JPH06101119B2 - 磁気記録媒体、ヘッド及びそれを用いた磁気記録装置 - Google Patents
磁気記録媒体、ヘッド及びそれを用いた磁気記録装置Info
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- JPH06101119B2 JPH06101119B2 JP63118127A JP11812788A JPH06101119B2 JP H06101119 B2 JPH06101119 B2 JP H06101119B2 JP 63118127 A JP63118127 A JP 63118127A JP 11812788 A JP11812788 A JP 11812788A JP H06101119 B2 JPH06101119 B2 JP H06101119B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気記録媒体、ヘツド及びそれを用いた磁気記
録装置に係わり、特に耐久性に優れた保護膜を表面に持
つ磁気記録媒体、ヘツドと、それを用いた信頼性の高い
磁気記録装置に関する。
録装置に係わり、特に耐久性に優れた保護膜を表面に持
つ磁気記録媒体、ヘツドと、それを用いた信頼性の高い
磁気記録装置に関する。
磁気デイスクは、大容量の情報記憶再生装置用に多くの
分野に適用されている。これら磁気デイスクは、いずれ
も記録容量の増大が期待されていると同時に、長時間の
動作に耐え得る信頼性が要求されている。特に、高記録
密度を必要とするデイスクには磁気記録密度の高い薄膜
磁性媒体型の磁気デイスクが適用されている。しかし、
記憶容量の増大は、ヘツドとデイスク間の間隔が狭くな
り接触摺動する確率が高くなる等、薄膜磁性媒体型では
必然的に摺動条件が苛酷になる方向にあり、摺動耐久性
の向上は不可欠の要素である。現状では十分な耐久性の
ある薄膜磁性媒体型磁気デイスクは得られていない。
分野に適用されている。これら磁気デイスクは、いずれ
も記録容量の増大が期待されていると同時に、長時間の
動作に耐え得る信頼性が要求されている。特に、高記録
密度を必要とするデイスクには磁気記録密度の高い薄膜
磁性媒体型の磁気デイスクが適用されている。しかし、
記憶容量の増大は、ヘツドとデイスク間の間隔が狭くな
り接触摺動する確率が高くなる等、薄膜磁性媒体型では
必然的に摺動条件が苛酷になる方向にあり、摺動耐久性
の向上は不可欠の要素である。現状では十分な耐久性の
ある薄膜磁性媒体型磁気デイスクは得られていない。
現在、耐久性を向上させるために行われている技術は、
潤滑剤の助けを借りて摺動時の摩擦、摩耗を低減させる
手法である。一般的な方法としては、潤滑性のより優れ
たフツ素系潤滑剤〔デユポン社：クライトツクス143、
モンテフルオス（Monte fluous）社：ホンブリンＹ〕を
磁気デイスク表面に単に塗布する方法（米国特許第3490
946号、同第3778308号）がある。ところが、この方法は
初期には非常に有効であるが長期間使用すると、デイス
クが高速回転で運転されているため、潤滑剤はデイスク
表面から次第に脱落し、潤滑効果が減少してしまうとい
う欠点がある。
潤滑剤の助けを借りて摺動時の摩擦、摩耗を低減させる
手法である。一般的な方法としては、潤滑性のより優れ
たフツ素系潤滑剤〔デユポン社：クライトツクス143、
モンテフルオス（Monte fluous）社：ホンブリンＹ〕を
磁気デイスク表面に単に塗布する方法（米国特許第3490
946号、同第3778308号）がある。ところが、この方法は
初期には非常に有効であるが長期間使用すると、デイス
クが高速回転で運転されているため、潤滑剤はデイスク
表面から次第に脱落し、潤滑効果が減少してしまうとい
う欠点がある。
一方、磁気デスク表面への吸着性を高めたフツ素系界面
活性剤の塗布という手法が提案されている。（特開昭59
−116931号、同58−41431号、同58−29147号、同57−15
4619号、同57−44226号）。また、磁気デイスク表面へ
フツ素系潤滑剤を化学的に固定する方法が米国特許第41
20995号明細書、特開昭54−36171号、同59−203239号、
同60−38730号、同59−172159号、同61−39919号各公報
で提案されている。
活性剤の塗布という手法が提案されている。（特開昭59
−116931号、同58−41431号、同58−29147号、同57−15
4619号、同57−44226号）。また、磁気デイスク表面へ
フツ素系潤滑剤を化学的に固定する方法が米国特許第41
20995号明細書、特開昭54−36171号、同59−203239号、
同60−38730号、同59−172159号、同61−39919号各公報
で提案されている。
これは下記一般式で表される化合物である： CnF2n+1−SiX3 （式中、ｎ＝４〜13、Ｘはハロゲン、ニトリル及びアル
コキシグループ） 又は、特開昭60−109028号、同60−101717号、同60−24
6020号各公報で提案されているリン酸系がある。これは
下記一般式で表される化合物： Rf−Ｐ（Ｏ）−(OR)m （式中、Rfはパーフルオロアルキル基、ＲはCzH2z+1で
ｍは２〜３、ｚは０〜３） であり、デイスク表面の金属膜、あるいは酸化膜表面に
反応して固着するタイプの潤滑剤である。
コキシグループ） 又は、特開昭60−109028号、同60−101717号、同60−24
6020号各公報で提案されているリン酸系がある。これは
下記一般式で表される化合物： Rf−Ｐ（Ｏ）−(OR)m （式中、Rfはパーフルオロアルキル基、ＲはCzH2z+1で
ｍは２〜３、ｚは０〜３） であり、デイスク表面の金属膜、あるいは酸化膜表面に
反応して固着するタイプの潤滑剤である。
前記一般式で表されるフツ素系表面活性剤を磁気デイス
ク表面に塗布する方法では、フツ素系界面活性剤は強固
に表面に固定されないため、摺動時に摺動面より飛散し
てしまい、磁気デイスクの耐久性は充分に向上せず記憶
装置の耐久性は向上しない。
ク表面に塗布する方法では、フツ素系界面活性剤は強固
に表面に固定されないため、摺動時に摺動面より飛散し
てしまい、磁気デイスクの耐久性は充分に向上せず記憶
装置の耐久性は向上しない。
米国特許第4120995号明細書、特開昭54−36171号、同59
−203239号、同60−38730号、同59−172159号、同61−3
9919号各公報に記載の方法は潤滑剤を磁気デイスク表面
に化学反応で固定してしまうため、摺動面から脱離しに
くく、かなりの耐久性の向上が期待されるが、反応が困
難な上、均質な反応膜が得にくい欠点があり、実際には
適用が非常に困難である。また、フツ素鎖の鎖長がいず
れも炭素数12以下と小さすぎて潤滑効果があまり良好で
なく、磁気記録媒体の耐久性は充分に向上しない。
−203239号、同60−38730号、同59−172159号、同61−3
9919号各公報に記載の方法は潤滑剤を磁気デイスク表面
に化学反応で固定してしまうため、摺動面から脱離しに
くく、かなりの耐久性の向上が期待されるが、反応が困
難な上、均質な反応膜が得にくい欠点があり、実際には
適用が非常に困難である。また、フツ素鎖の鎖長がいず
れも炭素数12以下と小さすぎて潤滑効果があまり良好で
なく、磁気記録媒体の耐久性は充分に向上しない。
このように従来のフツ素系界面活性剤及びフツ素系潤滑
剤では磁気デイスクの耐久性はあまり向上せず、また、
フツ素系潤滑剤を化学的に表面に結合させる方法は実用
性に乏しい。
剤では磁気デイスクの耐久性はあまり向上せず、また、
フツ素系潤滑剤を化学的に表面に結合させる方法は実用
性に乏しい。
本発明の目的は、これら従来技術の問題点を解決した磁
気記録媒体、ヘツド及びそれを用いた磁気記録装置を提
供することにある。
気記録媒体、ヘツド及びそれを用いた磁気記録装置を提
供することにある。
本発明を概説すれば、本発明の第１の発明は磁気記録媒
体に関する発明であつて、非磁性基材の表面に薄膜の磁
性層が形成され、該磁性層上に、有機薄膜から成る保護
層が形成された磁気記録媒体において、該有機薄膜は、
厚さ30〜100nmであり、その中に有機バインダーと、下
記一般式： 〔式中、Rfは下記一般式： F(C3F6-O-)x−C2F4− 又は F(C3F6-O-)x−(CF2O)y−(CF2)z− 又は −(C2F4-O-)y−(CF2O)z−CF2− （式中ｘ＝５〜50、ｙ＝５〜50、x/y＝0.5〜1.5、x/z＝
５〜20）で表される基、R1は直接結合、−CH2−、−CO
−又は−CONH−基、R2は炭素数２又は３のオキシアルキ
レン基、R3は直接接合、−Ｏ−、−COO−、−CONH−、
−NHCO−、−OCpH2p−（ｐは１又は２の数を示す）又は
−C(CH3)2−基で、繰返しごとに異なつていてもよい、
ｍは０〜４の整数、ｎは１〜６の整数、ｌは１又は２の
数を示す〕で表されるパーフルオロポリオキシアルキレ
ングループと非フツ素含有グループとが結合した構造の
潤滑剤と、粒径７〜40nmのフイラーとを含有しているこ
とを特徴とする。
体に関する発明であつて、非磁性基材の表面に薄膜の磁
性層が形成され、該磁性層上に、有機薄膜から成る保護
層が形成された磁気記録媒体において、該有機薄膜は、
厚さ30〜100nmであり、その中に有機バインダーと、下
記一般式： 〔式中、Rfは下記一般式： F(C3F6-O-)x−C2F4− 又は F(C3F6-O-)x−(CF2O)y−(CF2)z− 又は −(C2F4-O-)y−(CF2O)z−CF2− （式中ｘ＝５〜50、ｙ＝５〜50、x/y＝0.5〜1.5、x/z＝
５〜20）で表される基、R1は直接結合、−CH2−、−CO
−又は−CONH−基、R2は炭素数２又は３のオキシアルキ
レン基、R3は直接接合、−Ｏ−、−COO−、−CONH−、
−NHCO−、−OCpH2p−（ｐは１又は２の数を示す）又は
−C(CH3)2−基で、繰返しごとに異なつていてもよい、
ｍは０〜４の整数、ｎは１〜６の整数、ｌは１又は２の
数を示す〕で表されるパーフルオロポリオキシアルキレ
ングループと非フツ素含有グループとが結合した構造の
潤滑剤と、粒径７〜40nmのフイラーとを含有しているこ
とを特徴とする。
また、本発明の第２の発明は磁気記録装置に関する発明
であつて、第１の発明の磁気記録媒体とヘツドとの組合
せからなる磁気記録装置において、該ヘツドの表面が潤
滑薄膜でコーテイングされており、該潤滑薄膜が、有機
バインダーと、前記一般式： 〔式中の各符号は前記と同義である〕で表されるパーフ
ルオロポリオキシアルキレングループと非フツ素含有グ
ループとが結合した構造の潤滑剤とを含有していること
を特徴とする。
であつて、第１の発明の磁気記録媒体とヘツドとの組合
せからなる磁気記録装置において、該ヘツドの表面が潤
滑薄膜でコーテイングされており、該潤滑薄膜が、有機
バインダーと、前記一般式： 〔式中の各符号は前記と同義である〕で表されるパーフ
ルオロポリオキシアルキレングループと非フツ素含有グ
ループとが結合した構造の潤滑剤とを含有していること
を特徴とする。
本発明は、デイスク表面に100nm以下の薄膜の保護層を
構築する方法に関するもので、この薄膜の保護層を信頼
性の高いものにするため、50nm以下のフイラー、特に無
機フイラーを含有させることが特徴であり、更にヘツド
側に潤滑剤を固定した薄膜を成膜することにより、信頼
性の高い磁気記録装置を完成することにある。
構築する方法に関するもので、この薄膜の保護層を信頼
性の高いものにするため、50nm以下のフイラー、特に無
機フイラーを含有させることが特徴であり、更にヘツド
側に潤滑剤を固定した薄膜を成膜することにより、信頼
性の高い磁気記録装置を完成することにある。
以下に、本発明を詳しく説明する。
本発明は、ヘツドと磁気記録媒体が摺動によつて起るク
ラツシユからヘツド及び磁気記録媒体を保護するため
に、磁性層の表面に厚さ30〜100nmの有機薄膜から成る
保護層を形成し、該有機薄膜表面又は、ヘツド表面の潤
滑薄膜にフツ素系化合物又は、パーフルオロポリオキシ
アルキレングループを含有させる。あるいは該有機薄膜
中、又は更に該潤滑薄膜中に７〜40nmのフイラーを分散
させることによつて目的を達したものである。
ラツシユからヘツド及び磁気記録媒体を保護するため
に、磁性層の表面に厚さ30〜100nmの有機薄膜から成る
保護層を形成し、該有機薄膜表面又は、ヘツド表面の潤
滑薄膜にフツ素系化合物又は、パーフルオロポリオキシ
アルキレングループを含有させる。あるいは該有機薄膜
中、又は更に該潤滑薄膜中に７〜40nmのフイラーを分散
させることによつて目的を達したものである。
磁気記録媒体、ヘツドの摺動耐久性を高めるには摩擦係
数を小さく、摩耗速度を小さくし得る潤滑剤を表面に介
在させる必要があり、従来技術で提案されてきた反応型
のフツ素系潤滑剤は、その有効な手段と考えられてき
た。しかし、摺動耐久性が不十分であることと、固定方
法が非常に難しいことから、本発明では、磁気記録媒体
の表面に有機薄膜から成る保護層を形成し、該有機薄膜
中に７〜40nmのフイラー、特に無機フイラーを分散し、
該有機薄膜中及び／又は、ヘツド側の潤滑薄膜にフツ素
系の潤滑剤あるいはパーフルオロポリオキシアルキレン
グループと非フツ素含有グループを結合した構造の潤滑
剤を含有させることによつて、磁気デイスクに高速で接
触し合うヘツドと磁気記録媒体を保護する方法を考えた
ものである。
数を小さく、摩耗速度を小さくし得る潤滑剤を表面に介
在させる必要があり、従来技術で提案されてきた反応型
のフツ素系潤滑剤は、その有効な手段と考えられてき
た。しかし、摺動耐久性が不十分であることと、固定方
法が非常に難しいことから、本発明では、磁気記録媒体
の表面に有機薄膜から成る保護層を形成し、該有機薄膜
中に７〜40nmのフイラー、特に無機フイラーを分散し、
該有機薄膜中及び／又は、ヘツド側の潤滑薄膜にフツ素
系の潤滑剤あるいはパーフルオロポリオキシアルキレン
グループと非フツ素含有グループを結合した構造の潤滑
剤を含有させることによつて、磁気デイスクに高速で接
触し合うヘツドと磁気記録媒体を保護する方法を考えた
ものである。
本発明で言う無機フイラーは、セラミツクス系のAl
2O3、SiO2、TiO2等である。粒径が７〜40nmの粒子は、
例えば日本アエロジル（株）のAEROSIL−200、AEROSIL
−R974、Aluminium Oxide C、Titanium Dioxde P25等が
ある。
2O3、SiO2、TiO2等である。粒径が７〜40nmの粒子は、
例えば日本アエロジル（株）のAEROSIL−200、AEROSIL
−R974、Aluminium Oxide C、Titanium Dioxde P25等が
ある。
有機塗膜への含量は0.1〜30重量％の範囲が良く、望ま
しくは５〜20重量％が良い。無機フイラーは非常に微細
なため一次粒子に均質に分散して塗膜を作製することが
難しく、各種カツプリング剤を用いるか、良くせん断し
分散させてもよい。
しくは５〜20重量％が良い。無機フイラーは非常に微細
なため一次粒子に均質に分散して塗膜を作製することが
難しく、各種カツプリング剤を用いるか、良くせん断し
分散させてもよい。
カツプリング剤は、有機官能基としてエポキシ基、ある
いはアミン基を持つ、チツソ（株）製の商品名“サイラ
エース"S510、S520、S530、S311、S320、S330等が有効
な分散剤である。
いはアミン基を持つ、チツソ（株）製の商品名“サイラ
エース"S510、S520、S530、S311、S320、S330等が有効
な分散剤である。
本発明で言う該有機薄膜を被覆するフツ素系化合物の例
は、デユポン社から市販されているクライトツクス143
あるいは、モンテフルオス社のホンブリンＶ、ホンブリ
ンＺ等がある。
は、デユポン社から市販されているクライトツクス143
あるいは、モンテフルオス社のホンブリンＶ、ホンブリ
ンＺ等がある。
また本発明で言う該有機薄膜中又はヘツドの潤滑薄膜中
に含有するパーフルオロポリオキシアルキレングループ
と非フツ素含有グループを結合した構造の潤滑剤の具体
的な例としては、下記式のものが挙げられる： （式中、RfはＦ〔CF（CF3）−CF2O−〕ｎ−CF（CF3）−
又は−〔CF（CF3）−CF2O−〕ｎ−CF（CF3）−で、ｎ＝
平均７〜14） 本発明は次の様な形態で使用することができる。各実施
態様を断面概略図として示す。
に含有するパーフルオロポリオキシアルキレングループ
と非フツ素含有グループを結合した構造の潤滑剤の具体
的な例としては、下記式のものが挙げられる： （式中、RfはＦ〔CF（CF3）−CF2O−〕ｎ−CF（CF3）−
又は−〔CF（CF3）−CF2O−〕ｎ−CF（CF3）−で、ｎ＝
平均７〜14） 本発明は次の様な形態で使用することができる。各実施
態様を断面概略図として示す。
なお、図中の符号１はAl基板、２は下地膜、３は磁性薄
膜層、４は有機薄膜層、５は無機フイラー、６はフツ素
系潤滑層、７はパーフルオロポリオキシアルキレングル
ープと非フツ素含有グループを結合した構造の潤滑剤含
有層、８はヘツド、９は潤滑薄膜層を意味する。
膜層、４は有機薄膜層、５は無機フイラー、６はフツ素
系潤滑層、７はパーフルオロポリオキシアルキレングル
ープと非フツ素含有グループを結合した構造の潤滑剤含
有層、８はヘツド、９は潤滑薄膜層を意味する。
（第１図の構造） Al基板１上に形成された薄膜の磁性層３の表面に有機薄
膜４を形成し、その有機薄膜中に無機フイラー５を分散
させ、保護層を形成する。
膜４を形成し、その有機薄膜中に無機フイラー５を分散
させ、保護層を形成する。
（第２図の構造） Al基板１上に形成された薄膜の磁性層３の表面に有機薄
膜４を形成し、その有機薄膜中に無機フイラー５を分散
させ、有機薄膜上にはフツ素系潤滑剤６を塗布し、保護
層を形成する。
膜４を形成し、その有機薄膜中に無機フイラー５を分散
させ、有機薄膜上にはフツ素系潤滑剤６を塗布し、保護
層を形成する。
（第３図の構造） Al基板１上に形成された薄膜の磁性層３の表面に有機薄
膜４を形成し、その有機薄膜中に無機フイラー５を分散
させる。有機保護膜の表面層に後記表１のパーフルオロ
ポリオキシアルキレングループと非フツ素含有グループ
を結合した構造の潤滑剤含有層７を形成する。
膜４を形成し、その有機薄膜中に無機フイラー５を分散
させる。有機保護膜の表面層に後記表１のパーフルオロ
ポリオキシアルキレングループと非フツ素含有グループ
を結合した構造の潤滑剤含有層７を形成する。
（第４図の構造） Al基板１上に形成された薄膜の磁性層３の表面に有機薄
膜４を形成し、その有機薄膜中に無機フイラー５を分散
させ、保護層を形成する。一方、ヘツド８の下部摺動部
に潤滑薄膜層９を形成する。潤滑薄膜層としては有機の
薄膜表面に、パーフルオロポリオキシアルキレングルー
プと非フツ素含有グループを結合した構造の潤滑層を形
成する。
膜４を形成し、その有機薄膜中に無機フイラー５を分散
させ、保護層を形成する。一方、ヘツド８の下部摺動部
に潤滑薄膜層９を形成する。潤滑薄膜層としては有機の
薄膜表面に、パーフルオロポリオキシアルキレングルー
プと非フツ素含有グループを結合した構造の潤滑層を形
成する。
（実施例） 以下、実施例で本発明の効果を詳しく説明するが、本発
明はこれら実施例に限定されない。
明はこれら実施例に限定されない。
参考例１ 5.25インチのAl合金デイスク表面にNi−Ｐ層とその上に
Cr層を設け、更にこの上にNi−Coの磁性層を500Å厚さ
に蒸着しデイスク基板を準備する。
Cr層を設け、更にこの上にNi−Coの磁性層を500Å厚さ
に蒸着しデイスク基板を準備する。
一方、デユポン社製のエポキシ樹脂（商品名:EP−100
4）4.4g、フエノール樹脂であるマルカリンカ−Ｍ〔丸
善石油化学（株）製〕3.0g、硬化促進剤であるトリエチ
ルアンモニウムカリボール塩〔北興化学（株）製 商品
名:TEA−Ｋ〕0.04gをメチルエチルケトン1350gとｎ−ブ
チルセロソルブアセテート150gの混合溶剤に溶解し、溶
液〔Ｉ〕を作成する。次に無機フイラーとして平均粒径
が12nmのAEROSIL−Ｒ−974〔日本アエロジル（株）製〕
0.001gを溶液〔Ｉ〕に加えた後、ホモジナイザー（1500
0rpm−10分）で充分にかくはんした溶液〔II〕を作製し
た。
4）4.4g、フエノール樹脂であるマルカリンカ−Ｍ〔丸
善石油化学（株）製〕3.0g、硬化促進剤であるトリエチ
ルアンモニウムカリボール塩〔北興化学（株）製 商品
名:TEA−Ｋ〕0.04gをメチルエチルケトン1350gとｎ−ブ
チルセロソルブアセテート150gの混合溶剤に溶解し、溶
液〔Ｉ〕を作成する。次に無機フイラーとして平均粒径
が12nmのAEROSIL−Ｒ−974〔日本アエロジル（株）製〕
0.001gを溶液〔Ｉ〕に加えた後、ホモジナイザー（1500
0rpm−10分）で充分にかくはんした溶液〔II〕を作製し
た。
次に、2500rpmに設定したスピン塗布機を用いてデイス
ク基板上に溶液〔II〕を塗布し、膜厚30〜50nmに成膜す
る。成膜後、80℃−30分予備加熱後、230℃−１時間加
熱硬化し、デイスク〔１〕を完成させる。
ク基板上に溶液〔II〕を塗布し、膜厚30〜50nmに成膜す
る。成膜後、80℃−30分予備加熱後、230℃−１時間加
熱硬化し、デイスク〔１〕を完成させる。
こうして得られたデイスク〔１〕の摺動耐久性を球面摺
動試験機で評価した。すなわちサフアイヤ球面摺動子に
荷重20gを加え、周速20m/s、雰囲気温度25℃、相対湿度
50％RH以下の条件でデイスクを回転させ、有機範膜が破
損するまでの総回転数を評価した。
動試験機で評価した。すなわちサフアイヤ球面摺動子に
荷重20gを加え、周速20m/s、雰囲気温度25℃、相対湿度
50％RH以下の条件でデイスクを回転させ、有機範膜が破
損するまでの総回転数を評価した。
比較例１として次のデイスクを用いた。すなわち、2500
rpmに設定したスピン塗布機を用いてデイスク基板上に
溶液〔Ｉ〕を塗布し、膜厚30〜50nmに成膜し、次に80℃
−30分予備加熱後、230℃−１時間加熱硬化し、比較用
デイスク〔１〕を完成させた。これらの結果を表１に示
す。
rpmに設定したスピン塗布機を用いてデイスク基板上に
溶液〔Ｉ〕を塗布し、膜厚30〜50nmに成膜し、次に80℃
−30分予備加熱後、230℃−１時間加熱硬化し、比較用
デイスク〔１〕を完成させた。これらの結果を表１に示
す。
参考例２ 参考例１と同様にしてデイスク〔１〕を作製後、 デイスク〔１〕上にフツ素系潤滑剤である米国特許第34
90946号明細書記載の下式のクライトツクス143AC Ｆ〔CF（CF3)CF2−Ｏ−〕ｎ−CF（CF3)CF3（ｎは平均2
8）を塗布し、デイスク〔２〕を完成させた。
90946号明細書記載の下式のクライトツクス143AC Ｆ〔CF（CF3)CF2−Ｏ−〕ｎ−CF（CF3)CF3（ｎは平均2
8）を塗布し、デイスク〔２〕を完成させた。
こうして得られたデイスク〔２〕の摺動耐久性を実施例
１と同じ方法で評価した。
１と同じ方法で評価した。
比較例２として比較用デイスク〔１〕上にフツ素系潤滑
剤である米国特許第3490946号明細書記載のクライトツ
クス143ACを塗布し比較用デイスク〔２〕を完成させ
た。これらの結果を表２に示す 実施例１ 参考例１、２と同様にして5.25インチのデイスク基板を
準備する。
剤である米国特許第3490946号明細書記載のクライトツ
クス143ACを塗布し比較用デイスク〔２〕を完成させ
た。これらの結果を表２に示す 実施例１ 参考例１、２と同様にして5.25インチのデイスク基板を
準備する。
一方、表３の８種類のフツ素系潤滑剤を0.7gとデユポン
社製のエポキシ樹脂（商品名:EP−1004）4.4g、フエノ
ール樹脂であるマルカリンカーＭ〔丸善石油化学（株）
製〕3.0g、硬化促進剤であるトリエチルアンモニウムカ
リボール塩〔北興化学（株）製 商品名:TEA−Ｋ〕0.04
gをメチルエチルケトン1350gとｎ−ブチルセロソルブア
セテート150gの混合溶剤に溶解し、溶液〔III〕を作成
する。次に無機フイラーとして平均粒径が16nmのAEROSI
L−R972〔日本アエロジル（株）製〕0.001gを溶液〔II
I〕に加えた後、ホモジナイザー（15000rpm−10分）で
充分にかくはんした溶液〔IV〕を作製した。
社製のエポキシ樹脂（商品名:EP−1004）4.4g、フエノ
ール樹脂であるマルカリンカーＭ〔丸善石油化学（株）
製〕3.0g、硬化促進剤であるトリエチルアンモニウムカ
リボール塩〔北興化学（株）製 商品名:TEA−Ｋ〕0.04
gをメチルエチルケトン1350gとｎ−ブチルセロソルブア
セテート150gの混合溶剤に溶解し、溶液〔III〕を作成
する。次に無機フイラーとして平均粒径が16nmのAEROSI
L−R972〔日本アエロジル（株）製〕0.001gを溶液〔II
I〕に加えた後、ホモジナイザー（15000rpm−10分）で
充分にかくはんした溶液〔IV〕を作製した。
（式中、RfはＦ〔CF（CF3)-CF2−Ｏ−〕ｎ−CF（CF3）
−又は−〔CF（CF3)-CF2−Ｏ−〕ｎ−CF（CF3）−で、
ｎ＝平均14） 次に、2500rpmに設定したスピン塗布機を用いてデイス
ク基板上に溶液〔IV〕を塗布し、膜厚30〜50nmに成膜す
る。成膜後、80℃−30分予備加熱後、230℃−１時間加
熱硬化し、デイスク〔３〕を完成させる。
−又は−〔CF（CF3)-CF2−Ｏ−〕ｎ−CF（CF3）−で、
ｎ＝平均14） 次に、2500rpmに設定したスピン塗布機を用いてデイス
ク基板上に溶液〔IV〕を塗布し、膜厚30〜50nmに成膜す
る。成膜後、80℃−30分予備加熱後、230℃−１時間加
熱硬化し、デイスク〔３〕を完成させる。
こうして得られたデイスク〔３〕の摺動耐久性を参考例
１、２と同様にして球面摺動試験機で評価した。比較例
３は比較用デイスク〔２〕を用いて評価した。
１、２と同様にして球面摺動試験機で評価した。比較例
３は比較用デイスク〔２〕を用いて評価した。
表４の実施例から明らかな様に、本発明の磁気記録媒体
は比較例３と比べ有機薄膜層が破損するまでの総回転数
が大きく、摺動耐久性に優れていた。
は比較例３と比べ有機薄膜層が破損するまでの総回転数
が大きく、摺動耐久性に優れていた。
参考例３ 参考例１と同様にしてデイスク〔１〕を作製する。
一方、Mn−Znフエライトからなるヘツドを、実施例３で
作製した溶液〔III〕中に浸漬後、静かに引上げて表面
に潤滑薄膜を作製する。その後、80℃−30分の予備加熱
し、更に230℃−１時間熱硬化する。
作製した溶液〔III〕中に浸漬後、静かに引上げて表面
に潤滑薄膜を作製する。その後、80℃−30分の予備加熱
し、更に230℃−１時間熱硬化する。
こうして得られたデイスクとヘツドを5.25インチのデイ
スクドライブに組込み、実装試験を実施した。ヘツド浮
上スペーシングを0.15μｍ、ヘツドとデイスクの相対速
度を10m/sec、ヘツド負荷を30sec、ヘツド無負荷を30se
cに設定し、デイスクの摩耗状況を観察し、摩耗こんの
発生時点の摺動回数を耐久性と規定した。
スクドライブに組込み、実装試験を実施した。ヘツド浮
上スペーシングを0.15μｍ、ヘツドとデイスクの相対速
度を10m/sec、ヘツド負荷を30sec、ヘツド無負荷を30se
cに設定し、デイスクの摩耗状況を観察し、摩耗こんの
発生時点の摺動回数を耐久性と規定した。
比較例４としてデイスク〔１〕と、未処理のMn−Znヘツ
ドとの組合せの実装試験を実施した。これらの結果を表
５に示す。
ドとの組合せの実装試験を実施した。これらの結果を表
５に示す。
実施例２ 実施例１で得られた磁気記録媒体と参考例３から得られ
たヘツドを用いて、参考例３で示した実装試験を実施し
た。その結果を表６に示した。
たヘツドを用いて、参考例３で示した実装試験を実施し
た。その結果を表６に示した。
以上の結果より、本発明の磁気記録媒体とヘツドの組合
せは比較例４と比べデイスクに摩耗痕が発生するまでの
摺動回数が大きく摺動耐久性に優れていた。
せは比較例４と比べデイスクに摩耗痕が発生するまでの
摺動回数が大きく摺動耐久性に優れていた。
以上の説明から明らかなように、本発明の磁気記録媒体
及び、ヘツドは摺動耐久性に優れ、それを用いた磁気記
録装置の信頼性を向上できる。
及び、ヘツドは摺動耐久性に優れ、それを用いた磁気記
録装置の信頼性を向上できる。
第１図及び第２図は本発明に対して参考例として示した
磁気記録媒体の一例の断面構造概略図、第３図は本発明
の磁気記録媒体の一例の断面構造概略図、第４図は本発
明の磁気記録媒体とヘツドとの組合せの１例の断面構造
概略図である。 1:Al基板、2:下地膜、3:磁性薄膜層、4:有機薄膜層、5:
無機フイラー、6:フツ素系潤滑剤、7:パーフルオロポリ
オキシアルキレングループと非フツ素含有グループを結
合した構造の潤滑剤含有層、8:ヘツド、9:潤滑薄膜層
磁気記録媒体の一例の断面構造概略図、第３図は本発明
の磁気記録媒体の一例の断面構造概略図、第４図は本発
明の磁気記録媒体とヘツドとの組合せの１例の断面構造
概略図である。 1:Al基板、2:下地膜、3:磁性薄膜層、4:有機薄膜層、5:
無機フイラー、6:フツ素系潤滑剤、7:パーフルオロポリ
オキシアルキレングループと非フツ素含有グループを結
合した構造の潤滑剤含有層、8:ヘツド、9:潤滑薄膜層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小松崎 茂樹 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 中野 文雄 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所小田原工場内 (56)参考文献 特開 昭61−99930（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】非磁性基材の表面に薄膜の磁性層が形成さ
れ、該磁性層上に、有機薄膜から成る保護層が形成され
た磁気記録媒体において、該有機薄膜は、厚さ30〜100n
mであり、その中に有機バインダーと、下記一般式： 〔式中、Rfは下記一般式： F(C3F6-O-)x−C2F4− 又は F(C3F6-O-)x−(CF2O)y−(CF2)z− 又は −(C2F4-O-)y−(CF2O)z−CF2− （式中ｘ＝５〜50、ｙ＝５〜50、x/y＝0.5〜1.5、x/z＝
５〜20）で表される基、R1は直接結合、−CH2−、−CO
−又は−CONH−基、R2は炭素数２又は３のオキシアルキ
レン基、R3は直接接合、−Ｏ−、−COO−、−CONH−、
−NHCO−、−OCpH2p−（ｐは１又は２の数を示す）又は
−C(CH3)2−基で、繰返しごとに異なつていてもよい、
ｍは０〜４の整数、ｎは１〜６の整数、ｌは１又は２の
数を示す〕で表されるパーフルオロポリオキシアルキレ
ングループと非フツ素含有グループとが結合した構造の
潤滑剤と、粒径７〜40nmのフイラーとを含有しているこ
とを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】請求項１に記載の磁気記録媒体とヘツドと
の組合せからなる磁気記録装置において、該ヘツドの表
面が潤滑薄膜でコーテイングされており、該潤滑薄膜
が、有機バインダーと、下記一般式： 〔式中、Rfは下記一般式： F(C3F6-O-)x−C2F4− 又は F(C3F6-O-)x−(CF2O)y−(CF2)z− 又は −(C2F4-O-)y−(CF2O)z−CF2− （式中ｘ＝５〜50、ｙ＝５〜50、x/y＝0.5〜1.5、x/z＝
５〜20）で表される基、R1は直接結合、−CH2−、−CO
−又は−CONH−基、R2は炭素数２又は３のオキシアルキ
レン基、R3は直接接合、−Ｏ−、−COO−、−CONH−、
−NHCO−、−OCpH2p−（ｐは１又は２の数を示す）又は
−C(CH3)2−基で、繰返しごとに異なつていてもよい、
ｍは０〜４の整数、ｎは１〜６の整数、ｌは１又は２の
数を示す〕で表されるパーフルオロポリオキシアルキレ
ングループと非フツ素含有グループとが結合した構造の
潤滑剤とを含有していることを特徴とする磁気記録装
置。 - 【請求項３】該潤滑薄膜が、粒径７〜40nmのフイラーを
含有している請求項２記載の磁気記録装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63118127A JPH06101119B2 (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | 磁気記録媒体、ヘッド及びそれを用いた磁気記録装置 |
| US07/790,084 US5219651A (en) | 1988-05-17 | 1991-11-13 | Magnetic recording apparatus comprising a magnetic recording medium and a magnetic head each coated with a coating of a binder and a specified fluorolubricant |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63118127A JPH06101119B2 (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | 磁気記録媒体、ヘッド及びそれを用いた磁気記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01290117A JPH01290117A (ja) | 1989-11-22 |
| JPH06101119B2 true JPH06101119B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=14728709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63118127A Expired - Lifetime JPH06101119B2 (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | 磁気記録媒体、ヘッド及びそれを用いた磁気記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06101119B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06274859A (ja) * | 1993-03-18 | 1994-09-30 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体および磁気記録再生装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6199930A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-19 | Tokico Ltd | 磁気デイスク |
-
1988
- 1988-05-17 JP JP63118127A patent/JPH06101119B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01290117A (ja) | 1989-11-22 |
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