JPH0588001U - 誘電体共振器の固定構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 円筒或いは円柱型の誘電体共振器を簡単に固
定できると共に、確実な接地電位が得られる誘電体共振
器の固定構造を提供すること。 【構成】 回路基板２１の表面に所定の間隔を開けて６
列の電極２１ａ〜２１ｆを形成し、これらをアースパタ
ーンに導電接続する。さらに、円筒型の誘電体共振器１
１〜１５を回路基板２１と平行になるように電極２１ａ
〜２１ｆ間に載置し、各誘電体共振器１１〜１５の外周
面電極を電極２１ａ〜２１ｆに半田付けして固定する。 【効果】 誘電体共振器１１〜１５を簡単な構造によっ
て回路基板２１に固定し、これらの転がりを防止するこ
とができると共に、確実な接地電位を得ることができる
ので、製造工程の簡略化、及びコストの低減を図ること
ができると共に、良好なフィルタ特性を得ることができ
る。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、誘電体共振器の固定構造に関し、特に円筒或いは円柱型の誘電体共 振器の固定構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】

従来、図２及び図３に示すように、複数の誘電体共振器１１〜１５を静電容量 Ｃ１〜Ｃ６によって接続した高周波用の誘電体フィルタが知られている。 各誘電体共振器１１〜１５は円筒形状を有し、内周面及び外周面に電極が形成 されると共に、内周面の電極に接続された結合端子１１ａ〜１５ａは結合基板１ ６に形成されたコンデンサＣ１〜Ｃ６を介して、互いに接続されると共に、入出 力端子１７，１８に接続されている。

【０００３】 結合基板１６は、図４に示すように所定面積を有する長方形状の単層回路基板 からなり、その表面には長手方向に所定の間隔を開けて電極１６ａ〜１６ｅが形 成されている。これらの電極１６ａ〜１６ｅに結合端子１１ａ〜１５ａが半田付 けされている。また、結合基板１６の裏面には、表面上の両端部に位置する電極 １６ａ，１６ｅに対向して電極１６ｆ，１６ｇが形成されている。これにより、 隣合う２の電極及び対向する２つの電極によってコンデンサＣ１〜Ｃ６が形成さ れる。また、電極１６ｆ，１６ｇには入出力端子１７，１８が導電接続されてい る。

【０００４】 各誘電体共振器１１〜１５は、一面に甍形状の凹凸部が形成された導電性金属 からなる固定台１９の凹部に載置され、結合基板１６と共に導電性金属からなる シールドケース２０内に収納される。シールドケース２０は、板状の下ケース２ ０ａと一面が開口された箱状の上ケース２０ｂからなり、結合基板１６及び固定 台１９は下ケース２０ａに固定される。さらに、上ケース２０ｂには、下ケース ２０ａと平行な面に、各誘電体共振器１１〜１５に対応して切り起こして形成さ られた複数のバネ２０ｃが設けられている。これらのバネ２０ｃによって各誘電 体共振器１１〜１５は固定台１９の凹部に圧接されて固定されている。これによ り誘電体共振器１１〜１５の転がりが防止される。

【０００５】

【考案が解決しようとする課題】

しかしながら、前述した従来の誘電体フィルタにおいては、各誘電体共振器１ １〜１５の転がりを防止するために、固定台１９を設け、さらにシールドケース ２０を切り起こしてバネ２０ｃを形成しなければならず、製造工程が増えると共 に部品点数が増加し、コストが高くなるという問題点があった。

【０００６】 さらに、各誘電体共振器１１〜１５の外周面の電極をシールドケース２０に接 触させるだけで接地しているため、接地電位が不安定になり良好な特性を得られ ないという問題点があった。

【０００７】 本考案の目的は上記の問題点に鑑み、円筒或いは円柱型の誘電体共振器を簡単 に固定できると共に、確実な接地電位が得られる誘電体共振器の固定構造を提供 することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】

本考案は上記の目的を達成するために、外周面に所定の金属からなる電極を有 する円筒或いは円柱型の誘電体共振器の固定構造において、所定面積を有する表 面に、前記誘電体共振器の外形に対応すると共に、アースパターンに導電接続さ れた凹凸部が所定金属によって形成されている回路基板を設け、前記誘電体共振 器を前記回路基板の表面とほぼ平行となるように、前記凹凸部によって形成され る凹部上に載置すると共に、前記誘電体共振器を前記凹凸部に導通状態で固着し てなる誘電体共振器の固定構造を提案する。

【０００９】

【作用】

本考案によれば、所定面積を有する回路基板上に形成された凹凸部の凹部上に 、円筒或いは円柱型の誘電体共振器が前記回路基板とほぼ平行となるように載置 され、前記誘電体共振器の外周面電極の少なくとも一部が前記凹凸部に半田付け 、融着等によって導通状態で固着される。これにより、前記誘電体共振器は前記 回路基板上に固定されると共に、前記誘電体共振器の外周面の電極がアースパタ ーンに導電接続される。

【００１０】

【実施例】

以下、図面に基づいて本考案の一実施例を説明する。 図１は本考案の第１の実施例における高周波用の誘電体フィルタを示す外観斜 視図である。図において、前述した従来例と同一構成部分は同一符号をもって表 す。即ち、１１〜１５は円筒形状の誘電体共振器で、比誘電率が８８の誘電体セ ラミックスからなり、外径２．０Φ、内径１．０Φ、長さ８．５ｍｍの円筒形状 に形成された一端開放型の１／４λ共振器である。これらの誘電体共振器１１〜 １５の内周面及び外周面にはＡｇペーストを焼き付けて電極が形成され、内周面 の電極に接続された結合端子１１ａ〜１５ａは回路基板２１に形成されたコンデ ンサＣ１〜Ｃ６を介して、互いに接続されると共に、後述する入出力用の電極２ １ｍ，２１ｎに接続されている。

【００１１】 回路基板２１は、図５に示すように、長方形状を有する単層のセラミックス基 板からなり、誘電体共振器１１〜１５を平行に並べて載置可能な面積を有してい る。また、回路基板２１の表面には、長手方向に延びる所定厚さの電極２１ａ〜 ２１ｆが一定間隔を開けて６列形成されると共に、長手方向の一端部には、幅方 向に所定の間隔を開けて電極２１ｇ〜２１ｋが形成されている。さらに、回路基 板２１の裏面には、表面上の両端部に位置する電極２１ｇ，２１ｋに対向して電 極２１ｍ，２１ｎが形成されると共に、これらの電極２１ｍ，２１ｎ以外の部分 にはアースパターン２１ｐが形成されている。これにより、表面上の隣合う２の 電極及び表裏に対向する２つの電極によって、図３の等価回路に示すコンデンサ Ｃ１〜Ｃ６が形成される。また、電極２１ａ〜２１ｆは図示せぬヴィアホールを 介してアースパターン２１ｐに導電接続されている。

【００１２】 これらの電極２１ａ〜２１ｆの間には、誘電体共振器１１〜１５が載置され、 この状態において図６に示すように、各誘電体共振器１１〜１５の外周面が電極 ２１ａ〜２１ｆに接触するように電極２１ａ〜２１ｆの間隔、幅及び厚さが設定 されると共に、各誘電体共振器１１〜１５の外周面電極は対応する電極２１ａ〜 ２１ｆに半田２２によって導電接続され、固定されている。これにより、各誘電 体共振器１１〜１５は回路基板２１に固定されると共に、各誘電体共振器１１〜 １５の外周面電極はアースパターン２１ｐに導電接続される。

【００１３】 前述したように回路基板２１に固定された誘電体共振器１１〜１５は、回路基 板２１と共にシールドケース２３に収納される。

【００１４】 従って、本実施例によれば、円筒型の誘電体共振器１１〜１５を簡単な構造に よって回路基板２１に固定し、これらの転がりを防止することができると共に、 確実な接地電位を得ることができるので、製造工程の簡略化、及びコストの低減 を図ることができると共に、良好なフィルタ特性を得ることができる。例えば、 従来例と本実施例のフィルタ特性を比較すると、帯域通過型フィルタの場合、図 ７に示すように遮断帯域における減衰量が増加し、通過帯域における減衰量との 差が大きくなり良好な特性を得ることができる。図７において、横軸は周波数を 、縦軸は減衰量をそれぞれ表し、波線曲線Ａは従来例の特性を、また実線曲線Ｂ は本実施例の特性をそれぞれ表している。

【００１５】 次に、本考案の第２の実施例を説明する。 図８は、第２の実施例における高周波用の誘電体フィルタを示す分解斜視図で ある。図において、前述した第１の実施例と同一構成部分は同一符号をもって表 し、その説明を省略する。また、第１の実施例と第２の実施例との相違点は、第 ２の実施例では、第１の実施例における単層の回路基板２１に代えて多層の回路 基板３０を用いると共に、コンデンサＣ１〜Ｃ６を回路基板３０の内層に形成し たことにある。

【００１６】 即ち、回路基板３０はセラミックスからなり、第１乃至第４層３１〜３４を有 し、誘電体共振器１１〜１５を平行に並べて載置可能な面積を有している。また 、第１層３１の上面には、長手方向に延びる所定厚さの電極３１ａ〜３１ｆが一 定間隔を開けて６列形成されると共に、長手方向の一端部には、幅方向に所定の 間隔を開けてランド電極３１ｇ〜３１ｋが形成されている。

【００１７】 これらの電極３１ａ〜３１ｆの間には、誘電体共振器１１〜１５が載置され、 この状態において、各誘電体共振器１１〜１５の外周面が電極３１ａ〜３１ｆに 接触するように電極３１ａ〜３１ｆの間隔、幅及び厚さが設定されると共に、各 誘電体共振器１１〜１５の外周面電極は対応する電極３１ａ〜３１ｆに半田付け されている。これにより、各誘電体共振器１１〜１５は回路基板３０に固定され る。

【００１８】 第２層３２の上面には、第１層３１のランド電極３１ｇ〜３１ｋに対応する位 置にランド電極３２ａ〜３２ｅが形成され、図示せぬヴィアホールを介してラン ド電極３１ｇ〜３１ｋに導電接続されると共に、これらのランド電極３２ａ〜３ ２ｅ以外の部分にはアースパターン３２ｆが形成され、アースパターン３２ｆは 図示せぬヴィアホールを介して第１層３１の電極３１ａ〜３１ｆに導電接続され ている。

【００１９】 第３層３３の上面には、互いに所定の間隔を開けて電極３３ａ〜３３ｅが形成 されると共に、複数のアース用ランド電極３３ｆが形成され、電極３３ａ〜３３ ｅは図示せぬヴィアホールを介してそれぞれに対応する第２層３２のランド電極 ３２ａ〜３２ｅに導電接続されると共に、ランド電極３３ｆはヴィアホールを介 して第２層３２のアースパターン３２ｆに導電接続されている。これにより、隣 合う２の電極３３ａ〜３３ｅ電極によって、図２の等価回路に示すコンデンサＣ ２〜Ｃ５が形成される。

【００２０】 また、第４層３４の上面には、第３層３３の電極３３ａ〜３３ｅの中の両端に 位置する電極３３ａ，３３ｅに対向する位置に電極３４ａ、３４ｂが形成される と共に、第３層３３の複数のランド電極３３ｆに対応する位置にランド電極３４ ｃが形成されている。これにより、電極３３ａと電極３４ａによってコンデンサ Ｃ１が、また電極３３ｅと電極３４ｂによってコンデンサＣ６がそれぞれ形成さ れる。さらに、第４層３４の下面には電極３４ａ，３４ｂに対応して電極３４ｄ ，３４ｅが形成されると共に、電極３４ｄ，３４ｅ以外の部分にはアースパター ン３４ｆが形成されている。さらにまた、電極３４ａ，３４ｂのそれぞれはヴィ アホールを介して対応する電極３４ｄ，３４ｅに導電接続され、複数のランド電 極３３ｃはヴィアホールを介して第３層３３の複数のランド電極３３ｆ及びアー スパターン３４ｆに導電接続されている。

【００２１】 前述の構成によれば、第１の実施例と同様に、円筒型の誘電体共振器１１〜１ ５を簡単な構造によって回路基板３０に固定し、これらの転がりを防止すること ができると共に、確実な接地電位を得ることができるので、製造工程の簡略化、 及びコストの低減を図ることができると共に、良好なフィルタ特性を得ることが できる。さらに、多層の回路基板３０を用い、結合用のコンデンサＣ１〜Ｃ６を 回路基板３０の内層に形成したので、第１の実施例に比べて回路基板３０の面積 を縮小することができ、外観形状を小型にすることができる。

【００２２】 尚、第１及び第２の実施例においては、回路基板２１，３０の電極及びアース パターンをＡｇ（銀）で形成したが、これに限定されることはなく、Ｃｕ（銅） を用いて形成してもよい。

【００２３】 また、誘電体共振器１１〜１５を半田付けする電極２１ａ〜２１ｆ，３１ａ〜 ３１ｆは、アースパターンに導電接続されていれば、不連続であってもよいし、 誘電体共振器１１〜１５の両端部に対応して形成してもほぼ同様の効果を得るこ とができる。

【００２４】 さらに、第１及び第２の実施例においては、半田付けによって誘電体共振器１ １〜１５を電極２１ａ〜２１ｆ，３１ａ〜３１ｆに導通状態で固着したが、これ に限定されることはなく、例えば回路基板２１，３０上にＡｇペーストで電極２ １ａ〜２１ｆ，３１ａ〜３１ｆを印刷した後、この上に誘電体共振器１１〜１５ を載置し、同時に焼き付けを行うことにより、誘電体共振器１１〜１５を電極２ １ａ〜２１ｆ，３１ａ〜３１ｆに導通状態で固着してもよい。

【００２５】

【考案の効果】

以上説明したように本考案によれば、円筒或いは円柱型の誘電体共振器の外周 面電極の少なくとも一部が回路基板上の凹凸部に半田付け、融着等によって導通 状態で固着されるため、前記誘電体共振器の転がりを防止することができると共 に、確実な接地電位を得ることができるので、製造工程の簡略化、及びコストの 低減を図ることができると共に、良好なフィルタ特性を得ることができるという 非常に優れた効果を奏するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の第１の実施例における高周波用の誘電
体フィルタを示す外観斜視図

【図２】従来例における誘電体フィルタを示す分解斜視
図

【図３】従来例の等価回路を示す図

【図４】従来例における結合基板を示す図

【図５】本考案の第１の実施例における回路基板の構成
を示す図

【図６】第１の実施例における誘電体共振器の固定状態
を示す図

【図７】第１の実施例におけるフィルタ特性を示す図

【図８】本考案の第２の実施例における高周波用誘電体
フィルタを示す分解斜視図

【符号の説明】

１１〜１５…誘電体共振器、２１…回路基板、２１ａ〜
２１ｆ…電極、２１ｇ〜２１ｋ，２１ｍ，２１ｎ…電
極、２１ｐ…アースパターン、２２…半田、２３…シー
ルドケース、３０…回路基板、３１…第１層、３１ａ〜
３１ｆ…電極、３１ｇ〜３１ｋ…ランド電極、３２…第
２層、３２ａ〜３２ｅ…電極、３２ｆ…アースパター
ン、３３…第３層、３３ａ〜３３ｅ…電極、３３ｆ…ラ
ンド電極、３４…第４層、３４ａ，３４ｂ、３４ｄ，３
４ｅ…電極、３４ｃ…ランド電極、３４ｆ…アースパタ
ーン。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 荻原 次朗 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 外周面に所定の金属からなる電極を有す
   る円筒或いは円柱型の誘電体共振器の固定構造におい
   て、 所定面積を有する表面に、前記誘電体共振器の外形に対
   応すると共に、アースパターンに導電接続された凹凸部
   が所定金属によって形成されている回路基板を設け、 前記誘電体共振器を前記回路基板の表面とほぼ平行とな
   るように、前記凹凸部によって形成される凹部上に載置
   すると共に、 前記誘電体共振器を前記凹凸部に導通状態で固着してな
   る、 ことを特徴とする誘電体共振器の固定構造。