JPH0582452A - 光応用基板処理装置 - Google Patents

光応用基板処理装置

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JPH0582452A
JPH0582452A JP24371391A JP24371391A JPH0582452A JP H0582452 A JPH0582452 A JP H0582452A JP 24371391 A JP24371391 A JP 24371391A JP 24371391 A JP24371391 A JP 24371391A JP H0582452 A JPH0582452 A JP H0582452A
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Akio Ui
井 明 生 宇
Hirosuke Sato
藤 裕 輔 佐
Hideki Nukada
田 秀 記 額
Takao Omi
江 隆 夫 近
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 光ビームに対して相対的に基板を回転させ光
ビームを照射して薄膜成長、エッチング、ドーピング、
クリーニング等の所定の処理をする場合に、基板上の照
度を均一化し、あるいは光ビームと基板との相互作用を
基板上で均一化する光応用基板処理装置を提供する。 【構成】 光応用基板処理装置は、光ビーム(1)に対
して相対的に基板(10)を回転させ光ビーム(1)を
照射する。光ビーム(1)の強度を基板(10)の中央
部に対応する部分から周辺部に対応する部分に向かって
空間的または時間的に増加させる。また光ビーム(1)
の照射位置に対する基板(10)の相対速度を基板
(1)の中央部に対応する部分から周辺部に対応する部
分に向かって減少させる。また、光ビーム(1)と基板
(10)との相互作用が基板(1)の中央部に対応する
部分から周辺部に対応する部分に向かって光学的に活性
となるように光ビームが異なる波長または偏光を有す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光応用基板処理装置に
係り、特に光ビームに対して相対的に基板を回転させ光
ビームを照射して薄膜成長、エッチング、ドーピング、
クリーニング等の所定の処理をする光応用基板処理装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】LSIデバイスの高性能化と高集積化を
図るために、エピタキシャル成長法における低温化、成
長膜の高品質化や薄膜化が要請されている。
【0003】従来、Siのエピタキシャル成長は熱CV
D法によって1100〜1200℃という高温で行われ
ていた。
【0004】エピタキシャル成長法における低温化の方
法として、光励起法、分子線結晶(MBE)法やプラズ
マ堆積の方法等が研究されている。分子線結晶(MB
E)法やプラズマ体積の方法においては、700℃程度
でもSiのエピタキシャル成長が可能となっているが、
結晶性の問題等のためデバイスへの応用は現在なされて
いない。
【0005】一方、光励起法においては、光の高エネル
ギー性、エネルギーを容易に選択できること、空間的ま
たは時間的にファクターを制御できること、可干渉性や
偏光特性を利用できること等のために、低温励起、クリ
ーン励起、薄膜の高品質化(結晶性の改善)や反応の制
御等が可能となり、また新しいデバイスの創造も期待で
きる。
【0006】実際、1961年に西沢によって光を半導
体プロセスに応用することについて提案(金属学会誌、
第25巻、149頁、1961年)されて以来、半導体
プロセスの進歩とともに、光CVDや、エッチング、ド
ーピングやクリーニング等への光の応用が研究されてき
た。
【0007】Siのエピタキシャル成長法においては、
Hgランプによる紫外線照射により、結晶性が改善さ
れ、低温(540〜750℃)での結晶成長も観測され
ている。また、紫外線レーザ(KrF:248nm)を
照射して溶解させた後、再結晶させて700℃で結晶成
長したことが報告されている。また赤外線レーザ(CO
:10.6μm)を用いた場合には、650℃でエピ
タキシャル成長したことが報告されている。
【0008】また、エッチングや表面クリーニングにお
いては、紫外線照射をしClによってSiをエッチン
グすることや、紫外線照射をしSiの表面上のふっ素や
有機物を低温離脱(300℃を約100℃に低温化)す
ることについて報告されている。また、半導体デバイス
の精緻化にともない加工面に損傷を与えない異方性エッ
チングが必要とされ、これに対して光応用技術が着目さ
れている。
【0009】また、ドーピングにおいては、適当な波長
を選択することにより反応を制御したり、平面方向や成
長方向に不純物ドーピングを制御することが期待され研
究されている。
【0010】上述のように、半導体デバイスの目覚まし
い高集積化にともない低温における高性能な基板処理技
術が必要とされおり、このための技術として、光応用技
術が大いに期待されている。
【0011】しかしながら、光応用技術の基礎学術的の
研究は進んでいるものの、Hg光増感法アモルファスS
i成長などの数少ない例を除いて、半導体プロセスに応
用されているものは少ない。
【0012】光応用技術における要請点として、(1)
中間生成物、光反応機構、光学的効果に関する基礎的な
データの蓄積があること、(2)光源(特に紫外線)が
適当な波長、高出力、安定性、小型性を有すること、
(3)窓が短波長の紫外線や長波長の赤外線に透過し化
学的に安定であること、(4)チャンバーの曇り対策が
可能であること、(5)大きい面積の照射が可能である
こと、(6)単位時間当たりの基板処理量の高速化(成
膜速度等)が可能であること、(7)基板面内で均一的
処理が可能なこと、(8)低温成膜時の薄膜の高品質化
(良質な結晶性)が可能なこと、(9)気相分解反応に
よる核の発生を防止できること等があげられる。
【0013】これらの要請点のうち、特に(2)最適光
源、(5)大面積照射、(6)高速化、(7)均一化、
(8)結晶性の向上は重要と考えられている。
【0014】これらの要請点を考慮した光源として、紫
外線光源としてHgランプが用いられる場合が多いが、
大面積に照射できるという利点があるものの、現状では
光強度が弱すぎるという欠点を有している。
【0015】一方、レーザ光源を用いた場合は高強度の
光照射が可能であるが、面積当りの光強度が弱くなるの
で大面積の基板全体に広げて用いることができない。特
に、多光子吸収を利用する場合には非常に高強度の光を
必要とするので、レーザをビーム状でしか使用すること
ができない。このため、大面積基板全体に高強度のレー
ザ光を照射するためには、レーザビームを移動照射(ス
キャン)するか、基板を移動させることが必要となる。
なお、大出力レーザを用いる場合は、レーザビームをシ
ート状にして照射することが可能である。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レーザ
ビーム等の光ビームを用い基板を相対的に回転させなが
ら照射する場合、単位時間当りの照射面積が基板の回転
半径方向によって異なる。すなわち、光ビームのスポッ
トサイズおよび照射強度が一定の場合、図16(a)に
示すように基板の回転中心からの距離を半径r、基板の
回転角速度をωとすると、半径rにおける照射照度I
(r)はrωに反比例し、均一にならないという問題点
があった。このため、基板上の照度を均一化できなかっ
た。また、光ビームと基板との相互作用を基板上で均一
に実現することができなかった。
【0017】そこで本発明の目的は、上記従来技術が有
する問題点を解消し、光ビームに対して相対的に基板を
回転させ光ビームを照射して薄膜成長、エッチング、ド
ーピング、クリーニング等の所定の処理をする場合に、
基板上の照度を均一化し、あるいは光ビームと基板との
相互作用を基板上で均一化する光応用基板処理装置を提
供することである。
【0018】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、光ビームに対して相対的に基板を回転さ
せ光ビームを照射して薄膜成長、エッチング、ドーピン
グ、クリーニング等の所定の処理をする光応用基板処理
装置において、前記光ビームの強度を基板の中央部に対
応する部分から周辺部に対応する部分に向かって空間的
または時間的に増加させたことを特徴とする。
【0019】
【作用】基板の中央部に対応する部分から周辺部に対応
する部分に向かって光ビームのスポット形状を変形して
空間的強度分布を増加させるか、または例えばパルスの
幅や周波数を変えて光ビームの照射時間を増加させるか
して、実質的に均一に基板を照射する。
【0020】また、基板の中央部に対応する部分から周
辺部に対応する部分に向かって光ビームの照射位置に対
する基板の相対速度を減少させ、実質的に均一に基板を
照射する。
【0021】また、照射された光ビームの波長または偏
光に依存する光学的相互作用を用いて基板処理する場合
において、基板の中央部に対応する部分から周辺部に対
応する部分に向かって光学的に活性となるように光ビー
ムは異なる波長または偏光を有するので、実質的に均一
に基板処理することができる。
【0022】
【実施例】以下本発明による光応用基板処理装置の実施
例を図1乃至図16を参照して説明する。
【0023】ここで光応用基板処理装置は薄膜成長、エ
ッチング、ドーピング、クリーニング等の所定の処理を
する装置であるが、まず光応用基板処理装置の例として
気相成長装置を例にとり、シート状の光ビームを照射す
る気相成長装置の一般的な構成を図12に示す。図12
において光応用基板処理装置は、光ビームを発射するレ
ーザ光源1と、光ビーム11aのビーム径を拡大するビ
ームエクスパンダ2と、ビームエクスパンダ2によって
拡大された光ビーム11bを帯状のビーム形状を有する
光ビーム11cにするシリンドリカルレンズ3と、光ビ
ーム11cを基板10に照射するように反射させるため
のミラー4とを備えている。
【0024】光ビーム11aは円形のスポットを有する
平行ビームであり、ビームエクスパンダ2から出る光ビ
ーム11bは拡大された円形のスポットを有する平行ビ
ームである。また、光ビーム11cは、図2(a)に示
すように一方のビーム径が平行光ビーム11bのビーム
径2Δrに等しく他方のビーム径が基板10の半径に等
しいシート状の光ビームである。
【0025】基板10は反応管5の中にある基台9上に
載置されている。基台9は図示しない基板回転手段によ
り回転させられる。反応管5の側部には外部からの光ビ
ーム11cが透過するビュポート6が設けられている。
また反応管5の頂部には基板10に蒸着等の処理をする
ための原料ガスを供給する原料ガス口7が設けられ、ま
た下側部には反応管5の内部を真空に引くための真空ポ
ンプ口8が設けられている。
【0026】本発明による光応用基板処理装置の第1の
実施例を図1に示す。この第1の実施例は、図12に示
した光応用基板処理装置におけるシリンドリカルレンズ
3を通過した光ビーム11cをさらに図1に示す変形シ
リンドリカルレンズ15およびスリット16を通過させ
るものである。
【0027】変形シリンドリカルレンズ15は、曲率半
径が円筒方向に連続的に変化して分布するシリンドリカ
ルレンズである。変形シリンドリカルレンズ15を通過
した光ビームはスリット16面上で符号18に示すビー
ム形状を有する。このビーム形状18の両側の境界18
a、18bは双曲線をなし、ビーム形状18は頂部18
cから底部18dに向かう距離の逆数に比例して減少す
るようになっている。
【0028】また、ビーム形状18を有する光ビーム1
1dはスリット16の長方形状の開口17を通過し、基
板10上で長方形状のビーム形状19を有する光ビーム
11eとなる。ビーム形状19は基板10の周辺部20
から中心Oに向かう距離の逆数に比例して照度が低くな
っている。
【0029】次に本実施例の作用について説明する。
【0030】シート状の光ビーム11が変形シリンドリ
カルレンズ15を通過して、頂部18cから底部18d
に向かう距離の逆数に比例して減少するビーム形状18
を有する光ビーム11dとなり、光ビーム11dはスリ
ット16を通過して基板10の周辺部20から中心Oに
向かう距離の逆数に比例して低くなる照度を有する光ビ
ーム11eとなる。すなわち光ビーム11eは図16
(b)に示すような照度分布を有する。
【0031】本実施例の構成によれば、変形シリンドリ
カルレンズ15およびスリット16を通過する光ビーム
11eが基板10の中央部から周辺部に向かって図16
(b)に示すような照度分布を有するので、基板10上
の照度を均一化させることができる。
【0032】次に図2および図3を参照して本発明によ
る光応用基板処理装置の第2の実施例を説明する。
【0033】図2において、光ビーム31を発する光源
群30は複数の等価な光源から構成され、この光源の個
数は基板10の中央部32に対応する部分32aから基
板10の周辺部33に対応する部分33bに向かって増
加する。この光源個数の増加の仕方は図3に示すように
半径rの位置における個数がほぼ(a−1/r)になっ
ている。なお、aは図16(C)に示す照度分布の一定
値に相当する定数である。そして各光源からの光束は互
いに重ならないように照射される。
【0034】本実施例の構成によれば、光源の個数が基
板10の中央部32から周辺部33に向かって図16
(b)に示すように増加し、各光源からの光束は重なら
ないように照射されるので、基板10を均一な照度で照
射することができる。
【0035】次に図4を参照して本発明による光応用基
板処理装置の第3の実施例を説明する。
【0036】図4において、光源群35は図2における
光源群30と同様に複数の等価な光源から構成され、光
源の個数は基板10の中央部32に対応する部分32a
から基板10の周辺部33に対応する部分33bに向か
って半径rの位置における個数がほぼ(a−1/r)に
なるように増加する。ただし、図2の場合と異なり、基
板10の半径rの位置に対応する部分の各光源からの光
束は、基板10の半径rの同一位置に重なるように照射
される。
【0037】本実施例の構成によれば、基板10の中央
部32から周辺部33に向かってほぼ(a−1/r)に
なるように増加する光源の個数からなる光源35を備
え、半径rの位置に対応する部分の各光源からの光束は
基板10の半径rにおける同一位置に重なるように照射
されるので、基板10を均一な照度で照射することがで
きる。
【0038】次に図5を参照して本発明による光応用基
板処理装置の第4の実施例を説明する。
【0039】図5において、強度が均一で長方形のビー
ム形状41を有する光ビーム40がスリット42を通過
する。スリット42は開口43を有し、開口43の両側
の境界43a、43bは頂部43cから底部43dに向
かって双曲線的に変化する境界線で構成される。光ビー
ム40は基板10上でビーム形状44を有し、ビーム形
状44は開口43と相似である。開口43の頂部43c
は基板10上の中心部44cに対応する。
【0040】本実施例の構成によれば、スリット42を
設けたので、基板10を均一な照度で照射することがで
きる。
【0041】以上の実施例はシート状の光ビームを用い
るものであったが次に点状の光ビームを走査する実施例
について説明する。
【0042】まず図14および図15を参照して光ビー
ムを走査する場合の一般的なことを説明する。
【0043】図14において、回転ミラー52が図示し
ないミラー走査手段によって駆動される。レーザ光源5
0から出射する光ビーム51は回転ミラー52によって
反射され、光ビーム51は、回転ミラーが52aから5
2bに走査される間に51aから51bに走査され基板
10の中心部54から周辺部55へ移動する。
【0044】図15を参照して、走査される光ビーム5
1によって照射される基板10上の照度について説明す
る。
【0045】光ビーム51が基板10に単位時間あたり
に照射される面積Sは、 S=π・Δr+2Δr・Δl =2Δr・Δl (ΔlがΔrより十分大きいとき) =((rω)+2rωvθ+v1/2 ここで、rωが0にほぼ等しいvに比べて十分大きいな
らば、Δlは近似的にrωに等しくなる。
【0046】したがって、基板10上の照度L(r)
は、 L(r)=I(r)・Δs/S =I(r)・Δs/(2Δr・Δl) =π/2・I(r)・Δr/Δl・・・・・・・(1) となる。ここで、I(r)は半径rの位置に照射すると
きの光ビーム51の放射強度、Δsは光ビーム51の断
面積、Δrはこの断面積の半径、Δlは基板10上にお
ける光ビーム51の単位時間当りのビームスポットの移
動距離、ωは基板10の回転角速度、vは基板10の外
からみたビームスポットの移動速度、vθ、vは基板
10に対するvの接線成分と法線成分である。
【0047】次に式(1)に基づいて、本発明による光
応用基板処理装置の第5の実施例を説明する。
【0048】照度L(r)がrに依存しないように放射
強度I(r)を基板10上の半径rの位置に応じて変動
させるものである。放射強度I(r)を半径rに応じて
変動させる手段として、半径rの位置に応じて透過率の
異なる櫛形フィルタや連続可変スリットを用いることが
できる。
【0049】また、照度L(r)をrに依存しないよう
に放射強度I(r)を変動させる他の手段として、パル
スレーザのパルス幅、パルス周波数、またはこれらの両
者を半径rの位置に応じて変化させることでもよい。
【0050】次に、本発明による光応用基板処理装置の
第6の実施例を説明する。
【0051】本実施例においては、照度L(r)がrに
依存しないように回転角速度ωの大きさを半径rの位置
に応じて変える。
【0052】このために、光ビーム51を基板10の中
心部分54と周辺部分55の間を往復振動(vθ=0、
v=v)させながら、移動距離Δl=((rω+
θ+v 1/2が半径rによらず一定になる
ように図示しない基板回転手段によって回転角速度ωを
制御する。なお、回転速度rωが移動速度vに比べて十
分大きい場合には、移動距離Δlは回転速度rωにほぼ
等しくなるので、回転角速度ωは図16(b)に示すよ
うに半径rに反比例させればよい。
【0053】また、回転角速度ωを一定にして、移動距
離Δlが半径rによらず一定になるようにv=v
(r)を回転ミラー52によって光ビーム51を制御
することも可能である。
【0054】なお、光ビーム51の移動方向が半径方向
のみでない場合(vθ≠0)でも、移動距離Δl=
((rω+vθ+v 1/2が半径rによらず
一定になるように、回転角速度ωを制御して照度L
(r)が半径rに依存しないようにすることができる。
また、vとωの両者を移動距離Δlが半径rに依存し
ないように半径rに応じて変動させてもよい。
【0055】本実施例によれば、照度L(r)が半径r
に依存せず基板上を均一に照射することができる。
【0056】次に、照度以外のパラメータ(波長、入射
角、偏光性、光吸収率等)によって基板の処理能力(速
度)が異なることを利用した本発明による光応用基板処
理装置の実施例について説明する。
【0057】まず本発明による光応用基板処理装置の第
7の実施例について説明する。
【0058】本実施例は基板の表面励起を利用した気相
成長に関し、用いる光源は、基板の中心部から周辺部へ
照射するに従って波長λ(=c/ν)を短くできるよう
になている。この波長を可変にする手段として、光源と
基板の間に回折格子やプリズム等の分散素子をおき、波
長の選択をする。あるいは、光源として半導体レーザを
用い、温度制御によって波長を変える。また不連続のス
ペクトルを有する光源を用いる場合に、複数のフィルタ
で波長を選択してもよい。
【0059】一般に、用いる光源の光子エネルギーE=
hc/λの値が表面励起できるしきい値より大きいと
き、基板の薄膜成長速度は波長λが短いほど大きくな
る。従って、本実施例によれば、基板の中心部から周辺
部へ向かうに従って短い波長を選択することにより、基
板上に均一に気相成長をすることができる。
【0060】次に、本発明による光応用基板処理装置の
第8の実施例について説明する。
【0061】本実施例に用いる光源はレーザAとレーザ
Bの2種類のレーザから構成される。レーザAは気相成
長させる時の表面励起に有効な波長で発振するレーザで
あり、レーザBはエッチンングを起こすのに有効な波長
で発振するレーザである。
【0062】一般に、レーザAとレーザBを照射して気
相成長を行う時、薄膜成長速度は、レーザAによる励起
効果とレーザBによるエッチンング効果との差に依存す
る。ここで、基板の中心部から周辺部へ照射するに従っ
て、レーザAの出力をレーザBの出力よりもより大きく
する。このことにより、基板上に均一に気相成長をする
ことができる。
【0063】次に、本発明による光応用基板処理装置の
第9の実施例について説明する。本実施例は光源の偏光
を選択することに関する。
【0064】一般にCOレーザを用いてSi単結晶成
長させる場合、レーザの電場Eの偏光方向や入射角によ
って効率が異なる。Si単結晶表面上の電場の大きさは
図6に示すように入射角θに依存する。図7にSi単結
晶の成長速度と偏光の関係を示す。ここで、s偏光(水
平偏光)を電場Es、p偏光(垂直偏光)の電場をE
p、Epの法線成分をEpp、面上成分をEps、Eo
を入射光の電場強度とすると、Es=Eo cosθ、
Eps=Eo sinθcosθ、Epp=Eocos
θである。
【0065】図8に本実施例に用いる光源の構成を示
す。図8において、レーザ光源50からの線偏光の光ビ
ーム51は偏光子52によって円偏光の光ビーム53に
なる。光ビーム53は偏光子54に入射して偏光子54
の回転角φに応じて角度φだけ回転した線偏光の光ビー
ム55となり、光ビーム55が基板10に照射される。
【0066】Siの成長速度は次式で表される電場Ee
piに依存する。ここで、 Eepi=Es+(2Eps+Epp) =Eo cosφcosθ +Eo sinφ(2sinθcosθ+cosθ) ・・・(2) である。
【0067】p偏光(垂直偏光)を入射させた場合、θ
=45度で薄膜成長速度が最大になり、また結晶性も最
も良くなる。
【0068】θ=45度のとき、式(2)は Eepi=1/2・Eo cosφ+3/2・Eo sinφ となる。
【0069】従って、基板上の半径rの位置によって、
半径rが大きいほどEepiが大きくなるように角度φ
を制御することにより、基板上に均一に薄膜成長をおこ
なうことができる。
【0070】なお、大きい基板を照射する場合はθ=4
5度の条件を常には満たすことができない。そこで、基
板の中心部への照射のときなはθ=45±5度にして周
辺部になるほど45度からのずれを大きくなるようにす
る。このための構成を図9および図10に示す。図9は
基板の中心Oに対して光源50と同じ側の基板半径部分
を照射する場合を示し、図10は基板の中心Oに対して
光源50と反対の基板半径部分を照射する場合を示す。
【0071】次に、本発明による光応用基板処理装置の
第10の実施例について説明する。本実施例は基板の光
吸収率を基板の面内で変えることに関する。
【0072】赤外線レーザを照射して基板処理する場
合、(1)基板のドーピング量(不純物量)、(2)基
板温度、(3)視外線光や可視光の他のレーザを照射し
て電子ー正孔対の量等を変えること等によって基板上面
内の赤外線吸収率分布を図16(b)に示すように基板
の半径r位置に応じて変える。
【0073】 (1)基板のドーピング量(不純物量)を変える場合 Si基板中、硼素(B)のドーピング量が増えると、S
i基板中の電子−正孔対が増えて赤外線吸収量が増え
る。従って、基板の中心部でドーピング量を少なく、周
辺部でドーピング量を多くして基板上面内の赤外線吸収
率分布を図16(b)に示すようにする。
【0074】(2)基板温度を変える場合 基板の上方から熱線を照射して、図16(b)に示すよ
うな温度分布をつくる。これによりSi基板中の電子−
正孔対の量の分布ができ赤外線吸収率分布ができる。
【0075】 (3)紫外線光や可視光の他のレーザを照射する場合 図11に示すように、基板を処理する赤外線レーザ61
の他に発振波長λ=5145または4880オングスト
ロームのArレーザ62を照射する。図11で、符合
63は赤外線を透過し紫外線光や可視光を反射するダイ
クロックミラーであり、符合64、65は全反射ミラー
である。赤外線レーザ61およびArレーザ62から
の光ビームは同軸にそろえて照射される。
【0076】なお、赤外線レーザ61が強すぎると気相
中で原料ガス(SiH等)が多光子吸収をして分解し
白粉(核)を発生してしまう。これを防ぐために、基板
下のサセプタが赤外線をよく反射するようにサセプタを
赤外線反射用の金蒸着をする。
【0077】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光ビームの強度を基板の中央部に対応する部分から周辺
部に対応する部分に向かって空間的または時間的に増加
させたので、基板上の照度を均一化する基板処理装置を
提供することができる。また、光ビームの照射位置に対
する基板の相対速度を基板の中央部に対応する部分から
周辺部に対応する部分に向かって減少させたので、基板
上の照度を均一化することができる。また、光ビームと
基板との相互作用が基板の中央部に対応する部分から周
辺部に対応する部分に向かって光学的に活性となるよう
に光ビームが異なる波長または偏光を有するので、基板
上の気相成長を均一に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による光応用基板処理装置の第1の実施
例の概略を示す図。
【図2】本発明による光応用基板処理装置の第2の実施
例の光源の概略を示す図。
【図3】図2における基板上の照射分布を示す図。
【図4】本発明による光応用基板処理装置の第3の実施
例の光源の概略を示す図。
【図5】本発明による光応用基板処理装置の第4の実施
例の概略を示す図。
【図6】照射光の電場強度と偏光、入射角の関係を示す
図。
【図7】照射光の偏光および入射角とSiの気相成長速
度の関係を示す図。
【図8】本発明による光応用基板処理装置の第9の実施
例の概略を示す図。
【図9】第9の実施例において約45度の入射角度θで
照射する構成を示す図。
【図10】第9の実施例において約45度の入射角度θ
で照射する他の構成を示す図。
【図11】本発明による光応用基板処理装置の第10の
実施例の概略を示す図。
【図12】シート状の光ビームを照射する気相成長装置
の一般的な構成を示す図。
【図13】シート状の光ビームで照射された基板上の照
射部分を示す図。
【図14】光ビームを走査して照射する気相成長装置の
一般的な構成を示す図。
【図15】走査光ビームのスポットの基板上の移動を説
明する図。
【図16】光ビームに対して相対的に回転する基板上の
基板半径rと照度分布(a)と、基板上の基板半径rに
対して補正すべき照射強度の分布、補正すべき照射時
間、補正すべき吸収率分布等(b)、および(a)で示
す分布が(b)で示す分布によって補正された結果
(c)を各々示す図。
【符号の説明】
1 光源 2 ビームエクスパンダ 3 シリンドリカルレンズ 5 反応管 6 ビュポート 10 基板 15 変形シリンドリカルレンズ 16 スリット 42 変形スリット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 近 江 隆 夫 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1 株式会 社東芝総合研究所内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】光ビームに対して相対的に基板を回転させ
    光ビームを照射して薄膜成長、エッチング、ドーピン
    グ、クリーニング等の所定の処理をする光応用基板処理
    装置において、前記光ビームの強度を基板の中央部に対
    応する部分から周辺部に対応する部分に向かって空間的
    または時間的に増加させたことを特徴とする光応用基板
    処理装置。
  2. 【請求項2】光ビームに対して相対的に基板を回転させ
    光ビームを照射して薄膜成長、エッチング、ドーピン
    グ、クリーニング等の所定の処理をする光応用基板処理
    装置において、光ビームの照射位置に対する基板の相対
    速度を基板の中央部に対応する部分から周辺部に対応す
    る部分に向かって減少させたことを特徴とする光応用基
    処理長装置。
  3. 【請求項3】光ビームに対して相対的に基板を回転させ
    光ビームを照射して薄膜成長、エッチング、ドーピン
    グ、クリーニング等の所定の処理をする光応用基板処理
    装置において、光ビームと基板との相互作用が基板の中
    央部に対応する部分から周辺部に対応する部分に向かっ
    て光学的に活性となるように光ビームが異なる波長また
    は偏光を有すること、あるいは基板が光吸収率分布をも
    つことを特徴とする光応用基板処理装置。
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