JPH0583104A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JPH0583104A JPH0583104A JP3269990A JP26999091A JPH0583104A JP H0583104 A JPH0583104 A JP H0583104A JP 3269990 A JP3269990 A JP 3269990A JP 26999091 A JP26999091 A JP 26999091A JP H0583104 A JPH0583104 A JP H0583104A
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Abstract
ンドレイン端子に接続できる半導体集積回路において、
ソフトウエアでプルアップ抵抗又はプルダウン抵抗の接
続と非接続とを選択できるようにすることを目的とす
る。 【構成】 半導体集積回路13の電源電圧とグランドと
の間で振幅する半導体集積回路内部の制御信号を、外部
電位供給端子11から入力される電圧からグランドの振
幅に変換するレベルシフタを備えている。このレベルシ
フタは、トランジスタ1〜4、制御信号入力端子5及び
インバータ6により構成されており、その出力信号はP
チャンネルMOSトランジスタ10のゲートに入力され
る。このPチャンネルMOSトランジスタ10のNウエ
ルは外部電位供給端子に接続され、ソースはプルアップ
抵抗9に接続され、ドレインは外部出力端子12に接続
されている。
Description
ン端子のプルアップ抵抗又はプルダウン抵抗を内蔵する
半導体集積回路に関する。
を示す回路図である。
レインが外部出力端子45に接続され、ソースがグラン
ドに接続され、ゲートが半導体集積回路48の内部の信
号を受ける入力端子41に接続されている。また、Nチ
ャンネルMOSトランジスタ42のドレインはスイッチ
44の一端にも接続され、スイッチ44の他端はプルア
ップ抵抗43の一端に接続されている。プルアップ抵抗
43の他端は電源電圧に接続されている。
路においては、外部端子45の出力レベルとして、ハイ
出力時は半導体集積回路48の電源電圧レベル、ロー出
力時はグランドレベルを使用する場合は、スイッチ44
をオンさせる。そうすると、入力端子41にハイレベル
が入力された場合は、NチャンネルMOSトランジスタ
42がオフし、外部端子45はプルアップ抵抗43を介
して電源電圧レベルになる。入力端子41にローレベル
が入力されると、NチャンネルMOSトランジスタ42
がオンし、外部端子45はグランドレベルになる。
力時は半導体集積回路48の電源電圧より高い電圧レベ
ル、ロー出力時はグランドレベルを使用する場合は、ス
イッチ44をオフにし、外部端子45に半導体集積回路
48の電源電圧より高い電圧レベルに接続された外付け
のプルアップ抵抗47を接続する。そうすると、入力端
子41にハイレベルが入力された場合は、Nチャンネル
MOSトランジスタ42はオフし、外部端子45は外付
けプルアップ抵抗47を介して、半導体集積回路48の
電源電圧より高い電圧レベルになる。入力端子41にロ
ーレベルが入力された場合は、NチャンネルMOSトラ
ンジスタ42はオンし、外部端子45はグランドレベル
になる。
が外部端子45に印加されるため、スイッチ44は半導
体集積回路の製造段階で、アルミニウム配線の接続又は
非接続等により、物理的にオン又はオフにする必要があ
る。
来のプルアップ抵抗43又はプルダウン抵抗をドレイン
である端子に接続する半導体集積回路においては、半導
体集積回路の製造段階のアルミニウム配線の工程等でプ
ルアップ抵抗又はプルダウン抵抗の内蔵又は非内蔵を選
択してしまうため、半導体集積回路の製造後に、これを
ソフトウェアで切り替えることができないという問題点
があった。
積回路48の電源電圧より高い電圧がかかる場合には、
外付けのプルアップ抵抗47を接続する必要があり、回
路の基盤面積が大きくなるという欠点があった。
のであって、ソフトウェアでプルアップ抵抗又はプルダ
ウン抵抗の接続又は非接続を選択することができる半導
体集積回路を提供することを目的とする。
回路は、N(又はP)チャンネルMOSトランジスタの
ドレインを外部出力端子とするP(又はN)基盤の半導
体集積回路において、プルアップ抵抗(又はプルダウン
抵抗)の一端に接続された外部電位供給端子と、そのN
ウエル(又はPウエル)が前記外部電位供給端子に接続
されそのソースが前記プルアップ抵抗(又はプルダウン
抵抗)の他端に接続されそのドレインが前記N(又は
P)チャンネルMOSトランジスタのドレインに接続さ
れたP(又はN)チャンネルMOSトランジスタと、回
路内部の制御信号をその電源電圧レベルから前記外部電
位供給端子に入力された電圧レベルに変換してこの変換
した制御信号を前記P(又はN)チャンネルMOSトラ
ンジスタのゲートへ出力するレベルシフタとを有するこ
とを特徴とする。
で振幅する半導体集積回路内部の制御信号を、レベルシ
フタが外部電位供給端子に入力された電圧とグランドと
の間の振幅に変換し、このレベルシフタの出力信号をP
(又はN)チャンネルMOSトランジスタのゲートに入
力する。これにより、回路内部の制御信号がハイ(又は
ロー)レベルのときに、前記P(又はN)チャンネルM
OSトランジスタがオフして、前記プルアップ抵抗(又
はプルダウン抵抗)が外部出力端子から切り離される。
一方、前記制御信号がロー(又はハイ)レベルの場合に
は、前記P(又はN)チャンネルMOSトランジスタが
オンして、外部出力端子にプルアップ抵抗(又はプルダ
ウン抵抗)が接続され、外部出力端子には、外部電位供
給端子に入力された電圧に基づいて、半導体集積回路の
電源電圧より高い電圧(又はグランドレベルより低い電
圧)が出力される。
参照して説明する。
ップ抵抗選択回路を示す回路図である。NチャンネルM
OSトランジスタ8はそのドレインが外部出力端子12
に接続され、ソースとウェルがグランドに接続され、ゲ
ートが半導体集積回路13の内部の信号を受ける入力端
子7に接続されている。また、NチャンネルMOSトラ
ンジスタ8のドレインはスイッチであるPチャンネルM
OSトランジスタ10のドレインに接続され、Pチャン
ネルMOSトランジスタ10のソースはプルアップ抵抗
9の一端に接続され、プルアップ抵抗9の他端は外部電
位供給端子11に接続されている。外部電位供給端子1
1はPチャンネルMOSトランジスタ10のNウェルに
も接続されている。
チャンネルMOSトランジスタ1,2のソースとウェル
が接続されている。PチャンネルMOSトランジスタ1
のドレインはNチャンネルMOSトランジスタ3のドレ
インに接続されている。NチャンネルMOSトランジス
タ3のソースとウェルはグランドに接続され、ゲートは
半導体集積回路13の内部の制御信号を受ける制御信号
入力端子5に接続されている。PチャンネルMOSトラ
ンジスタ2のドレインはNチャンネルMOSトランジス
タ4のドレインに接続されている。NチャンネルMOS
トランジスタ4はそのソースとウェルがグランドに接続
され、ゲートはインバータ6を介して、半導体集積回路
13の内部の制御信号を受ける制御信号入力端子5とに
接続されている。PチャンネルMOSトランジスタ1の
ドレインとNチャンネルMOSトランジスタ3のドレイ
ンとの接点から得られる出力は、PチャンネルMOSト
ランジスタ2のゲートに入力されている。Pチャンネル
MOSトランジスタ2のドレインとNチャンネルMOS
トランジスタ4のドレインとの接点から得られる出力
は、PチャンネルMOSトランジスタ1のゲートとPチ
ャンネルMOSトランジスタ10のゲートに入力されて
いる。
路の動作について説明する。制御信号入力端子5にハイ
レベルが入力されたときは、NチャンネルMOSトラン
ジスタ3はオン、NチャンネルMOSトランジスタ4の
ゲートにはローレベルが入力されるのでオフする。この
とき、ローレベルがPチャンネルMOSトランジスタ2
のゲートに入力されるのでオンし、PチャンネルMOS
トランジスタ1のゲートとPチャンネルMOSトランジ
スタ10のゲートに外部電位供給端子11の電圧レベル
が供給される。外部電位供給端子11には外部出力端子
12にかかるハイレベルの電圧レベル(半導体集積回路
の電源電圧以上の電圧)が入力されているので、Pチャ
ンネルMOSトランジスタ1とPチャンネルMOSトラ
ンジスタ10はオフして、外部出力端子12からプルア
ップ抵抗9が切り離される。
レインの端子として使用でき、任意の抵抗値の外付けプ
ルアップ抵抗を接続できる。
れたとき、NチャンネルMOSトランジスタ3はオフに
なり、NチャンネルMOSトランジスタ4のゲートには
ハイレベルが入力されるのでオンする。このとき、ロー
レベルのグランドレベルがPチャンネルMOSトランジ
スタ1のゲートとPチャンネルMOSトランジスタ10
のゲートに入力され、PチャンネルMOSトランジスタ
1とPチャンネルMOSトランジスタ10はオンする。
これにより、PチャンネルMOSトランジスタ2のゲー
トには外部電位供給端子11からハイレベルが入力され
てオフし、またPチャンネルMOSトランジスタ10は
オンしているので、外部出力端子12にはプルアップ抵
抗9が接続される。
積回路13に内蔵した状態になり、外部出力端子12よ
りハイレベルの電圧レベルを外部電位供給端子11に入
力することによって、半導体集積回路13の電源電圧よ
り高い電圧を外部出力端子12から出力できる。
ウン抵抗選択回路を示す回路図である。
のドレインが外部出力端子32に接続され、ソースとウ
ェルが半導体集積回路33の電源電圧に接続され、ゲー
トが半導体集積回路33の内部の信号を受ける入力端子
27に接続されている。また、PチャンネルMOSトラ
ンジスタ28のドレインはスイッチであるNチャンネル
MOSトランジスタ30のドレインに接続され、Nチャ
ンネルMOSトランジスタ30のソースはプルダウン抵
抗29の一端に接続され、プルダウン抵抗29の他端は
外部電位供給端子31に接続されている。外部電位供給
端子31はNチャンネルMOSトランジスタ30のウェ
ルにも接続されている。
チャンネルMOSトランジスタ21,22のソースとウ
ェルが接続されている。NチャンネルMOSトランジス
タ21のドレインはPチャンネルMOSトランジスタ2
3のドレインに接続されている。PチャンネルMOSト
ランジスタ23のソースとウェルは半導体集積回路33
の電源電圧に接続され、ゲートは半導体集積回路33の
内部の制御信号を受ける制御信号入力端子25に接続さ
れている。NチャンネルMOSトランジスタ22のドレ
インはPチャンネルMOSトランジスタ24のドレイン
に接続されている。PチャンネルMOSトランジスタ2
4のソースとウェルは半導体集積回路33の電源電圧に
接続され、ゲートはインバータ26を介して、半導体集
積回路33の内部の制御信号を受ける制御信号入力端子
25に接続されている。NチャンネルMOSトランジス
タ21のドレインとPチャンネルMOSトランジスタ2
3のドレインとの接点から得られる出力は、Nチャンネ
ルMOSトランジスタ22のゲートに入力されている。
NチャンネルMOSトランジスタ22のドレインとPチ
ャンネルMOSトランジスタ24のドレインとの接点か
ら得られる出力は、NチャンネルMOSトランジスタ2
1のゲートとNチャンネルMOSトランジスタ30のゲ
ートに入力されている。
路の動作について説明する。制御信号入力端子25にロ
ーレベルが入力されたときは、PチャンネルMOSトラ
ンジスタ23はオンし、PチャンネルMOSトランジス
タ24のゲートにはハイレベルが入力されるのでオフす
る。このとき、ハイレベルがNチャンネルMOSトラン
ジスタ22のゲートに入力されるのでオンし、Nチャン
ネルMOSトランジスタ21のゲートとNチャンネルM
OSトランジスタ30のゲートに外部電位供給端子31
の電圧レベルが供給される。外部電位供給端子31には
外部出力端子32にかかるローレベルの電圧レベル(半
導体集積回路のグランド以下の電圧)が入力されている
ので、NチャンネルMOSトランジスタ21とNチャン
ネルMOSトランジスタ30はオフして、外部出力端子
32からプルダウン抵抗29が切り離される。
レインの端子として使用でき、任意の抵抗値の外付けプ
ルダウン抵抗を接続できる。
されたとき、PチャンネルMOSトランジスタ23はオ
フ、PチャンネルMOSトランジスタ24のゲートには
ローレベルが入力されるのでオンする。このとき、ハイ
レベルがNチャンネルMOSトランジスタ21のゲート
とNチャンネルMOSトランジスタ30のゲートに入力
され、NチャンネルMOSトランジスタ21とNチャン
ネルMOSトランジスタ30はオンして、Nチャンネル
MOSトランジスタ22のゲートには外部電位供給端子
31からローレベルが入力されてオフし、Pチャンネル
MOSトランジスタ30がオンすることによって、外部
出力端子32にはプルダウン抵抗29が接続される。
集積回路33に内蔵した状態になり、外部出力端子32
よりローレベルの電圧レベルを外部電位供給端子31に
入力することによって、半導体集積回路33のグランド
レベルより低い電圧を外部出力端子32から出力でき
る。
積回路の電源電圧端子以外の外部電位供給端子と、電源
電圧を外部電位供給端子から入力される電圧にレベル変
換するレベルシフタとを備え、ドレイン端子にプルアッ
プ抵抗又はプルダウン抵抗の接続又は非接続を選択する
スイッチをMOSトランジスタで構成し、MOSトラン
ジスタのウェルとソースの電源を外部電位供給端子から
取るようにしたので、プルダウン抵抗又はぷるアップ抵
抗の接続又は非接続を選択するスイッチの切り替えをソ
フトウェアで制御できるという効果を有する。
積回路の電源電圧より高い電圧又はグランドより低い電
圧がかかるときに、外付けプルアップ抵抗又は外付けの
プルダウン抵抗をつける必要がなくなり、回路の基盤面
積が小さくなるという効果を有する。
示す回路図である。
示す回路図である。
ランジスタ 3,4,8,21,22,30,42;NチャンネルM
OSトランジスタ 15,25;制御信号入力端子 16,26;インバータ 7,27,41;入力端子 9,43;プルアップ抵抗 11,31;外部電位供給端子 12,32,45;外部出力端子 13;P基盤半導体集積回路 29;プルダウン抵抗 33;N基盤半導体集積回路 44;スイッチ 46;半導体集積回路 47;外付けプルアップ抵抗
Claims (2)
- 【請求項1】 NチャンネルMOSトランジスタのドレ
インを外部出力端子とするP基盤の半導体集積回路にお
いて、プルアップ抵抗の一端に接続された外部電位供給
端子と、そのNウエルが前記外部電位供給端子に接続さ
れそのソースが前記プルアップ抵抗の他端に接続されそ
のドレインが前記NチャンネルMOSトランジスタのド
レインに接続されたPチャンネルMOSトランジスタ
と、回路内部の制御信号をその電源電圧レベルから前記
外部電位供給端子に入力された電圧レベルに変換してこ
の変換した制御信号を前記PチャンネルMOSトランジ
スタのゲートへ出力するレベルシフタとを有することを
特徴とする半導体集積回路。 - 【請求項2】 PチャンネルMOSトランジスタのドレ
インを外部出力端子とするN基盤の半導体集積回路にお
いて、プルダウン抵抗の一端に接続された外部電位供給
端子と、そのPウエルが前記外部電位供給端子に接続さ
れそのソースが前記プルダウン抵抗の他端に接続されそ
のドレインが前記PチャンネルMOSトランジスタのド
レインに接続されたNチャンネルMOSトランジスタ
と、回路内部の制御信号をその電源電圧レベルから前記
外部電位供給端子に入力された電圧レベルに変換してこ
の変換した制御信号を前記NチャンネルMOSトランジ
スタのゲートへ出力するレベルシフタとを有することを
特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26999091A JP3190710B2 (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26999091A JP3190710B2 (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0583104A true JPH0583104A (ja) | 1993-04-02 |
JP3190710B2 JP3190710B2 (ja) | 2001-07-23 |
Family
ID=17480031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26999091A Expired - Lifetime JP3190710B2 (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3190710B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08251000A (ja) * | 1995-03-13 | 1996-09-27 | Nec Corp | バスドライバ及びバス伝送システム |
DE19547768C1 (de) * | 1995-12-20 | 1997-05-28 | Sgs Thomson Microelectronics | Elektrische Schaltvorrichtung |
EP0999644A1 (en) * | 1998-10-28 | 2000-05-10 | STMicroelectronics S.r.l. | Level shifter electronic device having a very low consumption |
KR100482361B1 (ko) * | 1997-09-10 | 2005-09-14 | 삼성전자주식회사 | 오픈드레인및풀업회로 |
JP2007036433A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Seiko Epson Corp | 外部信号検出回路およびリアルタイムクロック |
-
1991
- 1991-09-20 JP JP26999091A patent/JP3190710B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH08251000A (ja) * | 1995-03-13 | 1996-09-27 | Nec Corp | バスドライバ及びバス伝送システム |
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EP0780978A2 (de) | 1995-12-20 | 1997-06-25 | Sgs-Thomson Microelectronics Gmbh | Elektrische Schaltvorrichtung |
EP0780978A3 (de) * | 1995-12-20 | 1999-05-19 | Sgs-Thomson Microelectronics Gmbh | Elektrische Schaltvorrichtung |
US6020779A (en) * | 1995-12-20 | 2000-02-01 | Stmicroelectronics Gmbh | Electrical switching device with control signal input |
KR100482361B1 (ko) * | 1997-09-10 | 2005-09-14 | 삼성전자주식회사 | 오픈드레인및풀업회로 |
EP0999644A1 (en) * | 1998-10-28 | 2000-05-10 | STMicroelectronics S.r.l. | Level shifter electronic device having a very low consumption |
US6285233B1 (en) | 1998-10-28 | 2001-09-04 | Stmicroelectronics S.R.L. | Low consumption electronic level shifter device |
JP2007036433A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Seiko Epson Corp | 外部信号検出回路およびリアルタイムクロック |
JP4701898B2 (ja) * | 2005-07-25 | 2011-06-15 | セイコーエプソン株式会社 | 外部信号検出回路およびリアルタイムクロック |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3190710B2 (ja) | 2001-07-23 |
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