JPH0590558A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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Publication number
JPH0590558A
JPH0590558A JP3282125A JP28212591A JPH0590558A JP H0590558 A JPH0590558 A JP H0590558A JP 3282125 A JP3282125 A JP 3282125A JP 28212591 A JP28212591 A JP 28212591A JP H0590558 A JPH0590558 A JP H0590558A
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JP
Japan
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type
solid
layer
epitaxial silicon
silicon substrate
Prior art date
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Application number
JP3282125A
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English (en)
Inventor
Satoshi Hirose
諭 広瀬
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】長波長光に対する空間解像度が良好で、かつ感
度の均一性が良好な固体撮像装置を得る。 【構成】p型シリコン基板1上に形成された低抵抗p型
エピタキシャル層2と、該低抵抗p型エピタキシャル層
2上に形成されたp型エピタキシャル層3とで、入射光
を吸収する構成とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は固体撮像装置に関し、
特に、長波長光に対する空間解像度が良好で、かつ感度
の均一性が良好な固体撮像装置の基板構造に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】図3はCCDを用いたリニアイメージセ
ンサの構成を示す図であり、図において、40は光電変
換を行う画素、101は電荷転送部、102は読み出し
ゲート、103は出力アンプである。
【0003】また、図3のA−A′での断面を図4に示
す。図4は、例えば文献1“A Method for Improving t
he Spatial Resolution ofFrontside-IlluminatedCCD's
”(IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES;VOL.ED-
28, No.3, p.251-256;1981;MORLEY M. BLOUKE, DAVID
A. ROBINSON 著)に示された従来の固体撮像装置であ
り、図において、31は抵抗率が0.05Ωcmである低
抵抗p型シリコン基板、32は層厚が30μm以下で抵
抗率が10〜25Ωcmであるp型エピタキシャル層、3
3はn型シリコン領域である。
【0004】次に、従来の固体撮像装置の動作について
説明する。画素40はp型エピタキシャル層32中にn
型の拡散層(n型シリコン領域33)を形成して作られ
る。この画素40に入射した光は半導体中で電子と正孔
の対を生成し、そのうちの電子がn型シリコン領域33
に集められる。このn型シリコン領域33に蓄らえれた
電子は所定の時間間隔ごとに読み出しゲート102を通
って、全画素40が同時に電荷転送部101に移され
る。この時、画素40部のn型シリコン領域33は、p
型エピタキシャル層32に対し正の一定値にバイアスさ
れ、電子を蓄えられる状態にリセットされる。電荷転送
部101に移された電荷は所定のクロックにより出力側
に順次シフトされ、出力アンプ103を介して出力され
る。
【0005】ここで用いられる固体撮像装置の低抵抗p
型シリコン基板31は、通常チョクラルスキー法(CZ
法)と呼ばれる単結晶引き上げ法によって製造される。
この方法では、溶融シリコン中から種結晶を回転させな
がら引き上げていく時に種結晶のまわりに結晶を成長さ
せるが、この際、ルツボ内の対流のため固液界面の温度
や不純物濃度のゆらぎが発生し、不純物の分布は不均一
となる。
【0006】図5はCZ法の際に生じるシリコン基板
(低抵抗p型シリコン基板31)の不純物濃度ムラを示
す図で、図において41はウェハ、42は該ウェハ41
上に製造されたイメージセンサチップ、43は不純物濃
度の高い領域、44は不純物濃度の低い領域である。図
に示すように、不純物の分布の不均一性は同心円状にあ
らわれる。また図中に示したように、イメージセンサチ
ップ42内には、不純物濃度の高い領域43と低い領域
44とが同一基板内に形成されている。
【0007】ところで、シリコンウェハ基板の不純物濃
度が高いところでは、少数キャリア寿命τは短くなって
しまう。
【0008】図6は例えば、文献2“ SILICON SEMICON
DUCTOR DATA ”( PERGAMON PRESS ;p.501; 1969; HELMU
T F. WOLF 著)に示された、少数キャリア寿命τ〔se
c〕とシリコン基板の抵抗率ρ〔Ωcm〕との関係を示
した図である。図に示したように、シリコン基板内の少
数キャリア寿命τが短くなると、つまり不純物濃度が高
くなると、それに対応して抵抗率は下がる。
【0009】つまり、イメージセンサチップ42内には
少数キャリア寿命τが短く、抵抗率が低く、不純物濃度
の高い領域43と、少数キャリア寿命τが長く、抵抗率
が高く、不純物濃度の低い領域44とが同一基板内に存
在していることになる。このウェハ基板41内の少数キ
ャリア寿命τ等のゆらぎが、イメージセンサチップ42
の感度のゆらぎとしてあらわれることは古くから知られ
ている。
【0010】このようなウェハ基板41内における、少
数キャリア寿命τ,不純物濃度,抵抗率等の不均一性は
画像に大きく影響を及ぼすが、これらを改善する方法と
して例えば、文献3“ Elimination of fixed pattern
noise insuper-8 format CCDimage sensor by the use
of epitaxial wafers”(IEDM=International ElectronD
evice Meeting ;予稿集 p.32 , 1984 ; Y.Hiroshima,
S.Matsumoto, K.Senda, T.Kuriyama, K.Horii, T.Kurod
a, T.Kunii and H.Mizuno 著)において、シリコン基板
上にエピタキシャル層を設けることを示している。
【0011】即ち、光が吸収される領域がエピタキシャ
ル層内であればシリコン基板の不純物濃度等の不均一性
は、センサーチップ42の感度ムラの原因にはならな
い。このため、図4に示すように、低抵抗p型シリコン
基板31上に、光を吸収する領域としてp型エピタキシ
ャル層32を形成している。
【0012】次に、低抵抗p型シリコン基板31上に形
成するp型エピタキシャル層32の層厚を30μm以下
と決定した理由について説明する。図7は前記文献2
(p.111) に示されている、シリコンの光に対する吸収係
数αの波長依存性を示した図であり、シリコンの吸収係
数αは、光の波長に依存していることがわかる。つま
り、光の波長が長波長になるほど、シリコンの吸収係数
αは小さくなる、すなわち、光の波長が長いほどシリコ
ン結晶の深い領域まで光が到達し、吸収することにな
る。
【0013】図7において+25℃のとき、波長が例え
ば0.6μmの光は吸収係数α≒4×103 cm-1であ
り、シリコン結晶の深さが1/α≒2.5×10-4cm=
2.5μmでこの光強度はシリコン結晶表面の1/eと
なるが、波長が0.9μmの光に対しては吸収係数α≒
5×102 cm-1であり、シリコン結晶の深さが1/α≒
20μmでこの光強度はシリコン結晶表面の1/eの大
きさになる。
【0014】即ち波長0.9μmの光を90%吸収しよ
うとすれば(e-ax <0.1より、x>4.6×10-3
cm)、低抵抗p型シリコン基板31上に形成するp型エ
ピタキシャル層32には約50μmの厚さが必要となる
(但しeは自然対数の底≒2.7)。
【0015】しかし、長波長の光の吸収率を高めようと
して、受光部を形成する抵抗率が10〜25Ωcmのp
型エピタキシャル層32の層厚をさらに厚くすると、信
号電荷は横方向にも拡散して隣接画素にもれ込むので、
空間解像度の劣化につながる。このため、波長が0.9
μm程度の入射光の像を十分な解像度で検出するには、
p型エピタキシャル層32の厚さを30μm以下とし、
信号電荷の横方向への拡散を抑えるため、低抵抗p型シ
リコン基板31の抵抗率を0.05Ωcm以下と低くし
た。
【0016】この場合、低抵抗p型シリコン基板31に
おける、電荷の横方向への拡散長はp型エピタキシャル
層32における値(≒100μm)よりも小さい値(1
0μm程度)となるが、低抵抗p型シリコン基板31中
で発生し、p型エピタキシャル層32へ拡散してゆく電
荷の量を無視できない。従って、低抵抗p型シリコン基
板31における少数キャリア寿命τの不均一性は、結
局、電荷の横方向への拡散長Lの不均一性となり(L=
(Dτ)1/2 ,D:拡散定数)、感度が不均一となる。
【0017】図8は、低抵抗p型シリコン基板31での
少数キャリア寿命τの不均一性が、感度の不均一性の原
因となる様子を模式的に示した図である。図において、
低抵抗p型シリコン基板31中にはキャリア寿命の短い
領域71とキャリア寿命の長い領域72とが存在してお
り、キャリア寿命の短い領域71中で発生した信号電荷
73はp型エピタキシャル層32に達する割合が低く、
キャリア寿命の長い領域72中で発生した信号電荷73
はp型エピタキシャル層32に達する割合は高い。従っ
て、感度が高い画素75と感度が低い画素74ができる
ため、感度に不均一性が生じる。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】従来の固体撮像装置は
以上のように構成されているので、長波長光の吸収にお
いて、吸収率を高めるためにp型エピタキシャル層32
の層厚を厚くすれば良好な空間解像度を得られず、その
空間解像度の劣化を防ぐためにp型エピタキシャル層3
2を薄くすると、低抵抗p型シリコン基板31の影響で
感度に不均一性が生じる、という問題点があった。
【0019】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、長波長光に対する空間解像度が
良好で、かつ感度均一性の良好な固体撮像装置を得るこ
とを目的とする。
【0020】
【課題を解決するための手段】この発明に係る固体撮像
装置は、その基板が、シリコン基板の上に形成されたシ
リコン基板と同一導電型の第1のエピタキシャルシリコ
ン層と、該第1のエピタキシャルシリコン層上に形成さ
れ、光電変換素子がその表面上に形成されているシリコ
ン基板と同一導電型の第2のエピタキシャルシリコン層
とからなるものであり、上記第1のエピタキシャルシリ
コン層は、その層厚が50μm以上、抵抗率が0.1Ω
cm以下に、また、上記第2のエピタキシャルシリコン
層はその層厚が50μm以下、抵抗率が5Ωcm以上に
なるよう形成されたものである。
【0021】
【作用】この発明における固体撮像装置は、シリコン基
板上に形成された第1のエピタキシャル層と、該第1の
エピタキシャル層上に形成された第2のエピタキシャル
層とで入射光をほぼ完全に吸収するので、長波長光に対
する空間解像度が良好で、かつ感度均一性の良好な固体
撮像装置を得ることができる。
【0022】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図1はこの発明の一実施例による固体撮像装置の
光電変換部の基板構造を示した断面図であり、図におい
て、1はp型シリコン基板、2は低抵抗p型エピタキシ
ャル層で、厚さ50μm以上で抵抗率は0.1Ωcm以
下である。3は厚さ50μm以下,抵抗率5Ωcm以上
のp型エピタキシャル層で、低抵抗p型エピタキシャル
層2よりも不純物濃度が低い。4は前記p型エピタキシ
ャル層3の表面上に形成された、光電変換素子であるn
型シリコン領域である。
【0023】また図2は、光によって発生した信号電荷
がp型シリコン基板1の不均一性の影響を受けず、均一
に各画素に拡散していく様子を模式的に示した図であ
り、図において図1及び図8と同一符号のものは同一の
ものを示している。
【0024】次に動作について説明する。図2に示すよ
うに、入射光はp型エピタキシャル層3及び低抵抗p型
エピタキシャル層2の領域まででほぼ完全に吸収され、
p型シリコン基板1にまで到達する割合は僅かである。
よって、p型シリコン基板1の不純物濃度不均一性の影
響を受けた電荷がp型エピタキシャル層3にまで到達す
る割合は無視できる。
【0025】従って、信号電荷73はすべて低抵抗p型
エピタキシャル層2又はp型エピタキシャル層3で発生
したものと考えることができ、また低抵抗p型エピタキ
シャル層2及びp型エピタキシャル層3にはp型シリコ
ン基板1にみられる不純物濃度の不均一性はないため、
拡散によりn型シリコン領域4に到達する信号電荷量の
不均一性もなく、感度を均一にすることができる。
【0026】空間解像度に関しては、低抵抗p型エピタ
キシャル層2では少数キャリア寿命τ及び拡散長Lが短
く、隣接画素への信号電荷73のもれ込みが抑えられる
ため、p型エピタキシャル層32の厚さを30μm以
下、低抵抗p型シリコン基板31の抵抗率を0.05Ω
cm以下にしていた従来と同程度の空間解像度を得られ
る。
【0027】このように本実施例では、p型シリコン基
板1上に低抵抗p型エピタキシャル層2とp型エピタキ
シャル層3とを形成したので、波長0.9μmの長波長
入射光であっても低抵抗p型エピタキシャル層2までで
ほぼ完全に吸収できるため、感度を均一にでき、さら
に、低抵抗p型エピタキシャル層2での少数キャリアの
拡散長Lはp型エピタキシャル層3での拡散長Lに比較
して十分短いため、低抵抗p型エピタキシャル層2で発
生した信号電荷73が横方向へ拡散することはなく、従
来と同程度の良好な空間解像度を得ることができる。
【0028】なお上記実施例ではp型シリコン基板1の
抵抗率について述べていないが、入射光を吸収する領域
は低抵抗p型エピタキシャル層2及びp型エピタキシャ
ル層3内であるので、p型シリコン基板1の抵抗率の大
小にかかわらず上記効果を実現できる。
【0029】また、上記実施例では電子を信号電荷とす
る場合であるが、正孔を信号電荷とする場合は、各層の
導電型をそれぞれn型はp型に、p型はn型に入れ換え
れば良い。
【0030】
【発明の効果】以上のようにこの発明による固体撮像装
置によれば、p型シリコン基板上に形成した第1のエピ
タキシャルp型シリコン層と、該第1のエピタキシャル
p型シリコン層上に形成した第2のエピタキシャルp型
シリコン層とで入射光をほぼ完全に吸収するので、空間
解像度を従来構造より劣化させることなく、長波長光に
対する感度均一性が良好な固体撮像装置を得ることがで
きる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例による固体撮像装置を示す
断面図である。
【図2】この発明の一実施例による固体撮像装置におけ
る作用を示す模式図である。
【図3】固体撮像装置の構成を示す図である。
【図4】従来の固体撮像装置を示す断面図である。
【図5】CZ法の際に生じるシリコン基板の不純物濃度
ムラを示す図である。
【図6】シリコン中の少数キャリア寿命の抵抗率依存性
を示す図である。
【図7】シリコンの光に対する吸収係数の波長依存性を
示す図である。
【図8】従来の固体撮像装置における感度不均一性を示
す図である。
【符号の説明】
1 p型シリコン基板 2 低抵抗p型エピタキシャル層 3 p型エピタキシャル層 4 n型シリコン領域 42 イメージセンサチップ 71 不純物濃度の高い領域 72 不純物濃度の低い領域 73 信号電荷
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成4年2月5日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0003
【補正方法】変更
【補正内容】
【0003】また、図3のA−A′での断面を図4に示
す。図4は、例えば文献1“A Method for Improving t
he Spatial Resolution of Frontside-Illuminated CC
D's”(IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES;VOL.E
D-28, No.3, p.251-256;1981;MORLEY M. BLOUKE, DAV
ID A. ROBINSON 著)に示された従来の固体撮像装置で
あり、図において、31は抵抗率が0.05Ω〓である
低抵抗p型シリコン基板、32は層厚が30μm以下で
抵抗率が10〜25Ω〓であるp型エピタキシャル層、
33はn型シリコン領域である。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0010
【補正方法】変更
【補正内容】
【0010】このようなウェハ基板41内における、少
数キャリア寿命τ,不純物濃度,抵抗率等の不均一性は
画像に大きく影響を及ぼすが、これらを改善する方法と
して例えば、文献3“ Elimination of fixed pattern
noise insuper-8 format CCDimage sensor by the use
of epitaxial wafers”(IEDM=International Electron
Device Meeting ; 予稿集 p.32 , 1984 ; Y.Hiroshima,
S.Matsumoto, K.Senda, T.Kuriyama, K.Horii, T.Kuro
da, T.Kunii and H.Mizuno 著)において、シリコン基
板上にエピタキシャル層を設けることを示している。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図3
【補正方法】変更
【補正内容】
【図3】従来の固体撮像装置の光電変換部の基板構造
示す図である。
【手続補正4】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図5
【補正方法】変更
【補正内容】
【図5】

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体基板上に形成された複数の光電変
    換素子と、該光電変換素子で発生した電荷を検出する手
    段とを備えた固体撮像装置において、前記固体撮像装置
    の半導体基板は、シリコン基板の上に形成されたシリコ
    ン基板と同一導電型の第1のエピタキシャルシリコン層
    と、該第1のエピタキシャルシリコン層上に形成され、
    上記光電変換素子がその表面上に形成されているシリコ
    ン基板と同一導電型の第2のエピタキシャルシリコン層
    とからなることを特徴とする固体撮像装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の固体撮像装置において、
    上記第1のエピタキシャルシリコン層は、その層厚が5
    0μm以上、抵抗率が0.1Ωcm以下、上記第2のエ
    ピタキシャルシリコン層はその層厚が50μm以下、抵
    抗率が5Ωcm以上であることを特徴とする固体撮像装
    置。
JP3282125A 1991-09-30 1991-09-30 固体撮像装置 Pending JPH0590558A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08316446A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Nec Corp 赤外線固体撮像素子
KR100520466B1 (ko) * 1998-12-30 2006-01-12 주식회사 하이닉스반도체 이미지센서 및 그 제조방법
US20130241017A1 (en) * 2006-07-10 2013-09-19 Renesas Electronics Corporation Solid-state image pickup device

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