JPH0581658A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 連続薄膜媒体において、間歇摺動および連続
摺動にたいする耐久性を両立させられるようにすること
にある。 【構成】 保護膜における基体側と反対側の表面近傍の
硬さが保護膜の内部の硬さよりも大きくさせられてい
る。 【効果】 保護膜を薄くしても耐久性が高いだけでな
く、ＣＳＳ動作のような磁気ヘッドと媒体との接触状態
から起動させる場合の摩擦力を長期間小さく維持させる
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、磁気的に情報の記録
再生をおこなえる磁気記録媒体にかかわり、さらに詳し
くは、連続薄膜媒体からなる磁気記録媒体における保護
膜の改良に関している。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録媒体、とくに大型計算機などで
扱う膨大な情報をファイルし、随時再生してデ−タ処理
を実行するためのファイル記憶装置などにもちいられる
磁気記録媒体は、円板上の基体に磁気的に記録再生が可
能な磁性薄膜を形成した磁気ディスクが採用されてい
る。この種ファイル記憶装置の分野では、取り扱う情報
量の必然的な増大に対応するため、記憶容量の増加がつ
よく要求され、かぎられた設置スペ−スで大容量化を実
現するため、磁気記録媒体の高記録密度化が不可欠の要
件となっている。このような要請にこたえるためには、
原理的に高記録密度が達成しやすい特性を有する金属磁
性体の連続薄膜（以降、連続薄膜媒体と称する）をもつ
磁気記録媒体を採用するのがもっとも有効な解決策であ
る。この磁気記録媒体は、一般的に、アルミニウムを基
材とし、ＮｉＰのメッキ膜を形成したあと、真空中でス
パッタ法によってクロム下地膜、磁性膜、保護膜の順に
積層膜を形成し、大気に戻したあと、潤滑膜を形成する
ことによって形成されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】このような連続薄膜媒
体を構成する膜のなかで、保護膜は非常に重要な役割を
担っている。保護膜は、連続薄膜媒体の磁性膜はコバル
トを主成分とする合金薄膜であり、大気中で酸化しやす
く、磁気特性も変化するので、大気との直接接触をさけ
るために設けられる。したがって、保護膜は、連続薄膜
媒体がその記録再生特性を長期間維持しつづけるため
に、大気遮断効果を維持するに必要な膜厚をたもってい
る必要がある。

【０００４】連続薄膜媒体をもつ磁気記録媒体がファイ
ル記憶装置の磁気ディスクにおける磁気記録媒体として
採用されたときに、保護膜の大気遮断効果を減衰する要
因はいくつかある。もっとも大きな要因は、連続薄膜媒
体に接近して情報の読み書きをおこなう磁気ヘッドと保
護膜との連続的あるいは間歇的な接触摺動によって発生
する摩耗にともなう、保護膜の膜厚減少である。

【０００５】保護膜は、これまで、磁気ヘッドとの接触
時の摩擦係数が小さく、急激な摩耗がおこりにくい炭素
質のものが多用されている。しかし、炭素質の保護膜は
かならずしも摩耗が十分に少ないわけではないので、よ
り薄膜化して、磁気ヘッドとのギャップロスによる記録
密度低下をさけるようにした場合には期待したほどの耐
久性を確保することができず、また、保護膜を厚くし
て、大気遮断効果を確保した場合には保護膜の摩耗の進
行にともなって、磁気ヘッドを連続薄膜媒体上に停止さ
せた状態から起動させるときの摩擦力が増加して、記録
装置自体の起動を困難にする。

【０００６】本発明の目的は、保護膜が薄膜化した場合
でも、磁気ヘッドとの接触摺動による摩擦力の増加が少
なくかつ摩耗の少ない連続薄膜媒体をもつ磁気記録媒体
を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、少なくとも磁性薄膜とそれを保護する非
磁性の硬質保護膜とをもつ連続薄膜媒体を基体に形成し
てなる磁気記録媒体において、保護膜が磁性膜側の領域
の硬さを反対側の領域のそれよりも小さくされているこ
とを特徴としている。

【０００８】

【作用】保護膜は、スパッタ法やＣＶＤ法によって、磁
性膜の表面に単層あるいは複層の成膜をおこなうことに
よって形成される。たとえば、膜厚は１０ｎｍから３０
ｎｍの範囲に、膜厚方向の硬さの変化率が３０％以内に
させ、保護膜の素材は単層のときに炭素質、金属酸化物
あるいはカ−バイド質によって構成し、二層のときに炭
素質膜および金属酸化物膜によって構成する。このよう
な保護膜は、薄膜化し、コンタクト・スタ−ト・ストッ
プ動作をおこなっても、間歇的な接触にたいしてはもち
ろんのこと、連続摺動にたいしても、すぐれた耐久性を
得られるので、ハ−ドディスク装置の磁気デイスクだけ
でなく、連続薄膜媒体をもつフロッピディスクや磁気テ
−プにも適用をおこなえる。

【０００９】

【実施例】図１は本発明による磁気記録媒体を示してい
る。この磁気記録媒体はディスクの形態をもつ基体１を
具備している。基体１には連続薄膜媒体Ａが形成されて
いる。連続薄膜媒体は、下地膜２、３、磁性膜４、保護
膜５および潤滑膜６からなっている。下地膜２は基体１
の表面に、下地膜３は下地膜２の表面に、磁性膜４は下
地膜３の表面にそれぞれ形成されている。保護膜５は磁
性膜４の表面に形成されていると共に、潤滑膜６が表面
にさらに形成されている。

【００１０】この連続薄膜媒体Ａにおいて、保護膜６
は、単層あるいは二層からなり、膜厚方向の硬さが磁性
膜４の付近の領域にて小さくかつ潤滑膜６の付近の領域
にて大きくなるようさせられている。成膜はスパッタ
法、ＣＶＤ法などによってなされる。保護膜６の素材
は、単層の場合に、炭素質、金属酸化物あるいはカ−バ
イド質からなり、複層の場合に、炭素質膜と金属酸化物
膜とからなる。

【００１１】いくつかの具体例をつぎに説明する。これ
らの具体例において、基体１の素材は高純度のアルミニ
ウムで、厚さが１．９ｍｍ、直径が１３０ｍｍの標準型
ディスクの形態をもっている。下地膜２はメッキ法によ
って形成されたＮｉＰ膜で、厚さは１０μｍ程度であ
る。下地膜３はクロム下地膜、磁性膜４はコバルト合金
である。下地膜３および磁性膜４は具体例の各々におい
て共通しているが、保護膜５は材質や成膜法などが具体
例によって異なっているので個別に記載する。

【００１２】具体例１ 保護膜６は炭素質のものからなり、スパッタ法によっ
て、クロム下地膜３および磁性膜４に引き続いて成膜さ
れた。成膜時の条件および膜厚はつぎのとおりである。

【００１３】 成膜温度（°Ｃ） ２５０ 成膜時のＡｒガス圧（ｍＴｏｒｒ） ５ 膜厚（ｎｍ） ５０ 成膜後、保護膜６の硬さをヌ−プ式硬度計で測定し、荷
重をかけたときの圧痕の深さが保護膜６の膜厚を越えな
い範囲で荷重を変化させることにより、膜厚方向におけ
る膜厚の変化を求めた。測定した膜厚方向の硬さの変化
はつぎのとおりである。

【００１４】 表面の硬さ（ヌ−プ硬度Ｈｋ） ３０００ 内部の硬さ（ヌ−プ硬度Ｈｋ） １５００ 硬さの変化率（％） ５０ 得られた連続薄膜媒体Ａの間歇的接触にたいする摺動耐
久性および連続接触にたいする摺動耐久性はつぎに説明
する方法でもって評価した。間歇的接触にたいする摺動
耐久性は、実機におけるＣＳＳ動作を模擬した試験を実
施し、起動時の磁気ヘッドと連続薄膜媒体Ａとの摩擦力
をＣＳＳ動作の１００〜１０００回毎に測定することに
よって評価した。磁気ヘッドはＭｎＺｎフェライトを使
用し、浮上したときの浮上量が０．２５μｍ、磁気記録
媒体の回転数が３６００ｒｐｍ、起動時のヘッドの浮上
に要する時間が１２秒、停止時にヘッドが連続薄膜媒体
Ａと接触して完全に停止するのに要する時間が１２秒と
いう条件で試験した。また、連続接触にたいする摺動耐
久性は、先端がＲ３０の球面上接触面を有する摺動子を
もちいて、この摺動子を垂直荷重２０ｇでもって連続薄
膜媒体Ａに押し付けながら、基体および磁気記録媒体を
３６００ｒｐｍでもって回転させて、摺動試験を実施す
ることによっておこなった。摺動子の材質はサファイア
であり、周速が１０ｍ／ｓｅｃとなる条件で試験した。
評価結果はつぎのとおりである。

【００１５】 間欠摺動特性 摺動回数 ３ 所見 起動摩擦力３０ｇオ−バ− 連続摺動特性 摺動回数 １５ 所見 クラシュ 具体例 ２ 保護膜６は、炭素質のものからなり、スパッタ法によっ
て、クロム下地膜３および磁性膜４に引き続いて成膜さ
れた。成膜時の条件および膜厚はつぎのとおりである。

【００１６】 成膜温度（°Ｃ） ２００ 成膜時のＡｒガス圧（ｍＴｏｒｒ） ５ 膜厚（ｎｍ） ５０ 成膜後、保護膜６の硬さをヌ−プ式硬度計で測定し、荷
重をかけたときの圧痕の深さが保護膜６の膜厚を越えな
い範囲で荷重を変化させることにより、膜厚方向におけ
る膜厚の変化を求めた。測定した膜厚方向の硬さの変化
はつぎのとおりである。

【００１７】 表面の硬さ（ヌ−プ硬度Ｈｋ） ４３００ 内部の硬さ（ヌ−プ硬度Ｈｋ） １８００ 硬さの変化率（％） ５８ 摺動特性評価結果は具体例１に関連して説明した評価法
によっておこなった。評価結果はつぎのとおりである。

【００１８】 間欠摺動特性 摺動回数 ３ 所見 起動摩擦力３０ｇオ−バ− 連続摺動特性 摺動回数 ５０ 所見 クラシュ 具体例 ３ 保護膜６は、炭素質のものからなり、スパッタ法によっ
て、クロム下地膜３および磁性膜４に引き続いて成膜さ
れた。成膜時の条件および膜厚はつぎのとおりである。

【００１９】 成膜温度（°Ｃ） ２００ 成膜時のＡｒガス圧（ｍＴｏｒｒ） ５ 膜厚（ｎｍ） ３０ 成膜後、保護膜６の硬さをヌ−プ式硬度計で測定し、荷
重をかけたときの圧痕の深さが保護膜６の膜厚を越えな
い範囲で荷重を変化させることにより、膜厚方向におけ
る膜厚の変化を求めた。測定した膜厚方向の硬さの変化
はつぎのとおりである。

【００２０】 表面の硬さ（ヌ−プ硬度Ｈｋ） ３５００ 内部の硬さ（ヌ−プ硬度Ｈｋ） １８００ 硬さの変化率（％） ４９ 摺動特性評価結果は具体例１に関連して説明した評価法
によっておこなった。評価結果はつぎのとおりである。

【００２１】 間欠摺動特性 摺動回数 ３ 所見 起動摩擦力３０ｇオ−バ− 連続摺動特性 摺動回数 ２０ 所見 クラシュ 具体例 ４ 保護膜６は、炭素質のものからなり、クロム下地膜３お
よび磁性膜４をスパッタ法で成膜したあと、ＣＶＤ法を
もちいて成膜された。成膜時の条件および膜厚はつぎの
とおりである。

【００２２】 成膜温度（°Ｃ） ３０ 成膜時のＡｒガス圧（ｍＴｏｒｒ） ５ 膜厚（ｎｍ） ３０ 成膜後、保護膜６の硬さをヌ−プ式硬度計で測定し、荷
重をかけたときの圧痕の深さが保護膜６の膜厚を越えな
い範囲で荷重を変化させることにより、膜厚方向におけ
る膜厚の変化を求めた。測定した膜厚方向の硬さの変化
はつぎのとおりである 表面の硬さ（ヌ−プ硬度Ｈｋ） ４０００ 内部の硬さ（ヌ−プ硬度Ｈｋ） ３１００ 硬さの変化率（％） ２３ 摺動特性評価結果は具体例１に関連して説明した評価法
によっておこなった。評価結果はつぎのとおりである。

【００２３】 間欠摺動特性 摺動回数 １５０ 所見 異常なし 連続摺動特性 摺動回数 １００ 所見 異常なし 具体例 ５ 保護膜６は、炭素質のものからなるが、クロム下地膜３
および磁性膜４をスパッタ法で成膜したあと、ＣＶＤ法
をもちいて成膜された。成膜時の条件および膜厚はつぎ
のとおりである。

【００２４】 成膜時ガス圧（ｍＴｏｒｒ） ６０ 成膜時メタン流量（ｓｃｃｍ） ５０ 膜厚（ｎｍ） ２０ 成膜後、保護膜６の硬さをヌ−プ式硬度計で測定し、荷
重をかけたときの圧痕の深さが保護膜６の膜厚を越えな
い範囲で荷重を変化させることにより、膜厚方向におけ
る膜厚の変化を求めた。測定した膜厚方向の硬さの変化
はつぎのとおりである。

【００２５】 表面の硬さ（ヌ−プ硬度Ｈｋ） ７０００ 内部の硬さ（ヌ−プ硬度Ｈｋ） ５５００ 硬さの変化率（％） ２１ 摺動特性評価結果は具体例１に関連して説明した評価法
によっておこなった。評価結果はつぎのとおりである。

【００２６】 間欠摺動特性 摺動回数 １５０ 所見 異常なし 連続摺動特性 摺動回数 １００ 所見 異常なし 具体例 ６ 保護膜６は、炭素質のものからなるが、クロム下地膜３
および磁性膜４をスパッタ法で成膜したあと、ＣＶＤ法
をもちいて成膜された。成膜時の条件および膜厚はつぎ
のとおりである。

【００２７】 成膜時ガス圧（ｍＴｏｒｒ） ６０ 成膜時メタン流量（ｓｃｃｍ） ２０ 膜厚（ｎｍ） ２０ 成膜後、保護膜６の硬さをヌ−プ式硬度計で測定し、荷
重をかけたときの圧痕の深さが保護膜６の膜厚を越えな
い範囲で荷重を変化させることにより、膜厚方向におけ
る膜厚の変化を求めた。測定した膜厚方向の硬さの変化
はつぎのとおりである。

【００２８】 表面の硬さ（ヌ−プ硬度Ｈｋ） ５８００ 内部の硬さ（ヌ−プ硬度Ｈｋ） ５０００ 硬さの変化率（％） １４ 摺動特性評価結果は具体例１に関連して説明した評価法
によっておこなった。評価結果はつぎのとおりである。

【００２９】 間欠摺動特性 摺動回数 １５０ 所見 異常なし 連続摺動特性 摺動回数 １００ 所見 異常なし 具体例 ７ 保護膜６は、炭素質のものからなるが、クロム下地膜３
および磁性膜４をスパッタ法で成膜したあと、ＣＶＤ法
をもちいて成膜された。成膜時の条件および膜厚はつぎ
のとおりである。

【００３０】 成膜時ガス圧（ｍＴｏｒｒ） ３０ 成膜時メタン流量（ｓｃｃｍ） １０ 膜厚（ｎｍ） ２０ 成膜後、保護膜の硬さをヌ−プ式硬度計で測定し、荷重
をかけたときの圧痕の深さが保護膜の膜厚を越えない範
囲で荷重を変化させることによって、膜厚方向における
膜厚の変化を求めた。測定した膜厚方向の硬さの変化は
つぎのとおりである。

【００３１】 表面の硬さ（ヌ−プ硬度Ｈｋ） ５３００ 内部の硬さ（ヌ−プ硬度Ｈｋ） ４５００ 硬さの変化率（％） １５ 摺動特性評価結果は具体例１に関連して説明した評価法
によっておこなった。評価結果はつぎのとおりである。

【００３２】 間欠摺動特性 摺動回数 １５０ 所見 異常なし 連続摺動特性 摺動回数 １００ 所見 異常なし 具体例８ 保護膜は、Ｔａ2Ｏ5からなり、クロム下地膜３および磁
性膜４をスパッタ法によって成膜したあと、引き続いて
高周波スパッタ法によって形成した。成膜時の条件およ
び膜厚はつぎのとおりである。

【００３３】 ガス組成 Ａｒ−０．５％Ｏ2 ガス圧（ｍＴｏｒｒ） １０ 膜厚（ｎｍ） １５ 成膜後、保護膜の硬さをヌ−プ式硬度計で測定し、荷重
をかけたときの圧痕の深さが保護膜の膜厚を越えない範
囲で荷重を変化させることによって、膜厚方向における
膜厚の変化を求めた。測定した膜厚方向の硬さの変化は
つぎのとおりである。

【００３４】 表面の硬さ（ヌ−プ硬度Ｈｋ） ７５００ 内部の硬さ（ヌ−プ硬度Ｈｋ） ５５００ 硬さの変化率（％） ２７ 摺動特性評価結果は具体例１に関連して説明した評価法
によっておこなった。評価結果はつぎのとおりである。

【００３５】 間欠摺動特性 摺動回数 １５０ 所見 異常なし 連続摺動特性 摺動回数 １００ 所見 異常なし 具体例９ 保護膜は、Ｙ2Ｏ3からなり、クロム下地膜３および磁性
膜４をスパッタ法によって成膜したあと、引き続いて高
周波スパッタ法によって形成した。成膜時の条件および
膜厚はつぎのとおりである。

【００３６】 ガス組成 Ａｒ−０．５％Ｏ2 ガス圧（ｍＴｏｒｒ） １０ 膜厚（ｎｍ） １５ 成膜後、保護膜の硬さをヌ−プ式硬度計で測定し、荷重
をかけたときの圧痕の深さが保護膜の膜厚を越えない範
囲で荷重を変化させることによって、膜厚方向における
膜厚の変化を求めた。測定した膜厚方向の硬さの変化は
つぎのとおりである。

【００３７】 表面の硬さ（ヌ−プ硬度Ｈｋ） ４０００ 内部の硬さ（ヌ−プ硬度Ｈｋ） ３２００ 硬さの変化率（％） ２０ 摺動特性評価結果は具体例１に関連して説明した評価法
によっておこなった。評価結果はつぎのとおりである。

【００３８】 間欠摺動特性 摺動回数 １５０ 所見 異常なし 連続摺動特性 摺動回数 １００ 所見 異常なし 具体例１０ 保護膜は、ＷＣからなり、クロム下地膜３および磁性膜
４をスパッタ法によって成膜したあと、引き続いて高周
波スパッタ法によって形成した。成膜時の条件および膜
厚はつぎのとおりである。

【００３９】 Ａｒガス圧（ｍＴｏｒｒ） １０ 膜厚（ｎｍ） ３０ 成膜後、保護膜の硬さをヌ−プ式硬度計で測定し、荷重
をかけたときの圧痕の深さが保護膜の膜厚を越えない範
囲で荷重を変化させることによって、膜厚方向における
膜厚の変化を求めた。測定した膜厚方向の硬さの変化は
つぎのとおりである。

【００４０】 表面の硬さ（ヌ−プ硬度Ｈｋ） ７０００ 内部の硬さ（ヌ−プ硬度Ｈｋ） ６０００ 硬さの変化率（％） １４ 摺動特性評価結果は具体例１に関連して説明した評価法
によっておこなった。評価結果はつぎのとおりである。

【００４１】 間欠摺動特性 摺動回数 １５０ 所見 異常なし 連続摺動特性 摺動回数 １００ 所見 異常なし 具体例 １１ 保護膜は、磁性膜に炭素質からなる第１層を形成し、こ
の第１層にＴａ2Ｏ5からなる第２層を形成したものから
なっていて、これらの層はクロム下地膜３および磁性膜
４をスパッタ法で成膜したあと、それぞれ適正な方法で
形成した。成膜時の条件および膜厚などはつぎのとおり
である。

【００４２】 第１層の成膜条件 成膜温度（°Ｃ） ３０ Ａｒガス圧（ｍＴｏｒｒ） ２ 第２層の成膜条件 ガス組成 Ａｒ−０．５％Ｏ2 ガス圧（ｍＴｏｒｒ） １０ 第１層の膜厚（ｎｍ） １０ 第２層の膜厚（ｎｍ） １０ 成膜後、保護膜の硬さをヌ−プ式硬度計で測定し、荷重
をかけたときの圧痕の深さが保護膜の膜厚を越えない範
囲で荷重を変化させることによって、膜厚方向における
膜厚の変化を求めた。測定した膜厚方向の硬さの変化は
つぎのとおりである。

【００４３】 表面の硬さ（ヌ−プ硬度Ｈｋ） ６２００ 内部の硬さ（ヌ−プ硬度Ｈｋ） ４５００ 硬さの変化率（％） ２７ 摺動特性評価結果は具体例１に関連して説明した評価法
によっておこなった。評価結果はつぎのとおりである。

【００４４】 間欠摺動特性 摺動回数 １５０ 所見 異常なし 連続摺動特性 摺動回数 １００ 所見 異常なし 具体例 １２ 保護膜は、磁性膜に炭素質からなる第１層を形成し、こ
の第１層にＹ2Ｏ3からなる第２層を形成したものからな
っていて、これらの層はクロム下地膜３および磁性膜４
をスパッタ法で成膜したあと、それぞれ適正な方法で形
成した。成膜時の条件および膜厚などはつぎのとおりで
ある。

【００４５】 第１層の成膜条件 成膜温度（°Ｃ） ３０ Ａｒガス圧（ｍＴｏｒｒ） ２ 第２層の成膜条件 ガス組成 Ａｒ−５％Ｏ2 ガス圧（ｍＴｏｒｒ） ５ 第１層の膜厚（ｎｍ） １０ 第２層の膜厚（ｎｍ） １０ 成膜後、保護膜の硬さをヌ−プ式硬度計で測定し、荷重
をかけたときの圧痕の深さが保護膜の膜厚を越えない範
囲で荷重を変化させることによって、膜厚方向における
膜厚の変化を求めた。測定した膜厚方向の硬さの変化は
つぎのとおりである。

【００４６】 表面の硬さ（ヌ−プ硬度Ｈｋ） ５１００ 内部の硬さ（ヌ−プ硬度Ｈｋ） ４５００ 硬さの変化率（％） １２ 摺動特性評価結果は具体例１に関連して説明した評価法
によっておこなった。評価結果はつぎのとおりである。

【００４７】 間欠摺動特性 摺動回数 １５０ 所見 異常なし 連続摺動特性 摺動回数 １００ 所見 異常なし 具体例 １３ 保護膜は、磁性膜に炭素質からなる第１層を形成し、こ
の第１層にＳｉＣからなる第２層を形成したものからな
っていて、これらの層はクロム下地膜３および磁性膜４
をスパッタ法で成膜したあと、それぞれ適正な方法で形
成した。成膜時の条件および膜厚などはつぎのとおりで
ある。

【００４８】 第１層の成膜条件 成膜温度（°Ｃ） ３０ Ａｒガス圧（ｍＴｏｒｒ） ２ 第２層の成膜条件 Ａｒガス圧（ｍＴｏｒｒ） ５ 第１層の膜厚（ｎｍ） １０ 第２層の膜厚（ｎｍ） ５ 成膜後、保護膜の硬さをヌ−プ式硬度計で測定し、荷重
をかけたときの圧痕の深さが保護膜の膜厚を越えない範
囲で荷重を変化させることによって、膜厚方向における
膜厚の変化を求めた。測定した膜厚方向の硬さの変化は
つぎのとおりである。

【００４９】 表面の硬さ（ヌ−プ硬度Ｈｋ） ４９００ 内部の硬さ（ヌ−プ硬度Ｈｋ） ４３００ 硬さの変化率（％） １２ 摺動特性評価結果は具体例１に関連して説明した評価法
によっておこなった。評価結果はつぎのとおりである。

【００５０】 間欠摺動特性 摺動回数 １５０ 所見 異常なし 連続摺動特性 摺動回数 １００ 所見 異常なし 具体例 １４ 保護膜は、磁性膜に炭素質からなる第１層を形成し、こ
の第１層にＷＣからなる第２層を形成したものからなっ
ていて、これらの層はクロム下地膜３および磁性膜４を
スパッタ法で成膜したあと、それぞれ適正な方法で形成
した。成膜時の条件および膜厚などはつぎのとおりであ
る。

【００５１】 第１層の成膜条件 成膜温度（°Ｃ） ３０ Ａｒガス圧（ｍＴｏｒｒ） ２ 第２層の成膜条件 Ａｒガス圧（ｍＴｏｒｒ） ７ 第１層の膜厚（ｎｍ） １０ 第２層の膜厚（ｎｍ） ５ 成膜後、保護膜の硬さをヌ−プ式硬度計で測定し、荷重
をかけたときの圧痕の深さが保護膜の膜厚を越えない範
囲で荷重を変化させることによって、膜厚方向における
膜厚の変化を求めた。測定した膜厚方向の硬さの変化は
つぎのとおりである。

【００５２】 表面の硬さ（ヌ−プ硬度、Ｈｋ） ６０００ 内部の硬さ（ヌ−プ硬度、Ｈｋ） ４５００ 硬さの変化率（％） ２５ 摺動特性評価結果は具体例１に関連して説明した評価法
によっておこなった。評価結果はつぎのとおりである。

【００５３】 間欠摺動特性 摺動回数 １５０ 所見 異常なし 連続摺動特性 摺動回数 １００ 所見 異常なし これらの具体例と直接に比較することができるようにさ
せるために、連続薄膜媒体をもつ磁気記録媒体を製作
し、ヌ−プ硬度の測定、摺動特性評価をおこなった。基
体は具体例とおなじ素材、サイズおよび形態をもち、下
地膜はメッキ法によって形成された厚さは１０μｍ程度
のＮｉＰ膜からなり、下地膜３はクロム下地膜である。

【００５４】比較例 １ 保護膜は、具体例５〜７と同様に、炭素質のものからな
り、クロム下地膜および磁性膜をスパッタ法で成膜した
あと、ＣＶＤ法をもちいて成膜された。成膜時の条件お
よび膜厚はつぎのとおりである。

【００５５】 成膜時ガス圧（ｍＴｏｒｒ） ６０ 成膜時メタン流量（ｓｃｃｍ） １６０ 膜厚（ｎｍ） ２０ 成膜後、本発明の具体例と同様に、保護膜の硬さをヌ−
プ式硬度計で測定し、荷重をかけたときの圧痕の深さが
保護膜の膜厚を越えない範囲で荷重を変化させることに
より、膜厚方向における膜厚の変化を求めた。測定した
膜厚方向の硬さの変化はつぎのとおりである。

【００５６】 表面の硬さ（ヌ−プ硬度Ｈｋ） ７０００ 内部の硬さ（ヌ−プ硬度Ｈｋ） ７０００ 硬さの変化率（％） ０ 摺動特性評価結果は具体例１に関連して説明した評価法
によっておこなった。評価結果はつぎのとおりである。

【００５７】 間欠摺動特性 摺動回数 １５０ 所見 異常なし 連続摺動特性 摺動回数 １ 所見 クラッシュ 比較例 ２ 保護膜は、比較例１０と同様に、ＷＣからなり、クロム
下地膜３および磁性膜４をスパッタ法によって成膜した
あと、引き続いて高周波スパッタ法によって形成した。
成膜時の条件および膜厚はつぎのとおりである。

【００５８】 Ａｒガス圧（ｍＴｏｒｒ） １５ 膜厚（ｎｍ） ３０ 成膜後、本発明の具体例と同様に、保護膜の硬さをヌ−
プ式硬度計で測定し、荷重をかけたときの圧痕の深さが
保護膜の膜厚を越えない範囲で荷重を変化させることに
より、膜厚方向における膜厚の変化を求めた。測定した
膜厚方向の硬さ 表面の硬さ（ヌ−プ硬度Ｈｋ） ８０００ 内部の硬さ（ヌ−プ硬度Ｈｋ） ８０００ 硬さの変化率（％） ０ 摺動特性評価結果は具体例１に関連して説明した評価法
によっておこなった。評価結果はつぎのとおりである。

【００５９】 間欠摺動特性 摺動回数 １５０ 所見 異常なし 連続摺動特性 摺動回数 １ 所見 クラッシュ 本発明による磁気記録媒体は、具体例１〜１４の硬さの
特性と比較例１、２の硬さ特性とを対比することによっ
て、膜厚方向の硬さ変化があり、しかも、表面で硬く、
内部で相対的に軟らかい保護膜を具備し、間歇的接触に
たいする摺動耐久性および連続接触にたいする摺動耐久
性の高い連続薄膜媒体を実現できること明らかであり、
そして、具体例４〜１４における摺動特性評価から、保
護膜の膜厚が１０ｎｍから３０ｎｍの範囲に、保護膜に
おける膜厚方向の硬さの変化率は３０％以内にさせるこ
とが好ましいこと明らかである。

【００６０】

【発明の効果】以上述べたように、本発明は、磁気ヘッ
ドとの接触形態が連続的であっても、また、間歇的であ
っても、すぐれた摺動耐久性をもつ磁気記録媒体を得る
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の一実施例の全体構成を
示す斜視図である。

【図２】図１の拡大断面図である。

【符号の説明】

１…基体、２、３…下地膜、４…磁性膜、５…保護膜、
６…潤滑膜。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも磁性薄膜とそれを保護する非
   磁性の硬質保護膜とをもつ連続薄膜媒体を基体に形成し
   てなる磁気記録媒体において、保護膜が磁性膜側の領域
   の硬さを反対側の領域のそれよりも小さくされているこ
   とを特徴とする磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 下地膜、磁性膜、保護膜および潤滑膜を
   もつ連続薄膜媒体を基体に形成してなる磁気記録媒体に
   おいて、保護膜が磁性膜側の領域の硬さを反対側の領域
   のそれよりも小さくされていることを特徴とする磁気記
   録媒体。
3. 【請求項３】保護膜の膜厚が１０ｎｍから３０ｎｍの範
   囲である請求項２に記載の磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 保護膜における膜厚方向の硬さの変化率
   が３０％以内である請求項２に記載の磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 下地膜、磁性膜、保護膜および潤滑膜を
   もつ連続薄膜媒体を基体に形成してなる磁気記録媒体に
   おいて、保護膜が炭素質、金属酸化物およびカ−バイド
   質のうちのひとつからなり、膜厚を１０ｎｍから３０ｎ
   ｍの範囲にさせられ、磁性膜側の領域の硬さを潤滑膜側
   の領域のそれよりも小さくさせられていると共に、硬さ
   の変化率を３０％以内にさせられていることを特徴とす
   る磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 下地膜、磁性膜、保護膜および潤滑膜を
   もつ連続薄膜媒体を基体に形成してなる磁気記録媒体に
   おいて、保護膜が炭素質および金属酸化物からなる複数
   の層からなり、膜厚を１０ｎｍから３０ｎｍの範囲にさ
   せられ、磁性膜側の領域の硬さを反対側の領域のそれよ
   りも小さくさせられていると共に、硬さの変化率を３０
   ％以内にさせられていることを特徴とする磁気記録媒
   体。