JPH0594976A - 半導体の微細加工方法 - Google Patents
半導体の微細加工方法Info
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- JPH0594976A JPH0594976A JP10328091A JP10328091A JPH0594976A JP H0594976 A JPH0594976 A JP H0594976A JP 10328091 A JP10328091 A JP 10328091A JP 10328091 A JP10328091 A JP 10328091A JP H0594976 A JPH0594976 A JP H0594976A
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Abstract
(57)【要約】
半導体表面に酸化膜を形成する。針状電極を半導体表面
に近接させ、針状電極と半導体との間にトンネル電流を
流しながら針状電極を走査させる。トンネル電流が流れ
た領域の酸化膜は改質される。エッチングガスを半導体
表面に照射すると酸化膜の改質された領域のみのエッチ
ングが進行する。
に近接させ、針状電極と半導体との間にトンネル電流を
流しながら針状電極を走査させる。トンネル電流が流れ
た領域の酸化膜は改質される。エッチングガスを半導体
表面に照射すると酸化膜の改質された領域のみのエッチ
ングが進行する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の加工方法に関
し、特に半導体基板表面に形成された酸化膜をエッチン
グレジストとして利用するリソグラフィ技術を用いて微
細パターンを形成する半導体の微細加工方法に関する。
し、特に半導体基板表面に形成された酸化膜をエッチン
グレジストとして利用するリソグラフィ技術を用いて微
細パターンを形成する半導体の微細加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の表面に微細パターンを形成する
技術は、各種半導体デバイスを作成するためには不可欠
の技術である。近年、デバイスの高集積化や高機能化に
ともない、サブミクロンからナノメートルオーダーの超
微細加工技術が必要となりつつある。特に光電子集積回
路などの高機能デバイスを作るためには、超高真空一貫
プロセスが必要であり、これに適したパターン形成方法
として、有機レジストを使用せず、極めて小さな径に収
束が可能なイオンビーム、レーザビーム等を用い、直接
半導体表面上にパターンを形成する方法が盛んに研究さ
れている。
技術は、各種半導体デバイスを作成するためには不可欠
の技術である。近年、デバイスの高集積化や高機能化に
ともない、サブミクロンからナノメートルオーダーの超
微細加工技術が必要となりつつある。特に光電子集積回
路などの高機能デバイスを作るためには、超高真空一貫
プロセスが必要であり、これに適したパターン形成方法
として、有機レジストを使用せず、極めて小さな径に収
束が可能なイオンビーム、レーザビーム等を用い、直接
半導体表面上にパターンを形成する方法が盛んに研究さ
れている。
【０００３】上記イオンビームを用いる方法は、パター
ンが形成された半導体結晶に多量の結晶欠陥を誘起する
という問題点がある。また、レーザビームを用いる場合
は、その収束ビーム径が波長に依存し、その限界は０．
１μm 程度である。従ってレーザビームではそれ以上の
微細加工は不可能である。そこで、電子ビームを用いる
方法が、結晶欠陥を引き起こさず、微細加工が可能な方
法として最良であると思われる。
ンが形成された半導体結晶に多量の結晶欠陥を誘起する
という問題点がある。また、レーザビームを用いる場合
は、その収束ビーム径が波長に依存し、その限界は０．
１μm 程度である。従ってレーザビームではそれ以上の
微細加工は不可能である。そこで、電子ビームを用いる
方法が、結晶欠陥を引き起こさず、微細加工が可能な方
法として最良であると思われる。
【０００４】従来の電子ビームを用いた微細パターンの
形成方法として、電子ビームアシスト塩素ガスエッチン
グについて以下に説明する。まず、（００１）ＧａＡｓ
基板表面に分子線エピタキシャル（ＭＢＥ）法等により
ＧａＡｓ層を形成する。形成したＧａＡｓ層表面全面に
ハロゲンランプ光を均一に照射すると共に酸素ガスに接
触させる。すると、ＧａＡｓ層の表面には非常に薄い酸
化膜が形成される。その後、塩素ガス雰囲気下で基板を
加熱しつつ、電子ビームガンを用いてＧａＡｓ層表面に
電子ビームを照射する。これにより、電子ビームを照射
した領域の酸化膜が除去され、酸化膜が除去された領域
のＧａＡｓ層が塩素ガスによりエッチングされる。電子
ビームを照射しなかった領域では酸化膜がエッチングマ
スクの働きをするのでエッチングは起こらない。こうし
て、電子ビームにより描画されたパターンがＧａＡｓ層
に転写される。
形成方法として、電子ビームアシスト塩素ガスエッチン
グについて以下に説明する。まず、（００１）ＧａＡｓ
基板表面に分子線エピタキシャル（ＭＢＥ）法等により
ＧａＡｓ層を形成する。形成したＧａＡｓ層表面全面に
ハロゲンランプ光を均一に照射すると共に酸素ガスに接
触させる。すると、ＧａＡｓ層の表面には非常に薄い酸
化膜が形成される。その後、塩素ガス雰囲気下で基板を
加熱しつつ、電子ビームガンを用いてＧａＡｓ層表面に
電子ビームを照射する。これにより、電子ビームを照射
した領域の酸化膜が除去され、酸化膜が除去された領域
のＧａＡｓ層が塩素ガスによりエッチングされる。電子
ビームを照射しなかった領域では酸化膜がエッチングマ
スクの働きをするのでエッチングは起こらない。こうし
て、電子ビームにより描画されたパターンがＧａＡｓ層
に転写される。
【０００５】図３に従来の微細パターン形成方法に使用
される電子ビームガンを示す。この電子ビームガンは、
エミッタ３０１、電子引出電極３０２、電子加速電極３
０３静電形コンデンサレンズ３０４、アライメント用電
極３０５、ブランキング用電極３０６、可動制御絞り３
０７、ビーム走査用電極３０８、非点補正用電極３０
９、及び静電形対物レンズ３１０を備えている。この電
子ビームガンからの電子ビームは電子ビームガンの真下
に位置する試料３２０上に収束させられ、走査される。
この種の電子ビームガンは、一般の電子ビームを利用す
る分析装置（走査型電子顕微鏡、透過型電子顕微鏡、オ
ージェ分析装置等）に広く使用されている。現在、この
様な電子ビームガンでは最小ビーム径、５nmが実現され
ており、非常に微細な加工が可能である。
される電子ビームガンを示す。この電子ビームガンは、
エミッタ３０１、電子引出電極３０２、電子加速電極３
０３静電形コンデンサレンズ３０４、アライメント用電
極３０５、ブランキング用電極３０６、可動制御絞り３
０７、ビーム走査用電極３０８、非点補正用電極３０
９、及び静電形対物レンズ３１０を備えている。この電
子ビームガンからの電子ビームは電子ビームガンの真下
に位置する試料３２０上に収束させられ、走査される。
この種の電子ビームガンは、一般の電子ビームを利用す
る分析装置（走査型電子顕微鏡、透過型電子顕微鏡、オ
ージェ分析装置等）に広く使用されている。現在、この
様な電子ビームガンでは最小ビーム径、５nmが実現され
ており、非常に微細な加工が可能である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電子ビ
ームガンは、その構造が非常に複雑で、その調整は非常
に難しい。また、電子ビームのパスが長く外部磁界や外
部電界の影響を受け易く、外部磁界や外部電界の微少な
揺らぎによってもビーム径やビーム照射位置が変動し、
長期安定性に欠けるという問題点がある。このため、従
来の電子ビームガンを用いた微細加工方法では、ナノメ
ートルオーダで所望のパターンを形成することは不可能
である。本発明は、簡易な構成で安定した電子ビームが
得られる装置を用いる半導体微細加工方法の提供を目的
とする。
ームガンは、その構造が非常に複雑で、その調整は非常
に難しい。また、電子ビームのパスが長く外部磁界や外
部電界の影響を受け易く、外部磁界や外部電界の微少な
揺らぎによってもビーム径やビーム照射位置が変動し、
長期安定性に欠けるという問題点がある。このため、従
来の電子ビームガンを用いた微細加工方法では、ナノメ
ートルオーダで所望のパターンを形成することは不可能
である。本発明は、簡易な構成で安定した電子ビームが
得られる装置を用いる半導体微細加工方法の提供を目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、半導体
基板の表面に酸素及び酸素化合物の内の少なくとも１つ
を含む第１のガス状物質を接触させ前記半導体基板の表
面に酸化膜を形成する第１の工程と、前記半導体基板の
表面に前記半導体基板の電位とは異なる電位の針状電極
を近接させ前記半導体基板と前記針状電極との間に電流
を流す第２の工程と、前記半導体基板の表面に該半導体
基板を熱的にエッチングし得る第２のガス状物質を接触
させる第３の工程を含むことを特徴とする半導体微細加
工方法が得られる。
基板の表面に酸素及び酸素化合物の内の少なくとも１つ
を含む第１のガス状物質を接触させ前記半導体基板の表
面に酸化膜を形成する第１の工程と、前記半導体基板の
表面に前記半導体基板の電位とは異なる電位の針状電極
を近接させ前記半導体基板と前記針状電極との間に電流
を流す第２の工程と、前記半導体基板の表面に該半導体
基板を熱的にエッチングし得る第２のガス状物質を接触
させる第３の工程を含むことを特徴とする半導体微細加
工方法が得られる。
【０００８】
【実施例】以下に図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図２に本発明の半導体微細加工方法に使用される
超高真空装置を示す。図２の超高真空装置は、ロードロ
ック室２１、ＭＢＥ室２２、パターン描画室２３、及び
エッチング室２４が、それぞれゲートバルブを有する通
路を介して準備室２５に接続されている。各室にはそれ
ぞれ真空ポンプ（図示せず）が設けられ、独立して室内
を真空にすることができる。また、ロードロック室２１
及びエッチング室２４にはマグネットフィードスルー２
６ａ，２６ｂが設けられており、これらを用いて試料を
どの室にでも搬送できるようになっている。
する。図２に本発明の半導体微細加工方法に使用される
超高真空装置を示す。図２の超高真空装置は、ロードロ
ック室２１、ＭＢＥ室２２、パターン描画室２３、及び
エッチング室２４が、それぞれゲートバルブを有する通
路を介して準備室２５に接続されている。各室にはそれ
ぞれ真空ポンプ（図示せず）が設けられ、独立して室内
を真空にすることができる。また、ロードロック室２１
及びエッチング室２４にはマグネットフィードスルー２
６ａ，２６ｂが設けられており、これらを用いて試料を
どの室にでも搬送できるようになっている。
【０００９】以下に、この超高真空装置を用いた半導体
の微細加工方法の一実施例を図１及び図２を参照して説
明する。まず、（００１）ＧａＡｓ基板１１をロードロ
ック室２１に導入する。次にロードロック室２１をター
ボ分子ポンプ（図示せず）及びイオンポンプ（図示せ
ず）を用いて１×１０-7Torr程度まで排気する。なお、
このとき他の室の背圧は予め１×１０-9Torr以下に保た
れている。次に、ＧａＡｓ基板１１をマグネットフィー
ドスルー２６ａ及び２６ｂを用いて準備室２５を介して
ＭＢＥ室２２に搬送する。ＭＢＥ室２２では、搬送され
たＧａＡｓ基板１１上に図１（ａ）に示すように、厚さ
０．５μm のＧａＡｓ層１２を成長させる。成長後、Ｇ
ａＡｓ層１２を有するＧａＡｓ基板１１を準備室２５へ
搬送し、ＧａＡｓ層１２の表面に純粋酸素を接触させ
る。このとき同時にＧａＡｓ層１２の表面にハロゲンラ
ンプ（図示せず）からの光を均一に照射する。こうし
て、ＧａＡｓ層１２の表面には非常に薄い酸化膜２３が
形成される。ＭＢＥ室２２及び準備室２５は予め内部を
超高真空に保っているので、ＧａＡｓ層１２の表面は清
浄に保たれ、形成された酸化膜１３にはほとんど不純物
が認められなかった。
の微細加工方法の一実施例を図１及び図２を参照して説
明する。まず、（００１）ＧａＡｓ基板１１をロードロ
ック室２１に導入する。次にロードロック室２１をター
ボ分子ポンプ（図示せず）及びイオンポンプ（図示せ
ず）を用いて１×１０-7Torr程度まで排気する。なお、
このとき他の室の背圧は予め１×１０-9Torr以下に保た
れている。次に、ＧａＡｓ基板１１をマグネットフィー
ドスルー２６ａ及び２６ｂを用いて準備室２５を介して
ＭＢＥ室２２に搬送する。ＭＢＥ室２２では、搬送され
たＧａＡｓ基板１１上に図１（ａ）に示すように、厚さ
０．５μm のＧａＡｓ層１２を成長させる。成長後、Ｇ
ａＡｓ層１２を有するＧａＡｓ基板１１を準備室２５へ
搬送し、ＧａＡｓ層１２の表面に純粋酸素を接触させ
る。このとき同時にＧａＡｓ層１２の表面にハロゲンラ
ンプ（図示せず）からの光を均一に照射する。こうし
て、ＧａＡｓ層１２の表面には非常に薄い酸化膜２３が
形成される。ＭＢＥ室２２及び準備室２５は予め内部を
超高真空に保っているので、ＧａＡｓ層１２の表面は清
浄に保たれ、形成された酸化膜１３にはほとんど不純物
が認められなかった。
【００１０】次にこの酸化膜１３が形成されたウエハー
をパターン描画室２３へ搬送する。このパターン描画室
２３には電子ビーム発生装置２７が具備されている。電
子ビーム発生装置２７は、走査トンネル顕微鏡（ＳＴ
Ｍ）と同様の構成、即ち、プラチナ製の針１４と、針１
４を試料へ近付けるための近接機構（図示せず）と、針
１４に電圧を印加する電圧供給部（図示せず）とを有し
ている。搬送されてきたウエハーは試料ホルダー２８に
保持される。このウエハーに対して、図１（ｂ）に示す
ように針１４を近接機構によりトンネル電流１５が流れ
る距離にまで近接させる。例えば針１４の電位を−２Ｖ
とし、針１４とウエハー表面との間にトンネル電流を２
０ nＡ流す。そして、試料面内方向にトンネル電流を走
査させることにより所望のパターンを描く。電子ビーム
１５が照射された領域１６では、酸化膜１３は厚さが薄
くなる、またはＧａＡｓ層１２との結合が弱くなるなど
の改質がなされる。
をパターン描画室２３へ搬送する。このパターン描画室
２３には電子ビーム発生装置２７が具備されている。電
子ビーム発生装置２７は、走査トンネル顕微鏡（ＳＴ
Ｍ）と同様の構成、即ち、プラチナ製の針１４と、針１
４を試料へ近付けるための近接機構（図示せず）と、針
１４に電圧を印加する電圧供給部（図示せず）とを有し
ている。搬送されてきたウエハーは試料ホルダー２８に
保持される。このウエハーに対して、図１（ｂ）に示す
ように針１４を近接機構によりトンネル電流１５が流れ
る距離にまで近接させる。例えば針１４の電位を−２Ｖ
とし、針１４とウエハー表面との間にトンネル電流を２
０ nＡ流す。そして、試料面内方向にトンネル電流を走
査させることにより所望のパターンを描く。電子ビーム
１５が照射された領域１６では、酸化膜１３は厚さが薄
くなる、またはＧａＡｓ層１２との結合が弱くなるなど
の改質がなされる。
【００１１】次に電圧の印加を停止し、針１４をウエハ
ー表面より遠ざける。そして、ウエハーをエッチング室
２４に搬送する。エッチング室２４にはガス導入装置２
９が備えられており、このガス導入装置２９よりエッチ
ング室２４内に塩素（Ｃｌ2 ）ガスを導入し、ウエハー
表面に接触させる。酸化膜１３の改質された領域（トン
ネル電流照射領域）は、塩素ガスとＧａＡｓ層１２との
科学反応が起こり図１（ｃ）に示すようにエッチングが
進行する。トンネル電流を照射しなかった領域では酸化
膜１３が塩素ガスエッチングに対するレジストとして働
き、エッチングは進行しない。
ー表面より遠ざける。そして、ウエハーをエッチング室
２４に搬送する。エッチング室２４にはガス導入装置２
９が備えられており、このガス導入装置２９よりエッチ
ング室２４内に塩素（Ｃｌ2 ）ガスを導入し、ウエハー
表面に接触させる。酸化膜１３の改質された領域（トン
ネル電流照射領域）は、塩素ガスとＧａＡｓ層１２との
科学反応が起こり図１（ｃ）に示すようにエッチングが
進行する。トンネル電流を照射しなかった領域では酸化
膜１３が塩素ガスエッチングに対するレジストとして働
き、エッチングは進行しない。
【００１２】本実施例を用いて、トンネル電流を照射す
る領域を幅１０nmの線状パターンとし、基板７０℃で２
分間、塩素ガスエッチングを行った場合、幅１０nm、深
さ２５nmのエッチングを行うことができた。また、酸化
膜１３は、砒素雰囲気（２×１０-5Torr）下で、試料を
熱処理（基板温度約６４０℃）することにより容易に除
去することができた。
る領域を幅１０nmの線状パターンとし、基板７０℃で２
分間、塩素ガスエッチングを行った場合、幅１０nm、深
さ２５nmのエッチングを行うことができた。また、酸化
膜１３は、砒素雰囲気（２×１０-5Torr）下で、試料を
熱処理（基板温度約６４０℃）することにより容易に除
去することができた。
【００１３】本発明の加工方法では、針１４と試料表面
との距離を極めて短くできるので、外部磁界等による電
子ビームの不安定性はほとんど認められなかった。ま
た、電子ビームのアライメントは針の位置で一意的に決
まるので静電レンズなどは必要でなく、電子ビーム発生
装置２７は非常に小型である。さらに、現在、ＳＴＭに
よる表面観察技術の研究により、針１４は０．１nmオー
ダ以下の正確さでその位置を制御することが可能となっ
ており、針１４と試料との距離をより小さくすること
や、トンネル電流の値をさらに小さくすることで１nm程
度の微細パターンの形成を実現できるものと期待でき
る。
との距離を極めて短くできるので、外部磁界等による電
子ビームの不安定性はほとんど認められなかった。ま
た、電子ビームのアライメントは針の位置で一意的に決
まるので静電レンズなどは必要でなく、電子ビーム発生
装置２７は非常に小型である。さらに、現在、ＳＴＭに
よる表面観察技術の研究により、針１４は０．１nmオー
ダ以下の正確さでその位置を制御することが可能となっ
ており、針１４と試料との距離をより小さくすること
や、トンネル電流の値をさらに小さくすることで１nm程
度の微細パターンの形成を実現できるものと期待でき
る。
【００１４】なお、本発明は以下の場合においても適応
できる。 半導体材料がＧａＡｓ以外の場合（ＡｌＧａＡｓ、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｌＰ、Ｓｉ、Ｇｅ等）。 酸化膜形成に使用されるガスが純水酸素以外の場合
（Ｈ2 Ｏ、ＣＯ2 、ＮＯ2 等）。 エッチングガスが塩素ガス以外の場合（披エッチング
材料により適当に選択されるべきであるが、Ｆ2 、
Ｉ2 、ＨＦ、ＮＦ3 等のハロゲンを含むガスや、Ｈ2 、
ＣＨ4 、Ｃ2 Ｈ6 等）。 酸化膜形成用ガス、エッチング用ガスとして半導体基
板と熱平衡状態にあるガスを用いる場合（ラジカル、イ
オンを一部に含むガス）。 針の材料としてプラチナ以外の材料を用いる場合（導
電体であり、先端を針状に加工できる材料、タングステ
ンカーボン等）。
できる。 半導体材料がＧａＡｓ以外の場合（ＡｌＧａＡｓ、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｌＰ、Ｓｉ、Ｇｅ等）。 酸化膜形成に使用されるガスが純水酸素以外の場合
（Ｈ2 Ｏ、ＣＯ2 、ＮＯ2 等）。 エッチングガスが塩素ガス以外の場合（披エッチング
材料により適当に選択されるべきであるが、Ｆ2 、
Ｉ2 、ＨＦ、ＮＦ3 等のハロゲンを含むガスや、Ｈ2 、
ＣＨ4 、Ｃ2 Ｈ6 等）。 酸化膜形成用ガス、エッチング用ガスとして半導体基
板と熱平衡状態にあるガスを用いる場合（ラジカル、イ
オンを一部に含むガス）。 針の材料としてプラチナ以外の材料を用いる場合（導
電体であり、先端を針状に加工できる材料、タングステ
ンカーボン等）。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、半導体基板の表面に酸
化膜を形成する第１の工程と、前記半導体基板の表面に
前記半導体基板の電位とは異なる電位の針状電極を近接
させ前記半導体基板と前記針状電極との間に電流を流す
第２の工程と、前記半導体基板の表面に該半導体基板を
熱的にエッチングし得る第２のガス状物質を接触させる
第３の工程を含むことで、ナノメートルオーダーの微細
パターンの形成ができる。特に、電子ビーム照射にＳＴ
Ｍに使用される針上電極を用いることで、電子ビームの
径及び位置を正確に制御でき、パターンの均一性や再現
性に優れ、高機能、高集積半導体デバイス作製に利用で
きる。
化膜を形成する第１の工程と、前記半導体基板の表面に
前記半導体基板の電位とは異なる電位の針状電極を近接
させ前記半導体基板と前記針状電極との間に電流を流す
第２の工程と、前記半導体基板の表面に該半導体基板を
熱的にエッチングし得る第２のガス状物質を接触させる
第３の工程を含むことで、ナノメートルオーダーの微細
パターンの形成ができる。特に、電子ビーム照射にＳＴ
Ｍに使用される針上電極を用いることで、電子ビームの
径及び位置を正確に制御でき、パターンの均一性や再現
性に優れ、高機能、高集積半導体デバイス作製に利用で
きる。
【図１】本発明の一実施例の微細加工工程図である。
【図２】本発明で使用される超高真空装置の概略図であ
る。
る。
【図３】従来の電子ビームガンの構成図である。
１１ ＧａＡｓ基板 １２ ＧａＡｓ層 １３ 酸化膜 １４ 針 １５ トンネル電流 １６ 照射領域 １７ 塩素ガス ２１ ロードロック室 ２２ ＭＢＥ室 ２３ パターン描画室 ２４ エッチング室 ２５ 準備室 ２６ マグネットフィードスルー ２７ 電子ビーム発生装置 ２８ 試料ホルダー ２９ ガス導入装置
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板の表面に酸素及び酸素化合物
の内の少なくとも１つを含む第１のガス状物質を接触さ
せ前記半導体基板の表面に酸化膜を形成する第１の工程
と、前記半導体基板の表面に前記半導体基板の電位とは
異なる電位の針状電極を近接させ前記半導体基板と前記
針状電極との間に電流を流す第２の工程と、前記半導体
基板の表面に該半導体基板を熱的にエッチングし得る第
２のガス状物質を接触させる第３の工程を含むことを特
徴とする半導体の微細加工方法。 - 【請求項２】 前記第１乃至第３の工程が真空容器内の
減圧雰囲気下で連続して行われることを特徴とする請求
項１の半導体の微細加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10328091A JPH0594976A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 半導体の微細加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10328091A JPH0594976A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 半導体の微細加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0594976A true JPH0594976A (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=14349935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10328091A Pending JPH0594976A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 半導体の微細加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0594976A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009076795A (ja) * | 2007-09-22 | 2009-04-09 | Kwansei Gakuin | 三次元微細加工方法及び三次元微細構造 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53114744A (en) * | 1977-03-18 | 1978-10-06 | Toshiba Corp | Etching method |
| JPS63232333A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | Hitachi Ltd | 超微細表面処理方法 |
-
1991
- 1991-03-08 JP JP10328091A patent/JPH0594976A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53114744A (en) * | 1977-03-18 | 1978-10-06 | Toshiba Corp | Etching method |
| JPS63232333A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | Hitachi Ltd | 超微細表面処理方法 |
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| JP2009076795A (ja) * | 2007-09-22 | 2009-04-09 | Kwansei Gakuin | 三次元微細加工方法及び三次元微細構造 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970311 |