JPH0584567B2 - - Google Patents
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- JPH0584567B2 JPH0584567B2 JP12814585A JP12814585A JPH0584567B2 JP H0584567 B2 JPH0584567 B2 JP H0584567B2 JP 12814585 A JP12814585 A JP 12814585A JP 12814585 A JP12814585 A JP 12814585A JP H0584567 B2 JPH0584567 B2 JP H0584567B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/3176—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps
- G11B5/3179—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes
- G11B5/3183—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes intersecting the gap plane, e.g. "horizontal head structure"
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、記録媒体との当接の安定化と長寿命
化を図つたビデオテープレコーダに好適な薄膜磁
気ヘツドとその製造方法に関する。
化を図つたビデオテープレコーダに好適な薄膜磁
気ヘツドとその製造方法に関する。
近年、磁気記録の高密度化に伴ない高保持力の
記録媒体に充分に記録できる軟磁性合金を磁気ヘ
ツドの磁気コアに用いることが必須となつてきて
いる。
記録媒体に充分に記録できる軟磁性合金を磁気ヘ
ツドの磁気コアに用いることが必須となつてきて
いる。
軟磁性合金を磁気コアに用いた例としては特開
昭55−8730号公報がある。しかし、この公報に開
示された様な構成の磁気ヘツドにおいては、軟磁
性合金が記録媒体の走行により摩耗し、これを挾
む様に配置された非磁性体との間に段差が生じ、
記録媒体と磁気ヘツドの良好な当接が得られず記
録再生特性が劣化する問題点がある。また、これ
を対策した例としては、特開昭58−196617号公報
である。この公報に開示れた構造では、非磁性体
を軟磁性合金よりも摩耗しやすい材料とすること
により上記問題点を解決しようとしているが、摩
耗寿命としては、いずれの材料も記録媒体に対し
て摩耗しやすいために、磁気ヘツドの摩耗寿命が
短くなるとともに、非磁性体と軟磁性合金を１ヘ
ツド毎には合わせる方法をとることから作業性
（量産性）に問題がある。
昭55−8730号公報がある。しかし、この公報に開
示された様な構成の磁気ヘツドにおいては、軟磁
性合金が記録媒体の走行により摩耗し、これを挾
む様に配置された非磁性体との間に段差が生じ、
記録媒体と磁気ヘツドの良好な当接が得られず記
録再生特性が劣化する問題点がある。また、これ
を対策した例としては、特開昭58−196617号公報
である。この公報に開示れた構造では、非磁性体
を軟磁性合金よりも摩耗しやすい材料とすること
により上記問題点を解決しようとしているが、摩
耗寿命としては、いずれの材料も記録媒体に対し
て摩耗しやすいために、磁気ヘツドの摩耗寿命が
短くなるとともに、非磁性体と軟磁性合金を１ヘ
ツド毎には合わせる方法をとることから作業性
（量産性）に問題がある。
本発明の目的は、記録媒体との当接の安定化、
摩耗の長寿命化および量産性を向上させた薄膜磁
気ヘツドとその製造方法を提供するにある。
摩耗の長寿命化および量産性を向上させた薄膜磁
気ヘツドとその製造方法を提供するにある。
この目的を達成するために、本発明は、磁気ヘ
ツドの磁気コアとなる１対の軟磁性合金薄膜の一
方の端部を突き合わせて磁気ギヤツプとし、他方
の端部において軟磁性合金薄膜と同程度あるいは
それより耐摩耗性の良好な第１の非磁性体で挾持
させ、かつ該１対の軟磁性合金薄膜の記録媒体摺
動面に露出する摺動方向全長を10μm〜300μmと
し、該軟磁性合金薄膜および第１の非磁性体をそ
の膜厚方向に第１の非磁性体より摩耗しやすい第
２の非磁性体で挾持する構成により記録媒体との
当接の安定化と摩耗の長寿命化を図り、また基板
に前記軟磁性合金薄膜を形成して、一括して該薄
膜をパターニングし、かつ前記第１の非磁性体を
形成し、これを平坦化することにより薄膜磁気ヘ
ツドの製造における量産性を向上させた点に特徴
がある。
ツドの磁気コアとなる１対の軟磁性合金薄膜の一
方の端部を突き合わせて磁気ギヤツプとし、他方
の端部において軟磁性合金薄膜と同程度あるいは
それより耐摩耗性の良好な第１の非磁性体で挾持
させ、かつ該１対の軟磁性合金薄膜の記録媒体摺
動面に露出する摺動方向全長を10μm〜300μmと
し、該軟磁性合金薄膜および第１の非磁性体をそ
の膜厚方向に第１の非磁性体より摩耗しやすい第
２の非磁性体で挾持する構成により記録媒体との
当接の安定化と摩耗の長寿命化を図り、また基板
に前記軟磁性合金薄膜を形成して、一括して該薄
膜をパターニングし、かつ前記第１の非磁性体を
形成し、これを平坦化することにより薄膜磁気ヘ
ツドの製造における量産性を向上させた点に特徴
がある。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。
る。
第１図は本発明による薄膜磁気ヘツドの一実施
例を示す斜視図、第２図は第１図の磁気コアだけ
を取り出して示す斜視図であつて、２ａ，２ｂは
磁気コアを形成する１対の軟磁性合金薄膜、４
ａ，４ｂは、合金薄膜２ａ，２ｂと同程度もしく
はそれ以上に耐摩耗性にすぐれた第１の非磁性
体、１ａ，１ｂは、第１の非磁性体４ａ，４ｂよ
りもより摩耗しやすい第２の非磁性体（基板とな
る）、３は磁気ギヤツプ、５は巻線である。
例を示す斜視図、第２図は第１図の磁気コアだけ
を取り出して示す斜視図であつて、２ａ，２ｂは
磁気コアを形成する１対の軟磁性合金薄膜、４
ａ，４ｂは、合金薄膜２ａ，２ｂと同程度もしく
はそれ以上に耐摩耗性にすぐれた第１の非磁性
体、１ａ，１ｂは、第１の非磁性体４ａ，４ｂよ
りもより摩耗しやすい第２の非磁性体（基板とな
る）、３は磁気ギヤツプ、５は巻線である。
第１図、第２図において、磁気コアを形成する
軟磁性合金薄膜２ａ，２ｂは、後部より記録媒体
摺動面に近づくに従い断面積が徐々に少さくなり
磁束密度を高め、かつ記録媒体摺動面においては
その露出している合金薄膜の全長ｌが10μmから
300μmの間におさえられている。
軟磁性合金薄膜２ａ，２ｂは、後部より記録媒体
摺動面に近づくに従い断面積が徐々に少さくなり
磁束密度を高め、かつ記録媒体摺動面においては
その露出している合金薄膜の全長ｌが10μmから
300μmの間におさえられている。
次に、本実施例の製造法について説明する。
第３図は本発明による薄膜磁気ヘツドの製造方
法を説明する工程図であつて、１は基板、２は軟
磁性合金薄膜、４は第１の非磁性体、６はパター
ニングした軟磁性合金薄膜素子、７ａ，７ｂはボ
ンデイングブロツク、１４は巻線用溝である。
法を説明する工程図であつて、１は基板、２は軟
磁性合金薄膜、４は第１の非磁性体、６はパター
ニングした軟磁性合金薄膜素子、７ａ，７ｂはボ
ンデイングブロツク、１４は巻線用溝である。
同図において、第１工程イでは、第２の非磁性
体基板１としてガラス、セラミツク、フエライト
等の該第１の非磁性体４に較べ摩耗しやすい材料
を用いる。この基板１上にFe−Si−Al系、Fe−
Si系、等の結晶質あるいはアモルフアス（非結
晶）等の軟磁性合金薄膜２をスパツタリング等の
手法により形成する。合金薄膜２の膜構成は、磁
気ヘツドの使用する周波数帯域で変更する。例え
ば、5MHz程度までであれば５〜10μmの合金薄膜
層を単位として0.03〜0.1μm膜厚のSiO2，Al2O3，
MgO−SiO2等の絶縁層を介して磁気ヘツドのト
ラツク幅程度まで多層膜構造とする。一方、20M
Hz程度の高周波帯域に使用するのであれば１〜
5μm程度の合金薄膜の膜厚を単位とし、渦電流損
失を最小におさえる構造とする。次に第２工程ロ
においては、軟磁性合金薄膜２を、ホトリソグラ
フイー技術を用いて第２図の磁気コアの形状（但
し、巻線窓は無い）にパターニングして合金薄膜
素子６を基板１上に多数個形成する。この時、パ
ターニング法としては、レジスト等をマスクとし
イオンシリングあるいはウエツトエツチングが用
いられ、該合金薄膜素子６の端部はテーパ角αが
20〜70度位になる様に制御する。このテーパ角α
は第１図に見る様に、磁気ギヤツプ面３と合金薄
膜２ａ，２ｂの端部が非平行になる様に選ばれ、
特に膜全長ｌが小さくなるに従い発生する形状効
果（磁気ヘツドの再生過程に生ずる周波数特性の
うねり）を防ぐ効果がある。第３工程ハでは、基
板１上に該合金薄膜素子６と同程度あるいはそれ
以上に耐摩耗性に優れた第１の非磁性体４として
SiO2，Al2O3，（MgO）ｘ−SiO2（ｘ＝0.5〜３）
等の材料を合金薄膜素子６の膜厚以上にスパツタ
リング、蒸着等の手法により形成し、研摩等の手
法により平坦化する。この場合、合金薄膜素子６
上に多少の非磁性体４が残つていても問題はな
い。更に、同図におけるＡ−A′面で基板１を短
柵状に切断する。第４工程ニでは、切断した短棚
状基板１ａ，１ｂを図示の様にガラス等により接
着する。短棚状基板は図では３枚であるがそれ以
上の個数であつてもかまわない。接着後、Ｂ−
B′，Ｃ−C′面で更に切断する。ここでＢ−B′面
が磁気ギヤツプの突き合せ面である。第５工程ホ
では、ボンデイングブロツク７ａ，７ｂのギヤツ
プ突き合せ面を鏡面研摩した後、巻線用溝１４を
形成し、更に磁気ギヤツプ長を規制するために
SiO2等の非磁性体を0.2〜0.5μm膜厚に形成する。
第６工程へでは、ボンデイングブロツク７ａ，７
ｂをガラス等を用いて接着し、Ｅ−E′およびＤ−
D′面に沿つて切断してヘツドチツプとし、巻線
を施せば第１図に示した本発明の薄膜磁気ヘツド
が得られる。
体基板１としてガラス、セラミツク、フエライト
等の該第１の非磁性体４に較べ摩耗しやすい材料
を用いる。この基板１上にFe−Si−Al系、Fe−
Si系、等の結晶質あるいはアモルフアス（非結
晶）等の軟磁性合金薄膜２をスパツタリング等の
手法により形成する。合金薄膜２の膜構成は、磁
気ヘツドの使用する周波数帯域で変更する。例え
ば、5MHz程度までであれば５〜10μmの合金薄膜
層を単位として0.03〜0.1μm膜厚のSiO2，Al2O3，
MgO−SiO2等の絶縁層を介して磁気ヘツドのト
ラツク幅程度まで多層膜構造とする。一方、20M
Hz程度の高周波帯域に使用するのであれば１〜
5μm程度の合金薄膜の膜厚を単位とし、渦電流損
失を最小におさえる構造とする。次に第２工程ロ
においては、軟磁性合金薄膜２を、ホトリソグラ
フイー技術を用いて第２図の磁気コアの形状（但
し、巻線窓は無い）にパターニングして合金薄膜
素子６を基板１上に多数個形成する。この時、パ
ターニング法としては、レジスト等をマスクとし
イオンシリングあるいはウエツトエツチングが用
いられ、該合金薄膜素子６の端部はテーパ角αが
20〜70度位になる様に制御する。このテーパ角α
は第１図に見る様に、磁気ギヤツプ面３と合金薄
膜２ａ，２ｂの端部が非平行になる様に選ばれ、
特に膜全長ｌが小さくなるに従い発生する形状効
果（磁気ヘツドの再生過程に生ずる周波数特性の
うねり）を防ぐ効果がある。第３工程ハでは、基
板１上に該合金薄膜素子６と同程度あるいはそれ
以上に耐摩耗性に優れた第１の非磁性体４として
SiO2，Al2O3，（MgO）ｘ−SiO2（ｘ＝0.5〜３）
等の材料を合金薄膜素子６の膜厚以上にスパツタ
リング、蒸着等の手法により形成し、研摩等の手
法により平坦化する。この場合、合金薄膜素子６
上に多少の非磁性体４が残つていても問題はな
い。更に、同図におけるＡ−A′面で基板１を短
柵状に切断する。第４工程ニでは、切断した短棚
状基板１ａ，１ｂを図示の様にガラス等により接
着する。短棚状基板は図では３枚であるがそれ以
上の個数であつてもかまわない。接着後、Ｂ−
B′，Ｃ−C′面で更に切断する。ここでＢ−B′面
が磁気ギヤツプの突き合せ面である。第５工程ホ
では、ボンデイングブロツク７ａ，７ｂのギヤツ
プ突き合せ面を鏡面研摩した後、巻線用溝１４を
形成し、更に磁気ギヤツプ長を規制するために
SiO2等の非磁性体を0.2〜0.5μm膜厚に形成する。
第６工程へでは、ボンデイングブロツク７ａ，７
ｂをガラス等を用いて接着し、Ｅ−E′およびＤ−
D′面に沿つて切断してヘツドチツプとし、巻線
を施せば第１図に示した本発明の薄膜磁気ヘツド
が得られる。
第４図は本発明による薄膜磁気ヘツドの製造方
法の他の実施例を説明するための工程の一部を示
す図で、同図イは第３図の第２工程ロに対応し、
同図ロは第３図の第４工程ニに対応する。
法の他の実施例を説明するための工程の一部を示
す図で、同図イは第３図の第２工程ロに対応し、
同図ロは第３図の第４工程ニに対応する。
すなわち、第１図における磁気ヘツドギヤツプ
３にアジマス角度θを付ける場合には、第３図に
示した製造方法の第２工程ロにおいて、第４図イ
に示すマスクパターンとし、合金薄膜素子６の配
列にあらかじめ角度θをつけておき、第３図に示
した製造方法の第４工程ニにおけるボンデイング
ブロツク切断時に第４図ロに示すＦ−F′，Ｇ−
G′面で切断し、その他の工程を第３図に示した
ものと同様とすることにより、アジマス角度θを
もつた薄膜磁気ヘツドを製造することができる。
３にアジマス角度θを付ける場合には、第３図に
示した製造方法の第２工程ロにおいて、第４図イ
に示すマスクパターンとし、合金薄膜素子６の配
列にあらかじめ角度θをつけておき、第３図に示
した製造方法の第４工程ニにおけるボンデイング
ブロツク切断時に第４図ロに示すＦ−F′，Ｇ−
G′面で切断し、その他の工程を第３図に示した
ものと同様とすることにより、アジマス角度θを
もつた薄膜磁気ヘツドを製造することができる。
また、第３図ロ、第４図イに示した第２工程に
おいて、所望形状のマスクを用い、マスクスパツ
タリングやマスク蒸着等を用いて合金薄膜素子６
を形成する方法、あるいは基板１にあらかじめ所
定形状に溝を設け、この溝に合金薄膜２を埋め込
み、これを平坦化して合金薄膜素子６を形成する
方法、等を用いてもよい。さらに、第３図に示し
た第３工程ハにおいて、第１の非磁性体４として
低融点ガラスを用い、該ガラスを溶かした後に平
坦化する方法を用いてもよい。
おいて、所望形状のマスクを用い、マスクスパツ
タリングやマスク蒸着等を用いて合金薄膜素子６
を形成する方法、あるいは基板１にあらかじめ所
定形状に溝を設け、この溝に合金薄膜２を埋め込
み、これを平坦化して合金薄膜素子６を形成する
方法、等を用いてもよい。さらに、第３図に示し
た第３工程ハにおいて、第１の非磁性体４として
低融点ガラスを用い、該ガラスを溶かした後に平
坦化する方法を用いてもよい。
以上の様に構成した本発明の薄膜磁気ヘツドに
おいては、記録媒体の当接の安定化、摩耗に対す
る長寿命化および量産性の向上が可能である。
おいては、記録媒体の当接の安定化、摩耗に対す
る長寿命化および量産性の向上が可能である。
第５図は記録媒体の当接の安定化を説明する図
であつて、同図イは従来技術の、ロは本発明によ
る薄膜磁気ヘツドの、各場合である。
であつて、同図イは従来技術の、ロは本発明によ
る薄膜磁気ヘツドの、各場合である。
同図イにおいて、合金薄膜素子２ａ，２ｂが全
長ｌに渡つて摺動面に露出しており、第１の非磁
性体４ａ，４ｂによる挾持がない場合である。ｌ
は約２mm程度となり、記録媒体８が長時間走行す
ると合金薄膜２ａ，２ｂが第２の非磁性体１ａ，
１ｂより摩耗が進み段差ｄが生ずる。このため、
この段差ｄが磁気ヘツドのスペーシング損失とな
り記録再生特性を劣化させる。
長ｌに渡つて摺動面に露出しており、第１の非磁
性体４ａ，４ｂによる挾持がない場合である。ｌ
は約２mm程度となり、記録媒体８が長時間走行す
ると合金薄膜２ａ，２ｂが第２の非磁性体１ａ，
１ｂより摩耗が進み段差ｄが生ずる。このため、
この段差ｄが磁気ヘツドのスペーシング損失とな
り記録再生特性を劣化させる。
一方、同図ロに示す本発明による磁気ヘツドに
おいては、合金薄膜２ａ，２ｂの摺動面における
全長ｌが小さくなつており、かつ記録媒体の走行
方向において、耐摩耗性の良好な第１の非磁性体
４ａ，４ｂにおいて挾持補強されているために、
段差ｄが殆んど発生せず、記録媒体８との良好な
当接が可能となる。
おいては、合金薄膜２ａ，２ｂの摺動面における
全長ｌが小さくなつており、かつ記録媒体の走行
方向において、耐摩耗性の良好な第１の非磁性体
４ａ，４ｂにおいて挾持補強されているために、
段差ｄが殆んど発生せず、記録媒体８との良好な
当接が可能となる。
第６図は合金薄膜２ａ，２ｂの全長ｌと記録媒
体を100時間走行させた後のヘツド出力の劣化の
関係を説明する図であつて、横軸は合金薄膜の全
長ｌmm、縦軸はヘツド出力（％）である。
体を100時間走行させた後のヘツド出力の劣化の
関係を説明する図であつて、横軸は合金薄膜の全
長ｌmm、縦軸はヘツド出力（％）である。
同図から、合金薄膜２ａ，２ｂの全長ｌとして
は300μm以下とする必要がある。ｌが小さくなり
過ぎると磁気ギヤツプそのものの存在がなくなる
ことからその下限は10μmとなる。
は300μm以下とする必要がある。ｌが小さくなり
過ぎると磁気ギヤツプそのものの存在がなくなる
ことからその下限は10μmとなる。
第７図は合金薄膜２ａ，２ｂの全長ｌと1000時
間走行後の磁気ヘツドの摩耗量を示したものであ
つて、12は本発明の場合、11は第５図イに示した
従来例で、当接の安定化のために第２の非磁性体
１ａ，１ｂを合金薄膜２ａ，２ｂより摩耗しやす
い材料とした場合である。従来例11では、記録媒
体との当接の安定化が実現できるが、摩耗量が増
大し寿命が短くなる。一方、本発明の実施例であ
る12では、全長ｌとして10μm〜300μmとするこ
とにより摩耗に対する長寿命化が可能となる。ま
た、上記に製造方法で説明した通り、基板１上に
多数個のヘツド素子６を形成できるフオトリング
ラフイ技術を利用していることから、バツチ処理
が可能であり量産性が高いことは言うまでもな
い。
間走行後の磁気ヘツドの摩耗量を示したものであ
つて、12は本発明の場合、11は第５図イに示した
従来例で、当接の安定化のために第２の非磁性体
１ａ，１ｂを合金薄膜２ａ，２ｂより摩耗しやす
い材料とした場合である。従来例11では、記録媒
体との当接の安定化が実現できるが、摩耗量が増
大し寿命が短くなる。一方、本発明の実施例であ
る12では、全長ｌとして10μm〜300μmとするこ
とにより摩耗に対する長寿命化が可能となる。ま
た、上記に製造方法で説明した通り、基板１上に
多数個のヘツド素子６を形成できるフオトリング
ラフイ技術を利用していることから、バツチ処理
が可能であり量産性が高いことは言うまでもな
い。
以上説明したように、本発明によれば、磁気ヘ
ツドコアを構成する１対の軟磁性合金薄膜の記録
媒体走行方向の両端に第１の非磁性体で挾持補強
し、かつ膜厚方向に第２の非磁性体で挾持し、こ
れら構成材に最適に摩耗性を選択的に持たせ、か
つ最適寸法を選んだことにより、記録媒体との当
接の安定化および摩耗に対する長寿命化が可能と
なり、また、製造方法として、基板上に該軟磁性
合金薄膜素子６を一括して多数個処理するいわゆ
るフオトリングラフイ技術を利用することにより
量産性の向上が可能となり、上記従来技術の欠点
を除いて優れた機能の薄膜磁気ヘツドとその製造
方法を提供することができる。
ツドコアを構成する１対の軟磁性合金薄膜の記録
媒体走行方向の両端に第１の非磁性体で挾持補強
し、かつ膜厚方向に第２の非磁性体で挾持し、こ
れら構成材に最適に摩耗性を選択的に持たせ、か
つ最適寸法を選んだことにより、記録媒体との当
接の安定化および摩耗に対する長寿命化が可能と
なり、また、製造方法として、基板上に該軟磁性
合金薄膜素子６を一括して多数個処理するいわゆ
るフオトリングラフイ技術を利用することにより
量産性の向上が可能となり、上記従来技術の欠点
を除いて優れた機能の薄膜磁気ヘツドとその製造
方法を提供することができる。
第１図は本発明による薄膜磁気ヘツドの一実施
例を示す斜視図、第２図は第１図の磁気コアだけ
を取り出して示す斜視図、第３図は本発明による
薄膜磁気ヘツドの製造方法の一実施例を説明する
工程図、第４図は本発明による薄膜磁気ヘツドの
製造方法の他の実施例を説明する部分工程図、第
５図は記録媒体の当接の安定化を説明する図、第
６図は合金薄膜の全長と記録媒体走行後のヘツド
出力との関係を示す図、第７図は合金薄膜の全長
と記録媒体走行後のヘツド摩耗量の関係を示す図
である。 １，１ａ，１ｂ……第２の非磁性体（基板）、
２，２ａ，２ｂ……軟磁性合金薄膜、３……磁気
ギヤツプ、４，４ａ，４ｂ……第１の非磁性体、
６……パターニングした軟磁性合金薄膜素子、７
ａ，７ｂ……ボンデイングブロツク、８……記録
媒体、１４……巻線用溝。
例を示す斜視図、第２図は第１図の磁気コアだけ
を取り出して示す斜視図、第３図は本発明による
薄膜磁気ヘツドの製造方法の一実施例を説明する
工程図、第４図は本発明による薄膜磁気ヘツドの
製造方法の他の実施例を説明する部分工程図、第
５図は記録媒体の当接の安定化を説明する図、第
６図は合金薄膜の全長と記録媒体走行後のヘツド
出力との関係を示す図、第７図は合金薄膜の全長
と記録媒体走行後のヘツド摩耗量の関係を示す図
である。 １，１ａ，１ｂ……第２の非磁性体（基板）、
２，２ａ，２ｂ……軟磁性合金薄膜、３……磁気
ギヤツプ、４，４ａ，４ｂ……第１の非磁性体、
６……パターニングした軟磁性合金薄膜素子、７
ａ，７ｂ……ボンデイングブロツク、８……記録
媒体、１４……巻線用溝。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ １対の軟磁性合金薄膜の互いに対向する端部
を磁気ギヤツプ形成用非磁性体を挟んで磁気ギヤ
ツプとし、該軟磁性合金薄膜で磁気ヘツドコアを
構成する薄膜磁気ヘツドにおいて、少なくとも記
録媒体摺動面において前記１対の軟磁性合金薄膜
の他端を第１の非磁性体で挾持するとともに、前
記１対の軟磁性合金薄膜および前記第１の非磁性
体をその膜厚方向に第２の非磁性体で挾持した構
成で、前記第１の非磁性体を、前記記録媒体に対
する耐摩耗性が前記軟磁性合金薄膜の耐摩耗性と
同程度もしくはそれ以上である材料で構成し、前
記第２の非磁性体を前記第１の非磁性体よりも記
録媒体に対して摩耗しやすい材料で構成したこと
を特徴とする薄膜磁気ヘツド。 ２ 特許請求の範囲１項記載の薄膜磁気ヘツドに
おいて、前記軟磁性合金薄膜として、Fe−Si−
Al系軟磁性合金薄膜あるいはアモルフアス軟磁
性合金を用い、膜厚1μm〜10μmで前記第１の非
磁性薄膜との多層構造としたことを特徴とする薄
膜磁気ヘツド。 ３ 特許請求の範囲１項または２項記載の薄膜磁
気ヘツドにおいて、記録媒体摺動面に露出する前
記１対の軟磁性合金薄膜の前記記録媒体摺動方向
の全長を10μm以上300μm以下としたことを特徴
とする薄膜磁気ヘツド。 ４ 特許請求の範囲１項、２項および３項のいず
れかに記載した薄膜磁気ヘツドにおいて、前記１
対の軟磁性合金薄膜とそれを挾持する前記第１の
非磁性体の記録媒体摺動面における境界面が、前
記磁気ギヤツプ面と非平行となる様に構成したこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘツド。 ５ １対の軟磁性合金薄膜の互いに対向する端部
を磁気ギヤツプ形成用非磁性体を挾んで磁気ギヤ
ツプとし、該軟磁性合金薄膜で磁気ヘツドコアを
構成し、少なくとも記録媒体摺動面において該１
対の軟磁性合金薄膜の他端を第１の非磁性体で挾
持するとともに、前記１対の軟磁性合金薄膜およ
び前記第１の非磁性体をその膜厚方向に第２の非
磁性体で挟持した薄膜磁気ヘツドの製造方法にお
いて、前記第１の非磁性体よりも記録媒体に対し
て摩耗しやすい第２の非磁性体の基板に前記軟磁
性合金薄膜を単層あるいは非磁性層を挾み多層に
形成するとともに前記軟磁性合金薄膜を所定の場
所にパターニングする第１の工程と、パターニン
グした前記軟磁性合金薄膜の膜厚以上に前記記録
媒体に対する耐摩耗性が前記軟磁性合金薄膜の耐
摩耗性と同程度もしくはそれ以上である前記第１
の非磁性体を形成した後平坦化する第２の工程
と、前記非磁性基板を切断し、切断した該非磁性
基板を接着して基板ブロツクを作る第３の工程
と、前記基板ブロツクを更に切断してコイルの巻
線溝を形成しかつ磁気ギヤツプ形成面を鏡面研磨
しボンデイングブロツクを形成する第４の工程
と、磁気ギヤツプ長に見合う磁気ギヤツプ形成用
非磁性体を介して前記ボンデイングブロツクを接
着する第５の工程と、前記ボンデイングブロツク
をヘツドチツプに切断する第６の工程と、前記ヘ
ツドチツプの記録媒体摺動面を所定の形状に整形
し巻線を施す第７の工程とを含むことを特徴とす
る薄膜磁気ヘツドの製造方法。 ６ 特許請求の範囲５項記載の薄膜磁気ヘツドの
製造方法において、前記第１の工程が、前記第２
の非磁性体の基板上に前記軟磁性合金薄膜を単層
あるいは非磁性層を挾み多層に形成し、該軟磁性
合金薄膜をフオトリングラフイ技術を用いて所定
の形状にパターニングすることを特徴とする薄膜
磁気ヘツドの製造方法。 ７ 特許請求の範囲５項記載の薄膜磁気ヘツドの
製造方法において、前記第１の工程が、所定形状
のマスクを用いてマスクスパツタリング等の手法
により前記軟磁性合金薄膜を前記第２の非磁性体
の基板上にパターニング形成することを特徴とす
る薄膜磁気ヘツドの製造方法。 ８ 特許請求の範囲５項、６項および７項のいず
れかに記載した薄膜磁気ヘツドの製造方法におい
て、前記第２の工程が前記第１の非磁性体として
低融点ガラスを用い、該ガラスを溶かした後に平
坦化することを特徴とする薄膜磁気ヘツドの製造
方法。 ９ 特許請求の範囲５項記載の薄膜磁気ヘツドの
製造工程において、前記第１の工程が、前記非磁
性体基板にあらかじめ所定のパターンの形状に溝
を設け、該溝に前記軟磁性合金薄膜を埋込み平坦
化したことを特徴とする薄膜磁気ヘツドの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12814585A JPS61287023A (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12814585A JPS61287023A (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61287023A JPS61287023A (ja) | 1986-12-17 |
| JPH0584567B2 true JPH0584567B2 (ja) | 1993-12-02 |
Family
ID=14977500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12814585A Granted JPS61287023A (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61287023A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0758530B2 (ja) * | 1987-11-27 | 1995-06-21 | 株式会社日立製作所 | 磁気ヘッド |
-
1985
- 1985-06-14 JP JP12814585A patent/JPS61287023A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61287023A (ja) | 1986-12-17 |
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