JPH0580552B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0580552B2 JPH0580552B2 JP59277927A JP27792784A JPH0580552B2 JP H0580552 B2 JPH0580552 B2 JP H0580552B2 JP 59277927 A JP59277927 A JP 59277927A JP 27792784 A JP27792784 A JP 27792784A JP H0580552 B2 JPH0580552 B2 JP H0580552B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- particles
- thin film
- disk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、大容量・高密度記憶を可能としたデ
イスクメモリに用いられる、デイスク基板に膜を
形成する薄膜形成装置に関するものである。
イスクメモリに用いられる、デイスク基板に膜を
形成する薄膜形成装置に関するものである。
従来の技術
第２図に電子線蒸着装置の側面図を示す。１は
基板ホールダー、３はデイスク基板、４は押え板
である。電子線蒸着では、発生した電子ビーム９
を、適当な磁場を８のマグネツトで与えて軌道を
変え、蒸着材料６を照射して加熱することによ
り、蒸着材料を蒸発させ、対向するデイスク基板
上に到達、付着、堆積することにより膜を形成す
る。この際、蒸着材料は、原子、分子、イオン、
或はクラスタイオンの形で蒸発し、デイスク基板
上に到達する。同時に蒸着材料表面で反射された
電子、或は電子が蒸着材料表面を衝撃する時に発
生する２次電子が、デイスク基板表面に到達す
る。
基板ホールダー、３はデイスク基板、４は押え板
である。電子線蒸着では、発生した電子ビーム９
を、適当な磁場を８のマグネツトで与えて軌道を
変え、蒸着材料６を照射して加熱することによ
り、蒸着材料を蒸発させ、対向するデイスク基板
上に到達、付着、堆積することにより膜を形成す
る。この際、蒸着材料は、原子、分子、イオン、
或はクラスタイオンの形で蒸発し、デイスク基板
上に到達する。同時に蒸着材料表面で反射された
電子、或は電子が蒸着材料表面を衝撃する時に発
生する２次電子が、デイスク基板表面に到達す
る。
一般にデイスク基板上に到達した粒子は、エネ
ルギーを持つているためにデイスク基板上をラン
ダムに動き回り、吸着エネルギー極大の位置に捕
えらえる。しかし通常、その位置にはとどまら
ず、表面拡散エネルギーを得て隣の吸着エネルギ
ー極大の位置に動いてゆく。これを繰り返して、
遂には吸着エネルギー以上のエネルギーを得て再
蒸発してしまうが、この移動中に他の粒子とぶつ
かつて粒子の対を形成し、次第に大きな粒子集団
となつてゆく。大きい集団になる程、安定で再蒸
発もし難いので、より大きく成長し、集団が成長
してある臨界点を越えると安定な島となる。島は
粒子集団を形成していない粒子を加えて成長を続
け、さらに成長して隣りの島と接すると液体のよ
うにある種の流れを伴つて合体し、ひとつの島を
作る。最後に大きい島々の間の谷が埋まり連続膜
を形成するに至る。従来の方法では、デイスク基
板３としてプラスチツク或はガラス基板を用い、
第３図アに示すような、その基板を部分的に覆つ
ている金属性の基板ホールダー１に、第３図イに
示すように金属性のリング状の押え板４で挾むよ
うに取り付けていた。
ルギーを持つているためにデイスク基板上をラン
ダムに動き回り、吸着エネルギー極大の位置に捕
えらえる。しかし通常、その位置にはとどまら
ず、表面拡散エネルギーを得て隣の吸着エネルギ
ー極大の位置に動いてゆく。これを繰り返して、
遂には吸着エネルギー以上のエネルギーを得て再
蒸発してしまうが、この移動中に他の粒子とぶつ
かつて粒子の対を形成し、次第に大きな粒子集団
となつてゆく。大きい集団になる程、安定で再蒸
発もし難いので、より大きく成長し、集団が成長
してある臨界点を越えると安定な島となる。島は
粒子集団を形成していない粒子を加えて成長を続
け、さらに成長して隣りの島と接すると液体のよ
うにある種の流れを伴つて合体し、ひとつの島を
作る。最後に大きい島々の間の谷が埋まり連続膜
を形成するに至る。従来の方法では、デイスク基
板３としてプラスチツク或はガラス基板を用い、
第３図アに示すような、その基板を部分的に覆つ
ている金属性の基板ホールダー１に、第３図イに
示すように金属性のリング状の押え板４で挾むよ
うに取り付けていた。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の装置では、プラスチツク或は
ガラス基板は、表面抵抗が1014〜1515Ωと高い絶
縁物であるため、表面に到達した粒子が動きにく
く、又、帯電粒子が到達した場合にも、第３図に
示すような従来の基板を部分的に覆つている金属
性の基板ホールダー、或は押え板に引きつけら
れ、或は反発されてしまい、粒子のランダムな動
きが防げられる。このように、基板に到達した粒
子のランダムな動きが防げられることは、膜厚に
むらを生じる原因となる。
ガラス基板は、表面抵抗が1014〜1515Ωと高い絶
縁物であるため、表面に到達した粒子が動きにく
く、又、帯電粒子が到達した場合にも、第３図に
示すような従来の基板を部分的に覆つている金属
性の基板ホールダー、或は押え板に引きつけら
れ、或は反発されてしまい、粒子のランダムな動
きが防げられる。このように、基板に到達した粒
子のランダムな動きが防げられることは、膜厚に
むらを生じる原因となる。
この対策として基板ホールド部分がすべて絶縁
性の物質で作製する手段もあるが、それでは微小
な膜厚むらを生じる恐れがある。
性の物質で作製する手段もあるが、それでは微小
な膜厚むらを生じる恐れがある。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、
基板上膜厚にむらのない均一な膜を形成すること
を目的とする。特に絶縁性の高い、絶縁体、誘電
体の薄膜を形成する際、きわめて有効な手段とな
る。
基板上膜厚にむらのない均一な膜を形成すること
を目的とする。特に絶縁性の高い、絶縁体、誘電
体の薄膜を形成する際、きわめて有効な手段とな
る。
問題点を解決するための手段
本発明は、上記問題点を解決するため、蒸着材
料に対向配置された基板の、膜を形成しない方の
面に対向し、その面に近接して、等電位面を設け
たものである。
料に対向配置された基板の、膜を形成しない方の
面に対向し、その面に近接して、等電位面を設け
たものである。
作 用
本発明は、上記した構成により、基板表面に到
達した帯電粒子が、基板の膜を形成しない面に対
向し近接した等電位面が存在しているため、第３
図に示すような従来の、基板を部分的に覆うよう
な基板ホールダー或は押え板の影響をうけること
がない。したがつてプラスチツク或はガラス等、
絶縁物基板上に、膜厚にむらのない均一な膜を形
成することができる。
達した帯電粒子が、基板の膜を形成しない面に対
向し近接した等電位面が存在しているため、第３
図に示すような従来の、基板を部分的に覆うよう
な基板ホールダー或は押え板の影響をうけること
がない。したがつてプラスチツク或はガラス等、
絶縁物基板上に、膜厚にむらのない均一な膜を形
成することができる。
実施例
第１図は本発明の一実施例の装置の要部を示し
たもので、２はデイスク基板３の膜を形成しない
面に対向し、近接して設けた等電位面を実現する
板である。この板２は金属性の基板ホールダー１
とデイスク基板３との間に配設される。なお、等
電位面は基板の膜を形成しない面の、少なくとも
信号領域は覆わなければならない。等電位面を実
現するには、例えばＡを蒸着したプラスチツク
板又は金属板を形成し、これを上述のように基板
ホールダー１とデイスク基板３の間に挾持させ
る。また板２の蒸着膜としてIn2O3、SnO2などの
導電性の透明薄膜を用いると、第４図に示すよう
に、発光素子２０と受光素子２１を備えた膜厚モ
ニター２３を付設して膜厚をモニターしながら、
目的とする厚さの膜をデイスク基板２上に形成す
ることが容易に可能である。
たもので、２はデイスク基板３の膜を形成しない
面に対向し、近接して設けた等電位面を実現する
板である。この板２は金属性の基板ホールダー１
とデイスク基板３との間に配設される。なお、等
電位面は基板の膜を形成しない面の、少なくとも
信号領域は覆わなければならない。等電位面を実
現するには、例えばＡを蒸着したプラスチツク
板又は金属板を形成し、これを上述のように基板
ホールダー１とデイスク基板３の間に挾持させ
る。また板２の蒸着膜としてIn2O3、SnO2などの
導電性の透明薄膜を用いると、第４図に示すよう
に、発光素子２０と受光素子２１を備えた膜厚モ
ニター２３を付設して膜厚をモニターしながら、
目的とする厚さの膜をデイスク基板２上に形成す
ることが容易に可能である。
発明の効果
以上、述べて来たように、デイスク基板の膜を
形成しない面に対向しかつその面の少なくとも一
部に近接して等電位面を設けることにより、帯電
付着粒子、反射電子、２次電子等による絶縁物基
板（デイスク基板）上の電荷の分布を均一にする
ことが出来、従つて絶縁物基板上に、特に絶縁
物、誘電物の薄膜を形成する際、非常に膜厚にむ
らのない均一な膜を得ることができ、工業的にき
わめて有効である。
形成しない面に対向しかつその面の少なくとも一
部に近接して等電位面を設けることにより、帯電
付着粒子、反射電子、２次電子等による絶縁物基
板（デイスク基板）上の電荷の分布を均一にする
ことが出来、従つて絶縁物基板上に、特に絶縁
物、誘電物の薄膜を形成する際、非常に膜厚にむ
らのない均一な膜を得ることができ、工業的にき
わめて有効である。
第１図は本発明の一実施例の装置の要部を示す
分解斜視図、第２図は電子線蒸着装置の概略側面
図、第３図アは従来の基板ホールダーの上面図、
同図イは要部の分解斜視図、第４図は本実施例で
膜厚をモニターする構成を示す要部斜視図である １……基板ホールダー、２……等電位面を実現
する板、３……デイスク基板、４……押え板。
分解斜視図、第２図は電子線蒸着装置の概略側面
図、第３図アは従来の基板ホールダーの上面図、
同図イは要部の分解斜視図、第４図は本実施例で
膜厚をモニターする構成を示す要部斜視図である １……基板ホールダー、２……等電位面を実現
する板、３……デイスク基板、４……押え板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 蒸着材料を加熱、或はイオン衝撃により蒸発
させる手段と、蒸着材料に対向配置された基板と
を備え、前記基板の膜を形成しない方の面に対向
し、その面の少なくとも一部に近接して、導電性
を有する等電位面を設けたことを特徴とする薄膜
形成装置。 ２ 等電位面を形成する導電体を光透過性とした
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄
膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59277927A JPS61153273A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59277927A JPS61153273A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61153273A JPS61153273A (ja) | 1986-07-11 |
| JPH0580552B2 true JPH0580552B2 (ja) | 1993-11-09 |
Family
ID=17590222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59277927A Granted JPS61153273A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61153273A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4419874Y1 (ja) * | 1966-09-20 | 1969-08-26 |
-
1984
- 1984-12-26 JP JP59277927A patent/JPS61153273A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61153273A (ja) | 1986-07-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |