JPH0583041A - ゲートバイアス制御回路 - Google Patents
ゲートバイアス制御回路Info
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- JPH0583041A JPH0583041A JP3314366A JP31436691A JPH0583041A JP H0583041 A JPH0583041 A JP H0583041A JP 3314366 A JP3314366 A JP 3314366A JP 31436691 A JP31436691 A JP 31436691A JP H0583041 A JPH0583041 A JP H0583041A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0261—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低出力電力時にＦＥＴのドレイン電流を低下
させ、消費電力を低減させることのできるゲートバイア
ス制御回路を得る。 【構成】 ＦＥＴ１１のゲート電圧を表わしたゲート電
圧データを記憶したＲＯＭ１７と、出力電力に応じてこ
のＲＯＭ１７から読み出されたデータをアナログデータ
に変換するＡ／Ｄ変換器１８と、変換後のアナログデー
タを反転増幅する反転増幅器１９からゲートバイアス制
御回路１３が構成されている。反転増幅器１９の出力は
ＦＥＴ１１のゲートＧに印加される。すなわち、出力電
力を制御するときにこれに同期してゲート電圧を制御す
るようにしたので、ＦＥＴのＡ級およびＡＢ級電力増幅
器において、低出力電力時にドレイン電流を低下させる
ことができ、消費電力を低く抑えることができる。
させ、消費電力を低減させることのできるゲートバイア
ス制御回路を得る。 【構成】 ＦＥＴ１１のゲート電圧を表わしたゲート電
圧データを記憶したＲＯＭ１７と、出力電力に応じてこ
のＲＯＭ１７から読み出されたデータをアナログデータ
に変換するＡ／Ｄ変換器１８と、変換後のアナログデー
タを反転増幅する反転増幅器１９からゲートバイアス制
御回路１３が構成されている。反転増幅器１９の出力は
ＦＥＴ１１のゲートＧに印加される。すなわち、出力電
力を制御するときにこれに同期してゲート電圧を制御す
るようにしたので、ＦＥＴのＡ級およびＡＢ級電力増幅
器において、低出力電力時にドレイン電流を低下させる
ことができ、消費電力を低く抑えることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電界効果トランジスタで
構成された増幅器に係わり、特にゲートバイアスすなわ
ちドレイン電流の制御を行うことができるようにしたゲ
ートバイアス制御回路に関する。
構成された増幅器に係わり、特にゲートバイアスすなわ
ちドレイン電流の制御を行うことができるようにしたゲ
ートバイアス制御回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、電界効果トランジスタを用いた
従来の増幅器の一例を表わしたものである。この増幅器
には、ガリウム砒素電界効果トランジスタ（ＧａＡｓ
ＦＥＴ）４１が使用されている。ＧａＡｓ ＦＥＴ４１
のドレインＤには出力端子４２とチョークコイル４３の
一端が接続されており、チョークコイル４３の他端には
一端を接地したコンデンサ４４およびドレインバイアス
回路４５が接続されている。ＦＥＴ４１のソースＳは接
地されているので、ドレインバイアス回路４５はドレイ
ンＤとソースＳの間に配置されているということができ
る。ＧａＡｓ ＦＥＴ４１のゲートＧには入力端子４７
とチョークコイル４８の一端が接続されている。チョー
クコイル４８の他端には一端を接地したコンデンサ４９
とゲートバイアス回路４９が接続されている。ゲートバ
イアス回路４９は、ゲートＧとソースＳの間に配置され
ているということができる。
従来の増幅器の一例を表わしたものである。この増幅器
には、ガリウム砒素電界効果トランジスタ（ＧａＡｓ
ＦＥＴ）４１が使用されている。ＧａＡｓ ＦＥＴ４１
のドレインＤには出力端子４２とチョークコイル４３の
一端が接続されており、チョークコイル４３の他端には
一端を接地したコンデンサ４４およびドレインバイアス
回路４５が接続されている。ＦＥＴ４１のソースＳは接
地されているので、ドレインバイアス回路４５はドレイ
ンＤとソースＳの間に配置されているということができ
る。ＧａＡｓ ＦＥＴ４１のゲートＧには入力端子４７
とチョークコイル４８の一端が接続されている。チョー
クコイル４８の他端には一端を接地したコンデンサ４９
とゲートバイアス回路４９が接続されている。ゲートバ
イアス回路４９は、ゲートＧとソースＳの間に配置され
ているということができる。
【０００３】ここでドレインバイアス回路４５はＧａＡ
ｓ ＦＥＴ４１を動作させるための主電源であり、通常
の場合には電圧降下を防ぐためにバッテリや外部電源等
の電源からＧａＡｓ ＦＥＴ４１のドレインに直接接続
されるようになっている。またゲートバイアス回路４９
は、ＧａＡｓ ＦＥＴ４１のチャネル幅すなわちドレイ
ン電流を制御するためのものである。本実施例ではガリ
ウム砒素電界効果トランジスタを使用しているので、ド
レインＤには正電圧を、ゲートＧには負電圧を印加す
る。負電圧は通常の場合、バッテリや外部電源等のＤＣ
電源（＋）からＤＣ・ＤＣコンバータを用いて作り出さ
れるようになっている。この図４に示したレイヤでは、
ゲートバイアス回路４９を安定化回路回路５１とＤＣ・
ＤＣコンバータ５２で構成している。
ｓ ＦＥＴ４１を動作させるための主電源であり、通常
の場合には電圧降下を防ぐためにバッテリや外部電源等
の電源からＧａＡｓ ＦＥＴ４１のドレインに直接接続
されるようになっている。またゲートバイアス回路４９
は、ＧａＡｓ ＦＥＴ４１のチャネル幅すなわちドレイ
ン電流を制御するためのものである。本実施例ではガリ
ウム砒素電界効果トランジスタを使用しているので、ド
レインＤには正電圧を、ゲートＧには負電圧を印加す
る。負電圧は通常の場合、バッテリや外部電源等のＤＣ
電源（＋）からＤＣ・ＤＣコンバータを用いて作り出さ
れるようになっている。この図４に示したレイヤでは、
ゲートバイアス回路４９を安定化回路回路５１とＤＣ・
ＤＣコンバータ５２で構成している。
【０００４】図５は、図４で説明したゲートバイアス回
路を増幅器に用いたアナログＦＭ携帯機の構成を表わし
たものである。このアナログＦＭ携帯機の電力増幅器
（ＰＡ）６１には、電力効率を上げるために通常の場
合、ＧａＡｓ ＦＥＴが用いられる。このＦＥＴのドレ
インとゲートのバイアスは、ドレインバイアス回路６２
とゲートバイアス回路６３から供給されるようになって
いる。信号はベースバンド回路６５から電圧制御発振器
（ＶＣＯ）６６に供給され、ＦＭ変調信号として増幅器
６７および送信通過フィルタ６８を通り、電力増幅器６
１に入力される。この電力増幅器６１で増幅された信号
は、アイソレータ７１、デュープレクサ７２を通り、ア
ンテナ７３から空中に放出される。
路を増幅器に用いたアナログＦＭ携帯機の構成を表わし
たものである。このアナログＦＭ携帯機の電力増幅器
（ＰＡ）６１には、電力効率を上げるために通常の場
合、ＧａＡｓ ＦＥＴが用いられる。このＦＥＴのドレ
インとゲートのバイアスは、ドレインバイアス回路６２
とゲートバイアス回路６３から供給されるようになって
いる。信号はベースバンド回路６５から電圧制御発振器
（ＶＣＯ）６６に供給され、ＦＭ変調信号として増幅器
６７および送信通過フィルタ６８を通り、電力増幅器６
１に入力される。この電力増幅器６１で増幅された信号
は、アイソレータ７１、デュープレクサ７２を通り、ア
ンテナ７３から空中に放出される。
【０００５】一方、アンテナ７３から受信した信号はＲ
Ｆ増幅器７５によって増幅され、受信通過フィルタ７６
を通過した後、第１ミキサ７７に入力され、ここでシン
セサイザ７８から出力される所定周波数の信号と混合さ
れる。そしてＩＦフィルタ７９を通過した後、第２ミキ
サ８１に入力され、シンセサイザ７８から出力される所
定周波数の信号と再度混合される。そして、２番目のＩ
Ｆフィルタ８２を通過した後、ＩＦアンプ８３で増幅さ
れディスクリ検波回路８４で検波される。ディスクリ検
波回路８４の受信信号線８５は制御回路８６と接続され
ており、かつ、ベースバンド回路６５に接続されてい
る。この制御回路８６は、シンセサイザデータバス８８
によってシンセサイザ７８とも接続されている。更に、
この制御回路８６は基準電圧信号線８９によって基準電
圧Ｖref を比較回路９１に入力する。電力増幅器６１の
出力は検波ダイオード９２で検波され、この基準電圧と
比較され、この比較回路９１から出力される差分電圧を
電圧ＶD1として電力増幅器６１にフィードバックするよ
うになっている。なお符号８７は送信信号データバスを
表わしている。
Ｆ増幅器７５によって増幅され、受信通過フィルタ７６
を通過した後、第１ミキサ７７に入力され、ここでシン
セサイザ７８から出力される所定周波数の信号と混合さ
れる。そしてＩＦフィルタ７９を通過した後、第２ミキ
サ８１に入力され、シンセサイザ７８から出力される所
定周波数の信号と再度混合される。そして、２番目のＩ
Ｆフィルタ８２を通過した後、ＩＦアンプ８３で増幅さ
れディスクリ検波回路８４で検波される。ディスクリ検
波回路８４の受信信号線８５は制御回路８６と接続され
ており、かつ、ベースバンド回路６５に接続されてい
る。この制御回路８６は、シンセサイザデータバス８８
によってシンセサイザ７８とも接続されている。更に、
この制御回路８６は基準電圧信号線８９によって基準電
圧Ｖref を比較回路９１に入力する。電力増幅器６１の
出力は検波ダイオード９２で検波され、この基準電圧と
比較され、この比較回路９１から出力される差分電圧を
電圧ＶD1として電力増幅器６１にフィードバックするよ
うになっている。なお符号８７は送信信号データバスを
表わしている。
【０００６】ところで、電力増幅器６１はその増幅する
信号が振幅一定な信号としてのＦＭ変調波なので、効率
を上げるためにはＢ級あるいはＦ級といった非線形動作
を使用することができる。これらの動作クラスを用いる
と、無信号時の消費電流すなわちアイドリング小さくな
り、Ｂ級やＣ級であればこれらは零となる。また、Ｇａ
Ａｓ ＦＥＴを用いた０．８ＷクラスのＦ級電力増幅器
でも、１００数十ｍＡ以下となる。
信号が振幅一定な信号としてのＦＭ変調波なので、効率
を上げるためにはＢ級あるいはＦ級といった非線形動作
を使用することができる。これらの動作クラスを用いる
と、無信号時の消費電流すなわちアイドリング小さくな
り、Ｂ級やＣ級であればこれらは零となる。また、Ｇａ
Ａｓ ＦＥＴを用いた０．８ＷクラスのＦ級電力増幅器
でも、１００数十ｍＡ以下となる。
【０００７】このとき、増幅器の消費電流は、出力電力
の大小に依存しない。例えばＧａＡｓ ＦＥＴ電力増幅
器６１の場合では、フルパワー０．８Ｗの出力時に約４
００ｍＡの電流が流れ、パワーダウン時の８０ｍＷ出力
時には、１５０ｍＡ程度といった具合になる。
の大小に依存しない。例えばＧａＡｓ ＦＥＴ電力増幅
器６１の場合では、フルパワー０．８Ｗの出力時に約４
００ｍＡの電流が流れ、パワーダウン時の８０ｍＷ出力
時には、１５０ｍＡ程度といった具合になる。
【０００８】移動機は、一般に基地局間との電波の強弱
に応じて、基地局からの制御信号によってその出力電力
が制御されるようになっている。移動無線機側での出力
電力の制御方法としては、通常、電力増幅器６１の出力
信号を検波ダイオード８２で検波し、ＤＣ電圧に変換し
た後、制御回路８６から供給される基準電圧Ｖref と比
較回路９１で比較し、その差分電圧を電力増幅器６１の
ドライバ段のＦＥＴのドレイン端子（ＶD1）等にフィー
ドバックをして行うようになっている。出力電圧は、基
準電圧Ｖref の値によって制御され、かつ温度変化や電
池の電圧効果により電力増幅器６１の特性が変動したと
きに出力電圧を安定化させる作用（ALC;Auto Level Con
trol）も同時に行われる。
に応じて、基地局からの制御信号によってその出力電力
が制御されるようになっている。移動無線機側での出力
電力の制御方法としては、通常、電力増幅器６１の出力
信号を検波ダイオード８２で検波し、ＤＣ電圧に変換し
た後、制御回路８６から供給される基準電圧Ｖref と比
較回路９１で比較し、その差分電圧を電力増幅器６１の
ドライバ段のＦＥＴのドレイン端子（ＶD1）等にフィー
ドバックをして行うようになっている。出力電圧は、基
準電圧Ｖref の値によって制御され、かつ温度変化や電
池の電圧効果により電力増幅器６１の特性が変動したと
きに出力電圧を安定化させる作用（ALC;Auto Level Con
trol）も同時に行われる。
【０００９】このような出力電圧の制御時には、主に電
力増幅器６１のドライバ段のドレイン電圧ＶD1が制御さ
れるが、その他のバイアス電圧すなわちドライバ段以外
のドレイン電圧やゲート電圧については制御せずに一定
であった。
力増幅器６１のドライバ段のドレイン電圧ＶD1が制御さ
れるが、その他のバイアス電圧すなわちドライバ段以外
のドレイン電圧やゲート電圧については制御せずに一定
であった。
【００１０】次に図４に示したバイアス回路をディジタ
ル移動機に用いた場合について説明する。
ル移動機に用いた場合について説明する。
【００１１】図６はディジタル移動機の回路構成を表わ
したものである。このディジタル移動機の変調信号はＱ
ＰＳＫとする。直交変調器１０１から出力された信号
は、送信通過フィルタ１０２、ドライバ増幅器１０３お
よび送信通過フィルタ１０４を通って電力増幅器１０５
増幅された信号は、アイソレータ１０６、デュープレク
サ１０７を通り、アンテナ１０８から空中に放出され
る。
したものである。このディジタル移動機の変調信号はＱ
ＰＳＫとする。直交変調器１０１から出力された信号
は、送信通過フィルタ１０２、ドライバ増幅器１０３お
よび送信通過フィルタ１０４を通って電力増幅器１０５
増幅された信号は、アイソレータ１０６、デュープレク
サ１０７を通り、アンテナ１０８から空中に放出され
る。
【００１２】一方、アンテナ１０８から受信した信号は
ＲＦ増幅器１１１によって増幅され、受信通過フィルタ
１１２を通過した後、第１ミキサ１１３に入力され、こ
こで高速シンセサイザ１１４から出力されローカル通過
フィルタ１１５を通過した信号と混合される。そしてＩ
Ｆフィルタ１１６を通過した後、第２ミキサ１１７に入
力され、シンセサイザ１１４から出力される所定周波数
の信号と再度混合される。そして、２番目のＩＦフィル
タ１１８を通過した後、ＩＦアンプ１１９で増幅されデ
ィジタル検波回路１２１で検波される。ディジタル検波
回路１２１と制御回路１２３の間には受信信号データバ
ス１２４が配置されている。制御回路１２３は送信信号
データバス１２５によってＩ／Ｑ発生回路１２６と接続
されている。また、シンセサイザデータバス１２７によ
って高速シンセサイザ１１４と、コーデックデータバス
１２８によってコーデック１２９と接続されている。更
に、この制御回路１２３は基準電圧信号線１３１によっ
て基準電圧Ｖref を比較回路１３２に入力し、電力増幅
器１０５の出力を検波ダイオード１３３で検波したもの
を比較させ、この比較回路１３２から出力される差分電
圧を電圧ＶD1として電力増幅器１０５にフィードバック
するようになっている。更に、制御回路１２３にはＩＦ
アンプ１１９からＲＳＳＩ（Received Signal Strength
Indicator)信号線１３５が接続され、ＲＳＳＩ信号が
入力されるようになっている。
ＲＦ増幅器１１１によって増幅され、受信通過フィルタ
１１２を通過した後、第１ミキサ１１３に入力され、こ
こで高速シンセサイザ１１４から出力されローカル通過
フィルタ１１５を通過した信号と混合される。そしてＩ
Ｆフィルタ１１６を通過した後、第２ミキサ１１７に入
力され、シンセサイザ１１４から出力される所定周波数
の信号と再度混合される。そして、２番目のＩＦフィル
タ１１８を通過した後、ＩＦアンプ１１９で増幅されデ
ィジタル検波回路１２１で検波される。ディジタル検波
回路１２１と制御回路１２３の間には受信信号データバ
ス１２４が配置されている。制御回路１２３は送信信号
データバス１２５によってＩ／Ｑ発生回路１２６と接続
されている。また、シンセサイザデータバス１２７によ
って高速シンセサイザ１１４と、コーデックデータバス
１２８によってコーデック１２９と接続されている。更
に、この制御回路１２３は基準電圧信号線１３１によっ
て基準電圧Ｖref を比較回路１３２に入力し、電力増幅
器１０５の出力を検波ダイオード１３３で検波したもの
を比較させ、この比較回路１３２から出力される差分電
圧を電圧ＶD1として電力増幅器１０５にフィードバック
するようになっている。更に、制御回路１２３にはＩＦ
アンプ１１９からＲＳＳＩ（Received Signal Strength
Indicator)信号線１３５が接続され、ＲＳＳＩ信号が
入力されるようになっている。
【００１３】ところで、ＱＰＳＫ信号はＡＭ変調と同等
で振幅変動がある。そこで変調信号を忠実に、低歪みに
増幅するために電力増幅器１０５として線形性の良い特
性が要求される。線形性を良くするためには、電力増幅
器１０５の動作級としてＡ級あるいはＡＢ級が適当であ
る。Ａ級あるいはＡＢ級には、大きなアイドリング電流
が必要となる。
で振幅変動がある。そこで変調信号を忠実に、低歪みに
増幅するために電力増幅器１０５として線形性の良い特
性が要求される。線形性を良くするためには、電力増幅
器１０５の動作級としてＡ級あるいはＡＢ級が適当であ
る。Ａ級あるいはＡＢ級には、大きなアイドリング電流
が必要となる。
【００１４】図７は、ＧａＡｓ ＦＥＴを使用した場合
のそれぞれの動作級のバイアス点を示したものである。
この図で縦軸はドレイン電流ＩD を、横軸はゲート電圧
ＶGSを表わしている。ドレイン電流Ｉdss を一端とする
曲線２０１はＦＥＴのドレイン電流対ゲート電圧特性を
表わしている。この特性曲線２０１上で、Ａ点がＡ級
の、Ｂ点がＡＢ級の、Ｃ点がＢ級の、そしてＤ点がＣ級
の動作点を表わしている。
のそれぞれの動作級のバイアス点を示したものである。
この図で縦軸はドレイン電流ＩD を、横軸はゲート電圧
ＶGSを表わしている。ドレイン電流Ｉdss を一端とする
曲線２０１はＦＥＴのドレイン電流対ゲート電圧特性を
表わしている。この特性曲線２０１上で、Ａ点がＡ級
の、Ｂ点がＡＢ級の、Ｃ点がＢ級の、そしてＤ点がＣ級
の動作点を表わしている。
【００１５】この図より、ゲート電圧ＶG1を中心とした
Ａ級入力信号ＶIN1 については、増幅後の出力電流波形
ＩOUT1が歪みを生じていない。図で斜線で示した部分
は、出力電流波形となるところを表わしている。ゲート
電圧ＶG2を中心としたＡＢ級入力信号ＶIN2 について
は、図で斜線で示したように増幅後の出力電流波形Ｉ
OUT2の歪みはほとんど生じていない。ゲート電圧ＶG3を
中心としたＢ級入力信号ＶIN 3 と、ゲート電圧ＶG4を中
心としたＣ級入力信号ＶIN4 については、増幅後の出力
電流波形ＩOUT3、ＩOUT4についてかなりの歪みを発生さ
せている。したがって、振幅変動がある変調信号を歪み
無く増幅するためには、Ａ級あるいはＡＢ級が適してお
り、できればＡ級が望ましい。
Ａ級入力信号ＶIN1 については、増幅後の出力電流波形
ＩOUT1が歪みを生じていない。図で斜線で示した部分
は、出力電流波形となるところを表わしている。ゲート
電圧ＶG2を中心としたＡＢ級入力信号ＶIN2 について
は、図で斜線で示したように増幅後の出力電流波形Ｉ
OUT2の歪みはほとんど生じていない。ゲート電圧ＶG3を
中心としたＢ級入力信号ＶIN 3 と、ゲート電圧ＶG4を中
心としたＣ級入力信号ＶIN4 については、増幅後の出力
電流波形ＩOUT3、ＩOUT4についてかなりの歪みを発生さ
せている。したがって、振幅変動がある変調信号を歪み
無く増幅するためには、Ａ級あるいはＡＢ級が適してお
り、できればＡ級が望ましい。
【００１６】図６に示したディジタル移動機の場合に
も、また図５に示したアナログ移動機の場合と同様に、
運用時にその出力電力が制御されることになる。出力電
力の制御方法は、アナログＦＭ移動機の場合と同様に、
電力増幅器１０５から出力された信号が検波ダイオード
１３３で検波され、その電圧と制御回路１２３から供給
された基準電圧Ｖref とが比較回路１３２で比較され
る。そして、その差分電圧により電力増幅器１０５のド
ライバ段のＦＥＴのドレイン電圧ＶD1の制御が行われ
る。
も、また図５に示したアナログ移動機の場合と同様に、
運用時にその出力電力が制御されることになる。出力電
力の制御方法は、アナログＦＭ移動機の場合と同様に、
電力増幅器１０５から出力された信号が検波ダイオード
１３３で検波され、その電圧と制御回路１２３から供給
された基準電圧Ｖref とが比較回路１３２で比較され
る。そして、その差分電圧により電力増幅器１０５のド
ライバ段のＦＥＴのドレイン電圧ＶD1の制御が行われ
る。
【００１７】このようなディジタル移動機では、アナロ
グ移動機の場合と異なり電力増幅器１０５にＡ級増幅器
を用いることになる。このため、同一の出力電圧で考え
た場合には、２〜３倍のアイドリング電流が流れること
になる。また、出力電力が小さくなったときでもゲート
バイアスが一定であるためにその量のアイドリング電流
が流れていた。例えば０．８Ｗ増幅器ではアイドリング
電流を４００ｍＡ流した場合に、０．８Ｗ出力時の回路
電流は、Ａ級であるためにほぼ同等の４００ｍＡとな
る。また、出力制御時に例えば２０ｄＢダウンしたとき
の８０ｍＷの時も、やはりアイドリング電流相当の４０
０ｍＡとなる。このように、出力電力の大小にかかわら
ず、ゲートバイアスが一定であったために、増幅器に流
れる電流はアンドリング電流によって支配されていた。
グ移動機の場合と異なり電力増幅器１０５にＡ級増幅器
を用いることになる。このため、同一の出力電圧で考え
た場合には、２〜３倍のアイドリング電流が流れること
になる。また、出力電力が小さくなったときでもゲート
バイアスが一定であるためにその量のアイドリング電流
が流れていた。例えば０．８Ｗ増幅器ではアイドリング
電流を４００ｍＡ流した場合に、０．８Ｗ出力時の回路
電流は、Ａ級であるためにほぼ同等の４００ｍＡとな
る。また、出力制御時に例えば２０ｄＢダウンしたとき
の８０ｍＷの時も、やはりアイドリング電流相当の４０
０ｍＡとなる。このように、出力電力の大小にかかわら
ず、ゲートバイアスが一定であったために、増幅器に流
れる電流はアンドリング電流によって支配されていた。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】図４に示したような従
来のゲートバイアス回路では、ある一定の電圧のみ出力
するため、ＦＥＴのゲートバイアス電圧が一定に保たれ
ており、ＦＥＴに流れるドレイン電流は一定であった。
来のゲートバイアス回路では、ある一定の電圧のみ出力
するため、ＦＥＴのゲートバイアス電圧が一定に保たれ
ており、ＦＥＴに流れるドレイン電流は一定であった。
【００１９】図８は、ＦＥＴの静特性と動作領域の関係
を表わしたものである。縦軸はドレイン電流ＩD を、横
軸はドレイン電圧ＶDSをそれぞれ表わしている。この図
で直線２１１は通常の負荷線であり、他の直線２１２は
低電流のときの負荷線である。また太い矢印２１３は動
作領域を表わしている。この図８に示されるように、ゲ
ートバイアス電圧が一定ならばドレイン電圧ＶDSを例え
ば６Ｖから３Ｖというように数Ｖにわたって低下させて
も、ドレイン電流ＩD の値はほとんど変わらないことに
なる。
を表わしたものである。縦軸はドレイン電流ＩD を、横
軸はドレイン電圧ＶDSをそれぞれ表わしている。この図
で直線２１１は通常の負荷線であり、他の直線２１２は
低電流のときの負荷線である。また太い矢印２１３は動
作領域を表わしている。この図８に示されるように、ゲ
ートバイアス電圧が一定ならばドレイン電圧ＶDSを例え
ば６Ｖから３Ｖというように数Ｖにわたって低下させて
も、ドレイン電流ＩD の値はほとんど変わらないことに
なる。
【００２０】図６に示したＱＰＳＫディジタル方式の移
動機を考えた場合には、電力増幅器にＡ級増幅器を用い
るために大きなアイドリング電流が必要になる。この場
合、出力電力が制御されて低くなったときでも、ゲート
バイアス電圧が一定であるので、フルパワー時と同様な
電流が流れてしまう。すなわち、これにより消費電力が
大きくなる。そこで、これを特に携帯機に使用した場合
には、バッテリで駆動するため電池の消費電力が大き
く、使用時間が短くなるという問題があった。
動機を考えた場合には、電力増幅器にＡ級増幅器を用い
るために大きなアイドリング電流が必要になる。この場
合、出力電力が制御されて低くなったときでも、ゲート
バイアス電圧が一定であるので、フルパワー時と同様な
電流が流れてしまう。すなわち、これにより消費電力が
大きくなる。そこで、これを特に携帯機に使用した場合
には、バッテリで駆動するため電池の消費電力が大き
く、使用時間が短くなるという問題があった。
【００２１】また、ドレイン電圧を制御して出力電力を
下げる場合でも、図８から分かるように、ドレイン電圧
自体を下げてもドレイン電流はほとんど変わらず、やは
り大きな回路電流が流れてしまうといった問題があっ
た。
下げる場合でも、図８から分かるように、ドレイン電圧
自体を下げてもドレイン電流はほとんど変わらず、やは
り大きな回路電流が流れてしまうといった問題があっ
た。
【００２２】更に、ドレイン電圧を極端に下げたような
場合、例えば図８の場合にドレイン電圧を２Ｖ以下にし
たような場合には、ドレイン電流自体は下がるが今度は
増幅器の線形性が悪化することになった。これにより、
ＱＰＳＫ変調信号が極端に歪んでしまい、スペトクラム
が拡がり、隣接チャネルで漏洩電力が悪化するととも
に、ＢＥＲ（Bit Error Rate）も悪化するといった問題
もあった。
場合、例えば図８の場合にドレイン電圧を２Ｖ以下にし
たような場合には、ドレイン電流自体は下がるが今度は
増幅器の線形性が悪化することになった。これにより、
ＱＰＳＫ変調信号が極端に歪んでしまい、スペトクラム
が拡がり、隣接チャネルで漏洩電力が悪化するととも
に、ＢＥＲ（Bit Error Rate）も悪化するといった問題
もあった。
【００２３】そこで本発明の目的は、低出力電力時にド
レイン電流を低下させることのできるゲートバイアス制
御回路を提供することにある。
レイン電流を低下させることのできるゲートバイアス制
御回路を提供することにある。
【００２４】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明で
は、電界効果トランジスタで構成した増幅器において、
ゲート電圧を表わしたゲート電圧データを記憶した記憶
手段と、増幅器の出力電圧を制御するときにこの制御指
令により記憶手段から読み出したゲート電圧データに基
づいてゲート電圧を形成するゲート電圧形成手段とをゲ
ートバイアス制御回路に具備させる。
は、電界効果トランジスタで構成した増幅器において、
ゲート電圧を表わしたゲート電圧データを記憶した記憶
手段と、増幅器の出力電圧を制御するときにこの制御指
令により記憶手段から読み出したゲート電圧データに基
づいてゲート電圧を形成するゲート電圧形成手段とをゲ
ートバイアス制御回路に具備させる。
【００２５】また、請求項２記載の発明では、電界効果
トランジスタで構成した増幅器において、外部から印加
された基準電圧を分割する分割抵抗と、この分割抵抗に
発生する電圧の１つを選択してゲートバイアスとするス
イッチ手段とをゲートバイアス制御回路に具備させる。
トランジスタで構成した増幅器において、外部から印加
された基準電圧を分割する分割抵抗と、この分割抵抗に
発生する電圧の１つを選択してゲートバイアスとするス
イッチ手段とをゲートバイアス制御回路に具備させる。
【００２６】すなわち本発明では、出力電圧を制御する
ときにゲート電圧を所望の値に設定することにして、前
記した目的を達成する。
ときにゲート電圧を所望の値に設定することにして、前
記した目的を達成する。
【００２７】
【実施例】以下実施例につき本発明を詳細に説明する。
【００２８】図１は本発明の第１の実施例を説明するた
めのもので、ゲートバイアス制御回路を使用した増幅器
の回路構成を表わしたものである。図４と同一部分には
同一の符号を付しており、これらの説明を適宜省略す
る。この回路のＦＥＴ増幅器は、ＧａＡｓ ＦＥＴ１１
を使用している。ＧａＡｓ ＦＥＴ１１のドレインＤに
は出力端子４２とチョークコイル４３の一端が接続され
ており、チョークコイル４３の他端には一端を接地した
コンデンサ４４およびドレインバイアスオン・オフ回路
１２が接続されている。ドレインバイアスオン・オフ回
路１２はドレインバイアスをオン・オフできるようにな
っている。ＧａＡｓ ＦＥＴ１１のゲートＧには入力端
子４７とチョークコイル４８の一端が接続されている。
チョークコイル４８の他端には一端を接地したコンデン
サ４９とゲートバイアス制御回路１３が接続されてい
る。ゲートバイアス制御回路１３は、ゲートＧとソース
Ｓの間に配置されているということができる。ドレイン
バイアスオン・オフ回路１２の電源入力側にはバッテリ
または外部電源が接続されるようになっている。また、
この電源には負電圧発生・安定化回路１４が接続されて
おり、安定化した負電圧を発生させてゲートバイアス制
御回路１３に供給するようになっている。
めのもので、ゲートバイアス制御回路を使用した増幅器
の回路構成を表わしたものである。図４と同一部分には
同一の符号を付しており、これらの説明を適宜省略す
る。この回路のＦＥＴ増幅器は、ＧａＡｓ ＦＥＴ１１
を使用している。ＧａＡｓ ＦＥＴ１１のドレインＤに
は出力端子４２とチョークコイル４３の一端が接続され
ており、チョークコイル４３の他端には一端を接地した
コンデンサ４４およびドレインバイアスオン・オフ回路
１２が接続されている。ドレインバイアスオン・オフ回
路１２はドレインバイアスをオン・オフできるようにな
っている。ＧａＡｓ ＦＥＴ１１のゲートＧには入力端
子４７とチョークコイル４８の一端が接続されている。
チョークコイル４８の他端には一端を接地したコンデン
サ４９とゲートバイアス制御回路１３が接続されてい
る。ゲートバイアス制御回路１３は、ゲートＧとソース
Ｓの間に配置されているということができる。ドレイン
バイアスオン・オフ回路１２の電源入力側にはバッテリ
または外部電源が接続されるようになっている。また、
この電源には負電圧発生・安定化回路１４が接続されて
おり、安定化した負電圧を発生させてゲートバイアス制
御回路１３に供給するようになっている。
【００２９】ここでチョークコイル４３、４８はＲＦ信
号をカットするために使用されている。コンデンサ４
４、４９は発振防止用である。ゲートバイアス制御回路
１３は、出力電力の制御時に、これに同期してコントロ
ール線１５から供給される出力電力制御指令を入力して
所望のバイアス電圧をディジタルデータとして読み出す
ＲＯＭ（リード・オンリ・メモリ）１７と、このＲＯＭ
１７の出力を正のアナログ信号に変換するＤ／Ａ変換器
１８と、このＤ／Ａ変換器１８から出力される電圧信号
を反転増幅して負電圧として出力すると共にレベル変換
も行うことのできる反転増幅器１９から構成されてい
る。反転増幅器１９には、負電圧発生・安定化回路１４
から負電圧が供給されている。
号をカットするために使用されている。コンデンサ４
４、４９は発振防止用である。ゲートバイアス制御回路
１３は、出力電力の制御時に、これに同期してコントロ
ール線１５から供給される出力電力制御指令を入力して
所望のバイアス電圧をディジタルデータとして読み出す
ＲＯＭ（リード・オンリ・メモリ）１７と、このＲＯＭ
１７の出力を正のアナログ信号に変換するＤ／Ａ変換器
１８と、このＤ／Ａ変換器１８から出力される電圧信号
を反転増幅して負電圧として出力すると共にレベル変換
も行うことのできる反転増幅器１９から構成されてい
る。反転増幅器１９には、負電圧発生・安定化回路１４
から負電圧が供給されている。
【００３０】この第１の実施例ではゲートバイアス制御
回路１３によってゲートバイアスを制御するようにして
いるので、例えば０．１Ｖ程度のわずかなゲート電圧の
変化によってドレイン電流を数十ｍＡも変化させること
ができる。
回路１３によってゲートバイアスを制御するようにして
いるので、例えば０．１Ｖ程度のわずかなゲート電圧の
変化によってドレイン電流を数十ｍＡも変化させること
ができる。
【００３１】図２は、本発明の第２の実施例を説明する
ためのもので、ゲートバイアス制御回路を使用した増幅
器の回路構成を表わしたものである。図１と同一部分に
は同一の符号を付しており、これらの説明を適宜省略す
る。
ためのもので、ゲートバイアス制御回路を使用した増幅
器の回路構成を表わしたものである。図１と同一部分に
は同一の符号を付しており、これらの説明を適宜省略す
る。
【００３２】この図２に示したＦＥＴ増幅器では、ゲー
トバイアス制御回路２１が図１に示したゲートバイアス
制御回路１３と異なる以外は、他のすべての回路構成が
同一となっている。ゲートバイアス制御回路１３は、チ
ョークコイル４８とコンデンサ４９の接続点に出力側を
接続したアナログスイッチ２２を備えており、コントロ
ール線２３から供給される出力電力制御指令によってこ
の切換制御が行われるようになっている。ゲートバイア
ス制御回路２１には、Ｒ1 、Ｒ2 、……、Ｒn のｎ個の
抵抗を直列に接続した分割抵抗２４が配置されており、
その抵抗Ｒ1 側の端部は接地されており、抵抗Ｒn 側の
端部は負電圧発生・安定化回路１４の出力側に接続され
ている。また、それぞれの接続点と分割抵抗２４の両端
の合計ｎ個の点から引き出された電圧分割線２５1 、２
５2 ……、２５n はアナログスイッチ２２の切換接点
（図示せず）に接続されている。
トバイアス制御回路２１が図１に示したゲートバイアス
制御回路１３と異なる以外は、他のすべての回路構成が
同一となっている。ゲートバイアス制御回路１３は、チ
ョークコイル４８とコンデンサ４９の接続点に出力側を
接続したアナログスイッチ２２を備えており、コントロ
ール線２３から供給される出力電力制御指令によってこ
の切換制御が行われるようになっている。ゲートバイア
ス制御回路２１には、Ｒ1 、Ｒ2 、……、Ｒn のｎ個の
抵抗を直列に接続した分割抵抗２４が配置されており、
その抵抗Ｒ1 側の端部は接地されており、抵抗Ｒn 側の
端部は負電圧発生・安定化回路１４の出力側に接続され
ている。また、それぞれの接続点と分割抵抗２４の両端
の合計ｎ個の点から引き出された電圧分割線２５1 、２
５2 ……、２５n はアナログスイッチ２２の切換接点
（図示せず）に接続されている。
【００３３】第２の実施例のゲートバイアス制御回路２
１では、出力電力の制御時に同期してコントロール線２
３から出力電力制御指令が送られてくると、負基準電圧
と接地電位を電圧分割線２５1 、２５2 ……、２５n で
分割した合計ｎ種類の電圧から１つの電圧が選択され
る。そして、その電圧がＧａＡｓ ＦＥＴ１１のゲート
Ｇにチョークコイル４８を介して印加される。
１では、出力電力の制御時に同期してコントロール線２
３から出力電力制御指令が送られてくると、負基準電圧
と接地電位を電圧分割線２５1 、２５2 ……、２５n で
分割した合計ｎ種類の電圧から１つの電圧が選択され
る。そして、その電圧がＧａＡｓ ＦＥＴ１１のゲート
Ｇにチョークコイル４８を介して印加される。
【００３４】この第２の実施例でもゲートバイアス制御
回路２１によってゲートバイアスを制御するようにして
いるので、第１の実施例の場合と同様にわずかなゲート
電圧の変化によってドレイン電流を大きく変化させるこ
とができる。しかも各抵抗Ｒ 1 、Ｒ2 、……、Ｒn が外
付けされているので、これらを所望の値の抵抗に付け替
えることが容易である。すなわち、ＧａＡｓ ＦＥＴ１
１の種類やロットが異なると、印加すべきバイアス電圧
を変更しなければならない事態が発生する場合がある
が、このような場合でも容易にこれに対応することがで
きるという利点がある。
回路２１によってゲートバイアスを制御するようにして
いるので、第１の実施例の場合と同様にわずかなゲート
電圧の変化によってドレイン電流を大きく変化させるこ
とができる。しかも各抵抗Ｒ 1 、Ｒ2 、……、Ｒn が外
付けされているので、これらを所望の値の抵抗に付け替
えることが容易である。すなわち、ＧａＡｓ ＦＥＴ１
１の種類やロットが異なると、印加すべきバイアス電圧
を変更しなければならない事態が発生する場合がある
が、このような場合でも容易にこれに対応することがで
きるという利点がある。
【００３５】以上説明した第１および第２の実施例では
ゲート電圧を制御することでＦＥＴのＡ級およびＡＢ級
増幅器で、出力電力の制御時で特に低出力電力時にドレ
イン電流を低下させることができる。この結果として消
費電力を低減することができる。特にＡ級線形増幅器を
用いているＱＰＳＫディジタル方式の携帯無線機等で、
出力電力を制御しつつ消費電力を節約したい場合に効果
的となる。しかも、ドレイン電圧でドレイン電流を制御
する場合に比べて、歪みの発生を押さえることができ
る。すなわち、ドレイン電圧を可能なかぎり高い状態で
一定に保ち、信号の振幅できる動作領域を広くとること
により、低ドレイン電流時の歪みの発生を押さえること
ができる。なお、ドレイン電圧を下げてドレイン電流を
下げる方法では、ＦＥＴを非飽和領域で動作させること
になり（図８参照）、歪みの発生を加速してしまうこと
になる。
ゲート電圧を制御することでＦＥＴのＡ級およびＡＢ級
増幅器で、出力電力の制御時で特に低出力電力時にドレ
イン電流を低下させることができる。この結果として消
費電力を低減することができる。特にＡ級線形増幅器を
用いているＱＰＳＫディジタル方式の携帯無線機等で、
出力電力を制御しつつ消費電力を節約したい場合に効果
的となる。しかも、ドレイン電圧でドレイン電流を制御
する場合に比べて、歪みの発生を押さえることができ
る。すなわち、ドレイン電圧を可能なかぎり高い状態で
一定に保ち、信号の振幅できる動作領域を広くとること
により、低ドレイン電流時の歪みの発生を押さえること
ができる。なお、ドレイン電圧を下げてドレイン電流を
下げる方法では、ＦＥＴを非飽和領域で動作させること
になり（図８参照）、歪みの発生を加速してしまうこと
になる。
【００３６】図３は、図６に示したＱＰＳＫ方式の移動
機に本発明を適用した場合を表わしたものである。図６
と同一部分には同一の符号を付しており、これらの説明
を適宜省略する。この移動機では、図６におけるゲート
バイアス回路６３を制御回路３１によって制御可能なゲ
ートバイアス制御回路３２1 および３２2 に変更してい
る。ここで一方のゲートバイアス制御回路３２1 は電力
増幅器１０５のゲート電圧ＶG2を制御し、他方のゲート
バイアス制御回路３２2 は、この電力増幅器１０５のゲ
ート電圧ＶG1を制御するようになっている。これらの制
御は、コントロール線３３によって制御回路３１から出
力電力制御指令と同期した信号を受けることによって行
われ、各出力電力に対応したゲート電圧ＶG1、ＶG2が対
応するゲート端子に供給される。ゲートバイアス制御回
路３２1および３２2 にはバッテリまたは外部電源から
負電圧発生回路３７を介して電源が供給されるようにな
っている。
機に本発明を適用した場合を表わしたものである。図６
と同一部分には同一の符号を付しており、これらの説明
を適宜省略する。この移動機では、図６におけるゲート
バイアス回路６３を制御回路３１によって制御可能なゲ
ートバイアス制御回路３２1 および３２2 に変更してい
る。ここで一方のゲートバイアス制御回路３２1 は電力
増幅器１０５のゲート電圧ＶG2を制御し、他方のゲート
バイアス制御回路３２2 は、この電力増幅器１０５のゲ
ート電圧ＶG1を制御するようになっている。これらの制
御は、コントロール線３３によって制御回路３１から出
力電力制御指令と同期した信号を受けることによって行
われ、各出力電力に対応したゲート電圧ＶG1、ＶG2が対
応するゲート端子に供給される。ゲートバイアス制御回
路３２1および３２2 にはバッテリまたは外部電源から
負電圧発生回路３７を介して電源が供給されるようにな
っている。
【００３７】一方、電力増幅器１０５には送信通過フィ
ルタ１０４の出力が可変減衰器３４によって減衰された
後に入力されるようになっている。すなわち、この移動
機では出力電力の制御方法を、ドレイン電圧の制御によ
る方法ではなく、電力増幅器１０５に入力する入力電力
を制御する方法に変更している。したがって、出力電力
は、比較回路１３２からの信号（電圧）を受けて可変減
衰器３４の減衰量を変えることによって制御される。比
較回路１３２によって電圧の比較を行う方法は、図６で
説明した従来の方法と同様である。
ルタ１０４の出力が可変減衰器３４によって減衰された
後に入力されるようになっている。すなわち、この移動
機では出力電力の制御方法を、ドレイン電圧の制御によ
る方法ではなく、電力増幅器１０５に入力する入力電力
を制御する方法に変更している。したがって、出力電力
は、比較回路１３２からの信号（電圧）を受けて可変減
衰器３４の減衰量を変えることによって制御される。比
較回路１３２によって電圧の比較を行う方法は、図６で
説明した従来の方法と同様である。
【００３８】また、図３に示した移動器ではドレインオ
ン・オフ回路３５が設けられており、制御回路３１から
のドレインオン・オフ回路コントロール線３６によって
その制御が行われている。
ン・オフ回路３５が設けられており、制御回路３１から
のドレインオン・オフ回路コントロール線３６によって
その制御が行われている。
【００３９】図９は、以上説明した本発明の効果を従来
の出力電力制御と比較するためのものである。この図で
縦軸は出力電力ＰOUT を表わし、横軸は出力電力制御の
状態を表わしている。出力電力Ｐ0 、ドレイン電流Ｉd
および効率ηについて、出力電力制御時のそれぞれの値
が示されている。実線ａはゲートバイアス制御を行った
ときのドレイン電流Ｉd と効率ηを示し、破線ｂはこの
制御を行わなかったときのドレイン電流Ｉd と効率ηを
示している。これらのデータから分かるように、ゲート
バイアス制御を行った方が、効率が５〜１０％とかなり
改善されている。
の出力電力制御と比較するためのものである。この図で
縦軸は出力電力ＰOUT を表わし、横軸は出力電力制御の
状態を表わしている。出力電力Ｐ0 、ドレイン電流Ｉd
および効率ηについて、出力電力制御時のそれぞれの値
が示されている。実線ａはゲートバイアス制御を行った
ときのドレイン電流Ｉd と効率ηを示し、破線ｂはこの
制御を行わなかったときのドレイン電流Ｉd と効率ηを
示している。これらのデータから分かるように、ゲート
バイアス制御を行った方が、効率が５〜１０％とかなり
改善されている。
【００４０】
【発明の効果】このように本発明によれば、出力電力を
制御するときにこれに同期してゲート電圧を制御するよ
うにしたので、ＦＥＴのＡ級およびＡＢ級電力増幅器に
おいて、低出力電力時にドレイン電流を低下させること
ができ、消費電力を低く抑えることができる。特にＱＰ
ＳＫディジタル方式の携帯移動器等のようにＡ級電力増
幅器を使用した機器では、出力電力を制御しつつ消費電
力を低減することができ、例えば電源としてバッテリを
使用した場合にその長時間使用を可能にすることができ
るという効果がある。しかも、ドレイン電圧を高く保っ
てあるので、歪みの発生を低く抑えることができる。
制御するときにこれに同期してゲート電圧を制御するよ
うにしたので、ＦＥＴのＡ級およびＡＢ級電力増幅器に
おいて、低出力電力時にドレイン電流を低下させること
ができ、消費電力を低く抑えることができる。特にＱＰ
ＳＫディジタル方式の携帯移動器等のようにＡ級電力増
幅器を使用した機器では、出力電力を制御しつつ消費電
力を低減することができ、例えば電源としてバッテリを
使用した場合にその長時間使用を可能にすることができ
るという効果がある。しかも、ドレイン電圧を高く保っ
てあるので、歪みの発生を低く抑えることができる。
【図１】本発明の第１の実施例においてゲートバイアス
制御回路を使用した増幅器の回路構成を表わしたブロッ
ク図である。
制御回路を使用した増幅器の回路構成を表わしたブロッ
ク図である。
【図２】本発明の第２の実施例においてゲートバイアス
制御回路を使用した増幅器の回路構成を表わしたブロッ
ク図である。
制御回路を使用した増幅器の回路構成を表わしたブロッ
ク図である。
【図３】ＱＰＳＫ方式の移動機に本発明を適用した場合
を表わしたブロック図である。
を表わしたブロック図である。
【図４】電界効果トランジスタを用いた従来の増幅器の
一例を表わしたブロック図である。
一例を表わしたブロック図である。
【図５】図４で説明したゲートバイアス回路を増幅器に
用いたアナログＦＭ携帯機の構成を表わしたブロック図
である。
用いたアナログＦＭ携帯機の構成を表わしたブロック図
である。
【図６】従来のディジタル移動機の回路構成を表わした
ブロック図である。
ブロック図である。
【図７】ＧａＡｓ ＦＥＴを使用した場合のそれぞれの
動作級と動作点を表わした特性図である。
動作級と動作点を表わした特性図である。
【図８】ＦＥＴの静特性と動作領域の関係を表わした特
性図である。
性図である。
【図９】ＧａＡｓ ＦＥＴを使用した増幅器の本発明適
用時と従来の場合とを比較した特性図である。
用時と従来の場合とを比較した特性図である。
１３、２１、３２ ゲートバイアス制御回路 １５、２３ コントロール線 １７ ＲＯＭ １８ Ｄ／Ａ変換器 １９ 反転増幅器 ２２ アナログスイッチ ２４ 分割抵抗 ２５ 電圧分割線
Claims (2)
- 【請求項１】 電界効果トランジスタで構成した増幅器
において、 ゲート電圧を表わしたゲート電圧データを記憶した記憶
手段と、 前記増幅器の出力電力を制御するときにこの制御指令に
より前記記憶手段から読み出したゲート電圧データに基
づいてゲート電圧を形成するゲート電圧形成手段とを具
備することを特徴とするゲートバイアス制御回路。 - 【請求項２】 電界効果トランジスタで構成した増幅器
において、 外部から印加された基準電圧を分割する分割抵抗と、 この分割抵抗に発生する電圧の１つを選択してゲートバ
イアスとするスイッチ手段とを具備することを特徴とす
るゲートバイアス制御回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33072890 | 1990-11-30 | ||
| JP2-330728 | 1990-11-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0583041A true JPH0583041A (ja) | 1993-04-02 |
| JP3033623B2 JP3033623B2 (ja) | 2000-04-17 |
Family
ID=18235894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03314366A Expired - Fee Related JP3033623B2 (ja) | 1990-11-30 | 1991-11-28 | ゲートバイアス制御回路および増幅器 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5278517A (ja) |
| EP (1) | EP0488385B1 (ja) |
| JP (1) | JP3033623B2 (ja) |
| AU (1) | AU652004B2 (ja) |
| CA (1) | CA2056701C (ja) |
| DE (1) | DE69130855T2 (ja) |
| HK (1) | HK1009618A1 (ja) |
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| US6169449B1 (en) | 1998-07-03 | 2001-01-02 | Nec Corporation | Transmission power control circuit capable of varying electric power over a wide range |
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| WO2018154659A1 (ja) * | 2017-02-22 | 2018-08-30 | 住友電気工業株式会社 | バイアス回路 |
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|---|---|---|---|---|
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| JP3368069B2 (ja) * | 1994-10-06 | 2003-01-20 | 株式会社日立国際電気 | Ｆｐｕ装置のｓｈｆ電力切換方式 |
| US5589796A (en) * | 1994-11-01 | 1996-12-31 | Motorola, Inc | Method and apparatus for increasing amplifier efficiency |
| JPH0951238A (ja) * | 1995-08-09 | 1997-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波増幅器回路 |
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| US6025753A (en) * | 1997-07-11 | 2000-02-15 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for amplifying a signal |
| GB2329087A (en) * | 1997-09-08 | 1999-03-10 | Motorola Inc | Improving the efficiency of a transmitter amplifier by controlling an amplifier voltage using a voltage conditioner such as a switched mode converter |
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