JP2524363B2 - ワイヤボンディング装置 - Google Patents

ワイヤボンディング装置

Info

Publication number
JP2524363B2
JP2524363B2 JP62204073A JP20407387A JP2524363B2 JP 2524363 B2 JP2524363 B2 JP 2524363B2 JP 62204073 A JP62204073 A JP 62204073A JP 20407387 A JP20407387 A JP 20407387A JP 2524363 B2 JP2524363 B2 JP 2524363B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
bonding
wire bonding
semiconductor pellet
pellet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP62204073A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6448436A (en
Inventor
良夫 大島
安 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Priority to JP62204073A priority Critical patent/JP2524363B2/ja
Publication of JPS6448436A publication Critical patent/JPS6448436A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2524363B2 publication Critical patent/JP2524363B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H01L2224/8212—Aligning
    • H01L2224/82148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/82169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, e.g. nozzle
    • H01L2224/8218—Translational movements
    • H01L2224/82181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ワイヤボンディング技術に係り、特にワイ
ヤボンディングにおけるワイヤの張設制御に適用して有
効な技術に関する。
〔従来の技術〕
ワイヤボンディング技術について説明されている例と
しては、たとえば、株式会社工業調査会、昭和57年11月
15日発行「1982年電子材料別冊、超LSI製造・試験装置
ガイドブック」P163〜P164がある。当該文献には、ワイ
ヤボンディング装置について代表的な装置構造、技術的
問題点および今後の動向等が説明されている。
本発明者は、前記文献に示されたようなワイヤボンデ
ィング装置について、特にワイヤの張設制御について検
討した。以下は、公知とされた技術ではないが、本発明
者によって検討された技術であり、その概要は次の通り
である。
すなわち、半導体装置の製造工程においては、インナ
ーリードと半導体ペレットとを電気的に導通させる技術
としてワイヤボンディングによる電極間結線を行うこと
が知られているが、このワイヤボンディングに際して
は、ワイヤの張設を行うキャピラリあるいはウェッジ等
のボンディングツールのXYZ方向への正確な制御が必要
不可欠となる。
この点について、ディジタルボンディングヘッドを備
えたワイヤボンディング装置においては、ワイヤ張設時
のループ形状をワイヤ長さに対応して変更するため、ボ
ンディングツールの軌跡を手動で設定し制御する機構を
備えたものが知られている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところが、前記従来技術においては、ワイヤ毎にツー
ル軌跡を設定し直さなくてはならないため、品種切り換
えのための段取り時間が長くかかり、また設定をオペレ
ータによって行うため、データの設定に個人差を生じ、
ワイヤボンディングの品質が安定しないことが本発明者
によって見出された。
また、ワイヤ長に対応してツールの軌跡を自動設定す
る技術も考えられるが、このような自動設定技術におい
ても、パラメータとして制御部に与えるのはボンディン
グ位置である２点間のXY方向距離および半導体ペレット
の厚さ、すなわちＺ方向変位量のみでこれらの２つのパ
ラメータから画一的に軌跡が決定されていた。
このため、同一の２つのXYパラメータおよびＺパラメ
ータの組があった場合、これらの値により決定されるツ
ールの軌跡は同一となる。しかし、前記のように同一値
のXYパラメータおよびＺパラメータで設定されていたと
しても、たとえばメモリ製品等では、ワイヤの張設鉛直
断面を基準としてみた場合、パッドから半導体ペレット
のエッジまでの距離が異なる場合が多く、この距離によ
っては張設されたワイヤが該半導体ペレットのエッジと
短絡し、不良となるおそれのあることがさらに本発明者
によって見出された。
本発明は、上記問題点に着目してなされたものであ
り、その目的はボンディングツールの制御を的確に行
い、信頼性の高い電極間結線を行うことのできる技術を
提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
〔問題点を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、制御部によるボンディングツールの軌跡の
制御を、少なくともワイヤループの張設鉛直断面を基準
として第１の位置から前記第２の位置までのXY方向距離
と、前記第１の位置から前記第２の位置までのＺ方向変
位量と、前記第１の位置から半導体ペレットのエッジま
でのペレット面上距離とをパラメータとして決定するも
のである。
〔作用〕
上記した手段によれば、第1,第２位置間のXYZ方向の
距離とともに、半導体ペレット上の第１位置からエッジ
までのペレット面上距離をもパラメータとしてその情報
を制御部に与えるため、ボンディング位置によってワイ
ヤが半導体ペレットのエッジと接触することを防止で
き、電気的に信頼性の高い半導体装置を提供することが
できる。
〔実施例〕
第１図は本発明の一実施例であるワイヤボンディング
装置によるワイヤの張設状態を示す概略平面図、第２図
（ａ）は第１図II−II線における拡大部分断面図、第２
図（ｂ）は他のパッドとインナーリードとの位置関係を
示す断面図、第３図はワイヤボンディング装置を示す概
略説明図、第４図は本実施例のワイヤボンディング装置
によって結線の行われた完成状態の半導体装置を示す拡
大断面図である。
本実施例のワイヤボンディング装置１は、熱圧着方式
と超音波方式の併用形のワイヤボンディング装置であ
り、第３図に示すように、被ボンディング部材としての
リードフレーム２が載置されるボンディングステージ３
と、XYテーブル４上に搭載されたボンディングヘッド５
とを有している。
リードフレーム２は、たとえば第４図に示すようなタ
ブ2a上に半導体ペレット６が銀ペースト等の接合材７を
介して装着された状態でボンディングステージ３上に載
置されるものであり、この半導体ペレット６とリードフ
レーム２のインナーリード2bとが金（Au）、銅（Cu）あ
るいはアルミニユム（Al）等からなるワイヤ８によって
結線されるものである。
ボンディングステージ３の内部には第３図に示すよう
に、加熱源としてのヒータ９が内設されており、ボンデ
ィングステージ３の上面に載置される前記リードフレー
ム２を所定の温度に加熱する構造となっている。
XYテーブル４上に搭載されたボンディングヘッド５に
は、Ｚ軸方向の動作駆動源であるボイスコイル型リニア
モータ10が取付けられている。このボイルコイル型リニ
アモータ10には軸支部11を中心に所定範囲の回動が可能
なボンディングアーム12が取付けられている。
前記ボンディングアーム12の一端側、すなわち軸支部
11を隔ててボイスコイル型リニアモータ10とは反対側の
端部は超音波ホーン13を構成しており、該超音波ホーン
13はボンディングステージ３の上方位置まで延設され、
その先端にはボンディングツールとしてのキャピラリ14
が前記ボンディングステージ３のステージ面に向かって
垂設されている。
このキャピラリ14に対しては、その上方よりクランパ
15を経由してスプール16に巻回されたワイヤ８が、その
先端をキャピラリ14の先端からわずかに突出させた状態
で挿通されている。
なお、前記で説明したボイスコイル型リニアモータ10
およびXYテーブル４等はすべて制御部19の制御に従って
動作されるようになっている。当該制御部19は、たとえ
ば第１図に示される半導体ペレット６の四隅位置O,P,Q,
Rのxy座標、パッド位置Ｓのxy座標、これに対応するイ
ンナーリードのボンディング位置Ｔのxy座標、およびＳ
とＴとのｚ座標がそれぞれ入力されている。これらの数
値の入力は、たとえばテレビカメラによる画像認識から
の自動入力により行ってもよいし、またオペレータによ
るマニュアル入力であってもよい。
制御部19においては、これらの入力データに基づい
て、各パッド位置Ｓとインナーリードボンディング位置
Ｔとの座標組に対応したそれぞれのループ軌跡を算出
し、ワイヤボンディング動作時にXYテーブル４およびボ
イスコイル型リニアモータ10を作動制御する。
このとき、具体的に本実施例では、第２図に示すよう
に、まずパッド位置Ｓとインナーリードボンディング位
置Ｔとのxy座標によりＳからＴまでの直線距離が第１パ
ラメータl1として算出される。次に、ペレットの四隅の
各座標O,P,Q,Rとパッド位置Ｓおよびインナーリードボ
ンディング位置Ｔの各xy座標より選択的に適宜演算が行
われ、Ｓ−Ｔ直線を鉛直断面とした場合のパッド位置Ｓ
から半導体ペレットのエッジＥまでの平面距離が第２パ
ラメータl2として算出される。さらに、前記で与えられ
たＳおよびＴのｚ座標に基づいて、パッド位置Ｓとイン
ナーリードボンディング位置Ｔ間の段差がパラメータl3
として与えられる。制御部19においては、これらの３つ
のパラメータl1,l2,l3に基づいて、予めデータ格納部17
に記憶された軌跡パターンを選択し、キャピラリ14の移
動を制御するようになっている。
次に、本実施例の作用について説明する。
まず、ボンディングステージ３上にリードフレーム２
が載置されると、図示しない放電トーチ等の加熱手段に
より、キャピラリ14の先端から突出されたワイヤ８の一
端が加熱され溶融ボール8aが形成される。
次いで、制御部19によって前記パラメータl1,l2,l3に
基づいた軌跡パターンがデータ格納部17より取り出さ
れ、このデータに基づいてキャピラリ14のXYZ方向への
変位が制御される。
このキャピラリ14の動きを第１図および第２図に示す
Ｓ−Ｔ間の結線を例にさらに詳細に説明すると以下の通
りである。
まず、ボイスコイル型リニアモータ10が作動されて、
リードフレーム２上に取付けられた半導体ペレットのパ
ッド6a上にキャピラリ14が下降を開始する。キャピラリ
14の先端が定められたパッド6a上に着地すると、超音波
ホーン13に所定のスクラブ動作が印加されて、これによ
りパッド6aとワイヤ８の先端の溶融ボール8aとが接合さ
れて第１ボンディングが完了する。
次に、キャピラリ14はその先端からワイヤ８をたぐり
出しながら、第１図におけるII−II線上を移動して、イ
ンナーリード2b上のボンディング位置の上方に位置され
る。
このとき、たぐり出されたワイヤのループ形状は、キ
ャピラリ14のＺ方向への移動量、すなわちボイスコイル
型リニアモータ10の作動制御により決定される。ここ
で、本実施例によればパッド位置Ｓからインナーリード
ボンディング位置Ｔまでの距離を示す第１パラメータl1
およびパッド位置Ｓとインナーリードボンディング位置
Ｔとの段差による第３パラメータl3の他に、当該張設鉛
直断面におけるパッド位置Ｓから半導体ペレット６のエ
ッジＥまでの距離をも第２パラメータl2として与えら
れ、これらの３つのパラメータによりループ軌跡パター
ンがデータ格納部17より選択される。第２図（ａ）およ
び（ｂ）は、この第２パラメータl2の差異に基づくルー
プ軌跡パターンの選択の違いを示している。すなわち、
第２図（ａ）に示されるようにパラメータl2が比較的大
きい数値では与えられる場合には、ワイヤ８のループ頂
点は比較的高くかつ半導体ペレット６のエッジＥ寄りの
部分の上方となるようにする必要があるが、第２図
（ｂ）に示されるようにパラメータl2が比較的小さい数
値で与えられる場合には、ワイヤ８のループ頂点は比較
的低くかつ半導体ペレット６のパッド6a寄りの部分の上
方となるようにしてよい。
以上に説明したようなループ軌跡が描かれてキャピラ
リ14がインナーリード2b上のボンディング位置に着地さ
れると、超音波ホーン13を通じてキャピラリ14の先端に
対してスクラブ動作が印加され、これによりワイヤ８の
途中部分が前記インナーリード2bに対して超音波接合さ
れる。
最後にワイヤ８がクランパ15によって挟持され、該ク
ランパ15とキャピラリ14とがボイスコイル型リニアモー
タ10の作動により上昇されると、その引張力によりワイ
ヤ８の余線部分が切断されて１サイクルのワイヤボンデ
ィング作業が完了する。
以上に説明したワイヤボンディング作業の後、前記半
導体ペレット６およびインナーリード2bの周囲がエポキ
シ樹脂等の合成樹脂によりモールドされてパッケージ20
が形成される。
このように、本実施例によれば以下の効果を得ること
ができる。
（１）．半導体ペレット６の四隅位置O,P,Q,Rの各xy座
標、パッド位置Ｓのxy座標およびインナーリード2bのボ
ンディング位置Ｔのxy座標等を入力し、制御パラメータ
としてＳ−Ｔ間の平面直線距離l1,パッド位置Ｓから半
導体ペレット６のエッジＥまでの平面距離l2,S−Ｔ間の
段差l3をそれぞれ算出し、これらのパラメータに最適な
ループ軌跡パターンを選択し、キャピラリ14の作動制御
を行うことにより、ワイヤ８と半導体ペレット６のエッ
ジＥとの接触を防止でき、電気的信頼性の高いワイヤボ
ンディングを実現できる。
（２）．前記（１）により、信頼性の高い半導体装置を
提供することができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
たとえば、ボンディングツールとしては熱圧着および
超音波振動の併用型のキャピラリ14を用いた場合につい
て説明したが、これに限らず、超音波振動のみによるウ
ェッジ等を用いてもよい。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りであ
る。
すなわち、制御部によるボンディングツールの軌跡の
制御を、少なくともワイヤループの張設鉛直断面を基準
として前記第１の位置から前記第２の位置までのXY方向
距離と、前記第１の位置から前記第２の位置までのＺ方
向変位量と、前記第１の位置から半導体ペレットのエッ
ジまでのペレット面上距離とをパラメータとして決定す
ることにより、半導体ペレット上の第１位置からエッジ
までのペレット面上距離をもパラメータとしてその情報
を制御部に与えるため、ボンディング位置によってワイ
ヤが半導体ペレットのエッジと接触することを防止で
き、電気的に信頼性の高い半導体装置を提供することが
できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例であるワイヤボンディング装
置によるワイヤの張設状態を示す概略平面図、 第２図（ａ）は第１図II−II線における拡大部分断面
図、 第２図（ｂ）はこの実施例において他のパッドとインナ
ーリードとの位置関係を示す断面図、 第３図は実施例のワイヤボンディング装置を示す概略説
明図、 第４図は実施例のワイヤボンディング装置によって結線
の行われた完成状態の半導体装置を示す拡大断面図であ
る。 １……ワイヤボンディング装置、２……リードフレー
ム、2a……タブ、2b……インナーリード、３……ボンデ
ィングステージ、４……XYテーブル、５……ボンディン
グヘッド、６……半導体ペレット、6a……パッド、７…
…接合材、８……ワイヤ、8a……溶融ボール、９……ヒ
ータ、10……ボイスコイル型リニアモータ、11……軸支
部、12……ボンディングアーム、13……超音波ホーン、
14……キャピラリ、15……クランパ、16……スプール、
17……データ格納部、19……制御部、20……パッケー
ジ、Ｓ……パッド位置、Ｔ……インナーリードのボンデ
ィング位置、Ｅ……エッジ、l1……Ｓ−Ｔ間平面距離、
l2……Ｓ−Ｅ間平面距離、l3……Ｓ−Ｔ間高さ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭51−99472（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−58352（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−137961（ＪＰ，Ａ)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体ペレット上の第１の位置とパッケー
    ジ内配線あるいはインナーリードにおける第２の位置と
    を結線するワイヤボンディング装置であって、XYZ方向
    への駆動手段により変位可能なボンディングツールと、
    このボンディングツールの軌跡を制御するための制御部
    とを備えており、前期制御部によるボンディングツール
    の軌跡の制御が、少なくともワイヤループの張設鉛直断
    面を基準として前記第１の位置から前記第２の位置まで
    のXY方向距離と、前記第１の位置から前記第２の位置ま
    でのＺ方向変位量と、前記第１の位置から半導体ペレッ
    トのエッジまでのペレット面上距離とをパラメータとし
    て決定されることを特徴とするワイヤボンディング装
    置。
  2. 【請求項２】前記第１の位置から前記第２の位置までの
    XY方向距離と、前記第１の位置から前記第２の位置まで
    のＺ方向変位量と、前記第１の位置から半導体ペレット
    のエッジまでのペレット面上距離とからなるパラメータ
    が、半導体ペレットの四隅の座標と、前記第１の位置の
    座標と、前記第２の位置の座標とからそれぞれ算出され
    ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のワイヤ
    ボンディング装置。
JP62204073A 1987-08-19 1987-08-19 ワイヤボンディング装置 Expired - Fee Related JP2524363B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62204073A JP2524363B2 (ja) 1987-08-19 1987-08-19 ワイヤボンディング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62204073A JP2524363B2 (ja) 1987-08-19 1987-08-19 ワイヤボンディング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6448436A JPS6448436A (en) 1989-02-22
JP2524363B2 true JP2524363B2 (ja) 1996-08-14

Family

ID=16484320

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62204073A Expired - Fee Related JP2524363B2 (ja) 1987-08-19 1987-08-19 ワイヤボンディング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2524363B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5215940A (en) * 1990-02-05 1993-06-01 Orcutt John W Wire looping method during wire bonding

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6448436A (en) 1989-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2783125B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JPS61125062A (ja) ピン取付け方法およびピン取付け装置
JPH08181162A (ja) シェィブドキャピラリーを用いて細かいピッチのワイヤーボンディングを行う方法および装置
WO1990007191A1 (en) Ultrasonic laser soldering
JPH0620085B2 (ja) 熔接装置
US4068371A (en) Method for completing wire bonds
JP2524363B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JP2534132B2 (ja) ボンデイング方法
US5150828A (en) Wire bonding method and apparatus for same capable of packaging semiconductor device into thin package
JPWO2020235211A1 (ja) ピン状ワイヤ成形方法及びワイヤボンディング装置
JPH08181175A (ja) ワイヤボンディング方法
JPH0530058B2 (ja)
JPS6329534A (ja) ワイヤボンデイング装置
JP2559344B2 (ja) インナーリードのボンディング装置
JPH06333974A (ja) 集積回路のボンディングパッド構造
JP2551150B2 (ja) バンプ形成方法及びその形成装置
JPH0682701B2 (ja) ワイヤボンデイング方法および装置
JPH10107074A (ja) バンプボンダー
JPH09153511A (ja) ワイヤボンダ
JPH0697350A (ja) リ−ドフレ−ム
JPH04306850A (ja) ワイヤボンディング方法および装置
JPH039525A (ja) バンプ形成方法及びその形成装置
JPS6313344B2 (ja)
JP2846095B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2621881B2 (ja) バンプ形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees