないで
パッドの上面が平らになることを目的とする。 【構成】 ボールバンプ４を形成したあとワイヤ３を切
断するために、所定の長さのワイヤ３に共振周波数の振
動をＸ方向またはＹ方向の少なくとも一方に印加するよ
うに製造方法を構成し、チップ１またはキャピラリ２の
少なくとも一方に振動手段５を付設するように製造装置
を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法及
びその装置に係わり、特にチップ上にボールバンプを形
成したあとワイヤを根元から切断する方法及びその装置
に関する。
びその装置に係わり、特にチップ上にボールバンプを形
成したあとワイヤを根元から切断する方法及びその装置
に関する。
【０００２】近年、半導体装置の高機能化高密度化に伴
って、１つの半導体チップから引き出される端子の数が
どんどん増大しており、端子の数は今や数百本から千本
に及ぶ装置もある。そして、このような多数の端子を外
部に引き出す技術としてフィルムキャリアを用いたＴＡ
Ｂ（Ｔape ＡutomatedＢonding）と呼ばれる接続方式が
多用されるようになっている。このＴＡＢ接続において
は、チップの端子部分のパッドに突起状のバンプを設け
ることが行われているが、このバンプの形成工程がＴＡ
Ｂ接続の信頼性を左右する重要な製造技術となってい
る。
って、１つの半導体チップから引き出される端子の数が
どんどん増大しており、端子の数は今や数百本から千本
に及ぶ装置もある。そして、このような多数の端子を外
部に引き出す技術としてフィルムキャリアを用いたＴＡ
Ｂ（Ｔape ＡutomatedＢonding）と呼ばれる接続方式が
多用されるようになっている。このＴＡＢ接続において
は、チップの端子部分のパッドに突起状のバンプを設け
ることが行われているが、このバンプの形成工程がＴＡ
Ｂ接続の信頼性を左右する重要な製造技術となってい
る。
【０００３】
【従来の技術】半導体チップから端子を取り出すボンデ
ィング工程は、ワイヤボンディングと、ワイヤを用いな
いワイヤレスボンディングとに大別できるが、ワイヤボ
ンディングの場合には、前工程にチップのダイボンディ
ング（マウント）工程があり、その工程によって、チッ
プをパッケージの所定の位置に固着したあと個々のパッ
ドにワイヤを１本ずつボンディングしていく。
ィング工程は、ワイヤボンディングと、ワイヤを用いな
いワイヤレスボンディングとに大別できるが、ワイヤボ
ンディングの場合には、前工程にチップのダイボンディ
ング（マウント）工程があり、その工程によって、チッ
プをパッケージの所定の位置に固着したあと個々のパッ
ドにワイヤを１本ずつボンディングしていく。
【０００４】一方、ワイヤレス方式には種々の方式があ
るが、フリップチップ方式とかビーム状リード方式がよ
く知られている。そして、最近では、送り穴（パーフォ
レーション）付きで長尺テープ状のフィルムキャリアを
用い、このキャリアに設けられたリード片に、チップの
パッドに設けられたバンプを固着するテープキャリア方
式、略称してＴＡＢがよく用いられるようになってい
る。 ＴＡＢ方式は元来自動組み込みを目的として開発
された方式で、フィルムキャリアはＴＡＢテープ、ＴＡ
Ｂテープに設けられたリード片はＴＡＢリードなどと呼
ばれている。
るが、フリップチップ方式とかビーム状リード方式がよ
く知られている。そして、最近では、送り穴（パーフォ
レーション）付きで長尺テープ状のフィルムキャリアを
用い、このキャリアに設けられたリード片に、チップの
パッドに設けられたバンプを固着するテープキャリア方
式、略称してＴＡＢがよく用いられるようになってい
る。 ＴＡＢ方式は元来自動組み込みを目的として開発
された方式で、フィルムキャリアはＴＡＢテープ、ＴＡ
Ｂテープに設けられたリード片はＴＡＢリードなどと呼
ばれている。
【０００５】ＴＡＢ技術は、ＴＡＢテープの製造工程、
チップやＴＡＢリードにバンプの形成工程、それにパッ
ケージ工程の三つの工程からなっている。この中で、チ
ップにバンプを形成する工程には、従来から複雑な膜形
成プロセスを用いて行われており、精度のよいバンプが
形成できるが製造コストが掛かる難点がある。
チップやＴＡＢリードにバンプの形成工程、それにパッ
ケージ工程の三つの工程からなっている。この中で、チ
ップにバンプを形成する工程には、従来から複雑な膜形
成プロセスを用いて行われており、精度のよいバンプが
形成できるが製造コストが掛かる難点がある。
【０００６】それに対して、ボールボンディングによる
ボールバンプの形成方法が、注目されるようになってい
る。図３はボールバンプの形成方法の説明図である。図
において、１はチップ、1aはパッド、２はキャピラリ、
３はワイヤ、3aはボール、４はボールバンプ、６は加熱
手段である。
ボールバンプの形成方法が、注目されるようになってい
る。図３はボールバンプの形成方法の説明図である。図
において、１はチップ、1aはパッド、２はキャピラリ、
３はワイヤ、3aはボール、４はボールバンプ、６は加熱
手段である。
【０００７】チップ１の上には、チップ内に構成された
半導体素子に連なるＡｌなどからなるパッド1aが設けら
れている。このパッド1aにはさらに貴金属の薄膜などか
らなるバリアが被覆されている場合が多い。
半導体素子に連なるＡｌなどからなるパッド1aが設けら
れている。このパッド1aにはさらに貴金属の薄膜などか
らなるバリアが被覆されている場合が多い。
【０００８】キャピラリ２は、ワイヤボンディングで用
いられるものと類似で、中心部には直径が数十μｍφの
細孔2aが設けられており、この細孔2aはキャピラリ２の
先端部に開口している。そして、図示してない駆動系に
よって例えばＺ方向（上下）およびＹ方向（前後）に動
くようになっている。
いられるものと類似で、中心部には直径が数十μｍφの
細孔2aが設けられており、この細孔2aはキャピラリ２の
先端部に開口している。そして、図示してない駆動系に
よって例えばＺ方向（上下）およびＹ方向（前後）に動
くようになっている。
【０００９】ワイヤ３は例えば直径が30μｍφのＡｕの
細線で、キャピラリ２の細孔2aから引き出されるように
なっている。そして、まず、細孔2aから引き出されたワ
イヤ３の先端は、キャピラリ２の先端部に配設された加
熱手段６、例えば水素炎とかジュール熱によって加熱溶
融され、表面張力によって例えば直径が70μｍφ程度の
球形のＡｕのボール3aが形成される。次いで、キャピラ
リ２が降下してボール3aをパッド1aの上に押圧して押し
潰すようにして固着させる。このボール3aの固着には、
例えば熱圧着に超音波振動を併用したサーモソニックボ
ンディングなどが用いられる。次いで、キャピラリ２が
上昇するとき、ワイヤ３に所定の張力が掛かってワイヤ
３が引き千切られる。
細線で、キャピラリ２の細孔2aから引き出されるように
なっている。そして、まず、細孔2aから引き出されたワ
イヤ３の先端は、キャピラリ２の先端部に配設された加
熱手段６、例えば水素炎とかジュール熱によって加熱溶
融され、表面張力によって例えば直径が70μｍφ程度の
球形のＡｕのボール3aが形成される。次いで、キャピラ
リ２が降下してボール3aをパッド1aの上に押圧して押し
潰すようにして固着させる。このボール3aの固着には、
例えば熱圧着に超音波振動を併用したサーモソニックボ
ンディングなどが用いられる。次いで、キャピラリ２が
上昇するとき、ワイヤ３に所定の張力が掛かってワイヤ
３が引き千切られる。
【００１０】こうして、例えば直径が90μｍφの偏平な
ボールバンプ４が形成される。このボールバンプ４の形
成速度は、例えば速いもので 0.2秒程度の周期で繰り返
されるので、この形成動作を順次繰り返せば多数のパッ
ド1aに次々とボールバンプ４を形成していくことができ
る。
ボールバンプ４が形成される。このボールバンプ４の形
成速度は、例えば速いもので 0.2秒程度の周期で繰り返
されるので、この形成動作を順次繰り返せば多数のパッ
ド1aに次々とボールバンプ４を形成していくことができ
る。
【００１１】このように、ボールバンプ４は、ワイヤボ
ンディングとよく似た方法で行われるが、ワイヤボンデ
ィングの場合には、第一ボンディングでワイヤ３を切断
せずに引き回してループを形成し、第二ボンディングの
あとでワイヤ３が切り離される。そして、このワイヤ３
の切り離された状態は、そのあとのチップ１の実装工程
に多大な影響を及ぼすことはない。ところが、ＴＡＢ接
続のために行われるボールバンプ４の形成工程では、ワ
イヤ３の切り離され方が重要である。
ンディングとよく似た方法で行われるが、ワイヤボンデ
ィングの場合には、第一ボンディングでワイヤ３を切断
せずに引き回してループを形成し、第二ボンディングの
あとでワイヤ３が切り離される。そして、このワイヤ３
の切り離された状態は、そのあとのチップ１の実装工程
に多大な影響を及ぼすことはない。ところが、ＴＡＢ接
続のために行われるボールバンプ４の形成工程では、ワ
イヤ３の切り離され方が重要である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】図４は、ワイヤの切断
状態の説明図である。図において、3bは根元、3cはテー
ル、3dは突起、他の名称と番号は図３と同様である。
状態の説明図である。図において、3bは根元、3cはテー
ル、3dは突起、他の名称と番号は図３と同様である。
【００１３】キャピラリ２をパッド1aに押圧し、ボール
3aを押し潰してパッド1aに固着してボールバンプ４を形
成したあと、キャピラリ２を上昇させながらワイヤ３に
張力を掛けて切断しようとすると、ワイヤ３はボールバ
ンプ４に連なる根元3bから切れずに、図４（Ａ）に示し
たようなテール3c（尻尾）が残ってしまうことが間々起
こる。
3aを押し潰してパッド1aに固着してボールバンプ４を形
成したあと、キャピラリ２を上昇させながらワイヤ３に
張力を掛けて切断しようとすると、ワイヤ３はボールバ
ンプ４に連なる根元3bから切れずに、図４（Ａ）に示し
たようなテール3c（尻尾）が残ってしまうことが間々起
こる。
【００１４】そこで、例えばワイヤ３の切断に際してキ
ャピラリ２を横方向に振って、ワイヤ３を引っ掻くよう
にして切断することも行われている。しかし、この方法
では、切断に要する時間が掛かり、しかもなおワイヤ３
はボールバンプ４に連なる根元3bから切れずに、同図
（Ｂ）に示したように突起3dが残ってしまうことが間々
起こる。
ャピラリ２を横方向に振って、ワイヤ３を引っ掻くよう
にして切断することも行われている。しかし、この方法
では、切断に要する時間が掛かり、しかもなおワイヤ３
はボールバンプ４に連なる根元3bから切れずに、同図
（Ｂ）に示したように突起3dが残ってしまうことが間々
起こる。
【００１５】このようにボールバンプの表面上に残って
しまったテールなどは、そのあとの工程で行われるＴＡ
Ｂ接続に際して、μｍの単位の高い精度でバンプの高さ
が一様であって欲しいにも係わらず、全くバンプの高さ
をばらばらにしてしまい、ＴＡＢ接続の信頼性を損なう
問題の原因になっていた。
しまったテールなどは、そのあとの工程で行われるＴＡ
Ｂ接続に際して、μｍの単位の高い精度でバンプの高さ
が一様であって欲しいにも係わらず、全くバンプの高さ
をばらばらにしてしまい、ＴＡＢ接続の信頼性を損なう
問題の原因になっていた。
【００１６】そこで本発明は、ワイヤを切断するに際し
て、ワイヤに共振周波数の振動を印加し、振動させなが
らワイヤを切断する半導体装置の製造方法及びその装置
を提供することを目的としている。
て、ワイヤに共振周波数の振動を印加し、振動させなが
らワイヤを切断する半導体装置の製造方法及びその装置
を提供することを目的としている。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上で述べた課題は、チッ
プの上に設けられたパッドの上方にＺ方向に配設され、
かつ細孔を有し、かつ先端にボールが形成されたワイヤ
が細孔から突出してなるキャピラリが、パッドの上に降
下してボールを押圧し、パッドの上にボールバンプが形
成される半導体装置の製造方法であって、前記ボールバ
ンプ( ) が形成されたあとワイヤをボールバンプから切
り離す際、該ワイヤに共振周波数の振動をＸ方向または
Ｙ方向の少なくとも一方に印加するように構成された半
導体装置の製造方法によって解決される。
プの上に設けられたパッドの上方にＺ方向に配設され、
かつ細孔を有し、かつ先端にボールが形成されたワイヤ
が細孔から突出してなるキャピラリが、パッドの上に降
下してボールを押圧し、パッドの上にボールバンプが形
成される半導体装置の製造方法であって、前記ボールバ
ンプ( ) が形成されたあとワイヤをボールバンプから切
り離す際、該ワイヤに共振周波数の振動をＸ方向または
Ｙ方向の少なくとも一方に印加するように構成された半
導体装置の製造方法によって解決される。
【００１８】また、前記半導体装置の製造方法になる半
導体装置の製造装置であって、前記ワイヤに共振周波数
の振動を印加する振動手段が、チップまたはキャピラリ
の少なくとも一方に備えられているように構成された半
導体装置の製造装置によって解決される。
導体装置の製造装置であって、前記ワイヤに共振周波数
の振動を印加する振動手段が、チップまたはキャピラリ
の少なくとも一方に備えられているように構成された半
導体装置の製造装置によって解決される。
【００１９】
【作用】ＴＡＢ接続のためにチップ上に設けられる従来
のボールバンプは、ワイヤのテールなどが出っ張って上
面が平らになり難かったのに対して、本発明によればボ
ールバンプからワイヤを切り離した跡が平らになるよう
にしている。すなわち、ボールバンプが形成されたあと
ワイヤを切り離す際に、ワイヤに共振周波数の振動をＸ
方向またはＹ方向の少なくとも一方に印加するようにし
ている。
のボールバンプは、ワイヤのテールなどが出っ張って上
面が平らになり難かったのに対して、本発明によればボ
ールバンプからワイヤを切り離した跡が平らになるよう
にしている。すなわち、ボールバンプが形成されたあと
ワイヤを切り離す際に、ワイヤに共振周波数の振動をＸ
方向またはＹ方向の少なくとも一方に印加するようにし
ている。
【００２０】そして、このワイヤに対して印加する共振
周波数の振動は、チップまたはキャピラリの少なくとも
一方に振動手段を設けて行うようにしている。こゝで、
ワイヤの共振周波数は、例えば、 ｆｃ＝ｍi ・0.25Ｄ・Ｃ／２・π・Ｌ2 ──────式１ ただし、 ｆｃ： 共振周波数（Ｈｚ） ｍi ： 規準定数（ｉ＝１、２、３・・・） Ｄ ： ワイヤの直径（ｃｍ） Ｃ ： ワイヤの中の音速度（ｃｍ／ｓ） Ｌ ： ワイヤの長さ（ｃｍ） から求めることができる（出典：超音波工学−理論と実
際−工業調査会発行）。
周波数の振動は、チップまたはキャピラリの少なくとも
一方に振動手段を設けて行うようにしている。こゝで、
ワイヤの共振周波数は、例えば、 ｆｃ＝ｍi ・0.25Ｄ・Ｃ／２・π・Ｌ2 ──────式１ ただし、 ｆｃ： 共振周波数（Ｈｚ） ｍi ： 規準定数（ｉ＝１、２、３・・・） Ｄ ： ワイヤの直径（ｃｍ） Ｃ ： ワイヤの中の音速度（ｃｍ／ｓ） Ｌ ： ワイヤの長さ（ｃｍ） から求めることができる（出典：超音波工学−理論と実
際−工業調査会発行）。
【００２１】そして、式１から振動手段の共振周波数ｆ
ｃと共振モードｍiを適宜選択し、ワイヤを最も効率よ
く振動させることができるワイヤの長さＬを決めるよう
にしている。
ｃと共振モードｍiを適宜選択し、ワイヤを最も効率よ
く振動させることができるワイヤの長さＬを決めるよう
にしている。
【００２２】こうして、ボールバンプから連なったワイ
ヤの根元の部分は結晶化して脆くなっているので、ワイ
ヤを振動させてその根元の部分に強い屈折力を作用させ
れば、テールなどを残さないでワイヤをボールバンプか
ら切り離すことができる。
ヤの根元の部分は結晶化して脆くなっているので、ワイ
ヤを振動させてその根元の部分に強い屈折力を作用させ
れば、テールなどを残さないでワイヤをボールバンプか
ら切り離すことができる。
【００２３】
【実施例】図１は本発明の第一の実施例を説明する模式
図、図２は本発明の他の実施例を説明する模式図であ
り、図２（Ａ）は第二の実施例、図２（Ｂ）は第三の実
施例、図２（Ｃ）は第四の実施例である。図において、
１はチップ、1aはパッド、２はキャピラリ、2aは細孔、
３はワイヤ、3aはボール、根元3b、４はボールバンプ、
５は振動手段、６は加熱手段、７は載置台である。
図、図２は本発明の他の実施例を説明する模式図であ
り、図２（Ａ）は第二の実施例、図２（Ｂ）は第三の実
施例、図２（Ｃ）は第四の実施例である。図において、
１はチップ、1aはパッド、２はキャピラリ、2aは細孔、
３はワイヤ、3aはボール、根元3b、４はボールバンプ、
５は振動手段、６は加熱手段、７は載置台である。
【００２４】実施例：１ 図１（Ａ）において、チップ１には半導体素子が形成さ
れており、周辺部に端子取り出しのためのパッド1aが設
けられている。そして、このチップ１は載置台７に例え
ば真空吸着されてＸ方向（左右）とＹ方向（前後）に粗
動できるようになっている。また、パッド1aの上方には
Ｚ方向（垂直）にキャピラリ２が配設されており、Ｚ方
向とＹ方向に粗動できるようになっている。
れており、周辺部に端子取り出しのためのパッド1aが設
けられている。そして、このチップ１は載置台７に例え
ば真空吸着されてＸ方向（左右）とＹ方向（前後）に粗
動できるようになっている。また、パッド1aの上方には
Ｚ方向（垂直）にキャピラリ２が配設されており、Ｚ方
向とＹ方向に粗動できるようになっている。
【００２５】キャピラリ２には中心部に細孔2aが設けら
れており、その細孔2aには上からワイヤ３が挿通されて
いる。このワイヤ３は例えば30μｍφのＡｕの細線から
なり、適宜張力が与えられながら図示してないリールか
ら繰り出されるようになっている。そして、細孔2aから
突き出たワイヤ３の先端は、加熱手段６によって例えば
ジュール加熱されて融解し、表面張力によって丸いボー
ル3aが形成されるようになっている。
れており、その細孔2aには上からワイヤ３が挿通されて
いる。このワイヤ３は例えば30μｍφのＡｕの細線から
なり、適宜張力が与えられながら図示してないリールか
ら繰り出されるようになっている。そして、細孔2aから
突き出たワイヤ３の先端は、加熱手段６によって例えば
ジュール加熱されて融解し、表面張力によって丸いボー
ル3aが形成されるようになっている。
【００２６】また、キャピラリ２には例えば超音波振動
子からなる振動手段５が付設されており、キャピラリ２
をＸ方向またはＹ方向の少なくとも一方に微動振動でき
るようになっている。そして、この振動手段５には、サ
ーモソニックボンディング法において用いられる超音波
発生用のホーンをそのまゝ兼用することができる。
子からなる振動手段５が付設されており、キャピラリ２
をＸ方向またはＹ方向の少なくとも一方に微動振動でき
るようになっている。そして、この振動手段５には、サ
ーモソニックボンディング法において用いられる超音波
発生用のホーンをそのまゝ兼用することができる。
【００２７】パッド1aの上にボールバンプ４を形成する
際には、キャピラリ２がパッド1aの上に降下し、キャピ
ラリ２の先端がボール3aをパッド1aに押圧してサーモソ
ニックボンディングが行われ、ボールバンプ４が形成さ
れる。そしてそのあと、キャピラリ２が上昇して細孔2a
からワイヤ３が所定の長さ引き出され、ワイヤ３の切り
離しが行われる。
際には、キャピラリ２がパッド1aの上に降下し、キャピ
ラリ２の先端がボール3aをパッド1aに押圧してサーモソ
ニックボンディングが行われ、ボールバンプ４が形成さ
れる。そしてそのあと、キャピラリ２が上昇して細孔2a
からワイヤ３が所定の長さ引き出され、ワイヤ３の切り
離しが行われる。
【００２８】こゝで、式１において、例えば、共振周波
数ｆｃ＝27ｋＨｚの振動手段５を用い、規準定数ｍ1 ＝
4.73（振動の山が１つの１次モード）、Ａｕ製のワイヤ
３の直径Ｄ＝30μｍ、Ａｕのワイヤ３の中の音速Ｃ＝3.
03ｋｍ／ｓとすると、共振するワイヤ３の長さは、Ｌ≒
1.4ｍｍとなる。
数ｆｃ＝27ｋＨｚの振動手段５を用い、規準定数ｍ1 ＝
4.73（振動の山が１つの１次モード）、Ａｕ製のワイヤ
３の直径Ｄ＝30μｍ、Ａｕのワイヤ３の中の音速Ｃ＝3.
03ｋｍ／ｓとすると、共振するワイヤ３の長さは、Ｌ≒
1.4ｍｍとなる。
【００２９】つまり、ボールバンプ４がパッド1aの上に
形成されたあとは、ワイヤ３の長さが 1.4ｍｍになるよ
うにキャピラリ２を上昇させ、共振周波数27ｋＨｚでワ
イヤ３を振動させる。そうすると、図１（Ｂ）に示した
ようにワイヤ３はボールバンプ４に連なる根元3bで切断
される。もし、振動手段５の共振周波数を上げて、例え
ば36ｋＨｚで振動させるとすれば、ワイヤ３の長さをＬ
≒ 1.3ｍｍにして振動させながら切断すればよい。
形成されたあとは、ワイヤ３の長さが 1.4ｍｍになるよ
うにキャピラリ２を上昇させ、共振周波数27ｋＨｚでワ
イヤ３を振動させる。そうすると、図１（Ｂ）に示した
ようにワイヤ３はボールバンプ４に連なる根元3bで切断
される。もし、振動手段５の共振周波数を上げて、例え
ば36ｋＨｚで振動させるとすれば、ワイヤ３の長さをＬ
≒ 1.3ｍｍにして振動させながら切断すればよい。
【００３０】実施例：２ 図２（Ａ）において、チップ１が保持されてきる載置台
７に振動手段５を付設して、チップ１を振動させるよう
になっている。
７に振動手段５を付設して、チップ１を振動させるよう
になっている。
【００３１】こゝで、式１において、例えば、共振周波
数ｆｃ＝37ｋＨｚの振動手段５を用い、規準定数ｍ2 ≒
7.85（振動の山が２つの２次モード）とする。そうする
と、ボールバンプ４が形成されたあとのワイヤ３の切断
は、実施例１と同じ仕様のワイヤ３を用いれば、キャピ
ラリ２を上昇させてワイヤ３をＬ≒ 2.1ｍｍの長さにし
て振動させながら行えばよい。
数ｆｃ＝37ｋＨｚの振動手段５を用い、規準定数ｍ2 ≒
7.85（振動の山が２つの２次モード）とする。そうする
と、ボールバンプ４が形成されたあとのワイヤ３の切断
は、実施例１と同じ仕様のワイヤ３を用いれば、キャピ
ラリ２を上昇させてワイヤ３をＬ≒ 2.1ｍｍの長さにし
て振動させながら行えばよい。
【００３２】実施例：３ 図２（Ｂ）において、実施例１と実施例２を併用して、
チップ１とキャピラリ２の両方を振動させる。
チップ１とキャピラリ２の両方を振動させる。
【００３３】こゝで、式１において、例えば、共振周波
数ｆｃ＝27ｋＨｚの振動手段５を用い、規準定数ｍ3 ≒
11.00（振動の山が３つの３次モード）とする。そうす
ると、ワイヤ３の切断に際して、実施例１と同じワイヤ
３を用いたときにはワイヤ３の長さをＬ≒ 3.4ｍｍにす
ればよい。３を振動させる。そうすると、ワイヤ３はボ
ールバンプ４に連なる根元3bで切断される。もし、振動
手段５を例えば36ｋＨｚで振動させるとすれば、ワイヤ
３の長さをＬ≒ 1.3ｍｍにして振動させればよい。
数ｆｃ＝27ｋＨｚの振動手段５を用い、規準定数ｍ3 ≒
11.00（振動の山が３つの３次モード）とする。そうす
ると、ワイヤ３の切断に際して、実施例１と同じワイヤ
３を用いたときにはワイヤ３の長さをＬ≒ 3.4ｍｍにす
ればよい。３を振動させる。そうすると、ワイヤ３はボ
ールバンプ４に連なる根元3bで切断される。もし、振動
手段５を例えば36ｋＨｚで振動させるとすれば、ワイヤ
３の長さをＬ≒ 1.3ｍｍにして振動させればよい。
【００３４】実施例：４ 図２（Ｃ）において、キャピラリ２にはＸ方向とＹ方向
の２方向に振動できるように２個の振動手段５を付設す
る。そうすると、キャピラリ２は旋回していわゆる捩じ
れ振動する。
の２方向に振動できるように２個の振動手段５を付設す
る。そうすると、キャピラリ２は旋回していわゆる捩じ
れ振動する。
【００３５】こゝで、式１において、例えば、共振周波
数ｆｃ＝27ｋＨｚの振動手段５を用い、規準定数ｍ2 ≒
7.85とする。そうすると、ワイヤ３の切断に最適なワ
イヤ３の長さは、実施例１と同じワイヤ３を用いたとき
Ｌ≒ 2.4ｍｍとなる。
数ｆｃ＝27ｋＨｚの振動手段５を用い、規準定数ｍ2 ≒
7.85とする。そうすると、ワイヤ３の切断に最適なワ
イヤ３の長さは、実施例１と同じワイヤ３を用いたとき
Ｌ≒ 2.4ｍｍとなる。
【００３６】こゝで、振動手段が発生する振動の周波数
やワイヤの諸元、モードの次数などは一例であって、種
々の変形が可能である。また、Ｘ方向とＹ方向は、Ｚ方
向に直交する水平面内にあればよく、必ずしも直交して
いる必要はない。
やワイヤの諸元、モードの次数などは一例であって、種
々の変形が可能である。また、Ｘ方向とＹ方向は、Ｚ方
向に直交する水平面内にあればよく、必ずしも直交して
いる必要はない。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、チップに設けられたパ
ッドの上にボールバンプを形成したあとワイヤの切り離
す際、ワイヤに共振周波数の振動を印加しながら切断す
ると、ワイヤの切り口がテールなどになって残ることを
防ぐことができる。その結果、ボールバンプの上面を平
らにし、延いてはボールバンプの高さを揃える上で効果
的である。
ッドの上にボールバンプを形成したあとワイヤの切り離
す際、ワイヤに共振周波数の振動を印加しながら切断す
ると、ワイヤの切り口がテールなどになって残ることを
防ぐことができる。その結果、ボールバンプの上面を平
らにし、延いてはボールバンプの高さを揃える上で効果
的である。
【００３８】従って、本発明は製造工程の簡便なボール
バンプを用いたＴＡＢ接続の信頼性の向上に寄与すると
ころが大である。
バンプを用いたＴＡＢ接続の信頼性の向上に寄与すると
ころが大である。
【図１】 本発明の第一の実施例を説明する模式図であ
る。
る。
【図２】 本発明の他の実施例を説明する模式図であ
る。
る。
【図３】 ボールバンプの形成方法の説明図である。
【図４】 ワイヤの切断状態の説明図である。
１ チップ 1a パッド ２ キャピラリ 2a 細孔 ３ ワイヤ 3a ボール ４ ボールバンプ ５は振動手段
Claims (2)
- 【請求項１】 チップ(1) の上に設けられたパッド(1a)
の上方にＺ方向に配設され、かつ細孔(2a)を有し、かつ
先端にボール(3a)が形成されたワイヤ(3) が該細孔(2a)
から突出してなるキャピラリ(2) が、該パッド(1a)の上
に降下して該ボール(3a)を押圧し、該パッド(1a)の上に
ボールバンプ(4) が形成される半導体装置の製造方法で
あって、 前記ボールバンプ(4) が形成されたあと前記ワイヤ(3)
を該ボールバンプ(4)から切り離す際、該ワイヤ(3) に
共振周波数の振動をＸ方向またはＹ方向の少なくとも一
方に印加することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１の製造方法になる半導体装置の
製造装置であって、 前記ワイヤ(3) に共振周波数の振動を印加する振動手段
(5) が、前記チップ(1) または前記キャピラリ(2) の少
なくとも一方に備えられていることを特徴とする半導体
装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2402585A JP2969953B2 (ja) | 1990-12-17 | 1990-12-17 | 半導体装置の製造方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2402585A JP2969953B2 (ja) | 1990-12-17 | 1990-12-17 | 半導体装置の製造方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05144820A true JPH05144820A (ja) | 1993-06-11 |
| JP2969953B2 JP2969953B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=18512381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2402585A Expired - Fee Related JP2969953B2 (ja) | 1990-12-17 | 1990-12-17 | 半導体装置の製造方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2969953B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08153723A (ja) * | 1994-11-28 | 1996-06-11 | Nec Corp | 半田ボール形成方法および装置 |
| US8191759B2 (en) | 2009-01-07 | 2012-06-05 | Shinkawa Ltd. | Wire bonding apparatus and wire bonding method |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4679427B2 (ja) | 2006-04-24 | 2011-04-27 | 株式会社新川 | ボンディング装置のテールワイヤ切断方法及びプログラム |
| KR100932680B1 (ko) | 2007-02-21 | 2009-12-21 | 가부시키가이샤 신가와 | 반도체 장치 및 와이어 본딩 방법 |
| JP5002329B2 (ja) * | 2007-02-21 | 2012-08-15 | 株式会社新川 | 半導体装置及びワイヤボンディング方法 |
| WO2017109990A1 (ja) | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 株式会社カイジョー | ワイヤボンディング装置 |
-
1990
- 1990-12-17 JP JP2402585A patent/JP2969953B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08153723A (ja) * | 1994-11-28 | 1996-06-11 | Nec Corp | 半田ボール形成方法および装置 |
| US8191759B2 (en) | 2009-01-07 | 2012-06-05 | Shinkawa Ltd. | Wire bonding apparatus and wire bonding method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2969953B2 (ja) | 1999-11-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003197669A (ja) | ボンディング方法及びボンディング装置 | |
| JPH08264540A (ja) | バンプ構造、バンプ製造用キャピラリ及びバンプ製造方 法 | |
| JPH09252005A (ja) | バンプ形成方法 | |
| JP2969953B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及びその装置 | |
| JPH0547860A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
| JPS5940537A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61280626A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
| JPH08181175A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JP3322642B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPWO2020235211A1 (ja) | ピン状ワイヤ成形方法及びワイヤボンディング装置 | |
| JPH05109808A (ja) | ワイヤボンデイング方法およびその装置 | |
| JP3644189B2 (ja) | バンプ構造及びその製造方法 | |
| JPH09129645A (ja) | バンプ電極形成方法 | |
| JP3493326B2 (ja) | バンプ形成方法及び装置 | |
| JP2002043354A (ja) | フリップチップ実装方法 | |
| JP2852291B2 (ja) | 半導体ペレットのダイボンディング法 | |
| JPH03116735A (ja) | フリップチップ用ｉｃ及びその製造方法 | |
| JP3084634B2 (ja) | 半導体装置のバンプ形成方法 | |
| JPS6158977B2 (ja) | ||
| JPH05243234A (ja) | Ｔａｂ式半導体装置及びその製造装置 | |
| JP2000174047A (ja) | フリップチップパッケージのバンプ形成方法、ボンディングツールおよびフリップチップパッケージ部品 | |
| JPH11135542A (ja) | ワイヤボンディング装置用キャピラリ | |
| KR19990026924A (ko) | 캐필러리의 구조 | |
| JPH06342797A (ja) | バンプボンディング方法とその装置 | |
| JPH0677277A (ja) | 絶縁被覆ワイヤのボールボンディング装置とボンディング方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990727 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080827 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |