JPH07122587A - ワイヤボンディング方法 - Google Patents

ワイヤボンディング方法

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JPH07122587A
JPH07122587A JP5269317A JP26931793A JPH07122587A JP H07122587 A JPH07122587 A JP H07122587A JP 5269317 A JP5269317 A JP 5269317A JP 26931793 A JP26931793 A JP 26931793A JP H07122587 A JPH07122587 A JP H07122587A
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JP
Japan
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bonding
loop
point
wire
height
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Pending
Application number
JP5269317A
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English (en)
Inventor
Hideki Fujii
英樹 藤井
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】集積回路の電極とリードを金線ワイヤで接続す
る場合にネックを直立させたループを形成させる。 【構成】第１のボンディング点からボンディングツール
に移動Ｌだけ離れループ高さの中間点を通らせて第２の
ボンディング点までワイヤを張る場合に、ツールに中間
点のほかに第１及び第２のループ中間点を通らせ、第１
のループ中間点を第１のボンディング点から第２のボン
ディングテントは逆に少しはなれた位置にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路上の電極とリ
ードを金線ワイヤで接続する場合等におけるワイヤボン
ディング方法に関し、特に２つのボンディング点間のワ
イヤにループを形成されるためのボンディングツールに
所定の点を通って移動させるワイヤボンディング方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のワイヤボンディング方法（特開平
３−５３５３７号公報）は、ボンディング数に担当する
行数の行列構造からなる制御データを用い、この制御デ
ータの各行にはボンディング位置情報、ボンディング制
御情報及びループ制御情報が与えられてある。このワイ
ヤボンディング方法で制御データのいずれかの行を読み
出したときは、ボンディングツールをその行のボンディ
ング位置情報が示す位置に移動させボンディング制御情
報に従ってワイヤをパッド等にボンディングし、ワイヤ
の開始処理を実行する。次に、次の行の制御データを読
み出しこの次の行のボンディング位置情報が示す位置へ
ボンディングツールを移動させるとともに、ループ制御
情報が指示する中間点をボンディングツールが通るよう
にしてワイヤのループを形成させる。
【０００３】このように従来のワイヤボンディング方法
でループ制御情報に従って移動させるボンディングツー
ルの軌跡を図１を用いて説明する。図１は制御データに
従い位置Ｐ１の次に位置Ｐ２にボンディングしてその間
にワイヤを掛け渡す場合で、まずボンディングツールを
位置Ｐ１上の点Ａに位置させてボンディング動作を行わ
せ、次に基準面上で位置Ｐ２に向って移動Ｌだけ離れ、
基準面からループ高さＨである点Ｄにボンディングツー
ルを移動させ、この後にボンディングツールを位置Ｐ２
上の点Ｅに位置させてボンディング動作を行わせてい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】集積回路にワイヤをボ
ンディングする場合はボンディング位置でワイヤのネッ
クを基板に対し直立させ、ワイヤのループを基板からな
るべく遠ざけた方がワイヤの分布容量を小さくする等、
電気特性上望ましい。このためにワイヤをボンディング
後にボンディングツールをワイヤループを張る方向とは
逆方向に少し移動させてからループを張る方向に移動さ
せると良いのであるが（特許０１６０８１４３号）、上
述した従来のワイヤボンディング方法では、ボンディン
グツールをループとは逆の方向に少し移動させることは
なく、ワイヤループが寝る状態となって基板に近ずいて
しまう傾向があった。
【０００５】本発明の目的は、ツールをループとは逆の
方向に少し移動させてからループを張る方向に移動させ
て、ワイヤにネックを直立させたループを形成させ、し
かも上述の従来のワイヤボンディング方法と比較して制
御データに与える位置情報を増やすことなく制御できる
ワイヤボンディング方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、制御データに
より基準面上の位置を指示される第１のボンディング点
から前記制御データにより前記基準面上の位置を指示さ
れる第２のボンディング点までワイヤを張るのにボンデ
ィングツールに前記第１のボンディング点から前記第２
のボンディング点に向けて移動Ｌだけ離れ前記基準面か
らループ高さＨの中間点を通らせるワイヤボンディング
方法において、前記中間点のほかに前記移動Ｌ及びルー
プ高さＨ並びに予め設定した値から計算により定められ
る複数のループ中間点をボンディングツールが通るよう
にして前記第１及び第２のボンディング間のワイヤにル
ープを形成させることを特徴とする。
【０００７】本発明は、制御データにより基準面上の位
置を指示される第１のボンディング点から前記制御デー
タにより前記基準面上の位置を指示される第２のボンデ
ィング点までワイヤを張るのにボンディングツールに前
記第１のボンディング点から前記第２のボンディング点
に向けて移動Ｌだけ離れ前記基準面からループ高さＨの
中間点を通らせるワイヤボンディング方法において、前
記ボンディングツールが前記中間点のほかに第１及び第
２のループ中間点を通るようにして前記第１及び第２の
ボンディング間のワイヤにループを形成させ、前記第１
のループ中間点は前記第１のボンディング点から前記第
２のボンディング点と反対の向きに前記移動Ｌのｊパー
セント離れ前記基準面から前記移動Ｌのｌパーセントの
高さであり、前記第２のループ中間点は前記第１のボン
ディング点から前記第２のボンディング点の向きに前記
ループ高さＨのｋパーセント離れ前記基準面から前記ル
ープ高さＨのｍパーセントの高さであることを特徴とす
る。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
【０００９】図１は本発明の一実施例を示すループ断面
におけるボンディング時のツール軌跡を表す図である。
縦軸は基準面からの高さを表し、横軸はループ断面距離
である。ツールは点Ａ〜点Ｅの順に移動し、点Ａ〜点Ｅ
は下記の意味を持つ。ここで括弧内は（１ｓｔ点ボンデ
ィング位置からのループ断面距離、高さ位置）を示す。 点Ａ：１ｓｔ点ボンディング終了高さ 点Ｂ：ループ中間点１（ａ、ｃ） 点Ｃ：ループ中間点２（ｂ，ｄ） 点Ｄ：ループ高さ（移動Ｌ、ループ高さＨ） 点Ｅ：２ｎｄ点ボンディング開始高さ ここでＢ点とＣ点のループ断面距離ａ、ｂと高さ位置
ｃ、ｄはＤ点の（移動Ｌ、ループ高さＨ）を１００％と
し、ループ断面距離とループ高さの割合を表す設定量ｊ
〜ｍで次の（１）〜（４）式のように算出される。 ａ＝移動Ｌ×（ｊ／１００） ｂ＝ループ高さＨ×（ｋ／１００） ｃ＝移動Ｌ×（１／１００） ｄ＝ループ高さＨ×（ｍ／１００） この時の設定量ｊ〜ｍは１ｓｔボンド点と２ｎｄボンド
点間の距離変化に無関係で従来の制御データとは別の、
あらかじめ設定しておく固定パラメータである。
【００１０】このように、ボンディングツールの１ｓｔ
ボンディング終了高さから２ｎｄボンディングへの中間
点Ｄまでを移動距離の割合でさらに途中の通過点を複数
個指定する（図１では２個）。
【００１１】また、（１）〜（４）式のようにａ〜ｄを
定めることにより、ボンディングツールは点Ａでボンデ
ィングした後に次のボンディング位置である点Ｅと反対
の向きに少し離れた点Ｂに移動し、ネックが直立するよ
うにワイヤループが形成されるようになる。
【００１２】
【発明の効果】本発明のワイヤボンディング方法は、予
め定めた計算式によりループ中間点の位置を求めること
により、位置情報としてボンディング点のもののみを有
する従来のワイヤボンディング方法で用いていた制御デ
ータを使用して、位置情報を余計に入力するとなくボン
ディングツールを中間点のほかにループ中間点を通るよ
うにしてボンディングワイヤに望ましいループを形成さ
せることができる。
【００１３】第１ボンディング点をボンディングした後
にボンディングツールが第２のボンディング点と反対側
のループ中間点を通るようにすることによりボンディン
グワイヤのネックを基準面に対し垂直にすることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例のボンディングツール軌跡を
示す図である。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 制御データにより基準面上の位置を指示
    される第１のボンディング点から前記制御データにより
    前記基準面上の位置を指示される第２のボンディング点
    までワイヤを張るのにボンディングツールに前記第１の
    ボンディング点から前記第２のボンディング点に向けて
    移動Ｌだけ離れ前記基準面からループ高さＨの中間点を
    通らせるワイヤボンディング方法において、前記中間点
    のほかに前記移動Ｌ及びループ高さＨ並びに予め設定し
    た値から計算により定められる複数のループ中間点をボ
    ンディングツールが通るようにして前記第１及び第２の
    ボンディング間のワイヤにループを形成させることを特
    徴とするワイヤボンディング方法。
  2. 【請求項２】 制御データにより基準面上の位置を指示
    される第１のボンディング点から前記制御データにより
    前記基準面上の位置を指示される第２のボンディング点
    までワイヤを張るのにボンディングツールに前記第１の
    ボンディング点から前記第２のボンディング点に向けて
    移動Ｌだけ離れ前記基準面からループ高さＨの中間点を
    通らせるワイヤボンディング方法において、前記ボンデ
    ィングツールが前記中間点のほかに第１及び第２のルー
    プ中間点を通るようにして前記第１及び第２のボンディ
    ング間のワイヤにループを形成させ、前記第１のループ
    中間点は前記第１のボンディング点から前記第２のボン
    ディング点と反対の向きに前記移動Ｌのｊパーセント離
    れ前記基準面から前記移動Ｌのｌパーセントの高さであ
    り、前記第２のループ中間点は前記第１のボンディング
    点から前記第２のボンディング点の向きに前記ループ高
    さＨのｋパーセント離れ前記基準面から前記ループ高さ
    Ｈのｍパーセントの高さであることを特徴とするワイヤ
    ボディング方法。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62140427A (ja) * 1985-12-16 1987-06-24 Toshiba Corp ワイヤボンデイング方法
JPS6342135A (ja) * 1986-08-08 1988-02-23 Shinkawa Ltd ワイヤボンデイング方法
JPH03142941A (ja) * 1989-10-30 1991-06-18 Mitsubishi Electric Corp ワイヤボンディング方法
JPH05211193A (ja) * 1991-11-12 1993-08-20 Nec Corp ワイヤボンディング方法
JPH06124973A (ja) * 1992-10-13 1994-05-06 M M T:Kk ワイヤボンディング方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62140427A (ja) * 1985-12-16 1987-06-24 Toshiba Corp ワイヤボンデイング方法
JPS6342135A (ja) * 1986-08-08 1988-02-23 Shinkawa Ltd ワイヤボンデイング方法
JPH03142941A (ja) * 1989-10-30 1991-06-18 Mitsubishi Electric Corp ワイヤボンディング方法
JPH05211193A (ja) * 1991-11-12 1993-08-20 Nec Corp ワイヤボンディング方法
JPH06124973A (ja) * 1992-10-13 1994-05-06 M M T:Kk ワイヤボンディング方法

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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19960618