JPH0586047A - 新規なテトラカルボン酸二無水物化合物およびテトラカ ルボン酸化合物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 新規なテトラカルボン酸二無水物化合物およ
びテトラカルボン酸化合物を提供することにある。 【構成】一般式（１） 【化１】 （式中、Ｙは 【化２】 を示し、Ｒ₁ は炭素数７〜１８、Ｒ₂ は炭素数５〜１
８、Ｒ₃ 、Ｒ₄ は炭素数１〜１８、Ｒ₅ 〜Ｒ₆は水素ま
たは炭素数１〜１８のアルキル基、Ｘは炭素数１〜４の
アルキル基で、ａ、ｂ、ｃおよびｄは０、１または２で
ある。）にて表されるテトラカルボン酸二無水物化合
物。 【効果】 本発明の新規なテトラカルボン酸二無水物化
合物、テトラカルボン酸化合物を一方の原料として調製
されるポリイミドはス−パ−ツイスト液晶ディスプレイ
に要求されているプレチルト角の一定化、周波数特性の
安定化が得られ、ドメイン及び輝度ムラが発生せず最終
的には、製品の歩留りを大きく向上することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、新規なテトラカルボン
酸二無水物化合物およびテトラカルボン酸化合物に関す
る。さらに詳しくは、液晶表示素子用の配向膜の原料と
して有用な新規なテトラカルボン酸二無水物化合物およ
びテトラカルボン酸化合物に関する。

【０００２】

【従来の技術】ネマチック液晶を大きくねじったス−パ
−ツイスト液晶表示素子の配向膜には、光を散乱するド
メインの発生を防止するため、高プレチルト角を示すポ
リイミド配向膜が提案され、現在、主にそれが用いられ
ている（特開昭６４−２５１２７号公報、特開昭６２−
２６２８２９号公報、特開昭６３−２５９５１５号公
報、特開昭６２−１２７８２７号公報、特開昭６２−１
７４７２５号公報、特開平２−２１０３２８号公報）。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ス−パ−ツイスト液晶
表示素子の超高精細化が進むに従い、プレチルト角が素
子面内で異なり安定性が劣るために発生する種々のドメ
インの問題がある。これは、素子の大画面化が進むと共
に基板に形成した配向膜は、焼成温度によりプレチルト
角が異なり一定しないことが主な原因となっている。そ
こで、本発明の目的は、配向膜の焼成温度を低温から高
温まで変えてもプレチルト角がほぼ一定となり、更に、
しきい値電圧の周波数変化も安定である新たな特性を有
する配向膜を提供する際の原料となる新規なテトラカル
ボン酸二無水物化合物およびテトラカルボン酸化合物を
提供することにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は、一般式（１）

【０００５】

【化４】

【０００６】（式中、Ｙは

【０００７】

【化５】

【０００８】を示し、Ｒ₁ は炭素数７〜１８のアルキル
基、Ｒ₂は炭素数５〜１８のアルキル基、Ｒ₃ 、Ｒ₄ は
炭素数１〜１８のアルキル基、Ｒ₅ 〜Ｒ₆ は水素または
炭素数１〜１８のアルキル基、Ｘは炭素数１〜４のアル
キル基、ａ、ｂ、ｃおよびｄは０、１または２を示
す。）で表されるテトラカルボン酸二無水物化合物にあ
る。さらに、本発明は、 一般式（２）

【０００９】

【化６】

【００１０】（式中、Ｙ、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ 、Ｒ₄ 、Ｒ
₅ 、Ｒ₆ 、Ｘ、ａ、ｂ、ｃ、ｄは前記と同様である）で
表されるテトラカルボン酸化合物にある。本発明のテト
ラカルボン酸二無水物化合物およびテトラカルボン酸化
合物としては、例示すると、２、２−ビス［４−（３、
４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］ノナン、２、
２−ビス［４−（３、４−ジカルボキシフェノキシ）フ
ェニル］デカン、２、２−ビス［４−（３、４−ジカル
ボキシフェノキシ）フェニル］ウンデカン、２、２−ビ
ス［４−（３、４−ジカルボキシフェノキシ）フェニ
ル］ドデカン、２、２−ビス［４−（３、４−ジカルボ
キシフェノキシ）フェニル］トリデカン、２、２−ビス
［４−（３、４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］
テトラデカン、２、２−ビス［４−（３、４−ジカルボ
キシフェノキシ）フェニル］ペンタデカン、２、２−ビ
ス［４−（３、４−ジカルボキシフェノキシ）フェニ
ル］ヘキサデカン、２、２−ビス［４−（３、４−ジカ
ルボキシフェノキシ）フェニル］ヘプタデカン、２、２
−ビス［４−（３、４−ジカルボキシフェノキシ）フェ
ニル］オクタデカン、１、１−ビス［４−（３、４−ジ
カルボキシフェノキシ）フェニル］−２−メチルドデカ
ン、１、１−ビス［４−（３、４−ジカルボキシフェノ
キシ）フェニル］−２−メチルオクタン、１、１−ビス
［４−（３、４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］
−２−エチルウンデカン、２、２−ビス［３、５−ジメ
チル−４−（３、４−ジカルボキシフェノキシ）フェニ
ル］テトラデカン、１、１−ビス［４−（３、４−ジカ
ルボキシフェノキシ）フェニル］−２−メチルトリデカ
ン、１、１−ビス［４−（３、４−ジカルボキシフェノ
キシ）フェニル］−２−エチルデカン、２、２−ビス
［３、５−ジエチル−４−（３、４−ジカルボキシフェ
ノキシ）フェニル］ドデカン、１、１−ビス［４−
（３、４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］シクロ
ヘキサン、１、１−ビス［４−（３、４−ジカルボキシ
フェノキシ）フェニル］ペンチルシクロヘキサン、１、
１−ビス［４−（３、４−ジカルボキシフェノキシ）フ
ェニル］オクチルシクロヘキサン、１、１−ビス［４−
（３、４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］デシル
シクロヘキサン、１、１−ビス［４−（３、４−ジカル
ボキシフェノキシ）フェニル］ドデシルシクロヘキサ
ン、１、１−ビス［４−（３、４−ジカルボキシフェノ
キシ）フェニル］ペンタデシルシクロヘキサンなどをあ
げることができる。

【００１１】本発明の化合物は、対応する炭素鎖数のジ
オ−ル化合物にニトロフタルイミドをアルカリ中でニト
ロ置換を行い対応するビスイミドを形成し、次いでこの
ビスイミドを加水分解してテトラカルボン酸、更に、こ
のテトラカルボン酸を無水酢酸中で脱水反応処理してテ
トラカルボン酸二無水物とする一般的な方法で製造され
る。

【００１２】本発明の新規な化合物を原料とした配向膜
は、ポリイミド高分子系物質の前駆体であるポリアミッ
ク酸を前記テトラカルボン酸二無水物化合物とジアミン
化合物とを重合して得、これをＮ−メチル−２−ピロリ
ドン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、
ジメチルスルホキシドなどの溶剤に溶かし、次いでこの
溶液を刷毛塗り法、回転塗布法、スプレー法、印刷法な
どの方法により基板上に塗布した後、100 〜450 ℃、好
ましくは150〜300 ℃で加熱処理することにより作製さ
れる。

【００１３】本発明のテトラカルボン酸二無水物および
テトラカルボン酸化合物は、プレチルト角を一定とし且
つ周波数特性を安定が優れた液晶配向膜の開発のために
提供したものであるが、これらの化合物は、その他のエ
ステル化ポリイミド、ポリイミドシロキサン、ポリアミ
ドイミド、ポリヒドラジドイミド、ポリイミドイソイン
ドロキナゾリンジオン、ポリアミド等の高分子化合物お
よびその改質にも使用することができ、さらに半導体等
のエレクトロニクス用、エポキシ架橋材等の他の目的に
も使用することができる。

【００１４】

【作用】本発明の新規なテトラカルボン酸二無水物化合
物およびテトラカルボン酸化合物は、中央結合基Ｙの分
子短軸方向に長鎖のアルキル基を導入することによって
ポリマのフレキシブルな性質と低温でのイミド化が高め
られ、低温から高温まで焼成温度を変えても配向膜の界
面状態がほとんど変わらず、よりプレチルト角が一定に
なり液晶配向性が高まったものと考えられる。

【００１５】

【実施例】以下、本発明の化合物に関してより詳細に例
示するとともに、その化合物を用いて得られたポリイミ
ドの液晶配向膜としての応用の結果を例示する。なお、
これらの実施例は本発明の技術的範囲を限定するもので
はない。

【００１６】

【実施例１】２−トリデカノン５１．３ｇとフェノ−ル
９８．３ｇを混合し、室温で激しく攪拌しながら塩化水
素ガスを吹き込み、３時間激しく攪拌し、さらに２４時
間室温で放置した。反応したことを確認後、反応混合物
をジエチルエ−テルに溶解し、水洗、留去、水蒸気蒸
留、ジエチルエ−テル抽出を繰返し行い、カラムクロマ
トグラフィ−、減圧乾燥処理でオイル状の２，２−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）トリデカンを５８．３ｇを
得た。

【００１７】次に、第１段階で得られた２，２−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）トリデカン５８．３ｇ、ジ
メチルスルホキシド７５０mlを攪拌しながら、９５％Ｎ
ａＯＨを１４．３ｇ、Ｈ₂Ｏを１４ml、トルエンを１１
０mlを加熱攪拌還流し、共沸脱水する。その後、トルエ
ン、軽留分を留去し、Ｎ−フェニル−４−ニトロフタル
イミドを９４ｇ添加し６０℃で２時間攪拌する。更に、
水に注加、ベンゼン溶液で乾燥後、留去、カラムクロマ
トグラフィ−を通して、淡黄色の２，２−ビス〔４−
（Ｎ−フェニルフタルイミド−４−オキシ）フェニル〕
トリデカンの結晶を８０．４ｇを得た。

【００１８】更に、第２段階で得られた２，２−ビス
〔４−（Ｎ−フェニルフタルイミド−４−オキシ）フェ
ニル〕トリデカン８０．４ｇ、９５％ＮａＯＨを３３．
４ｇ、水を５００mlをオ−トクレ−ブ中で１７０℃で１
８時間反応させる。冷却後、減圧にてオ−トクレ−ブか
ら反応液を出し、水洗、ジエチルエ−テル抽出を繰返
し、ジエチルエ−テル留去、減圧乾燥して赤褐色の２，
２−ビス〔４−（３，４−ジカルボキフェノキシ）フェ
ニル〕トリデカン６２．７ｇを得た。この化合物の赤外
吸収（ＩＲ）スペクトルを図１に示す。

【００１９】次に、第３段階で得られた２，２−ビス
〔４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕
トリデカン６２．７ｇ、酢酸５５０ml、無水酢酸３３．
３ｇを６時間加熱還流攪拌する。その後、常圧蒸留して
酢酸、過剰の無水酢酸を留去、ジエチルエ−テル溶液に
して、自然ろ過によりジエチルエ−テル不溶物を除去
後、留去、減圧乾燥して２，２−ビス〔４−（３，４ジ
カルボキシフェノキシ）フェニル〕トリデカン二無水物
５４．７ｇを得た。この化合物の赤外吸収（ＩＲ）スペ
クトルを図２に示す。

【００２０】出発原料の２−トリデカノンからそれぞれ
対応するフェノ−ル誘導体を変えた外は上記に準じた操
作を行って、２、２−ビス［４−（３、４−ジカルボキ
シフェノキシ）フェニル］ノナン、２、２−ビス［４−
（３、４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］デカ
ン、２、２−ビス［４−（３、４−ジカルボキシフェノ
キシ）フェニル］ウンデカン、２、２−ビス［４−
（３、４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］ドデカ
ン、２、２−ビス［４−（３、４−ジカルボキシフェノ
キシ）フェニル］テトラデカン、２、２−ビス［４−
（３、４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］ペンタ
デカン、２、２−ビス［４−（３、４−ジカルボキシフ
ェノキシ）フェニル］ヘキサデカン、２、２−ビス［４
−（３、４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］ヘプ
タデカン、２、２−ビス［４−（３、４−ジカルボキシ
フェノキシ）フェニル］オクタデカンを合成した。

【００２１】

【実施例２】１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
−２−メチルオクタン７０ｇ、ジメチルスルホキシド６
５０mlを攪拌しながら、９５％ＮａＯＨを２７．１ｇ、
トルエンを２００mlを加熱攪拌還流し、共沸脱水する。
その後、トルエン、軽留分を留去し、Ｎ−フェニル−４
−ニトロフタルイミドを１３８．４ｇ添加し６０℃で７
時間攪拌する。更に、水に注加、ベンゼン溶液で乾燥
後、留去、カラムクロマトグラフィ−を通して、淡黄色
の１，１−ビス〔４−（Ｎ−フェニルフタルイミド−４
−オキシ）フェニル〕−２−メチルオクタンの結晶を２
４．７ｇを得た。

【００２２】更に、得られた１，１−ビス〔４−（Ｎ−
フェニルフタルイミド−４−オキシ）フェニル〕−２−
メチルオクタン２８．８ｇ、９５％ＮａＯＨを１２．３
ｇ、水を１３０mlをオ−トクレ−ブ中で１７０℃で１８
時間反応させる。冷却後、減圧にてオ−トクレ−ブから
反応液を出し、水洗、ジエチルエ−テル抽出を繰返し、
ジエチルエ−テル留去、減圧乾燥して１，１−ビス〔４
−（３，４−ジカルボキフェノキシ）フェニル〕−２−
メチルオクタン２１．９ｇを得た。この化合物の赤外吸
収（ＩＲ）スペクトルを図３に示す。

【００２３】次に、１，１−ビス〔４−（３，４−ジカ
ルボキシフェノキシ）フェニル〕−２−メチルオクタン
２５．６ｇ、酢酸２００ml、無水酢酸１９．６ｇを６時
間加熱還流攪拌する。その後、常圧蒸留して酢酸、過剰
の無水酢酸を留去、ジエチルエ−テル溶液にして、自然
濾過によりジエチルエ−テル不溶物を除去後、留去、減
圧乾燥して１，１−ビス〔４−（３，４ジカルボキシフ
ェノキシ）フェニル〕−２−メチルオクタン二無水物１
７．６ｇを得た。この化合物の赤外吸収（ＩＲ）スペク
トルを図４に示す。その他化合物も上記に準じた操作を
行って、１、１−ビス［４−（３、４−ジカルボキシフ
ェノキシ）フェニル］−２−メチルオクタン、１、１−
ビス［４−（３、４−ジカルボキシフェノキシ）フェニ
ル］−２−メチルドデカン、１、１−ビス［４−（３、
４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］−２−エチル
ウンデカンを合成した。

【００２４】

【実施例３】２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒ
ドロキシフェニル）デカン６７ｇ、ジメチルスルホキシ
ド６５０mlを攪拌しながら、９５％ＮａＯＨを２２．８
ｇ、トルエンを１７０mlを加熱攪拌還流し、共沸脱水す
る。その後、トルエン、軽留分を留去し、Ｎ−フェニル
−４−ニトロフタルイミドを１０３．７ｇ添加し６０℃
で３時間攪拌する。更に、水に注加、ベンゼン溶液で乾
燥後、留去、カラムクロマトグラフィ−を通して、淡黄
色の２，２−ビス〔３，５−ジメチル−４−（Ｎ−フェ
ニルフタルイミド−４−オキシ）フェニル〕デカンの結
晶を２２．４ｇを得た。

【００２５】更に、得られた２，２−ビス〔３，５−ジ
メチル−４−（Ｎ−フェニルフタルイミド−４−オキ
シ）フェニル〕デカン２９．８ｇ、９５％ＮａＯＨを１
４．５ｇ、水を１３０mlをオ−トクレ−ブ中で１７０℃
で１８時間反応させる。冷却後、減圧にてオ−トクレ−
ブから反応液を出し、水洗、ジエチルエ−テル抽出を繰
返し、ジエチルエ−テル留去、減圧乾燥して２，２−ビ
ス〔３，５−ジメチル−４−（３，４−ジカルボキフェ
ノキシ）フェニル〕デカン２４．９ｇを得た。この化合
物の赤外吸収（ＩＲ）スペクトルを図５に示す。

【００２６】次に、２，２−ビス〔３，５−ジメチル−
４−（３，４−ジカルボキフェノキシ）フェニル〕デカ
ン２８．８ｇ、酢酸２００ml、無水酢酸２１．７ｇを
６．５時間加熱還流攪拌する。その後、常圧蒸留して酢
酸、過剰の無水酢酸を留去、ジエチルエ−テル溶液にし
て、自然濾過によりジエチルエ−テル不溶物を除去後、
留去、減圧乾燥して２，２−ビス〔３，５−ジメチル−
４−（３，４−ジカルボキフェノキシ）フェニル〕デカ
ン二無水物２２．４ｇを得た。この化合物の赤外吸収
（ＩＲ）スペクトルを図６に示す。その他化合物も上記
に準じた操作を行って、２、２−ビス［３、５−ジエチ
ル−４−（３、４−ジカルボキシフェノキシ）フェニ
ル］ドデカンを合成した。

【００２７】

【実施例４】１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
シクロヘキサン３２．８ｇ、ジメチルスルホキシド４３
０mlを攪拌しながら、９５％ＮａＯＨを１５ｇ、トルエ
ンを１２０mlを加熱攪拌還流し、共沸脱水する。その
後、トルエン、軽留分を留去し、Ｎ−フェニル−４−ニ
トロフタルイミドを７２．１ｇ添加し６０℃で２時間攪
拌する。更に、水に注加、ベンゼン溶液で乾燥後、留
去、カラムクロマトグラフィ−を通して、１，１−ビス
〔４−（Ｎ−フェニルフタルイミド−４−オキシ）フェ
ニル〕シクロヘキサンの結晶を４１．２ｇを得た。

【００２８】更に、得られた１，１−ビス〔４−（Ｎ−
フェニルフタルイミド−４−オキシ）フェニル〕シクロ
ヘキサン４１．２ｇ、９５％ＮａＯＨを２０．９ｇ、水
を２００mlをオ−トクレ−ブ中で１７０℃で１８時間反
応させる。冷却後、減圧にてオ−トクレ−ブから反応液
を出し、水洗、ジエチルエ−テル抽出を繰返し、ジエチ
ルエ−テル留去、減圧乾燥して１，１−ビス〔４−
（３，４−ジカルボキフェノキシ）フェニル〕シクロヘ
キサン２３．１ｇを得た。この化合物の赤外吸収（Ｉ
Ｒ）スペクトルを図７に示す。

【００２９】次に、１，１−ビス〔４−（３，４−ジカ
ルボキフェノキシ）フェニル〕シクロヘキサン２３．１
ｇ、酢酸２００ml、無水酢酸２０ｇを６時間加熱還流攪
拌する。その後、常圧蒸留して酢酸、過剰の無水酢酸を
留去、ジエチルエ−テル溶液にして、自然濾過によりジ
エチルエ−テル不溶物を除去後、留去、減圧乾燥して
１，１−ビス〔４−（３，４−ジカルボキフェノキシ）
フェニル〕シクロヘキサン二無水物１８．６ｇを得た。
この化合物の赤外吸収（ＩＲ）スペクトルを第８図に示
す。その他化合物も上記に準じた操作を行って、を合成
した１、１−ビス［４−（３、４−ジカルボキシフェノ
キシ）フェニル］ペンチルシクロヘキサン、１、１−ビ
ス［４−（３、４−ジカルボキシフェノキシ）フェニ
ル］オクチルシクロヘキサン、１、１−ビス［４−
（３、４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］デシル
シクロヘキサン、１、１−ビス［４−（３、４−ジカル
ボキシフェノキシ）フェニル］ドデシルシクロヘキサ
ン、１、１−ビス［４−（３、４−ジカルボキシフェノ
キシ）フェニル］ペンタデシルシクロヘキサンを合成し
た。

【００３０】

【応用例１】実施例１で合成した２，２−ビス〔４−
（３，４ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕トリデカ
ン二無水物０．２モル％とピロメリット酸二無水物０．
８モル％及び１，６−ジアミノヘキサン０．８モル％、
１、１、１、３、３、３−ヘキサフルオロ−２、２−ビ
ス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン
０．２モル％をＮ−メチル−２−ピロリドン中で２０℃
で８時間重合し、ポリイミド前駆体ワニスを得た。この
ワニスを５％濃度に希釈後、ＩＴＯ基板上に回転塗布
し、焼成温度を１６０〜２８０℃／３０ｍｉｎと種々変
えて配向膜を形成後、０．４ｍｍの切り込み条件でラビ
ングを行い、メルク社のＺＬＩ−１１３２等の液晶材料
を封入し液晶素子を作製した。通常用いている、クリス
タルロ−テション法でプレチルト角を測定した結果、
４．５〜４．６度とほとんど一定な値を示した。また、
液晶素子のしきい値電圧の周波数変化（３０Ｈｚ／５０
０Ｈｚ）を測定したところ０．９９以上の値を示し、種
々のドメイン及び輝度ムラの発生しない液晶ディスプレ
イを得ることができた。

【００３１】

【比較例】シクロブタンテトラカルボン酸二無水物０．
５モル％、ピロメリット酸二無水物０．５モル％及び
２、２−ビス［４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニ
ル］ペンタン０．５モル％、１、１、１、３、３、３−
ヘキサフルオロ−２、２−ビス［４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル］プロパン０．５モル％をＮ−メチル
−２−ピロリドン中で２０℃で８時間重合し、ポリイミ
ド前駆体ワニスを得た。その後、応用例１と同じ条件で
液晶素子を作製し、プレチルト角を測定した結果、２．
３〜４．５度と配向膜の焼成条件で大きく変化し、しき
い値電圧の周波数変化も０．９７の値を示し、種々のド
メイン及び輝度ムラが発生した。

【００３２】

【発明の効果】本発明により新規なテトラカルボン酸二
無水物化合物およびテトラカルボン酸化合物、それらを
用いた液晶表示素子用の配向膜および液晶表示素子が提
供された。前記テトラカルボン酸二無水物を一方の原料
として調製されるポリイミドはス−パ−ツイスト液晶デ
ィスプレイに要求されているプレチルト角の一定化、周
波数特性の安定化が得られ、ドメイン及び輝度ムラが発
生せず最終的には、製品の歩留りを大きく向上すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】２，２−ビス〔４−（３，４−ジカルボキフェ
ノキシ）フェニル〕トリデカンの赤外線吸収スペクトル
を示す図。

【図２】２，２−ビス〔４−（３，４ジカルボキシフェ
ノキシ）フェニル〕トリデカン二無水物の赤外線吸収ス
ペクトルを示す図。

【図３】１，１−ビス〔４−（３，４−ジカルボキフェ
ノキシ）フェニル〕−２−メチルオクタンの赤外線吸収
スペクトルを示す図。

【図４】１，１−ビス〔４−（３，４ジカルボキシフェ
ノキシ）フェニル〕−２−メチルオクタン二無水物の赤
外線吸収スペクトルを示す図。

【図５】２，２−ビス〔３，５−ジメチル−４−（３，
４−ジカルボキフェノキシ）フェニル〕デカンの赤外線
吸収スペクトルを示す図。

【図６】２，２−ビス〔３，５−ジメチル−４−（３，
４−ジカルボキフェノキシ）フェニル〕デカン二無水物
の赤外線吸収スペクトルを示す図。

【図７】１，１−ビス〔４−（３，４−ジカルボキフェ
ノキシ）フェニル〕シクロヘキサンの赤外線吸収スペク
トルを示す図。

【図８】１，１−ビス〔４−（３，４−ジカルボキフェ
ノキシ）フェニル〕シクロヘキサン二無水物の赤外線吸
収スペクトルを示す図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 近藤 克己 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 大原 周一 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 北村 輝夫 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（１） 【化１】 （式中、Ｙは 【化２】 を示し、Ｒ₁ は炭素数７〜１８のアルキル基、Ｒ₂ は炭
   素数５〜１８のアルキル基、Ｒ₃ 、Ｒ₄ は炭素数１〜１
   ８のアルキル基、Ｒ₅ 〜Ｒ₆ は水素または炭素数１〜１
   ８のアルキル基、Ｘは炭素数１〜４のアルキル基、ａ、
   ｂ、ｃおよびｄは０、１または２を示す。）で表される
   テトラカルボン酸二無水物化合物。
2. 【請求項２】 一般式（２） 【化３】 （式中、Ｙ、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ 、Ｒ₄ 、Ｒ₅ 、Ｒ₆ 、
   Ｘ、ａ、ｂ、ｃ、ｄは前記と同様である）で表されるテ
   トラカルボン酸化合物。