JP3190710B2 - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- integrated circuit
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特に、オープンドレイ
ン端子のプルアップ抵抗又はプルダウン抵抗を内蔵する
半導体集積回路に関する。
ン端子のプルアップ抵抗又はプルダウン抵抗を内蔵する
半導体集積回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来のこの種の半導体集積回路
を示す回路図である。
を示す回路図である。
【０００３】ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ４２はド
レインが外部出力端子４５に接続され、ソースがグラン
ドに接続され、ゲートが半導体集積回路４８の内部の信
号を受ける入力端子４１に接続されている。また、Ｎチ
ャンネルＭＯＳトランジスタ４２のドレインはスイッチ
４４の一端にも接続され、スイッチ４４の他端はプルア
ップ抵抗４３の一端に接続されている。プルアップ抵抗
４３の他端は電源電圧に接続されている。
レインが外部出力端子４５に接続され、ソースがグラン
ドに接続され、ゲートが半導体集積回路４８の内部の信
号を受ける入力端子４１に接続されている。また、Ｎチ
ャンネルＭＯＳトランジスタ４２のドレインはスイッチ
４４の一端にも接続され、スイッチ４４の他端はプルア
ップ抵抗４３の一端に接続されている。プルアップ抵抗
４３の他端は電源電圧に接続されている。
【０００４】このように構成された従来の半導体集積回
路においては、外部端子４５の出力レベルとして、ハイ
出力時は半導体集積回路４８の電源電圧レベル、ロー出
力時はグランドレベルを使用する場合は、スイッチ４４
をオンさせる。そうすると、入力端子４１にハイレベル
が入力された場合は、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ
４２がオフし、外部端子４５はプルアップ抵抗４３を介
して電源電圧レベルになる。入力端子４１にローレベル
が入力されると、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ４２
がオンし、外部端子４５はグランドレベルになる。
路においては、外部端子４５の出力レベルとして、ハイ
出力時は半導体集積回路４８の電源電圧レベル、ロー出
力時はグランドレベルを使用する場合は、スイッチ４４
をオンさせる。そうすると、入力端子４１にハイレベル
が入力された場合は、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ
４２がオフし、外部端子４５はプルアップ抵抗４３を介
して電源電圧レベルになる。入力端子４１にローレベル
が入力されると、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ４２
がオンし、外部端子４５はグランドレベルになる。
【０００５】外部端子４５の出力レベルとして、ハイ出
力時は半導体集積回路４８の電源電圧より高い電圧レベ
ル、ロー出力時はグランドレベルを使用する場合は、ス
イッチ４４をオフにし、外部端子４５に半導体集積回路
４８の電源電圧より高い電圧レベルに接続された外付け
のプルアップ抵抗４７を接続する。そうすると、入力端
子４１にハイレベルが入力された場合は、Ｎチャンネル
ＭＯＳトランジスタ４２はオフし、外部端子４５は外付
けプルアップ抵抗４７を介して、半導体集積回路４８の
電源電圧より高い電圧レベルになる。入力端子４１にロ
ーレベルが入力された場合は、ＮチャンネルＭＯＳトラ
ンジスタ４２はオンし、外部端子４５はグランドレベル
になる。
力時は半導体集積回路４８の電源電圧より高い電圧レベ
ル、ロー出力時はグランドレベルを使用する場合は、ス
イッチ４４をオフにし、外部端子４５に半導体集積回路
４８の電源電圧より高い電圧レベルに接続された外付け
のプルアップ抵抗４７を接続する。そうすると、入力端
子４１にハイレベルが入力された場合は、Ｎチャンネル
ＭＯＳトランジスタ４２はオフし、外部端子４５は外付
けプルアップ抵抗４７を介して、半導体集積回路４８の
電源電圧より高い電圧レベルになる。入力端子４１にロ
ーレベルが入力された場合は、ＮチャンネルＭＯＳトラ
ンジスタ４２はオンし、外部端子４５はグランドレベル
になる。
【０００６】但し、この場合、電源電圧より高いレベル
が外部端子４５に印加されるため、スイッチ４４は半導
体集積回路の製造段階で、アルミニウム配線の接続又は
非接続等により、物理的にオン又はオフにする必要があ
る。
が外部端子４５に印加されるため、スイッチ４４は半導
体集積回路の製造段階で、アルミニウム配線の接続又は
非接続等により、物理的にオン又はオフにする必要があ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来のプルアップ抵抗４３又はプルダウン抵抗をドレイン
である端子に接続する半導体集積回路においては、半導
体集積回路の製造段階のアルミニウム配線の工程等でプ
ルアップ抵抗又はプルダウン抵抗の内蔵又は非内蔵を選
択してしまうため、半導体集積回路の製造後に、これを
ソフトウェアで切り替えることができないという問題点
があった。
来のプルアップ抵抗４３又はプルダウン抵抗をドレイン
である端子に接続する半導体集積回路においては、半導
体集積回路の製造段階のアルミニウム配線の工程等でプ
ルアップ抵抗又はプルダウン抵抗の内蔵又は非内蔵を選
択してしまうため、半導体集積回路の製造後に、これを
ソフトウェアで切り替えることができないという問題点
があった。
【０００８】また、ドレインの外部端子４５に半導体集
積回路４８の電源電圧より高い電圧がかかる場合には、
外付けのプルアップ抵抗４７を接続する必要があり、回
路の基盤面積が大きくなるという欠点があった。
積回路４８の電源電圧より高い電圧がかかる場合には、
外付けのプルアップ抵抗４７を接続する必要があり、回
路の基盤面積が大きくなるという欠点があった。
【０００９】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、ソフトウェアでプルアップ抵抗又はプルダ
ウン抵抗の接続又は非接続を選択することができる半導
体集積回路を提供することを目的とする。
のであって、ソフトウェアでプルアップ抵抗又はプルダ
ウン抵抗の接続又は非接続を選択することができる半導
体集積回路を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体集積
回路は、半導体集積回路の電源電圧用端子とは異なる外
部電位供給端子を備え、出力用ＭＯＳトランジスタの一
方の電極を外部出力端子に接続すると共に、前記出力用
ＭＯＳトランジスタの一方の電極と前記外部電位供給端
子との間にプルアップ手段又はプルダウン手段が接続さ
れ、 前記プルアップ手段又はプルダウン手段は、前記電
源電圧用端子から供給された電源電圧レベルの制御信号
を前記外部電位供給端子から供給された電圧レベルに変
換した制御信号によりオン・オフ制御されるものである
ことを特徴とする。
回路は、半導体集積回路の電源電圧用端子とは異なる外
部電位供給端子を備え、出力用ＭＯＳトランジスタの一
方の電極を外部出力端子に接続すると共に、前記出力用
ＭＯＳトランジスタの一方の電極と前記外部電位供給端
子との間にプルアップ手段又はプルダウン手段が接続さ
れ、 前記プルアップ手段又はプルダウン手段は、前記電
源電圧用端子から供給された電源電圧レベルの制御信号
を前記外部電位供給端子から供給された電圧レベルに変
換した制御信号によりオン・オフ制御されるものである
ことを特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明においては、電源電圧とグランドとの間
で振幅する半導体集積回路内部の制御信号を、レベルシ
フタが外部電位供給端子に入力された電圧とグランドと
の間の振幅に変換し、このレベルシフタの出力信号をＰ
（又はＮ）チャンネルＭＯＳトランジスタのゲートに入
力する。これにより、回路内部の制御信号がハイ（又は
ロー）レベルのときに、前記Ｐ（又はＮ）チャンネルＭ
ＯＳトランジスタがオフして、前記プルアップ抵抗（又
はプルダウン抵抗）が外部出力端子から切り離される。
一方、前記制御信号がロー（又はハイ）レベルの場合に
は、前記Ｐ（又はＮ）チャンネルＭＯＳトランジスタが
オンして、外部出力端子にプルアップ抵抗（又はプルダ
ウン抵抗）が接続され、外部出力端子には、外部電位供
給端子に入力された電圧に基づいて、半導体集積回路の
電源電圧より高い電圧（又はグランドレベルより低い電
圧）が出力される。
で振幅する半導体集積回路内部の制御信号を、レベルシ
フタが外部電位供給端子に入力された電圧とグランドと
の間の振幅に変換し、このレベルシフタの出力信号をＰ
（又はＮ）チャンネルＭＯＳトランジスタのゲートに入
力する。これにより、回路内部の制御信号がハイ（又は
ロー）レベルのときに、前記Ｐ（又はＮ）チャンネルＭ
ＯＳトランジスタがオフして、前記プルアップ抵抗（又
はプルダウン抵抗）が外部出力端子から切り離される。
一方、前記制御信号がロー（又はハイ）レベルの場合に
は、前記Ｐ（又はＮ）チャンネルＭＯＳトランジスタが
オンして、外部出力端子にプルアップ抵抗（又はプルダ
ウン抵抗）が接続され、外部出力端子には、外部電位供
給端子に入力された電圧に基づいて、半導体集積回路の
電源電圧より高い電圧（又はグランドレベルより低い電
圧）が出力される。
【００１２】
【実施例】次に、本発明の実施例について添付の図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００１３】図１は本発明の第１の実施例に係るプルア
ップ抵抗選択回路を示す回路図である。ＮチャンネルＭ
ＯＳトランジスタ８はそのドレインが外部出力端子１２
に接続され、ソースとウェルがグランドに接続され、ゲ
ートが半導体集積回路１３の内部の信号を受ける入力端
子７に接続されている。また、ＮチャンネルＭＯＳトラ
ンジスタ８のドレインはスイッチであるＰチャンネルＭ
ＯＳトランジスタ１０のドレインに接続され、Ｐチャン
ネルＭＯＳトランジスタ１０のソースはプルアップ抵抗
９の一端に接続され、プルアップ抵抗９の他端は外部電
位供給端子１１に接続されている。外部電位供給端子１
１はＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１０のＮウェルに
も接続されている。
ップ抵抗選択回路を示す回路図である。ＮチャンネルＭ
ＯＳトランジスタ８はそのドレインが外部出力端子１２
に接続され、ソースとウェルがグランドに接続され、ゲ
ートが半導体集積回路１３の内部の信号を受ける入力端
子７に接続されている。また、ＮチャンネルＭＯＳトラ
ンジスタ８のドレインはスイッチであるＰチャンネルＭ
ＯＳトランジスタ１０のドレインに接続され、Ｐチャン
ネルＭＯＳトランジスタ１０のソースはプルアップ抵抗
９の一端に接続され、プルアップ抵抗９の他端は外部電
位供給端子１１に接続されている。外部電位供給端子１
１はＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１０のＮウェルに
も接続されている。
【００１４】また、外部電位供給端子１１には２つのＰ
チャンネルＭＯＳトランジスタ１，２のソースとウェル
が接続されている。ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１
のドレインはＮチャンネルＭＯＳトランジスタ３のドレ
インに接続されている。ＮチャンネルＭＯＳトランジス
タ３のソースとウェルはグランドに接続され、ゲートは
半導体集積回路１３の内部の制御信号を受ける制御信号
入力端子５に接続されている。ＰチャンネルＭＯＳトラ
ンジスタ２のドレインはＮチャンネルＭＯＳトランジス
タ４のドレインに接続されている。ＮチャンネルＭＯＳ
トランジスタ４はそのソースとウェルがグランドに接続
され、ゲートはインバータ６を介して、半導体集積回路
１３の内部の制御信号を受ける制御信号入力端子５とに
接続されている。ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１の
ドレインとＮチャンネルＭＯＳトランジスタ３のドレイ
ンとの接点から得られる出力は、ＰチャンネルＭＯＳト
ランジスタ２のゲートに入力されている。Ｐチャンネル
ＭＯＳトランジスタ２のドレインとＮチャンネルＭＯＳ
トランジスタ４のドレインとの接点から得られる出力
は、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１のゲートとＰチ
ャンネルＭＯＳトランジスタ１０のゲートに入力されて
いる。
チャンネルＭＯＳトランジスタ１，２のソースとウェル
が接続されている。ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１
のドレインはＮチャンネルＭＯＳトランジスタ３のドレ
インに接続されている。ＮチャンネルＭＯＳトランジス
タ３のソースとウェルはグランドに接続され、ゲートは
半導体集積回路１３の内部の制御信号を受ける制御信号
入力端子５に接続されている。ＰチャンネルＭＯＳトラ
ンジスタ２のドレインはＮチャンネルＭＯＳトランジス
タ４のドレインに接続されている。ＮチャンネルＭＯＳ
トランジスタ４はそのソースとウェルがグランドに接続
され、ゲートはインバータ６を介して、半導体集積回路
１３の内部の制御信号を受ける制御信号入力端子５とに
接続されている。ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１の
ドレインとＮチャンネルＭＯＳトランジスタ３のドレイ
ンとの接点から得られる出力は、ＰチャンネルＭＯＳト
ランジスタ２のゲートに入力されている。Ｐチャンネル
ＭＯＳトランジスタ２のドレインとＮチャンネルＭＯＳ
トランジスタ４のドレインとの接点から得られる出力
は、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１のゲートとＰチ
ャンネルＭＯＳトランジスタ１０のゲートに入力されて
いる。
【００１５】次に、上述の如く構成された半導体集積回
路の動作について説明する。制御信号入力端子５にハイ
レベルが入力されたときは、ＮチャンネルＭＯＳトラン
ジスタ３はオン、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ４の
ゲートにはローレベルが入力されるのでオフする。この
とき、ローレベルがＰチャンネルＭＯＳトランジスタ２
のゲートに入力されるのでオンし、ＰチャンネルＭＯＳ
トランジスタ１のゲートとＰチャンネルＭＯＳトランジ
スタ１０のゲートに外部電位供給端子１１の電圧レベル
が供給される。外部電位供給端子１１には外部出力端子
１２にかかるハイレベルの電圧レベル（半導体集積回路
の電源電圧以上の電圧）が入力されているので、Ｐチャ
ンネルＭＯＳトランジスタ１とＰチャンネルＭＯＳトラ
ンジスタ１０はオフして、外部出力端子１２からプルア
ップ抵抗９が切り離される。
路の動作について説明する。制御信号入力端子５にハイ
レベルが入力されたときは、ＮチャンネルＭＯＳトラン
ジスタ３はオン、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ４の
ゲートにはローレベルが入力されるのでオフする。この
とき、ローレベルがＰチャンネルＭＯＳトランジスタ２
のゲートに入力されるのでオンし、ＰチャンネルＭＯＳ
トランジスタ１のゲートとＰチャンネルＭＯＳトランジ
スタ１０のゲートに外部電位供給端子１１の電圧レベル
が供給される。外部電位供給端子１１には外部出力端子
１２にかかるハイレベルの電圧レベル（半導体集積回路
の電源電圧以上の電圧）が入力されているので、Ｐチャ
ンネルＭＯＳトランジスタ１とＰチャンネルＭＯＳトラ
ンジスタ１０はオフして、外部出力端子１２からプルア
ップ抵抗９が切り離される。
【００１６】このときは、外部出力端子１２は通常のド
レインの端子として使用でき、任意の抵抗値の外付けプ
ルアップ抵抗を接続できる。
レインの端子として使用でき、任意の抵抗値の外付けプ
ルアップ抵抗を接続できる。
【００１７】制御信号入力端子５にローレベルが入力さ
れたとき、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ３はオフに
なり、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ４のゲートには
ハイレベルが入力されるのでオンする。このとき、ロー
レベルのグランドレベルがＰチャンネルＭＯＳトランジ
スタ１のゲートとＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１０
のゲートに入力され、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ
１とＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１０はオンする。
これにより、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ２のゲー
トには外部電位供給端子１１からハイレベルが入力され
てオフし、またＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１０は
オンしているので、外部出力端子１２にはプルアップ抵
抗９が接続される。
れたとき、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ３はオフに
なり、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ４のゲートには
ハイレベルが入力されるのでオンする。このとき、ロー
レベルのグランドレベルがＰチャンネルＭＯＳトランジ
スタ１のゲートとＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１０
のゲートに入力され、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ
１とＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１０はオンする。
これにより、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ２のゲー
トには外部電位供給端子１１からハイレベルが入力され
てオフし、またＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１０は
オンしているので、外部出力端子１２にはプルアップ抵
抗９が接続される。
【００１８】このときは、プルアップ抵抗９を半導体集
積回路１３に内蔵した状態になり、外部出力端子１２よ
りハイレベルの電圧レベルを外部電位供給端子１１に入
力することによって、半導体集積回路１３の電源電圧よ
り高い電圧を外部出力端子１２から出力できる。
積回路１３に内蔵した状態になり、外部出力端子１２よ
りハイレベルの電圧レベルを外部電位供給端子１１に入
力することによって、半導体集積回路１３の電源電圧よ
り高い電圧を外部出力端子１２から出力できる。
【００１９】図２は本発明の第２の実施例に係るプルダ
ウン抵抗選択回路を示す回路図である。
ウン抵抗選択回路を示す回路図である。
【００２０】ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ２８はそ
のドレインが外部出力端子３２に接続され、ソースとウ
ェルが半導体集積回路３３の電源電圧に接続され、ゲー
トが半導体集積回路３３の内部の信号を受ける入力端子
２７に接続されている。また、ＰチャンネルＭＯＳトラ
ンジスタ２８のドレインはスイッチであるＮチャンネル
ＭＯＳトランジスタ３０のドレインに接続され、Ｎチャ
ンネルＭＯＳトランジスタ３０のソースはプルダウン抵
抗２９の一端に接続され、プルダウン抵抗２９の他端は
外部電位供給端子３１に接続されている。外部電位供給
端子３１はＮチャンネルＭＯＳトランジスタ３０のウェ
ルにも接続されている。
のドレインが外部出力端子３２に接続され、ソースとウ
ェルが半導体集積回路３３の電源電圧に接続され、ゲー
トが半導体集積回路３３の内部の信号を受ける入力端子
２７に接続されている。また、ＰチャンネルＭＯＳトラ
ンジスタ２８のドレインはスイッチであるＮチャンネル
ＭＯＳトランジスタ３０のドレインに接続され、Ｎチャ
ンネルＭＯＳトランジスタ３０のソースはプルダウン抵
抗２９の一端に接続され、プルダウン抵抗２９の他端は
外部電位供給端子３１に接続されている。外部電位供給
端子３１はＮチャンネルＭＯＳトランジスタ３０のウェ
ルにも接続されている。
【００２１】また、外部電位供給端子３１には２つのＮ
チャンネルＭＯＳトランジスタ２１，２２のソースとウ
ェルが接続されている。ＮチャンネルＭＯＳトランジス
タ２１のドレインはＰチャンネルＭＯＳトランジスタ２
３のドレインに接続されている。ＰチャンネルＭＯＳト
ランジスタ２３のソースとウェルは半導体集積回路３３
の電源電圧に接続され、ゲートは半導体集積回路３３の
内部の制御信号を受ける制御信号入力端子２５に接続さ
れている。ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ２２のドレ
インはＰチャンネルＭＯＳトランジスタ２４のドレイン
に接続されている。ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ２
４のソースとウェルは半導体集積回路３３の電源電圧に
接続され、ゲートはインバータ２６を介して、半導体集
積回路３３の内部の制御信号を受ける制御信号入力端子
２５に接続されている。ＮチャンネルＭＯＳトランジス
タ２１のドレインとＰチャンネルＭＯＳトランジスタ２
３のドレインとの接点から得られる出力は、Ｎチャンネ
ルＭＯＳトランジスタ２２のゲートに入力されている。
ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ２２のドレインとＰチ
ャンネルＭＯＳトランジスタ２４のドレインとの接点か
ら得られる出力は、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ２
１のゲートとＮチャンネルＭＯＳトランジスタ３０のゲ
ートに入力されている。
チャンネルＭＯＳトランジスタ２１，２２のソースとウ
ェルが接続されている。ＮチャンネルＭＯＳトランジス
タ２１のドレインはＰチャンネルＭＯＳトランジスタ２
３のドレインに接続されている。ＰチャンネルＭＯＳト
ランジスタ２３のソースとウェルは半導体集積回路３３
の電源電圧に接続され、ゲートは半導体集積回路３３の
内部の制御信号を受ける制御信号入力端子２５に接続さ
れている。ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ２２のドレ
インはＰチャンネルＭＯＳトランジスタ２４のドレイン
に接続されている。ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ２
４のソースとウェルは半導体集積回路３３の電源電圧に
接続され、ゲートはインバータ２６を介して、半導体集
積回路３３の内部の制御信号を受ける制御信号入力端子
２５に接続されている。ＮチャンネルＭＯＳトランジス
タ２１のドレインとＰチャンネルＭＯＳトランジスタ２
３のドレインとの接点から得られる出力は、Ｎチャンネ
ルＭＯＳトランジスタ２２のゲートに入力されている。
ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ２２のドレインとＰチ
ャンネルＭＯＳトランジスタ２４のドレインとの接点か
ら得られる出力は、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ２
１のゲートとＮチャンネルＭＯＳトランジスタ３０のゲ
ートに入力されている。
【００２２】次に、上述の如く構成された半導体集積回
路の動作について説明する。制御信号入力端子２５にロ
ーレベルが入力されたときは、ＰチャンネルＭＯＳトラ
ンジスタ２３はオンし、ＰチャンネルＭＯＳトランジス
タ２４のゲートにはハイレベルが入力されるのでオフす
る。このとき、ハイレベルがＮチャンネルＭＯＳトラン
ジスタ２２のゲートに入力されるのでオンし、Ｎチャン
ネルＭＯＳトランジスタ２１のゲートとＮチャンネルＭ
ＯＳトランジスタ３０のゲートに外部電位供給端子３１
の電圧レベルが供給される。外部電位供給端子３１には
外部出力端子３２にかかるローレベルの電圧レベル（半
導体集積回路のグランド以下の電圧）が入力されている
ので、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ２１とＮチャン
ネルＭＯＳトランジスタ３０はオフして、外部出力端子
３２からプルダウン抵抗２９が切り離される。
路の動作について説明する。制御信号入力端子２５にロ
ーレベルが入力されたときは、ＰチャンネルＭＯＳトラ
ンジスタ２３はオンし、ＰチャンネルＭＯＳトランジス
タ２４のゲートにはハイレベルが入力されるのでオフす
る。このとき、ハイレベルがＮチャンネルＭＯＳトラン
ジスタ２２のゲートに入力されるのでオンし、Ｎチャン
ネルＭＯＳトランジスタ２１のゲートとＮチャンネルＭ
ＯＳトランジスタ３０のゲートに外部電位供給端子３１
の電圧レベルが供給される。外部電位供給端子３１には
外部出力端子３２にかかるローレベルの電圧レベル（半
導体集積回路のグランド以下の電圧）が入力されている
ので、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ２１とＮチャン
ネルＭＯＳトランジスタ３０はオフして、外部出力端子
３２からプルダウン抵抗２９が切り離される。
【００２３】このときは、外部出力端子３２は通常のド
レインの端子として使用でき、任意の抵抗値の外付けプ
ルダウン抵抗を接続できる。
レインの端子として使用でき、任意の抵抗値の外付けプ
ルダウン抵抗を接続できる。
【００２４】制御信号入力端子２５にハイレベルが入力
されたとき、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ２３はオ
フ、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ２４のゲートには
ローレベルが入力されるのでオンする。このとき、ハイ
レベルがＮチャンネルＭＯＳトランジスタ２１のゲート
とＮチャンネルＭＯＳトランジスタ３０のゲートに入力
され、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ２１とＮチャン
ネルＭＯＳトランジスタ３０はオンして、Ｎチャンネル
ＭＯＳトランジスタ２２のゲートには外部電位供給端子
３１からローレベルが入力されてオフし、Ｐチャンネル
ＭＯＳトランジスタ３０がオンすることによって、外部
出力端子３２にはプルダウン抵抗２９が接続される。
されたとき、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ２３はオ
フ、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ２４のゲートには
ローレベルが入力されるのでオンする。このとき、ハイ
レベルがＮチャンネルＭＯＳトランジスタ２１のゲート
とＮチャンネルＭＯＳトランジスタ３０のゲートに入力
され、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ２１とＮチャン
ネルＭＯＳトランジスタ３０はオンして、Ｎチャンネル
ＭＯＳトランジスタ２２のゲートには外部電位供給端子
３１からローレベルが入力されてオフし、Ｐチャンネル
ＭＯＳトランジスタ３０がオンすることによって、外部
出力端子３２にはプルダウン抵抗２９が接続される。
【００２５】このときは、プルダウン抵抗２９を半導体
集積回路３３に内蔵した状態になり、外部出力端子３２
よりローレベルの電圧レベルを外部電位供給端子３１に
入力することによって、半導体集積回路３３のグランド
レベルより低い電圧を外部出力端子３２から出力でき
る。
集積回路３３に内蔵した状態になり、外部出力端子３２
よりローレベルの電圧レベルを外部電位供給端子３１に
入力することによって、半導体集積回路３３のグランド
レベルより低い電圧を外部出力端子３２から出力でき
る。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体集
積回路の電源電圧端子以外の外部電位供給端子と、電源
電圧を外部電位供給端子から入力される電圧にレベル変
換するレベルシフタとを備え、ドレイン端子にプルアッ
プ抵抗又はプルダウン抵抗の接続又は非接続を選択する
スイッチをＭＯＳトランジスタで構成し、ＭＯＳトラン
ジスタのウェルとソースの電源を外部電位供給端子から
取るようにしたので、プルダウン抵抗又はぷるアップ抵
抗の接続又は非接続を選択するスイッチの切り替えをソ
フトウェアで制御できるという効果を有する。
積回路の電源電圧端子以外の外部電位供給端子と、電源
電圧を外部電位供給端子から入力される電圧にレベル変
換するレベルシフタとを備え、ドレイン端子にプルアッ
プ抵抗又はプルダウン抵抗の接続又は非接続を選択する
スイッチをＭＯＳトランジスタで構成し、ＭＯＳトラン
ジスタのウェルとソースの電源を外部電位供給端子から
取るようにしたので、プルダウン抵抗又はぷるアップ抵
抗の接続又は非接続を選択するスイッチの切り替えをソ
フトウェアで制御できるという効果を有する。
【００２７】また、ドレインの外部出力端子に半導体集
積回路の電源電圧より高い電圧又はグランドより低い電
圧がかかるときに、外付けプルアップ抵抗又は外付けの
プルダウン抵抗をつける必要がなくなり、回路の基盤面
積が小さくなるという効果を有する。
積回路の電源電圧より高い電圧又はグランドより低い電
圧がかかるときに、外付けプルアップ抵抗又は外付けの
プルダウン抵抗をつける必要がなくなり、回路の基盤面
積が小さくなるという効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例に係る半導体集積回路を
示す回路図である。
示す回路図である。
【図２】本発明の第２の実施例に係る半導体集積回路を
示す回路図である。
示す回路図である。
【図３】従来の半導体集積回路を示す回路図である。
１，２，３，２３，２４，２８；ＰチャンネルＭＯＳト
ランジスタ ３，４，８，２１，２２，３０，４２；ＮチャンネルＭ
ＯＳトランジスタ １５，２５；制御信号入力端子 １６，２６；インバータ ７，２７，４１；入力端子 ９，４３；プルアップ抵抗 １１，３１；外部電位供給端子 １２，３２，４５；外部出力端子 １３；Ｐ基盤半導体集積回路 ２９；プルダウン抵抗 ３３；Ｎ基盤半導体集積回路 ４４；スイッチ ４６；半導体集積回路 ４７；外付けプルアップ抵抗
ランジスタ ３，４，８，２１，２２，３０，４２；ＮチャンネルＭ
ＯＳトランジスタ １５，２５；制御信号入力端子 １６，２６；インバータ ７，２７，４１；入力端子 ９，４３；プルアップ抵抗 １１，３１；外部電位供給端子 １２，３２，４５；外部出力端子 １３；Ｐ基盤半導体集積回路 ２９；プルダウン抵抗 ３３；Ｎ基盤半導体集積回路 ４４；スイッチ ４６；半導体集積回路 ４７；外付けプルアップ抵抗
Claims (4)
- 【請求項１】半導体集積回路の電源電圧用端子とは異な
る外部電位供給端子を備え、出力用ＭＯＳトランジスタ
の一方の電極を外部出力端子に接続すると共に、前記出
力用ＭＯＳトランジスタの一方の電極と前記外部電位供
給端子との間にプルアップ手段が接続され、 前記プルアップ手段は、前記電源電圧用端子から供給さ
れた電源電圧レベルの制御信号を前記外部電位供給端子
から供給された電圧レベルに変換した制御信号によりオ
ン・オフ制御されるものである ことを特徴とする半導体
集積回路。 - 【請求項２】前記プルアップ手段は、抵抗とスイッチン
グＭＯＳトランジスタとの直列接続であり、前記スイッ
チングＭＯＳトランジスタは、前記電源電圧用端子から
供給された電源電圧レベルの制御信号を前記外部電位供
給端子から供給された電圧レベルに変換した制御信号に
よりオン・オフ制御されるものであることを特徴とする
請求項１に記載の半導体集積回路。 - 【請求項３】半導体集積回路の電源電圧用端子とは異な
る外部電位供給端子を備え、出力用ＭＯＳトランジスタ
の一方の電極を外部出力端子に接続すると共に、前記出
力用ＭＯＳトランジスタの一方の電極と前記外部電位供
給端子との間にプルダウン手段が接続され、 前記プルダウン手段は、前記電源電圧用端子から供給さ
れた電源電圧レベルの制御信号を前記外部電位供給端子
から供給された電圧レベルに変換した制御信号によりオ
ン・オフ制御されるものであることを特徴とする 半導体
集積回路。 - 【請求項４】前記プルダウン手段は、抵抗とスイッチン
グＭＯＳトランジスタとの直列接続であり、前記スイッ
チングＭＯＳトランジスタは、前記電源電圧用端子から
供給された電源電圧レベルの制御信号を前記外部電位供
給端子から供給された電圧レベルに変換した制御信号に
よりオン・オフ制御されるものであることを特徴とする
請求項３に記載の半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26999091A JP3190710B2 (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26999091A JP3190710B2 (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0583104A JPH0583104A (ja) | 1993-04-02 |
| JP3190710B2 true JP3190710B2 (ja) | 2001-07-23 |
Family
ID=17480031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26999091A Expired - Lifetime JP3190710B2 (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3190710B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2797998B2 (ja) * | 1995-03-13 | 1998-09-17 | 日本電気株式会社 | バスドライバ及びバス伝送システム |
| DE19547768C1 (de) * | 1995-12-20 | 1997-05-28 | Sgs Thomson Microelectronics | Elektrische Schaltvorrichtung |
| KR100482361B1 (ko) * | 1997-09-10 | 2005-09-14 | 삼성전자주식회사 | 오픈드레인및풀업회로 |
| EP0999644B1 (en) * | 1998-10-28 | 2004-08-18 | STMicroelectronics S.r.l. | Level shifter electronic device having a very low consumption |
| JP4701898B2 (ja) * | 2005-07-25 | 2011-06-15 | セイコーエプソン株式会社 | 外部信号検出回路およびリアルタイムクロック |
-
1991
- 1991-09-20 JP JP26999091A patent/JP3190710B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0583104A (ja) | 1993-04-02 |
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