JPS63176458A - 電子ビ−ム蒸着方法 - Google Patents
電子ビ−ム蒸着方法Info
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- JPS63176458A JPS63176458A JP540887A JP540887A JPS63176458A JP S63176458 A JPS63176458 A JP S63176458A JP 540887 A JP540887 A JP 540887A JP 540887 A JP540887 A JP 540887A JP S63176458 A JPS63176458 A JP S63176458A
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- Japan
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- electron beam
- electrically conductive
- insulating material
- channel
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Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、電子ビーム蒸着において、チャージアップに
よる蒸着過程の不安定性を解決するため、絶縁物材料の
蒸着物内に電気導伝性物質の通路を作りチャージを十分
にかすことにより、安定に蒸着できるようにしたもので
ある。
よる蒸着過程の不安定性を解決するため、絶縁物材料の
蒸着物内に電気導伝性物質の通路を作りチャージを十分
にかすことにより、安定に蒸着できるようにしたもので
ある。
本発明は電子ビームによる蒸着方法、特に絶縁物につい
ての蒸着方法に関するものである。電子ビーム蒸着法は
、通常の抵抗加熱蒸着法で蒸着できない、高融点物質や
絶縁物の蒸着には非常に有用なものである。しかし、絶
縁物には電気導伝性が無いので照射された電子が蒸着物
内にたまり、チャージアンプし、このチャージアップの
ため入射電子線がまげられ均一な加熱ができず、突沸す
る現象が発生して、蒸着コントロールが不安定になる。
ての蒸着方法に関するものである。電子ビーム蒸着法は
、通常の抵抗加熱蒸着法で蒸着できない、高融点物質や
絶縁物の蒸着には非常に有用なものである。しかし、絶
縁物には電気導伝性が無いので照射された電子が蒸着物
内にたまり、チャージアンプし、このチャージアップの
ため入射電子線がまげられ均一な加熱ができず、突沸す
る現象が発生して、蒸着コントロールが不安定になる。
従来の電子ビーム蒸着で絶縁物を蒸着するとチャージア
ップのために物質が突沸することが生じ、蒸着制御が不
安定となる。
ップのために物質が突沸することが生じ、蒸着制御が不
安定となる。
これを解決するための方法は従来考慮されていなかった
。
。
従来の電子ビーム蒸着では蒸着が不安定になることがあ
った。
った。
絶縁物中に電気導伝性を有する物質・例えば高融点金属
i’J i + T t 、W等の線からなるチャネル
を絶縁物の表面から垂直に上から下まで通し、電気導伝
性チャネルを設け、チャネルを接地してアース電位とす
る ことによって蒸着を安定にする。
i’J i + T t 、W等の線からなるチャネル
を絶縁物の表面から垂直に上から下まで通し、電気導伝
性チャネルを設け、チャネルを接地してアース電位とす
る ことによって蒸着を安定にする。
電気導伝性の線を設けて絶縁材料蒸着源のチャージアッ
プをふせぐことにより、電子ビームが一定に絶縁物蒸着
源上に照射され安定に蒸着される。
プをふせぐことにより、電子ビームが一定に絶縁物蒸着
源上に照射され安定に蒸着される。
実施例1 第1図に本発明による例を示す。
直径15mmφ、高さ10mmのテフロンからなる絶縁
材料蒸着源1の中心に直径0.5mmφのニッケル線か
らなる電気導伝性物質2が入っており、チャージアップ
防止の電気導伝性チャネルとなる。この物質をニッケル
線を接地してアース電位とした状態で電子ビームで蒸発
(蒸着するために)させると、ニッケル線がないときに
発生する突沸かなく安定に蒸着できた。
材料蒸着源1の中心に直径0.5mmφのニッケル線か
らなる電気導伝性物質2が入っており、チャージアップ
防止の電気導伝性チャネルとなる。この物質をニッケル
線を接地してアース電位とした状態で電子ビームで蒸発
(蒸着するために)させると、ニッケル線がないときに
発生する突沸かなく安定に蒸着できた。
実施例2 他の例を示す。これは実施例1と同様に絶縁
性物質1がテフロンの場合であるが、電気導伝性物質で
あるニッケル線を7本、第2図のように入れチャージア
ップ防止用の電気導伝性チャネルを複数本設けたもので
ある。これもチャネルを接地してアース電位とした状態
で電子ビームで同様に安定に蒸着できた。
性物質1がテフロンの場合であるが、電気導伝性物質で
あるニッケル線を7本、第2図のように入れチャージア
ップ防止用の電気導伝性チャネルを複数本設けたもので
ある。これもチャネルを接地してアース電位とした状態
で電子ビームで同様に安定に蒸着できた。
第3図は蒸着源をアースされたハース4に接地して電子
ビーム5を照射してテフロン1等の絶縁物質を蒸着する
場合の1例を示す。
ビーム5を照射してテフロン1等の絶縁物質を蒸着する
場合の1例を示す。
Niよりなる導伝性チャネル2はハース4に接続されア
ースされている。
ースされている。
本発明によれば絶縁物蒸着源でも電子ビーム蒸着により
安定な蒸着ができる。
安定な蒸着ができる。
第1図、第2図、第3図は本発明を説明する図である。
v、Z図
Claims (1)
- 絶縁物を電子ビーム蒸着法で蒸着する際、絶縁物内に、
絶縁物より融点が高く、電気導伝性を有する物質による
チャネルを設けたものを用いることを特徴とする電子ビ
ーム蒸着方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP540887A JPS63176458A (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | 電子ビ−ム蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP540887A JPS63176458A (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | 電子ビ−ム蒸着方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63176458A true JPS63176458A (ja) | 1988-07-20 |
Family
ID=11610319
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP540887A Pending JPS63176458A (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | 電子ビ−ム蒸着方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63176458A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007031766A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置 |
JP2007313059A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | クリーニングバー |
CN102864419A (zh) * | 2011-07-08 | 2013-01-09 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 坩埚、真空蒸镀系统及方法 |
-
1987
- 1987-01-13 JP JP540887A patent/JPS63176458A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007031766A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置 |
JP2007313059A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | クリーニングバー |
CN102864419A (zh) * | 2011-07-08 | 2013-01-09 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 坩埚、真空蒸镀系统及方法 |
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