JPH0595134A - Ｌｅｄ素子の製造方法 - Google Patents
Ｌｅｄ素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH0595134A JPH0595134A JP25538591A JP25538591A JPH0595134A JP H0595134 A JPH0595134 A JP H0595134A JP 25538591 A JP25538591 A JP 25538591A JP 25538591 A JP25538591 A JP 25538591A JP H0595134 A JPH0595134 A JP H0595134A
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- Japan
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- insulating film
- electrode
- mask
- light emitting
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、拡散マスク（絶縁膜）２層構造の
ＬＥＤ素子の製造方法に関するもので、製造時に生じる
アンダーカットによる弊害を除去することを目的とする
ものである。 【構成】 前記目的のために本発明は、上層の拡散マス
クの発光部形成のための開口部側端が下層の拡散マスク
の前記開口部側上端を越えないような階段形状に形成す
るようにしたものである。
ＬＥＤ素子の製造方法に関するもので、製造時に生じる
アンダーカットによる弊害を除去することを目的とする
ものである。 【構成】 前記目的のために本発明は、上層の拡散マス
クの発光部形成のための開口部側端が下層の拡散マスク
の前記開口部側上端を越えないような階段形状に形成す
るようにしたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＬＥＤプリントヘッ
ドなどに用いられるＬＥＤアレイの素子の製造方法に関
するものである。
ドなどに用いられるＬＥＤアレイの素子の製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＬＥＤ素子の製造工程を図３，図
４の（ａ）〜（ｋ）に示す。ここでは、ネガ形レジスト
を用いｎ形ウェハー（半導体基板）にＰ形の不純物を拡
散し、ＬＥＤ素子を製造する工程について順に説明す
る。
４の（ａ）〜（ｋ）に示す。ここでは、ネガ形レジスト
を用いｎ形ウェハー（半導体基板）にＰ形の不純物を拡
散し、ＬＥＤ素子を製造する工程について順に説明す
る。
【０００３】図３（ａ）まず、ｎ形ウェハー１０上に拡
散マスク１を付け、その上に拡散マスク２を付ける。こ
の拡散マスクは、周知のように後述する発光部のＰ層を
拡散させるときのマスクになる絶縁膜であり、通常アル
ミナか窒化膜で形成される。
散マスク１を付け、その上に拡散マスク２を付ける。こ
の拡散マスクは、周知のように後述する発光部のＰ層を
拡散させるときのマスクになる絶縁膜であり、通常アル
ミナか窒化膜で形成される。
【０００４】図３（ｂ）次にレジスト３をコートし、マ
スク合わせを行い、露光する。ネガ形レジストを使用す
る場合、ホトリソマスク（ホトリソグラフィ用のマス
ク）のパターンは、エッチングしたい部分が影になって
露光時の光を通さないようになっている。
スク合わせを行い、露光する。ネガ形レジストを使用す
る場合、ホトリソマスク（ホトリソグラフィ用のマス
ク）のパターンは、エッチングしたい部分が影になって
露光時の光を通さないようになっている。
【０００５】図３（ｃ）現像するとエッチングしたい部
分のレジスト３がとれ（いわゆるパターニング）、拡散
マスク２の表面が露出される。
分のレジスト３がとれ（いわゆるパターニング）、拡散
マスク２の表面が露出される。
【０００６】図３（ｄ）エッチング工程では、レジスト
３の付着していない部分がエッチングされ、拡散マスク
２が完全にエッチングされた時点でエッチングは終わ
る。つまり、発光部対応の窓（開口部）が形成される。
３の付着していない部分がエッチングされ、拡散マスク
２が完全にエッチングされた時点でエッチングは終わ
る。つまり、発光部対応の窓（開口部）が形成される。
【０００７】この場合、アンダーカットと呼ばれる表面
から横方向に向かって、エッチング部が広がる現象が起
こる。特に等方性のウエットエッチング液では、深さ方
向へのエッチングと横方向のエッチングが同じように行
われるので、アンダーカット５が顕著にあらわれる。
から横方向に向かって、エッチング部が広がる現象が起
こる。特に等方性のウエットエッチング液では、深さ方
向へのエッチングと横方向のエッチングが同じように行
われるので、アンダーカット５が顕著にあらわれる。
【０００８】図３（ｅ）レジストを除去する。
【０００９】図３（ｆ）再びレジスト６をコートし、マ
スク合わせを行い、露光する。この時使用されるホトリ
ソマスク９のパターンは、最初のホトリソマスク４のパ
ターンより大きくなっており、多少マスク合わせがずれ
ても１回目のエッチングで開けられた窓（開口部）にか
からないようになっている。
スク合わせを行い、露光する。この時使用されるホトリ
ソマスク９のパターンは、最初のホトリソマスク４のパ
ターンより大きくなっており、多少マスク合わせがずれ
ても１回目のエッチングで開けられた窓（開口部）にか
からないようになっている。
【００１０】図３（ｇ）現像すると同図右側の表面図に
示すように、表面から見ると１回目のエッチングで開け
られた窓から拡散マスク１が見え、その外側に拡散マス
ク２が見え、その周りをレジスト６がおおっている形状
となっている。
示すように、表面から見ると１回目のエッチングで開け
られた窓から拡散マスク１が見え、その外側に拡散マス
ク２が見え、その周りをレジスト６がおおっている形状
となっている。
【００１１】図４（ｈ）２回目のエッチングでは、拡散
マスク２は、エッチングされず、拡散マスク１だけがエ
ッチングされるようにする。従って、拡散マスク１のエ
ッチングは拡散マスク２をエッチングマスクとしてエッ
チングされる。レジスト６は、１回目のエッチング時に
ホトリソ欠陥で誤ってエッチングされた部分を保護する
役割をはたす。また、この２回目のエッチングでは拡散
マスク２はエッチングされないので、エッチングしたい
部分以外の場所にレジストが無くてもそこは、エッチン
グされない。このエッチング工程でも１回目のエッチン
グ工程と同様にアンダーカット５が拡散マスク１に生じ
る。
マスク２は、エッチングされず、拡散マスク１だけがエ
ッチングされるようにする。従って、拡散マスク１のエ
ッチングは拡散マスク２をエッチングマスクとしてエッ
チングされる。レジスト６は、１回目のエッチング時に
ホトリソ欠陥で誤ってエッチングされた部分を保護する
役割をはたす。また、この２回目のエッチングでは拡散
マスク２はエッチングされないので、エッチングしたい
部分以外の場所にレジストが無くてもそこは、エッチン
グされない。このエッチング工程でも１回目のエッチン
グ工程と同様にアンダーカット５が拡散マスク１に生じ
る。
【００１２】図４（ｉ）レジスト６を除去する。
【００１３】図４（ｊ）発光部としてのＰ形不純物を拡
散マスク１，２に開けた窓から拡散する。
散マスク１，２に開けた窓から拡散する。
【００１４】図（ｋ）前記拡散工程で作られたＰ層７に
接続する電極８を形成する。この電極８形成も、前記
（ａ）〜（ｅ）で行われた工程と同様な工程で行うのが
一般である。
接続する電極８を形成する。この電極８形成も、前記
（ａ）〜（ｅ）で行われた工程と同様な工程で行うのが
一般である。
【００１５】以上の工程で作られたＬＥＤ素子の表面図
を図４（ｈ）の右側の図に示す。
を図４（ｈ）の右側の図に示す。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の工程で
作られた、ＬＥＤ素子では、電極形成のエッチング時
に、図４（ｋ）の斜線で示したアンダーカット５の部分
に、エッチャントが入りこみ図４（ｈ）の右側の図の斜
線で示した部分がエッチングされて行き、拡散マスクの
断差の部分で電極が切れてしまう可能性が非常に大きい
という問題があった。
作られた、ＬＥＤ素子では、電極形成のエッチング時
に、図４（ｋ）の斜線で示したアンダーカット５の部分
に、エッチャントが入りこみ図４（ｈ）の右側の図の斜
線で示した部分がエッチングされて行き、拡散マスクの
断差の部分で電極が切れてしまう可能性が非常に大きい
という問題があった。
【００１７】この発明は、以上述べた、拡散マスクエッ
チング時に生じたアンダーカット部に電極形成時にエッ
チャントが入り込み、電極が、拡散マスクの断差部で切
れてしまうという問題点を除去するため、拡散窓の電極
形成側だけを階段構造にし、アンダーカットの影響を小
さくし、電極切れを防止し、製造歩留り及び信頼性の高
いＬＥＤ素子を提供することを目的とする。
チング時に生じたアンダーカット部に電極形成時にエッ
チャントが入り込み、電極が、拡散マスクの断差部で切
れてしまうという問題点を除去するため、拡散窓の電極
形成側だけを階段構造にし、アンダーカットの影響を小
さくし、電極切れを防止し、製造歩留り及び信頼性の高
いＬＥＤ素子を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】この発明は、前述した目
的のため、２層構造のＬＥＤ素子において電極形成側の
拡散マスクを階段構造にしたものである。つまり、電極
８形成側の上層の拡散マスク２のＰ層（発光部）７側の
端を下層の拡散マスク１のＰ層７側の上端を越えないよ
うに形成したものである。この形状をここでは階段構造
と称す。
的のため、２層構造のＬＥＤ素子において電極形成側の
拡散マスクを階段構造にしたものである。つまり、電極
８形成側の上層の拡散マスク２のＰ層（発光部）７側の
端を下層の拡散マスク１のＰ層７側の上端を越えないよ
うに形成したものである。この形状をここでは階段構造
と称す。
【００１９】
【作用】本発明は前述したように、２層の拡散マスクの
電極形成側の発光部側端を階段構造としたので、従来の
ようなアンダーカット部へのエッチャント浸入はなくな
る。従って電極切れもなくなる。
電極形成側の発光部側端を階段構造としたので、従来の
ようなアンダーカット部へのエッチャント浸入はなくな
る。従って電極切れもなくなる。
【００２０】
【実施例】図１，図２（ａ）〜（ｋ）は、この発明の実
施例のＬＥＤ素子を製造する工程図である。
施例のＬＥＤ素子を製造する工程図である。
【００２１】この工程で図１の（ａ）〜（ｅ）は従来の
工程と変わりがない。ただし、拡散マスク２にあけられ
る窓は、電極形成側（図では右側）だけが従来より広く
なっている。従って、そこまでの説明は省略し、本説明
は図１の（ｆ）以降を以下に順に行う。
工程と変わりがない。ただし、拡散マスク２にあけられ
る窓は、電極形成側（図では右側）だけが従来より広く
なっている。従って、そこまでの説明は省略し、本説明
は図１の（ｆ）以降を以下に順に行う。
【００２２】図１（ｆ）レジストを再びコートし、マス
ク合わせを行ない、露光する。
ク合わせを行ない、露光する。
【００２３】この時使用されるホトリソマスク９のパタ
ーンは１回目のホトリソマスク４に比べ、電極形成側
（図では右側）は狭くなっている。またその他の部分の
パターンは、１回目のホトリソマスク４に比べ広くなっ
ている。
ーンは１回目のホトリソマスク４に比べ、電極形成側
（図では右側）は狭くなっている。またその他の部分の
パターンは、１回目のホトリソマスク４に比べ広くなっ
ている。
【００２４】図１（ｇ）現像後の表面図を同図右側の図
に示す。斜線で示すレジスト部６は電極が形成される側
が拡散マスク２にあけられた窓に重なっている。
に示す。斜線で示すレジスト部６は電極が形成される側
が拡散マスク２にあけられた窓に重なっている。
【００２５】また他の部分は拡散マスク２にあけられた
窓よりも広くあいている。
窓よりも広くあいている。
【００２６】図２（ｈ）エッチングすると拡散マスク２
はエッチングされないので、レジスト６が付いていない
部分は、拡散マスク２がエッチングマスクとなるが、レ
ジスト６が付いている電極形成側は、レジスト６がエッ
チングマスクとなる。
はエッチングされないので、レジスト６が付いていない
部分は、拡散マスク２がエッチングマスクとなるが、レ
ジスト６が付いている電極形成側は、レジスト６がエッ
チングマスクとなる。
【００２７】図２（ｉ）レジスト６を除去すると、この
図に示すように電極形成側（図の右側）の拡散マスク２
の端は拡散マスク１の上端を越えない形状（前述した階
段状）になる。即ちアンダーカット（図４（ｈ）の５）
がない形状となる。
図に示すように電極形成側（図の右側）の拡散マスク２
の端は拡散マスク１の上端を越えない形状（前述した階
段状）になる。即ちアンダーカット（図４（ｈ）の５）
がない形状となる。
【００２８】図２（ｊ）次いで従来同様Ｐ形不純物をあ
けられた窓から拡散する。
けられた窓から拡散する。
【００２９】図２（ｋ）従来同様電極８を形成する。こ
の時図に示すように従来のように影になるアンダーカッ
ト（図４（ｋ）の５）が無いため電極密着性が良いた
め、エッチャントがはいりにくく、拡散マスクの断差部
で電極が切れる心配はない。同図右側の図にその表面図
を示しておく。従来のようにエッチャントが浸入した部
分はない。
の時図に示すように従来のように影になるアンダーカッ
ト（図４（ｋ）の５）が無いため電極密着性が良いた
め、エッチャントがはいりにくく、拡散マスクの断差部
で電極が切れる心配はない。同図右側の図にその表面図
を示しておく。従来のようにエッチャントが浸入した部
分はない。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によればＬ
ＥＤ素子の電極側の２層の拡散マスクを階段構造にした
ので、従来のようなアンダーカット部が生じず、従って
そこへのエッチャント浸入もなく、電極切れが無く、歩
留りの高いまた信頼性の高いＬＥＤアレイを提供でき
る。
ＥＤ素子の電極側の２層の拡散マスクを階段構造にした
ので、従来のようなアンダーカット部が生じず、従って
そこへのエッチャント浸入もなく、電極切れが無く、歩
留りの高いまた信頼性の高いＬＥＤアレイを提供でき
る。
【図１】本発明の実施例（その１）
【図２】本発明の実施例（その２）
【図３】従来例（その１）
【図４】従来例（その２）
１，２ 拡散マスク ３，６ ネガ形レジスト ４，９ ホトリソマスク ５ アンダーカット ７ Ｐ層 ８ 電極
Claims (1)
- 【請求項１】 （ａ）半導体基板上に、発光部形成のた
めの開口部のマスクとなる第１の絶縁膜とその上に第２
の絶縁膜を形成する工程と、 （ｂ）前記第２の絶縁膜に、前記開口部を開ける工程
と、 （ｃ）前記第１の絶縁膜にも前記開口部を開けるに際
し、 少くとも前記発光部に接続する電極形成側の前記第２の
絶縁膜の前記開口部側端部が前記第１の絶縁膜の前記開
口部側上端部を越えないように開ける工程と、 （ｄ）前記開口部に露出した前記半導体基板に、発光部
形成のための不純物を拡散する工程とを含むことを特徴
とするＬＥＤ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25538591A JPH0595134A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | Ｌｅｄ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25538591A JPH0595134A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | Ｌｅｄ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0595134A true JPH0595134A (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=17278028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25538591A Pending JPH0595134A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | Ｌｅｄ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0595134A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6211537B1 (en) | 1997-04-15 | 2001-04-03 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | LED array |
| JP2007294885A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
| US8910949B2 (en) | 2007-05-16 | 2014-12-16 | Roxtec Ab | Seal with fire protection |
-
1991
- 1991-10-02 JP JP25538591A patent/JPH0595134A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6211537B1 (en) | 1997-04-15 | 2001-04-03 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | LED array |
| JP2007294885A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
| US8910949B2 (en) | 2007-05-16 | 2014-12-16 | Roxtec Ab | Seal with fire protection |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000808 |