JPH0590012A - 高電圧用バリスタ及びその製造方法 - Google Patents
高電圧用バリスタ及びその製造方法Info
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- JPH0590012A JPH0590012A JP3278649A JP27864991A JPH0590012A JP H0590012 A JPH0590012 A JP H0590012A JP 3278649 A JP3278649 A JP 3278649A JP 27864991 A JP27864991 A JP 27864991A JP H0590012 A JPH0590012 A JP H0590012A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
- H01C7/105—Varistor cores
- H01C7/108—Metal oxide
- H01C7/112—ZnO type
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- Thermistors And Varistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 厚さ１ｍｍ当りのバリスタ電圧が８００Ｖ以
上という高電圧用バリスタ及びその製造方法。 【構成】 実質的に、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とマンガン酸
化物（ＭｎＯ）のみから構成され、IIIb族元素化合物の
含有率が２０ｗｔｐｐｍ以下で、かつ平均粒径が５μｍ
以下の粒子の焼結体からなり、ＭｎＯがＺｎＯ＋ＭｎＯ
に対し３〜１５モル％の範囲にあり、バリスタ電圧が８
００Ｖ／ｍｍ以上、非直線指数（α）が３０以上、比抵
抗が１×１０9Ωｃｍ以上であるバリスタ。
上という高電圧用バリスタ及びその製造方法。 【構成】 実質的に、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とマンガン酸
化物（ＭｎＯ）のみから構成され、IIIb族元素化合物の
含有率が２０ｗｔｐｐｍ以下で、かつ平均粒径が５μｍ
以下の粒子の焼結体からなり、ＭｎＯがＺｎＯ＋ＭｎＯ
に対し３〜１５モル％の範囲にあり、バリスタ電圧が８
００Ｖ／ｍｍ以上、非直線指数（α）が３０以上、比抵
抗が１×１０9Ωｃｍ以上であるバリスタ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化亜鉛バリスタ及び
その製造方法に関する。更に具体的に言えば、１ｍｍ当
たりのバリスタ電圧が８００Ｖ以上の酸化亜鉛バリスタ
及びその製造方法に関する。
その製造方法に関する。更に具体的に言えば、１ｍｍ当
たりのバリスタ電圧が８００Ｖ以上の酸化亜鉛バリスタ
及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術及びその問題点】電圧と電流の関係が次式
（１）で示されるような若干の材料が知られている。こ
のような非直線性抵抗素子をバリスタと呼ぶ。
（１）で示されるような若干の材料が知られている。こ
のような非直線性抵抗素子をバリスタと呼ぶ。
【化１】 ここで、Ｖはバリスタに印加された電圧、Ｉはバリスタ
を流れる電流、Ｃは定数、αは非直線性を表わす指数
で、１より大きい数である。Ｃおよびαは原料組成及び
プロセス・パラメータの関数である。αは次式（２）に
よって計算される。 α＝ｌｏｇ10（Ｉ2／Ｉ1）ｌｏｇ10（Ｖ2／Ｖ1） （２） ここで、Ｖ1およびＶ2は、それぞれ電流Ｉ1およびＩ2に
おける電圧である。通常、Ｉ1＝１ｍＡ、Ｉ2＝１０ｍＡ
と決め、Ｖ1をバリスタ電圧と呼ぶ。αが大きいほど電
圧−電流の関係が急峻になりバリスタ特性が優れる。バ
リスタは、電子電気工業、通信および電力輸送などのさ
まざまな分野で、過電圧保護素子や電圧安定化素子とし
て用いられており、目的、用途に応じてさまざまな種類
や材質のものがある。現在、酸化亜鉛、炭ケイ素、チタ
ン酸ストロンチウム、酸化鉄及びセレンなどを主成分と
するものが知られている。中でも、酸化亜鉛を主成分と
する、いわゆる酸化亜鉛バリスタは非直線性が大きく、
サージ耐量や安定性に優れているため最も広く用いられ
ている。酸化亜鉛バリスタは、酸化亜鉛にＢｉをはじめ
として、Ｃｏ，Ｍｎ，Ｓｂやその他の金属酸化物を混
合、成形、焼結することにより作製される。酸化亜鉛バ
リスタの製造工程は標準的なファインセラミックスのそ
れと同じである。一般的な酸化亜鉛バリスタの１ｍｍ当
たりのバリスタ電圧は２００Ｖ程度である。高いバリス
タ電圧を所望する場合は素子の厚みを大きくすることに
より作製される。しかし、避雷器のように非常に高いバ
リスタ電圧が要求される場合、素子の厚みは非常に大き
なものになる。例えば、バリスタ電圧を７００ＫＶに設
定する場合、１ｍｍ当たりのバリスタ電圧が２００Ｖな
らば、素子の厚みは３．５ｍにもなる。素子が大きくな
るほど絶縁が難しくなり、コストも高いものになる。ま
た、取り付け場所に対する制限も大きくなる。このよう
な場合、単位厚み当たりのバリスタ電圧が高ければ素子
を小形化出来るので有利である。単位厚み当たりのバリ
スタ電圧を高めた、高電圧用のバリスタが求められてい
る。酸化亜鉛バリスタの粒界当たりの電圧降下は、材料
組成やプロセス・パラメータに関係なくほぼ一定（２〜
４Ｖ）であることが経験的に知られている。従って、焼
結時の粒成長を抑制することが出来れば、単位厚み当り
のバリスタ電圧が高くなり、高電圧用バリスタが得られ
る筈である。しかし、一般的に、酸化亜鉛バリスタは酸
化ビスマスを始め、酸化バリウム、酸化ストロンチウム
のように、焼結時に粒界に液相を生成し、粒成長を強く
促進する成分を含んでいる。このような、従来組成の酸
化亜鉛バリスタに対して、粒成長を抑制する方法とし
て、次の２つの方法が提案されている。その第１は、焼
結温度を低くすることにより液相の生成量を少なくして
粒成長を抑制しようとする方法である。１１００〜数百
℃の範囲で焼結する方法が提案されている。普通、１１
００℃以下では酸化亜鉛バリスタの焼結は進行しないの
で、これらの方法で用いる原料は特別な方法で合成され
る。このため製造工程が複雑になり、品質管理を難しく
するばかりでなく、コストが高くなる欠点がある。第２
は、粒成長を抑制する添加物を用いる方法である。粒成
長を抑制する添加物としてはＳｂ2Ｏ3やＳｉＯ2が知ら
れているが、効果を発揮するためにはかなり大量に添加
する必要がある。これらの添加物は焼結体中に大量の第
２相や空孔を発生させて、バリスタを電気的に不均一に
し、サージ耐量を大巾に低下させるなどの欠点がある。
ＺｎＯとマンガン化合物のみからなるバリスタ材料が公
開特許公報平１−２１２２６４号、同平１−３１７１５
８号、同平３−５３５０１号に開示されている。これら
の公報には、ＺｎＯ＋ＭｎＯに対するＭｎＯの比率が３
〜７モル％の範囲を逸脱すると高められたαを得ること
が困難になると記載されている。また、これらの公報に
は、１ｍｍ厚み当たりのバリスタ電圧が８００Ｖを超え
るものの例は記載されていない。
を流れる電流、Ｃは定数、αは非直線性を表わす指数
で、１より大きい数である。Ｃおよびαは原料組成及び
プロセス・パラメータの関数である。αは次式（２）に
よって計算される。 α＝ｌｏｇ10（Ｉ2／Ｉ1）ｌｏｇ10（Ｖ2／Ｖ1） （２） ここで、Ｖ1およびＶ2は、それぞれ電流Ｉ1およびＩ2に
おける電圧である。通常、Ｉ1＝１ｍＡ、Ｉ2＝１０ｍＡ
と決め、Ｖ1をバリスタ電圧と呼ぶ。αが大きいほど電
圧−電流の関係が急峻になりバリスタ特性が優れる。バ
リスタは、電子電気工業、通信および電力輸送などのさ
まざまな分野で、過電圧保護素子や電圧安定化素子とし
て用いられており、目的、用途に応じてさまざまな種類
や材質のものがある。現在、酸化亜鉛、炭ケイ素、チタ
ン酸ストロンチウム、酸化鉄及びセレンなどを主成分と
するものが知られている。中でも、酸化亜鉛を主成分と
する、いわゆる酸化亜鉛バリスタは非直線性が大きく、
サージ耐量や安定性に優れているため最も広く用いられ
ている。酸化亜鉛バリスタは、酸化亜鉛にＢｉをはじめ
として、Ｃｏ，Ｍｎ，Ｓｂやその他の金属酸化物を混
合、成形、焼結することにより作製される。酸化亜鉛バ
リスタの製造工程は標準的なファインセラミックスのそ
れと同じである。一般的な酸化亜鉛バリスタの１ｍｍ当
たりのバリスタ電圧は２００Ｖ程度である。高いバリス
タ電圧を所望する場合は素子の厚みを大きくすることに
より作製される。しかし、避雷器のように非常に高いバ
リスタ電圧が要求される場合、素子の厚みは非常に大き
なものになる。例えば、バリスタ電圧を７００ＫＶに設
定する場合、１ｍｍ当たりのバリスタ電圧が２００Ｖな
らば、素子の厚みは３．５ｍにもなる。素子が大きくな
るほど絶縁が難しくなり、コストも高いものになる。ま
た、取り付け場所に対する制限も大きくなる。このよう
な場合、単位厚み当たりのバリスタ電圧が高ければ素子
を小形化出来るので有利である。単位厚み当たりのバリ
スタ電圧を高めた、高電圧用のバリスタが求められてい
る。酸化亜鉛バリスタの粒界当たりの電圧降下は、材料
組成やプロセス・パラメータに関係なくほぼ一定（２〜
４Ｖ）であることが経験的に知られている。従って、焼
結時の粒成長を抑制することが出来れば、単位厚み当り
のバリスタ電圧が高くなり、高電圧用バリスタが得られ
る筈である。しかし、一般的に、酸化亜鉛バリスタは酸
化ビスマスを始め、酸化バリウム、酸化ストロンチウム
のように、焼結時に粒界に液相を生成し、粒成長を強く
促進する成分を含んでいる。このような、従来組成の酸
化亜鉛バリスタに対して、粒成長を抑制する方法とし
て、次の２つの方法が提案されている。その第１は、焼
結温度を低くすることにより液相の生成量を少なくして
粒成長を抑制しようとする方法である。１１００〜数百
℃の範囲で焼結する方法が提案されている。普通、１１
００℃以下では酸化亜鉛バリスタの焼結は進行しないの
で、これらの方法で用いる原料は特別な方法で合成され
る。このため製造工程が複雑になり、品質管理を難しく
するばかりでなく、コストが高くなる欠点がある。第２
は、粒成長を抑制する添加物を用いる方法である。粒成
長を抑制する添加物としてはＳｂ2Ｏ3やＳｉＯ2が知ら
れているが、効果を発揮するためにはかなり大量に添加
する必要がある。これらの添加物は焼結体中に大量の第
２相や空孔を発生させて、バリスタを電気的に不均一に
し、サージ耐量を大巾に低下させるなどの欠点がある。
ＺｎＯとマンガン化合物のみからなるバリスタ材料が公
開特許公報平１−２１２２６４号、同平１−３１７１５
８号、同平３−５３５０１号に開示されている。これら
の公報には、ＺｎＯ＋ＭｎＯに対するＭｎＯの比率が３
〜７モル％の範囲を逸脱すると高められたαを得ること
が困難になると記載されている。また、これらの公報に
は、１ｍｍ厚み当たりのバリスタ電圧が８００Ｖを超え
るものの例は記載されていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、厚さ１ｍｍ
当りのバリスタ電圧が８００Ｖ以上という高電圧用バリ
スタ及びその製造方法を提供する。
当りのバリスタ電圧が８００Ｖ以上という高電圧用バリ
スタ及びその製造方法を提供する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者は、前記課題を
解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成するに
至った。即ち、本発明によれば、実質的に、酸化亜鉛
（ＺｎＯ）とマンガン酸化物（ＭｎＯ）のみから構成さ
れ、IIIb族元素化合物の含有率が２０ｗｔｐｐｍ以下
で、かつ平均粒径が５μｍ以下の粒子の焼結体からな
り、ＭｎＯがＺｎＯ＋ＭｎＯに対し３〜１５モル％の範
囲にあり、バリスタ電圧が８００Ｖ／ｍｍ以上、非直線
指数（α）が３０以上、比抵抗が１×１０9Ωｃｍ以上
であるバリスタが提供される。但し、ここで言う焼結体
の平均粒径はＪｅｆｆｒｉｅｓのプラニメトリック法に
よる円相当径である。（Ｚ．Ｊｅｆｆｒｉｅｓ，Ｍｅｔ
ａｌｌｕｒｇｉｃａｌ ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅ
ｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，１８，１８５（１９１８））ま
た、本発明によれば、平均粒径が１μｍ以下の酸化亜鉛
とマンガン化合物を、ＭｎＯがＺｎＯ＋ＭｎＯに対し３
〜１５モル％になる割合で混合物と接する内表面が樹脂
面に形成された混合機を用いて混合し、得られた混合物
を６００〜９００℃の大気中で仮焼し、得られた仮焼物
を内表面が樹脂面に形成された粉砕機中で粉砕してIIIb
族元素化合物の含有率が２０ｗｔｐｐｍ以下の仮焼粉を
得、これを成形した後、１１００〜１３００℃の大気中
で焼結して平均粒径が５μｍ以下の粒子の焼結体を得る
ことを特徴とするバリスタの製造方法が提供される。
解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成するに
至った。即ち、本発明によれば、実質的に、酸化亜鉛
（ＺｎＯ）とマンガン酸化物（ＭｎＯ）のみから構成さ
れ、IIIb族元素化合物の含有率が２０ｗｔｐｐｍ以下
で、かつ平均粒径が５μｍ以下の粒子の焼結体からな
り、ＭｎＯがＺｎＯ＋ＭｎＯに対し３〜１５モル％の範
囲にあり、バリスタ電圧が８００Ｖ／ｍｍ以上、非直線
指数（α）が３０以上、比抵抗が１×１０9Ωｃｍ以上
であるバリスタが提供される。但し、ここで言う焼結体
の平均粒径はＪｅｆｆｒｉｅｓのプラニメトリック法に
よる円相当径である。（Ｚ．Ｊｅｆｆｒｉｅｓ，Ｍｅｔ
ａｌｌｕｒｇｉｃａｌ ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅ
ｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，１８，１８５（１９１８））ま
た、本発明によれば、平均粒径が１μｍ以下の酸化亜鉛
とマンガン化合物を、ＭｎＯがＺｎＯ＋ＭｎＯに対し３
〜１５モル％になる割合で混合物と接する内表面が樹脂
面に形成された混合機を用いて混合し、得られた混合物
を６００〜９００℃の大気中で仮焼し、得られた仮焼物
を内表面が樹脂面に形成された粉砕機中で粉砕してIIIb
族元素化合物の含有率が２０ｗｔｐｐｍ以下の仮焼粉を
得、これを成形した後、１１００〜１３００℃の大気中
で焼結して平均粒径が５μｍ以下の粒子の焼結体を得る
ことを特徴とするバリスタの製造方法が提供される。
【０００５】本発明においては、バリスタを構成する焼
結粒子の平均粒径を、５μｍ以下、好ましくは５〜１μ
ｍの範囲に規定する。この規定によって、単位厚み当り
のバリスタ電圧の高い高電圧用バリスタを得ることがで
きる。本発明のバリスタにおいて、ＭｎＯの含有率は、
ＺｎＯとＭｎＯの合計量（ＺｎＯ＋ＭｎＯ）に対して、
３〜１５モル％、好ましくは８〜１５モル％である。Ｍ
ｎＯの含有率が３モル％以上に増加するに従って、非直
線指数αは増大し、８モル％以上になると、その値は急
激に大きくなる。ＭｎＯの含有率の上限値は、バリスタ
の比抵抗によって制約を受け、ＭｎＯの含有率が１５モ
ル％を超えるようになると、バリスタの比抵抗が低下す
る。バリスタの比抵抗が低下すると漏れ電流が増大し、
バリスタの熱暴走寿命が短くなるので好ましくない。実
用的には、バリスタの比抵抗が１×１０9Ωｃｍ以上で
あることが好ましいが、ＭｎＯの比率が１５モル％を超
えると１×１０9Ωｃｍより低くなる。比抵抗が低下す
るおもな原因は、粒界に析出する低抵抗のＺｎＭｎ2Ｏ4
によると思われる。因みに、ＺｎＭｎ2Ｏ4を単独で焼結
したものの比抵抗は１×１０6Ωｃｍ程度であった。
結粒子の平均粒径を、５μｍ以下、好ましくは５〜１μ
ｍの範囲に規定する。この規定によって、単位厚み当り
のバリスタ電圧の高い高電圧用バリスタを得ることがで
きる。本発明のバリスタにおいて、ＭｎＯの含有率は、
ＺｎＯとＭｎＯの合計量（ＺｎＯ＋ＭｎＯ）に対して、
３〜１５モル％、好ましくは８〜１５モル％である。Ｍ
ｎＯの含有率が３モル％以上に増加するに従って、非直
線指数αは増大し、８モル％以上になると、その値は急
激に大きくなる。ＭｎＯの含有率の上限値は、バリスタ
の比抵抗によって制約を受け、ＭｎＯの含有率が１５モ
ル％を超えるようになると、バリスタの比抵抗が低下す
る。バリスタの比抵抗が低下すると漏れ電流が増大し、
バリスタの熱暴走寿命が短くなるので好ましくない。実
用的には、バリスタの比抵抗が１×１０9Ωｃｍ以上で
あることが好ましいが、ＭｎＯの比率が１５モル％を超
えると１×１０9Ωｃｍより低くなる。比抵抗が低下す
るおもな原因は、粒界に析出する低抵抗のＺｎＭｎ2Ｏ4
によると思われる。因みに、ＺｎＭｎ2Ｏ4を単独で焼結
したものの比抵抗は１×１０6Ωｃｍ程度であった。
【０００６】本発明のバリスタは、平均粒径が１μｍ以
下、好ましくは０．５μｍ以下の酸化亜鉛とマンガン化
合物を混合し、６００〜９００℃の大気中で仮焼し、成
形し、１１００〜１３００℃の大気中で焼結することに
よって製造される。本発明で用いるＺｎＯの平均粒径は
１μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下である。ＺｎＯ
は工業的に種々の方法で製造されているが、ＪＩＳＫ−
１４１０（亜鉛華）にフランス法特号として規定されて
いるものは高純度であり、本発明のバリスタの原料とし
て好適である。このようなものは市販品として容易に入
手出来る。例えば、正同化学工業株式会社社製の亜鉛華
特号（平均粒径０．５μｍ、純度９９．８％以上）をこ
のようなものの例として挙げることが出来る。本発明で
用いるマンガン化合物は酸化マンガンの外に、焼成によ
って酸化マンガンに変換できるものであればよい。この
ようなものの例として、例えば、硝酸マンガン、酢酸マ
ンガン、炭酸マンガンなどが挙げられる。マンガン化合
物は粉末の状態あるいは溶剤に溶かした状態で酸化亜鉛
と混合される。この場合の溶剤は、水、メタノール、エ
タノール、メチルエチルケトン等が用いられる。溶剤
は、酸化亜鉛を溶解することなく、混合後、蒸発除去の
容易なものであればよい。粉末状のマンガン化合物を用
いる場合、その平均粒径は１μｍ以下、好ましくは０．
５μｍ以下である。
下、好ましくは０．５μｍ以下の酸化亜鉛とマンガン化
合物を混合し、６００〜９００℃の大気中で仮焼し、成
形し、１１００〜１３００℃の大気中で焼結することに
よって製造される。本発明で用いるＺｎＯの平均粒径は
１μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下である。ＺｎＯ
は工業的に種々の方法で製造されているが、ＪＩＳＫ−
１４１０（亜鉛華）にフランス法特号として規定されて
いるものは高純度であり、本発明のバリスタの原料とし
て好適である。このようなものは市販品として容易に入
手出来る。例えば、正同化学工業株式会社社製の亜鉛華
特号（平均粒径０．５μｍ、純度９９．８％以上）をこ
のようなものの例として挙げることが出来る。本発明で
用いるマンガン化合物は酸化マンガンの外に、焼成によ
って酸化マンガンに変換できるものであればよい。この
ようなものの例として、例えば、硝酸マンガン、酢酸マ
ンガン、炭酸マンガンなどが挙げられる。マンガン化合
物は粉末の状態あるいは溶剤に溶かした状態で酸化亜鉛
と混合される。この場合の溶剤は、水、メタノール、エ
タノール、メチルエチルケトン等が用いられる。溶剤
は、酸化亜鉛を溶解することなく、混合後、蒸発除去の
容易なものであればよい。粉末状のマンガン化合物を用
いる場合、その平均粒径は１μｍ以下、好ましくは０．
５μｍ以下である。
【０００７】ＺｎＯとマンガン化合物の混合物の仮焼は
大気中、６００〜９００℃、好ましくは６００〜８００
℃で行う。６００℃未満では、ＺｎＯとマンガン化合物
の反応が不十分であり、９００℃を超えると粒子間の融
着が起こるので好ましくない。前記のようにして得られ
た仮焼粉末は、これを粉砕し、必要があれば顆粒化し、
成形し、焼結する。この際の混合、粉砕、顆粒化、成形
の操作は一般的なセラミック・プロセスに従って行うこ
とができる。但し、工程中に混入する不純物のうち、Ａ
ｌ2Ｏ3，Ｂ2Ｏ3のごときIIIｂ族元素化合物は仮焼粉末
に対して２０ｗｔｐｐｍ以下でなければならない。２０
ｗｔｐｐｍを超えると、単位厚み当たりのバリスタ電
圧、α値、比抵抗が著しく低下し、本発明のバリスタ材
料を得ることが難しくなる。これらの不純物は主に混合
及び粉砕工程で混入するので、それら不純物が混入しな
いように注意を要する。混合及び粉砕工程において、ア
ルミナ製ポットミルを用いる場合が多いが、このような
場合、仮焼粉中のＡｌ2Ｏ3の濃度は数百ｗｔｐｐｍにも
なり、本発明のバリスタは得られない。これに対し、樹
脂製又は樹脂ライニングしたポットミル等の内表面が樹
脂面に形成された混合機を用いて混合及び粉砕を行う場
合は、仮焼粉中のＡｌ2Ｏ3の濃度は１０ｗｔｐｐｍ以下
であり、本発明の条件を満足する。従って、樹脂製又は
樹脂ライニングしたポットミルを用いて混合及び粉砕を
行うのは本発明の好ましい態様である。顆粒化する場合
その平均粒径は、３００μｍ以下、好ましくは２００μ
ｍ以下である。焼結は、１１００〜１３００℃、好まし
くは１１００〜１２５０℃で大気中にて行う。１１００
℃未満では焼結速度が遅く実用的でない。また、１３０
０℃を超えると焼結体が変形する場合があるので好まし
くない。焼結時間は０．５〜３時間の範囲が適当であ
る。この範囲で、十分緻密な焼結体が得られる。バリス
タは電気的均一性を保つため出来るだけ緻密である方が
よいが、本発明で用いる材料は、Ｂｉ2Ｏ3やＳｉＯ2の
ようなガラス相を形成する成分を含まないので、焼結時
の気孔の発生が少なく、緻密なバリスタが容易に得られ
る。本発明のバリスタを製造する場合、焼結温度を下げ
れば焼結体粒子の平均粒径が減少し、単位厚み当たりの
バリスタ電圧が上昇する。ＺｎＯの平均粒径及び不純物
濃度が本発明の範囲であれば、ＭｎＯの比率が７モル％
以下でも、Ｖ1≧８００Ｖ／ｍｍ、α≧３０，比抵抗≧
１×１０9Ωｃｍのバリスタを作製することが可能であ
る。この場合の焼結温度は少なくとも、１１００〜１２
５０℃の範囲であり、ＭｎＯの比率は３〜７モル％の範
囲である。
大気中、６００〜９００℃、好ましくは６００〜８００
℃で行う。６００℃未満では、ＺｎＯとマンガン化合物
の反応が不十分であり、９００℃を超えると粒子間の融
着が起こるので好ましくない。前記のようにして得られ
た仮焼粉末は、これを粉砕し、必要があれば顆粒化し、
成形し、焼結する。この際の混合、粉砕、顆粒化、成形
の操作は一般的なセラミック・プロセスに従って行うこ
とができる。但し、工程中に混入する不純物のうち、Ａ
ｌ2Ｏ3，Ｂ2Ｏ3のごときIIIｂ族元素化合物は仮焼粉末
に対して２０ｗｔｐｐｍ以下でなければならない。２０
ｗｔｐｐｍを超えると、単位厚み当たりのバリスタ電
圧、α値、比抵抗が著しく低下し、本発明のバリスタ材
料を得ることが難しくなる。これらの不純物は主に混合
及び粉砕工程で混入するので、それら不純物が混入しな
いように注意を要する。混合及び粉砕工程において、ア
ルミナ製ポットミルを用いる場合が多いが、このような
場合、仮焼粉中のＡｌ2Ｏ3の濃度は数百ｗｔｐｐｍにも
なり、本発明のバリスタは得られない。これに対し、樹
脂製又は樹脂ライニングしたポットミル等の内表面が樹
脂面に形成された混合機を用いて混合及び粉砕を行う場
合は、仮焼粉中のＡｌ2Ｏ3の濃度は１０ｗｔｐｐｍ以下
であり、本発明の条件を満足する。従って、樹脂製又は
樹脂ライニングしたポットミルを用いて混合及び粉砕を
行うのは本発明の好ましい態様である。顆粒化する場合
その平均粒径は、３００μｍ以下、好ましくは２００μ
ｍ以下である。焼結は、１１００〜１３００℃、好まし
くは１１００〜１２５０℃で大気中にて行う。１１００
℃未満では焼結速度が遅く実用的でない。また、１３０
０℃を超えると焼結体が変形する場合があるので好まし
くない。焼結時間は０．５〜３時間の範囲が適当であ
る。この範囲で、十分緻密な焼結体が得られる。バリス
タは電気的均一性を保つため出来るだけ緻密である方が
よいが、本発明で用いる材料は、Ｂｉ2Ｏ3やＳｉＯ2の
ようなガラス相を形成する成分を含まないので、焼結時
の気孔の発生が少なく、緻密なバリスタが容易に得られ
る。本発明のバリスタを製造する場合、焼結温度を下げ
れば焼結体粒子の平均粒径が減少し、単位厚み当たりの
バリスタ電圧が上昇する。ＺｎＯの平均粒径及び不純物
濃度が本発明の範囲であれば、ＭｎＯの比率が７モル％
以下でも、Ｖ1≧８００Ｖ／ｍｍ、α≧３０，比抵抗≧
１×１０9Ωｃｍのバリスタを作製することが可能であ
る。この場合の焼結温度は少なくとも、１１００〜１２
５０℃の範囲であり、ＭｎＯの比率は３〜７モル％の範
囲である。
【０００８】
【発明の効果】本発明に従えば、粒成長を抑制するため
の添加物を多量に加えたり、特別に合成した原料を用い
る必要がないので、バリスタ特性を損なうことなく、か
つ、簡便な方法で、単位厚み当たりのバリスタ電圧が高
く、高電圧用に適したバリスタを作製することが出来
る。
の添加物を多量に加えたり、特別に合成した原料を用い
る必要がないので、バリスタ特性を損なうことなく、か
つ、簡便な方法で、単位厚み当たりのバリスタ電圧が高
く、高電圧用に適したバリスタを作製することが出来
る。
【０００９】
【実施例】次に、実施例によって本発明を更に詳しく説
明する。なお、以下において示す％は重量％である。
明する。なお、以下において示す％は重量％である。
【００１０】実施例１ 平均粒径０．５μｍ、純度９９．８５％のＺｎＯと所定
量のＭｎ（ＮＯ3）2・６Ｈ2Ｏをナイロンまたはポリウ
レタンでライニングしたポットミルに採り、メチルエチ
ルケトンを媒体にして２４時間湿式混合した。溶剤を蒸
発させてから、１２０℃で１５時間乾燥し、アルミナる
つぼに移し、７００℃で１時間仮焼した。次いで、仮焼
粉末を、混合の場合と同じ条件で湿式粉砕し、溶剤を蒸
発させて乾燥した。こうして得た仮焼粉末中のＡｌ2Ｏ3
は５ｗｔｐｐｍ以下、Ｂ2Ｏ3は１ｗｔｐｐｍ以下であっ
た。焼結体の平均粒径は、焼結体の破断面を鏡面研磨
し、１１００℃１分間熱エッチングしたもののＳＥＭ写
真像からＪｅｆｆｒｉｅｓのプラニメトリック法で算出
した。この仮焼粉末をベークライトで内張りした金型を
用い、３００ｋｇ／ｃｍ2で圧縮成形し、直径１０ｍ
ｍ、厚さ約１ｍｍの円盤状成形体を得た。これを、１１
００〜１３００℃の大気中で１時間焼結した後、焼結体
の両面を研磨してからインジウム水銀アマルガムを塗布
して電極とし、電圧〜電流の関係を測定した。焼結体の
密度はアルキメデス法で測定し、ＺｎＯ単結晶に対する
比率で示した。ＭｎＯの比率及び焼結温度と、単位厚み
当たりのバリスタ電圧、α値、比抵抗、焼結体密度及び
焼結体粒子の平均粒径との関係を表１、表２に示した。
表１は、ＭｎＯの比率８〜１５モル％、焼結温度１１０
０〜１３００℃の範囲で本発明のバリスタが得られるこ
とを示している。表２は、本発明の方法に従えば、Ｍｎ
Ｏの比率が７モル％以下でも、Ｖ1：８００Ｖ／ｍｍ以
上、α：３０以上、比抵抗：１×１０9Ωｃｍ以上のバ
リスタを得ることが可能であることを示している。
量のＭｎ（ＮＯ3）2・６Ｈ2Ｏをナイロンまたはポリウ
レタンでライニングしたポットミルに採り、メチルエチ
ルケトンを媒体にして２４時間湿式混合した。溶剤を蒸
発させてから、１２０℃で１５時間乾燥し、アルミナる
つぼに移し、７００℃で１時間仮焼した。次いで、仮焼
粉末を、混合の場合と同じ条件で湿式粉砕し、溶剤を蒸
発させて乾燥した。こうして得た仮焼粉末中のＡｌ2Ｏ3
は５ｗｔｐｐｍ以下、Ｂ2Ｏ3は１ｗｔｐｐｍ以下であっ
た。焼結体の平均粒径は、焼結体の破断面を鏡面研磨
し、１１００℃１分間熱エッチングしたもののＳＥＭ写
真像からＪｅｆｆｒｉｅｓのプラニメトリック法で算出
した。この仮焼粉末をベークライトで内張りした金型を
用い、３００ｋｇ／ｃｍ2で圧縮成形し、直径１０ｍ
ｍ、厚さ約１ｍｍの円盤状成形体を得た。これを、１１
００〜１３００℃の大気中で１時間焼結した後、焼結体
の両面を研磨してからインジウム水銀アマルガムを塗布
して電極とし、電圧〜電流の関係を測定した。焼結体の
密度はアルキメデス法で測定し、ＺｎＯ単結晶に対する
比率で示した。ＭｎＯの比率及び焼結温度と、単位厚み
当たりのバリスタ電圧、α値、比抵抗、焼結体密度及び
焼結体粒子の平均粒径との関係を表１、表２に示した。
表１は、ＭｎＯの比率８〜１５モル％、焼結温度１１０
０〜１３００℃の範囲で本発明のバリスタが得られるこ
とを示している。表２は、本発明の方法に従えば、Ｍｎ
Ｏの比率が７モル％以下でも、Ｖ1：８００Ｖ／ｍｍ以
上、α：３０以上、比抵抗：１×１０9Ωｃｍ以上のバ
リスタを得ることが可能であることを示している。
【００１１】
【表１−（１）】
【表１−（２）】
【表２−（１）】
【表２−（１）】
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年２月２１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】
【従来技術及びその問題点】電圧と電流の関係が次式
（１）で示されるような若干の材料が知られている。こ
のような非直線性抵抗素子をバリスタと呼ぶ。
（１）で示されるような若干の材料が知られている。こ
のような非直線性抵抗素子をバリスタと呼ぶ。
【化１】 ここで、Ｖはバリスタに印加された電圧、Ｉはバリスタ
を流れる電流、Ｃは定数、αは非直線性を表わす指数
で、１より大きい数である。Ｃおよびαは原料組成及び
プロセス・パラメータの関数である。αは次式（２）に
よって計算される。 α＝ｌｏｇ10（Ｉ2／Ｉ1）／ｌｏｇ10（Ｖ2／Ｖ1） （２） ここで、Ｖ1およびＶ2は、それぞれ電流Ｉ1およびＩ2に
おける電圧である。通常、Ｉ1＝１ｍＡ、Ｉ2＝１０ｍＡ
と決め、Ｖ1をバリスタ電圧と呼ぶ。αが大きいほど電
圧−電流の関係が急峻になりバリスタ特性が優れる。バ
リスタは、電子電気工業、通信および電力輸送などのさ
まざまな分野で、過電圧保護素子や電圧安定化素子とし
て用いられており、目的、用途に応じてさまざまな種類
や材質のものがある。現在、酸化亜鉛、炭ケイ素、チタ
ン酸ストロンチウム、酸化鉄及びセレンなどを主成分と
するものが知られている。中でも、酸化亜鉛を主成分と
する、いわゆる酸化亜鉛バリスタは非直線性が大きく、
サージ耐量や安定性に優れているため最も広く用いられ
ている。酸化亜鉛バリスタは、酸化亜鉛にＢｉをはじめ
として、Ｃｏ，Ｍｎ，Ｓｂやその他の金属酸化物を混
合、成形、焼結することにより作製される。酸化亜鉛バ
リスタの製造工程は標準的なファインセラミックスのそ
れと同じである。一般的な酸化亜鉛バリスタの１ｍｍ当
たりのバリスタ電圧は２００Ｖ程度である。高いバリス
タ電圧を所望する場合は素子の厚みを大きくすることに
より作製される。しかし、避雷器のように非常に高いバ
リスタ電圧が要求される場合、素子の厚みは非常に大き
なものになる。例えば、バリスタ電圧を７００ｋＶに設
定する場合、１ｍｍ当たりのバリスタ電圧が２００Ｖな
らば、素子の厚みは３．５ｍにもなる。素子が大きくな
るほど絶縁が難しくなり、コストも高いものになる。ま
た、取り付け場所に対する制限も大きくなる。このよう
な場合、単位厚み当たりのバリスタ電圧が高ければ素子
を小形化出来るので有利である。単位厚み当たりのバリ
スタ電圧を高めた、高電圧用のバリスタが求められてい
る。酸化亜鉛バリスタの粒界当たりの電圧降下は、材料
組成やプロセス・パラメータに関係なくほぼ一定（２〜
４Ｖ）であることが経験的に知られている。従って、焼
結時の粒成長を抑制することが出来れば、単位厚み当り
のバリスタ電圧が高くなり、高電圧用バリスタが得られ
る筈である。しかし、一般的に、酸化亜鉛バリスタは酸
化ビスマスを始め、酸化バリウム、酸化ストロンチウム
のように、焼結時に粒界に液相を生成し、粒成長を強く
促進する成分を含んでいる。このような、従来組成の酸
化亜鉛バリスタに対して、粒成長を抑制する方法とし
て、次の２つの方法が提案されている。その第１は、焼
結温度を低くすることにより液相の生成量を少なくして
粒成長を抑制しようとする方法である。１１００〜数百
℃の範囲で焼結する方法が提案されている。普通、１１
００℃以下では酸化亜鉛バリスタの焼結は進行しないの
で、これらの方法で用いる原料は特別な方法で合成され
る。このため製造工程が複雑になり、品質管理を難しく
するばかりでなく、コストが高くなる欠点がある。第２
は、粒成長を抑制する添加物を用いる方法である。粒成
長を抑制する添加物としてはＳｂ2Ｏ3やＳｉＯ2が知ら
れているが、効果を発揮するためにはかなり大量に添加
する必要がある。これらの添加物は焼結体中に大量の第
２相や空孔を発生させて、バリスタを電気的に不均一に
し、サージ耐量を大巾に低下させるなどの欠点がある。
ＺｎＯとマンガン化合物のみからなるバリスタ材料が公
開特許公報平１−２１２２６４号、同平１−３１７１５
８号、同平３−５３５０１号に開示されている。これら
の公報には、ＺｎＯ＋ＭｎＯに対するＭｎＯの比率が３
〜７モル％の範囲を逸脱すると高められたαを得ること
が困難になると記載されている。また、これらの公報に
は、１ｍｍ厚み当たりのバリスタ電圧が８００Ｖを超え
るものの例は記載されていない。
を流れる電流、Ｃは定数、αは非直線性を表わす指数
で、１より大きい数である。Ｃおよびαは原料組成及び
プロセス・パラメータの関数である。αは次式（２）に
よって計算される。 α＝ｌｏｇ10（Ｉ2／Ｉ1）／ｌｏｇ10（Ｖ2／Ｖ1） （２） ここで、Ｖ1およびＶ2は、それぞれ電流Ｉ1およびＩ2に
おける電圧である。通常、Ｉ1＝１ｍＡ、Ｉ2＝１０ｍＡ
と決め、Ｖ1をバリスタ電圧と呼ぶ。αが大きいほど電
圧−電流の関係が急峻になりバリスタ特性が優れる。バ
リスタは、電子電気工業、通信および電力輸送などのさ
まざまな分野で、過電圧保護素子や電圧安定化素子とし
て用いられており、目的、用途に応じてさまざまな種類
や材質のものがある。現在、酸化亜鉛、炭ケイ素、チタ
ン酸ストロンチウム、酸化鉄及びセレンなどを主成分と
するものが知られている。中でも、酸化亜鉛を主成分と
する、いわゆる酸化亜鉛バリスタは非直線性が大きく、
サージ耐量や安定性に優れているため最も広く用いられ
ている。酸化亜鉛バリスタは、酸化亜鉛にＢｉをはじめ
として、Ｃｏ，Ｍｎ，Ｓｂやその他の金属酸化物を混
合、成形、焼結することにより作製される。酸化亜鉛バ
リスタの製造工程は標準的なファインセラミックスのそ
れと同じである。一般的な酸化亜鉛バリスタの１ｍｍ当
たりのバリスタ電圧は２００Ｖ程度である。高いバリス
タ電圧を所望する場合は素子の厚みを大きくすることに
より作製される。しかし、避雷器のように非常に高いバ
リスタ電圧が要求される場合、素子の厚みは非常に大き
なものになる。例えば、バリスタ電圧を７００ｋＶに設
定する場合、１ｍｍ当たりのバリスタ電圧が２００Ｖな
らば、素子の厚みは３．５ｍにもなる。素子が大きくな
るほど絶縁が難しくなり、コストも高いものになる。ま
た、取り付け場所に対する制限も大きくなる。このよう
な場合、単位厚み当たりのバリスタ電圧が高ければ素子
を小形化出来るので有利である。単位厚み当たりのバリ
スタ電圧を高めた、高電圧用のバリスタが求められてい
る。酸化亜鉛バリスタの粒界当たりの電圧降下は、材料
組成やプロセス・パラメータに関係なくほぼ一定（２〜
４Ｖ）であることが経験的に知られている。従って、焼
結時の粒成長を抑制することが出来れば、単位厚み当り
のバリスタ電圧が高くなり、高電圧用バリスタが得られ
る筈である。しかし、一般的に、酸化亜鉛バリスタは酸
化ビスマスを始め、酸化バリウム、酸化ストロンチウム
のように、焼結時に粒界に液相を生成し、粒成長を強く
促進する成分を含んでいる。このような、従来組成の酸
化亜鉛バリスタに対して、粒成長を抑制する方法とし
て、次の２つの方法が提案されている。その第１は、焼
結温度を低くすることにより液相の生成量を少なくして
粒成長を抑制しようとする方法である。１１００〜数百
℃の範囲で焼結する方法が提案されている。普通、１１
００℃以下では酸化亜鉛バリスタの焼結は進行しないの
で、これらの方法で用いる原料は特別な方法で合成され
る。このため製造工程が複雑になり、品質管理を難しく
するばかりでなく、コストが高くなる欠点がある。第２
は、粒成長を抑制する添加物を用いる方法である。粒成
長を抑制する添加物としてはＳｂ2Ｏ3やＳｉＯ2が知ら
れているが、効果を発揮するためにはかなり大量に添加
する必要がある。これらの添加物は焼結体中に大量の第
２相や空孔を発生させて、バリスタを電気的に不均一に
し、サージ耐量を大巾に低下させるなどの欠点がある。
ＺｎＯとマンガン化合物のみからなるバリスタ材料が公
開特許公報平１−２１２２６４号、同平１−３１７１５
８号、同平３−５３５０１号に開示されている。これら
の公報には、ＺｎＯ＋ＭｎＯに対するＭｎＯの比率が３
〜７モル％の範囲を逸脱すると高められたαを得ること
が困難になると記載されている。また、これらの公報に
は、１ｍｍ厚み当たりのバリスタ電圧が８００Ｖを超え
るものの例は記載されていない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】本発明のバリスタは、平均粒径が１μｍ以
下、好ましくは０．５μｍ以下の酸化亜鉛とマンガン化
合物を混合し、６００〜９００℃の大気中で仮焼し、成
形し、１１００〜１３００℃の大気中で焼結することに
よって製造される。本発明で用いるＺｎＯの平均粒径は
１μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下である。ＺｎＯ
は工業的に種々の方法で製造されているが、ＪＩＳＫ−
１４１０（亜鉛華）にフランス法特号として規定されて
いるものは高純度であり、本発明のバリスタの原料とし
て好適である。このようなものは市販品として容易に入
手出来る。例えば、正同化学工業株式会社製の亜鉛華特
号（平均粒径０．５μｍ、純度９９．８％以上）をこの
ようなものの例として挙げることが出来る。本発明で用
いるマンガン化合物は酸化マンガンの外に、焼成によっ
て酸化マンガンに変換できるものであればよい。このよ
うなものの例として、例えば、硝酸マンガン、酢酸マン
ガン、炭酸マンガンなどが挙げられる。マンガン化合物
は粉末の状態あるいは溶剤に溶かした状態で酸化亜鉛と
混合される。この場合の溶剤は、水、メタノール、エタ
ノール、メチルエチルケトン等が用いられる。溶剤は、
酸化亜鉛を溶解することなく、混合後、蒸発除去の容易
なものであればよい。粉末状のマンガン化合物を用いる
場合、その平均粒径は１μｍ以下、好ましくは０．５μ
ｍ以下である。
下、好ましくは０．５μｍ以下の酸化亜鉛とマンガン化
合物を混合し、６００〜９００℃の大気中で仮焼し、成
形し、１１００〜１３００℃の大気中で焼結することに
よって製造される。本発明で用いるＺｎＯの平均粒径は
１μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下である。ＺｎＯ
は工業的に種々の方法で製造されているが、ＪＩＳＫ−
１４１０（亜鉛華）にフランス法特号として規定されて
いるものは高純度であり、本発明のバリスタの原料とし
て好適である。このようなものは市販品として容易に入
手出来る。例えば、正同化学工業株式会社製の亜鉛華特
号（平均粒径０．５μｍ、純度９９．８％以上）をこの
ようなものの例として挙げることが出来る。本発明で用
いるマンガン化合物は酸化マンガンの外に、焼成によっ
て酸化マンガンに変換できるものであればよい。このよ
うなものの例として、例えば、硝酸マンガン、酢酸マン
ガン、炭酸マンガンなどが挙げられる。マンガン化合物
は粉末の状態あるいは溶剤に溶かした状態で酸化亜鉛と
混合される。この場合の溶剤は、水、メタノール、エタ
ノール、メチルエチルケトン等が用いられる。溶剤は、
酸化亜鉛を溶解することなく、混合後、蒸発除去の容易
なものであればよい。粉末状のマンガン化合物を用いる
場合、その平均粒径は１μｍ以下、好ましくは０．５μ
ｍ以下である。
フロントページの続き (72)発明者 中川 善兵衛 神奈川県横浜市栄区小菅ケ谷町2000の10 南小菅ケ谷住宅２の411
Claims (4)
- 【請求項１】 実質的に、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とマンガ
ン酸化物（ＭｎＯ）のみから構成され、IIIb族元素化合
物の含有率が２０ｗｔｐｐｍ以下で、かつ平均粒径が５
μｍ以下の粒子の焼結体からなり、ＭｎＯがＺｎＯ＋Ｍ
ｎＯに対し３〜１５モル％の範囲にあり、バリスタ電圧
が８００Ｖ／ｍｍ以上、非直線指数（α）が３０以上、
比抵抗が１×１０9Ωｃｍ以上であるバリスタ。 - 【請求項２】 ＭｎＯがＺｎＯ＋ＭｎＯに対し８〜１５
モル％である請求項１のバリスタ。 - 【請求項３】 平均粒径が１μｍ以下の酸化亜鉛とマン
ガン化合物を、ＭｎＯがＺｎＯ＋ＭｎＯに対し３〜１５
モル％になる割合で、内表面が樹脂面に形成された混合
機を用いて混合し、得られた混合物を６００〜９００℃
の大気中で仮焼し、得られた仮焼物を内表面が樹脂面に
形成された粉砕機中で粉砕してIIIb族元素化合物の含有
率が２０ｗｔｐｐｍ以下の仮焼粉を得、これを成形した
後、１１００〜１３００℃の大気中で焼結して平均粒径
が５μｍ以下の粒子の焼結体を得ることを特徴とするバ
リスタの製造方法。 - 【請求項４】 マンガン化合物として、硝酸マンガンを
用い、媒体としてメチルエチルケトンを用いて酸化亜鉛
と湿式混合する請求項３の方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3278649A JPH0685363B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 高電圧用バリスタ及びその製造方法 |
| TW081102248A TW203139B (ja) | 1991-09-30 | 1992-03-24 | |
| US07/856,571 US5382385A (en) | 1991-09-30 | 1992-03-24 | Sintered varistor material with small particle size |
| EP92302622A EP0535773A1 (en) | 1991-09-30 | 1992-03-25 | Varistor material and method of producing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3278649A JPH0685363B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 高電圧用バリスタ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590012A true JPH0590012A (ja) | 1993-04-09 |
| JPH0685363B2 JPH0685363B2 (ja) | 1994-10-26 |
Family
ID=17600224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3278649A Expired - Lifetime JPH0685363B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 高電圧用バリスタ及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5382385A (ja) |
| EP (1) | EP0535773A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0685363B2 (ja) |
| TW (1) | TW203139B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011219283A (ja) * | 2010-04-05 | 2011-11-04 | Tdk Corp | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物および電子部品 |
| JP2013115431A (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-10 | Ching-Hohn Lien | 高電位勾配及び高非線形係数を有する酸化亜鉛バリスタの製造方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1946336A1 (en) * | 2005-10-19 | 2008-07-23 | Littelfuse Ireland Development Company Limited | A varistor and production method |
| CN101506912B (zh) * | 2006-09-19 | 2011-10-12 | 东莞令特电子有限公司 | 包括钝化层的变阻器的制造 |
| JP6810590B2 (ja) * | 2016-12-07 | 2021-01-06 | Koa株式会社 | 酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法 |
| JP7169776B2 (ja) * | 2018-06-06 | 2022-11-11 | Koa株式会社 | 酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2345753C3 (de) * | 1972-09-11 | 1978-03-09 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd., Kawasaki, Kanagawa (Japan) | Metalloxid-Varistor |
| US3953371A (en) * | 1973-11-12 | 1976-04-27 | General Electric Company | Controlled grain size metal oxide varistor and process for making |
| US3928242A (en) * | 1973-11-19 | 1975-12-23 | Gen Electric | Metal oxide varistor with discrete bodies of metallic material therein and method for the manufacture thereof |
| US4285839A (en) * | 1978-02-03 | 1981-08-25 | General Electric Company | Varistors with upturn at high current level |
| US4296002A (en) * | 1979-06-25 | 1981-10-20 | Mcgraw-Edison Company | Metal oxide varistor manufacture |
| US4397775A (en) * | 1981-06-01 | 1983-08-09 | General Electric Company | Varistors with controllable voltage versus time response |
| EP0147607B1 (de) * | 1983-12-22 | 1988-05-04 | BBC Brown Boveri AG | Zinkoxid-Varistor |
| EP0159820B1 (en) * | 1984-03-29 | 1988-12-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Zinc oxide voltage - non-linear resistor |
| US5039452A (en) * | 1986-10-16 | 1991-08-13 | Raychem Corporation | Metal oxide varistors, precursor powder compositions and methods for preparing same |
| FR2607417B1 (fr) * | 1986-12-02 | 1989-12-01 | Europ Composants Electron | Procede de fabrication par coprecipitation de poudres dopees a base d'oxyde de zinc |
| JPH0834136B2 (ja) * | 1987-12-07 | 1996-03-29 | 日本碍子株式会社 | 電圧非直線抵抗体 |
| JPH068210B2 (ja) * | 1988-02-18 | 1994-02-02 | ソマール株式会社 | バリスタ材料及びその製法 |
| JPH068211B2 (ja) * | 1988-06-15 | 1994-02-02 | ソマール株式会社 | バリスタ材料の製法 |
| JPH0812814B2 (ja) * | 1989-07-20 | 1996-02-07 | ソマール株式会社 | バリスタ材料及びその製造方法 |
| FR2651773B1 (fr) * | 1989-09-08 | 1991-10-25 | Europ Composants Electron | Composition a base d'oxyde de zinc pour varistances de basse et moyenne tension. |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP3278649A patent/JPH0685363B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-03-24 TW TW081102248A patent/TW203139B/zh active
- 1992-03-24 US US07/856,571 patent/US5382385A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-03-25 EP EP92302622A patent/EP0535773A1/en not_active Ceased
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011219283A (ja) * | 2010-04-05 | 2011-11-04 | Tdk Corp | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物および電子部品 |
| JP2013115431A (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-10 | Ching-Hohn Lien | 高電位勾配及び高非線形係数を有する酸化亜鉛バリスタの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0685363B2 (ja) | 1994-10-26 |
| US5382385A (en) | 1995-01-17 |
| TW203139B (ja) | 1993-04-01 |
| EP0535773A1 (en) | 1993-04-07 |
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