JPH0737922A - ワイヤボンディング方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 省スペースに優れるとともにパッケージの大
型化を回避でき、回路基板上の接続電極と外部引出し用
端子との間の接続の全自動化が可能なワイヤボンディン
グ方法を提供することにある。 【構成】 ターミナル11に平角薄銅線7の一端を溶接
し、水平方向におけるパッド12とターミナル11との
間で、かつパッド12とターミナル11のうちの上方に
位置するターミナル11よりも上方に配置した成形矢9
の円柱部9aに対し平角薄銅線7を掛装した状態で平角
薄銅線7の他端をパッド12に溶接し、その後、成形矢
9の円柱部9aにて形成された平角薄銅線7の湾曲部を
ターミナル11よりも下方に押し下げて、上下方向にお
いてパッド12とターミナル11との間で平角薄銅線7
を、ターミナル11から第1の湾曲部13にて鋭角に折
り曲げ、さらに、第2の湾曲部14にて鋭角に折り曲げ
パッド12に延設する。
型化を回避でき、回路基板上の接続電極と外部引出し用
端子との間の接続の全自動化が可能なワイヤボンディン
グ方法を提供することにある。 【構成】 ターミナル11に平角薄銅線7の一端を溶接
し、水平方向におけるパッド12とターミナル11との
間で、かつパッド12とターミナル11のうちの上方に
位置するターミナル11よりも上方に配置した成形矢9
の円柱部9aに対し平角薄銅線7を掛装した状態で平角
薄銅線7の他端をパッド12に溶接し、その後、成形矢
9の円柱部9aにて形成された平角薄銅線7の湾曲部を
ターミナル11よりも下方に押し下げて、上下方向にお
いてパッド12とターミナル11との間で平角薄銅線7
を、ターミナル11から第1の湾曲部13にて鋭角に折
り曲げ、さらに、第2の湾曲部14にて鋭角に折り曲げ
パッド12に延設する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、ワイヤボンディング
方法に関するものである。
方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図11に示すように、上下・左右にズラ
して配置した回路基板21上の接続電極22とパッケー
ジ23の外部引出し用端子24とをワイヤ25にてボン
ディングする場合において、接続電極22と外部引出し
用端子24とをワイヤ25を用いて最短距離にて接続す
ると、雰囲気温度の変化による接続電極22と外部引出
し用端子24の位置がズレた際にはワイヤ25に応力が
加わり信頼性が劣ってしまう。そこで、図12に示すよ
うに、高さ方向にワイヤ25の遊びを設けたり、図13
に示すように、水平方向にワイヤ25の遊びを設けてい
る。
して配置した回路基板21上の接続電極22とパッケー
ジ23の外部引出し用端子24とをワイヤ25にてボン
ディングする場合において、接続電極22と外部引出し
用端子24とをワイヤ25を用いて最短距離にて接続す
ると、雰囲気温度の変化による接続電極22と外部引出
し用端子24の位置がズレた際にはワイヤ25に応力が
加わり信頼性が劣ってしまう。そこで、図12に示すよ
うに、高さ方向にワイヤ25の遊びを設けたり、図13
に示すように、水平方向にワイヤ25の遊びを設けてい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図12に示
すように、高さ方向に距離Hだけのワイヤ23の遊びを
設けた場合には、距離H分だけのスペースが必要となり
省スペースに劣る。又、図13に示すように、水平方向
に距離L1 だけのワイヤ25の遊びを設けた場合には、
距離L1 分だけのスペースが必要となり省スペースに劣
る。つまり、接続電極22と外部引出し用端子24との
水平方向の距離L2 が長くなり、パッケージ全体が大型
化してしまう。
すように、高さ方向に距離Hだけのワイヤ23の遊びを
設けた場合には、距離H分だけのスペースが必要となり
省スペースに劣る。又、図13に示すように、水平方向
に距離L1 だけのワイヤ25の遊びを設けた場合には、
距離L1 分だけのスペースが必要となり省スペースに劣
る。つまり、接続電極22と外部引出し用端子24との
水平方向の距離L2 が長くなり、パッケージ全体が大型
化してしまう。
【0004】そこで、この発明の目的は、省スペースに
優れるとともにパッケージの大型化を回避でき、回路基
板上の接続電極と外部引出し用端子との間の接続の全自
動化が可能なワイヤボンディング方法を提供することに
ある。
優れるとともにパッケージの大型化を回避でき、回路基
板上の接続電極と外部引出し用端子との間の接続の全自
動化が可能なワイヤボンディング方法を提供することに
ある。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明は、回路基板上
の接続電極とパッケージの外部引出し用端子とが上下・
左右にズラして配置され、前記接続電極と外部引出し用
端子とをワイヤにて電気接続するためのワイヤボンディ
ング方法であって、前記接続電極と前記外部引出し用端
子のうちのいずれか一方にワイヤの一端を溶接し、水平
方向における前記接続電極と前記外部引出し用端子との
間で、かつ前記接続電極と前記外部引出し用端子のうち
の上方に位置する部材よりも上方に配置した案内部材に
対しワイヤを掛装した状態で同ワイヤの他端を前記接続
電極と前記外部引出し用端子のうちの他方に溶接し、そ
の後、前記案内部材にて形成されたワイヤの湾曲部を前
記接続電極と前記外部引出し用端子のうちの上方に位置
する部材よりも下方に押し下げて、上下方向において前
記接続電極と外部引出し用端子との間で前記ワイヤを、
前記接続電極と前記外部引出し用端子のうちのいずれか
一方から第1の湾曲部にて鋭角に折り曲げ、さらに、第
2の湾曲部にて鋭角に折り曲げ前記接続電極と前記外部
引出し用端子のうちの他方に延設したワイヤボンディン
グ方法をその要旨とするものである。
の接続電極とパッケージの外部引出し用端子とが上下・
左右にズラして配置され、前記接続電極と外部引出し用
端子とをワイヤにて電気接続するためのワイヤボンディ
ング方法であって、前記接続電極と前記外部引出し用端
子のうちのいずれか一方にワイヤの一端を溶接し、水平
方向における前記接続電極と前記外部引出し用端子との
間で、かつ前記接続電極と前記外部引出し用端子のうち
の上方に位置する部材よりも上方に配置した案内部材に
対しワイヤを掛装した状態で同ワイヤの他端を前記接続
電極と前記外部引出し用端子のうちの他方に溶接し、そ
の後、前記案内部材にて形成されたワイヤの湾曲部を前
記接続電極と前記外部引出し用端子のうちの上方に位置
する部材よりも下方に押し下げて、上下方向において前
記接続電極と外部引出し用端子との間で前記ワイヤを、
前記接続電極と前記外部引出し用端子のうちのいずれか
一方から第1の湾曲部にて鋭角に折り曲げ、さらに、第
2の湾曲部にて鋭角に折り曲げ前記接続電極と前記外部
引出し用端子のうちの他方に延設したワイヤボンディン
グ方法をその要旨とするものである。
【0006】
【作用】接続電極と外部引出し用端子のうちのいずれか
一方にワイヤの一端を溶接し、水平方向における接続電
極と外部引出し用端子との間で、かつ接続電極と外部引
出し用端子のうちの上方に位置する部材よりも上方に配
置した案内部材に対しワイヤを掛装した状態で同ワイヤ
の他端を接続電極と外部引出し用端子のうちの他方に溶
接し、その後、案内部材にて形成されたワイヤの湾曲部
を接続電極と外部引出し用端子のうちの上方に位置する
部材よりも下方に押し下げて、上下方向において接続電
極と外部引出し用端子との間でワイヤを、接続電極と外
部引出し用端子のうちのいずれか一方から第1の湾曲部
にて鋭角に折り曲げ、さらに、第2の湾曲部にて鋭角に
折り曲げ接続電極と外部引出し用端子のうちの他方に延
設する。このとき、接続電極と外部引出し用端子のうち
の他方の溶接部の上方に第1の湾曲部を形成するための
ワイヤを配置することが可能となる。
一方にワイヤの一端を溶接し、水平方向における接続電
極と外部引出し用端子との間で、かつ接続電極と外部引
出し用端子のうちの上方に位置する部材よりも上方に配
置した案内部材に対しワイヤを掛装した状態で同ワイヤ
の他端を接続電極と外部引出し用端子のうちの他方に溶
接し、その後、案内部材にて形成されたワイヤの湾曲部
を接続電極と外部引出し用端子のうちの上方に位置する
部材よりも下方に押し下げて、上下方向において接続電
極と外部引出し用端子との間でワイヤを、接続電極と外
部引出し用端子のうちのいずれか一方から第1の湾曲部
にて鋭角に折り曲げ、さらに、第2の湾曲部にて鋭角に
折り曲げ接続電極と外部引出し用端子のうちの他方に延
設する。このとき、接続電極と外部引出し用端子のうち
の他方の溶接部の上方に第1の湾曲部を形成するための
ワイヤを配置することが可能となる。
【0007】
【実施例】以下、この発明を具体化した一実施例を図面
に従って説明する。図1には、本実施例で使用するワイ
ヤボンディング装置の概略図を示す。
に従って説明する。図1には、本実施例で使用するワイ
ヤボンディング装置の概略図を示す。
【0008】ワイヤボンディング装置にはノズル1が備
えられている。このノズル1は円筒状をなし、かつ、先
端側(図中、下側)ほど細くなっている。ノズル1は、
溶接時にボンディングワイヤとしての平角薄銅線7とワ
ークを密着させるためのものである。ノズル1の上方位
置には集光レンズ2が配置されている。そして、図1に
おいて集光レンズ2の上方からレーザービーム3が照射
され、集光レンズ2により集光され、ノズル1内を通り
ノズル1の先端からレーザービーム3が発射されるよう
になっている。
えられている。このノズル1は円筒状をなし、かつ、先
端側(図中、下側)ほど細くなっている。ノズル1は、
溶接時にボンディングワイヤとしての平角薄銅線7とワ
ークを密着させるためのものである。ノズル1の上方位
置には集光レンズ2が配置されている。そして、図1に
おいて集光レンズ2の上方からレーザービーム3が照射
され、集光レンズ2により集光され、ノズル1内を通り
ノズル1の先端からレーザービーム3が発射されるよう
になっている。
【0009】ノズル1の左側方には僅かに離間してカッ
ター4が配置されている。そのカッター4の先端側(図
中、下側)は尖っている。又、カッター4は図2に示す
ように、2枚の部材4a,4bを張り合わせることによ
り形成され、両部材4a,4b間には銅線通路5が形成
されている。図1において、スプール6には平角薄銅線
7が巻き取られている。そして、その平角薄銅線7の一
端が引き出され、カッター4の銅線通路5内を通ってカ
ッター4の先端側から突出している。又、カッター4
は、平角薄銅線7のガイドを兼ねており、A矢印方向に
移動可能となっている。
ター4が配置されている。そのカッター4の先端側(図
中、下側)は尖っている。又、カッター4は図2に示す
ように、2枚の部材4a,4bを張り合わせることによ
り形成され、両部材4a,4b間には銅線通路5が形成
されている。図1において、スプール6には平角薄銅線
7が巻き取られている。そして、その平角薄銅線7の一
端が引き出され、カッター4の銅線通路5内を通ってカ
ッター4の先端側から突出している。又、カッター4
は、平角薄銅線7のガイドを兼ねており、A矢印方向に
移動可能となっている。
【0010】カッター4における銅線通路5の平角薄銅
線7の一部が露出しており、この露出した平角薄銅線7
に対して銅線固定部材8を押し付けることにより平角薄
銅線7の移動が規制(固定)されるようになっている。
つまり、銅線固定部材8は、カッター4との間に平角薄
銅線7をクランプするものであり、カッター4に対し接
離する方向(図1中、B矢印方向)へ動作できる。
線7の一部が露出しており、この露出した平角薄銅線7
に対して銅線固定部材8を押し付けることにより平角薄
銅線7の移動が規制(固定)されるようになっている。
つまり、銅線固定部材8は、カッター4との間に平角薄
銅線7をクランプするものであり、カッター4に対し接
離する方向(図1中、B矢印方向)へ動作できる。
【0011】又、ノズル1の側方には離間して成形矢9
が設けられ、その先端側(図中、下側)は案内部材とし
ての円柱部9aが配置されている。成形矢9は、成形と
強度チェックを行うもので上下(Z方向)及び左右(X
方向)に移動可能となっている。
が設けられ、その先端側(図中、下側)は案内部材とし
ての円柱部9aが配置されている。成形矢9は、成形と
強度チェックを行うもので上下(Z方向)及び左右(X
方向)に移動可能となっている。
【0012】被加工物10は、図1中、X方向,Y方
向,θ方向の動作ができる加工台の上に固定されてい
る。又、ノズル1と集光レンズ2と銅線固定部材8と成
形矢9とは、Z方向へ動作できる加工台に取り付けられ
ている。
向,θ方向の動作ができる加工台の上に固定されてい
る。又、ノズル1と集光レンズ2と銅線固定部材8と成
形矢9とは、Z方向へ動作できる加工台に取り付けられ
ている。
【0013】そして、図10に示すように、パッケージ
の外部引出し用端子11とHIC基板(ハイブリッドI
C基板)上の接続電極12とを平角薄銅線7を用いたリ
ード材にて接続する。この外部引出し用端子11と接続
電極12とは上下・左右方向にズレて配置されている。
この図10の接続形状は、冷熱ストレスによる接続部の
応力を緩和するために重要な働きをする。
の外部引出し用端子11とHIC基板(ハイブリッドI
C基板)上の接続電極12とを平角薄銅線7を用いたリ
ード材にて接続する。この外部引出し用端子11と接続
電極12とは上下・左右方向にズレて配置されている。
この図10の接続形状は、冷熱ストレスによる接続部の
応力を緩和するために重要な働きをする。
【0014】次に、ワイヤボンディング方法を説明す
る。まず、図3に示すように、ワークは、ワーク台の動
きにより外部引出し用端子11(以後、「ターミナル」
と呼ぶ)と、HIC基板上の接続電極12(以後、「パ
ッド」と呼ぶ)が、上下・左右にズレて位置している。
つまり、パッド12の上方にターミナル11が位置する
とともに、左側にパッド12が右側にターミナル11が
位置している。
る。まず、図3に示すように、ワークは、ワーク台の動
きにより外部引出し用端子11(以後、「ターミナル」
と呼ぶ)と、HIC基板上の接続電極12(以後、「パ
ッド」と呼ぶ)が、上下・左右にズレて位置している。
つまり、パッド12の上方にターミナル11が位置する
とともに、左側にパッド12が右側にターミナル11が
位置している。
【0015】そして、ノズル1をターミナル11上に配
置するとともに、成形矢9をカッター4の左側に位置さ
せる。この状態を、原位置状態とする。次に、図4に示
すように、カッター4が平角薄銅線7をクランプした状
態で下降する。
置するとともに、成形矢9をカッター4の左側に位置さ
せる。この状態を、原位置状態とする。次に、図4に示
すように、カッター4が平角薄銅線7をクランプした状
態で下降する。
【0016】さらに、図5に示すように、カッター4が
平角薄銅線7をアンクランプした状態で上昇し元の位置
に戻る。このとき、成形矢9が右方向に移動して成形矢
9の円柱部9aがカッター4の刃先部に位置しており、
この成形矢9の円柱部9aに平角薄銅線7が案内されて
ノズル1の真下部分に平角薄銅線7が配置される。
平角薄銅線7をアンクランプした状態で上昇し元の位置
に戻る。このとき、成形矢9が右方向に移動して成形矢
9の円柱部9aがカッター4の刃先部に位置しており、
この成形矢9の円柱部9aに平角薄銅線7が案内されて
ノズル1の真下部分に平角薄銅線7が配置される。
【0017】次に、図6に示すように、ノズル1が下降
し、平角薄銅線7がターミナル11の上面とノズル1の
下面により押圧されて固定される。この状態において、
レーザービーム3が出射されターミナル11と平角薄銅
線7とが溶接される。
し、平角薄銅線7がターミナル11の上面とノズル1の
下面により押圧されて固定される。この状態において、
レーザービーム3が出射されターミナル11と平角薄銅
線7とが溶接される。
【0018】そして、図7に示すように、水平方向での
パッド12とターミナル11との間におけるターミナル
11よりも上方に成形矢9の円柱部9aを位置させる。
その後、ノズル1及びカッター4が成形矢9の円柱部9
aを上を越えてパッド12上へ移動する。この際、カッ
ター4は移動時に平角薄銅線7を引き出しながら成形矢
9の円柱部9aの上を通る。さらに、ノズル1が下降
し、平角薄銅線7がパッド12の上面とノズル1の下面
により押圧されて固定される。この状態において、レー
ザービーム3が出射されパッド12と平角薄銅線7とが
溶接される。
パッド12とターミナル11との間におけるターミナル
11よりも上方に成形矢9の円柱部9aを位置させる。
その後、ノズル1及びカッター4が成形矢9の円柱部9
aを上を越えてパッド12上へ移動する。この際、カッ
ター4は移動時に平角薄銅線7を引き出しながら成形矢
9の円柱部9aの上を通る。さらに、ノズル1が下降
し、平角薄銅線7がパッド12の上面とノズル1の下面
により押圧されて固定される。この状態において、レー
ザービーム3が出射されパッド12と平角薄銅線7とが
溶接される。
【0019】次に、図8に示すように、カッター4が平
角薄銅線7をアンクランプしたまま下降し平角薄銅線7
を切断し、その後、カッター4が平角薄銅線7をクラン
プ状態で上昇する。この状態では、平角薄銅線7とパッ
ド12との溶接時において成形矢9の円柱部9aに平角
薄銅線7を掛装しているので、水平方向でのターミナル
11とパッド12との間における平角薄銅線7の途中に
は上方に湾曲する湾曲部が形成されている。
角薄銅線7をアンクランプしたまま下降し平角薄銅線7
を切断し、その後、カッター4が平角薄銅線7をクラン
プ状態で上昇する。この状態では、平角薄銅線7とパッ
ド12との溶接時において成形矢9の円柱部9aに平角
薄銅線7を掛装しているので、水平方向でのターミナル
11とパッド12との間における平角薄銅線7の途中に
は上方に湾曲する湾曲部が形成されている。
【0020】さらに、ノズル1を一旦上昇させた後、図
9に示すように、ノズル1が下降し平角薄銅線7におけ
る上方湾曲部を押し下げ、湾曲部をターミナル11より
下方に位置させる。又、同時に成形矢9を左下方向に移
動させて、鋭角に折り曲げられた第1の湾曲部13及び
第2の湾曲部14を持つ平角薄銅線7の最終成形及び強
度チェックを行う。
9に示すように、ノズル1が下降し平角薄銅線7におけ
る上方湾曲部を押し下げ、湾曲部をターミナル11より
下方に位置させる。又、同時に成形矢9を左下方向に移
動させて、鋭角に折り曲げられた第1の湾曲部13及び
第2の湾曲部14を持つ平角薄銅線7の最終成形及び強
度チェックを行う。
【0021】その結果、図10に示すように、全自動で
ワイヤボンディングが完了する。この図10のワイヤボ
ンディング構造においては、パッド12とターミナル1
1との間で平角薄銅線7がSの字状に配置されている。
即ち、上下方向においてパッド12とターミナル11と
の間で平角薄銅線7を、ターミナル11から第1の湾曲
部13にて鋭角に折り曲げ、さらに、第2の湾曲部14
にて鋭角に折り曲げパッド12に延設した。このとき、
パッド12の溶接部の上方に第1の湾曲部13を形成す
るための平角薄銅線7が配置されている。
ワイヤボンディングが完了する。この図10のワイヤボ
ンディング構造においては、パッド12とターミナル1
1との間で平角薄銅線7がSの字状に配置されている。
即ち、上下方向においてパッド12とターミナル11と
の間で平角薄銅線7を、ターミナル11から第1の湾曲
部13にて鋭角に折り曲げ、さらに、第2の湾曲部14
にて鋭角に折り曲げパッド12に延設した。このとき、
パッド12の溶接部の上方に第1の湾曲部13を形成す
るための平角薄銅線7が配置されている。
【0022】以上のサイクルを、各ターミナル〜パッド
間で繰り返すことにより、任意の本数、位置の電極間の
結線が可能となる。このように本実施例のワイヤボンデ
ィング構造では、図10に示すように、上下方向におい
てパッド12(接続電極)とターミナル11(外部引出
し用端子)との間で平角薄銅線7(ワイヤ)を、ターミ
ナル11から第1の湾曲部13にて鋭角に折り曲げ、さ
らに、第2の湾曲部14にて鋭角に折り曲げパッド12
に延設した。よって、図12のように、距離H分のスペ
ースは必要なくなる。又、水平方向のみに遊びを持たせ
た場合には、図13のように接続電極22と外部引出し
用端子24との水平方向の距離L2 が長くなるが、本実
施例では2つの湾曲部13,14によりパッド12とタ
ーミナル11との水平方向の距離が長くなることがな
く、パッケージの大型化が回避される。
間で繰り返すことにより、任意の本数、位置の電極間の
結線が可能となる。このように本実施例のワイヤボンデ
ィング構造では、図10に示すように、上下方向におい
てパッド12(接続電極)とターミナル11(外部引出
し用端子)との間で平角薄銅線7(ワイヤ)を、ターミ
ナル11から第1の湾曲部13にて鋭角に折り曲げ、さ
らに、第2の湾曲部14にて鋭角に折り曲げパッド12
に延設した。よって、図12のように、距離H分のスペ
ースは必要なくなる。又、水平方向のみに遊びを持たせ
た場合には、図13のように接続電極22と外部引出し
用端子24との水平方向の距離L2 が長くなるが、本実
施例では2つの湾曲部13,14によりパッド12とタ
ーミナル11との水平方向の距離が長くなることがな
く、パッケージの大型化が回避される。
【0023】又、本実施例のワイヤボンディング方法で
は、ターミナル11(外部引出し用端子)に平角薄銅線
7(ワイヤ)の一端を溶接し、水平方向におけるパッド
12(接続電極)とターミナル11との間で、かつパッ
ド12とターミナル11のうちの上方に位置するターミ
ナル11よりも上方に配置した成形矢9の円柱部9a
(案内部材)に対し平角薄銅線7を掛装した状態で平角
薄銅線7の他端をパッド12に溶接し、その後、成形矢
9の円柱部9aにて形成された平角薄銅線7の湾曲部を
パッド12とターミナル11のうちの上方に位置するタ
ーミナル11よりも下方に押し下げて、上下方向におい
てパッド12とターミナル11との間で平角薄銅線7
を、ターミナル11から第1の湾曲部13にて鋭角に折
り曲げ、さらに、第2の湾曲部14にて鋭角に折り曲げ
パッド12に延設した。
は、ターミナル11(外部引出し用端子)に平角薄銅線
7(ワイヤ)の一端を溶接し、水平方向におけるパッド
12(接続電極)とターミナル11との間で、かつパッ
ド12とターミナル11のうちの上方に位置するターミ
ナル11よりも上方に配置した成形矢9の円柱部9a
(案内部材)に対し平角薄銅線7を掛装した状態で平角
薄銅線7の他端をパッド12に溶接し、その後、成形矢
9の円柱部9aにて形成された平角薄銅線7の湾曲部を
パッド12とターミナル11のうちの上方に位置するタ
ーミナル11よりも下方に押し下げて、上下方向におい
てパッド12とターミナル11との間で平角薄銅線7
を、ターミナル11から第1の湾曲部13にて鋭角に折
り曲げ、さらに、第2の湾曲部14にて鋭角に折り曲げ
パッド12に延設した。
【0024】よって、図10に示すように、パッド12
の溶接部の上方に第1の湾曲部13を形成するための平
角薄銅線7を配置することができ、コンパクト化を図る
ことができる。
の溶接部の上方に第1の湾曲部13を形成するための平
角薄銅線7を配置することができ、コンパクト化を図る
ことができる。
【0025】尚、この発明は上記実施例にされるもので
はなく、例えば、前記実施例ではボンディングワイヤと
して平角薄銅線7を用いたが、平角薄銅線以外にも例え
ば丸形状の銅線を用いてもよい。
はなく、例えば、前記実施例ではボンディングワイヤと
して平角薄銅線7を用いたが、平角薄銅線以外にも例え
ば丸形状の銅線を用いてもよい。
【0026】又、パッド12を溶接した後にターミナル
11を溶接してもよい。さらに、パッド12とターミナ
ル11とはどちらが上方に位置していてもよい。
11を溶接してもよい。さらに、パッド12とターミナ
ル11とはどちらが上方に位置していてもよい。
【0027】
【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
省スペースに優れるとともにパッケージの大型化を回避
でき、回路基板上の接続電極と外部引出し用端子との間
の接続の全自動化が可能となるという優れた効果を発揮
する。
省スペースに優れるとともにパッケージの大型化を回避
でき、回路基板上の接続電極と外部引出し用端子との間
の接続の全自動化が可能となるという優れた効果を発揮
する。
【図1】ワイヤボンディング装置の概略図である。
【図2】カッターの断面図である。
【図3】ワイヤボンディングの工程図である。
【図4】ワイヤボンディングの工程図である。
【図5】ワイヤボンディングの工程図である。
【図6】ワイヤボンディングの工程図である。
【図7】ワイヤボンディングの工程図である。
【図8】ワイヤボンディングの工程図である。
【図9】ワイヤボンディングの工程図である。
【図10】ワイヤボンディングの工程図である。
【図11】従来のワイヤボンディングの構造図である。
【図12】従来のワイヤボンディングの構造図である。
【図13】従来のワイヤボンディングの構造図である。
7 ワイヤとしての平角薄銅線 9a 案内部材としての成形矢の円柱部 11 ターミナル(外部引出し用端子) 12 パッド(接続電極) 13 第1の湾曲部 14 第2の湾曲部
Claims (1)
- 【請求項1】 回路基板上の接続電極とパッケージの外
部引出し用端子とが上下・左右にズラして配置され、前
記接続電極と外部引出し用端子とをワイヤにて電気接続
するためのワイヤボンディング方法であって、 前記接続電極と前記外部引出し用端子のうちのいずれか
一方にワイヤの一端を溶接し、水平方向における前記接
続電極と前記外部引出し用端子との間で、かつ前記接続
電極と前記外部引出し用端子のうちの上方に位置する部
材よりも上方に配置した案内部材に対しワイヤを掛装し
た状態で同ワイヤの他端を前記接続電極と前記外部引出
し用端子のうちの他方に溶接し、その後、前記案内部材
にて形成されたワイヤの湾曲部を前記接続電極と前記外
部引出し用端子のうちの上方に位置する部材よりも下方
に押し下げて、上下方向において前記接続電極と外部引
出し用端子との間で前記ワイヤを、前記接続電極と前記
外部引出し用端子のうちのいずれか一方から第1の湾曲
部にて鋭角に折り曲げ、さらに、第2の湾曲部にて鋭角
に折り曲げ前記接続電極と前記外部引出し用端子のうち
の他方に延設したことを特徴とするワイヤボンディング
方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5182373A JP2783125B2 (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | ワイヤボンディング方法 |
US08/277,859 US5452841A (en) | 1993-07-23 | 1994-07-20 | Wire bonding apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5182373A JP2783125B2 (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | ワイヤボンディング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0737922A true JPH0737922A (ja) | 1995-02-07 |
JP2783125B2 JP2783125B2 (ja) | 1998-08-06 |
Family
ID=16117179
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5182373A Expired - Lifetime JP2783125B2 (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | ワイヤボンディング方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5452841A (ja) |
JP (1) | JP2783125B2 (ja) |
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US10010962B1 (en) | 2014-09-09 | 2018-07-03 | Awds Technologies Srl | Module and system for controlling and recording welding data, and welding wire feeder |
US10350696B2 (en) | 2015-04-06 | 2019-07-16 | Awds Technologies Srl | Wire feed system and method of controlling feed of welding wire |
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US9950857B1 (en) | 2016-10-17 | 2018-04-24 | Sidergas Spa | Welding wire container |
US11278981B2 (en) | 2020-01-20 | 2022-03-22 | Awds Technologies Srl | Device for imparting a torsional force onto a wire |
US11174121B2 (en) | 2020-01-20 | 2021-11-16 | Awds Technologies Srl | Device for imparting a torsional force onto a wire |
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---|---|
JP2783125B2 (ja) | 1998-08-06 |
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