DE4213796A1 - Vorrichtung und verfahren zur ionen-implantation - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Ionen-Implantation. Im Einzelnen betrifft sie eine Vorrichtung zur Ionen-Implantation, bei der eine verunreinigte Schicht auf einem Halbleitersubstrat wäh­ rend eines Halbleiter Herstellungsprozeß ausgebildet wird und ein Verfahren zur Steuerung einer derartigen Ionen- Implantiervorrichtung.

Ein Verfahren zur Ionen-Implantation ist als ein Verfah­ ren bekannt, um eine verunreinigte Schicht auf einen Halbleitersubstrat auszubilden. Fig. 6 ist eine schemati­ sche Ansicht einer herkömmlichen Ionen-Implantiervorrich­ tung. Eine derartige Ionen-Implantiervorrichtung wird dazu verwendet, um Ionen in einem Halbleitersubstrat auf folgende Art und Weise zu implantieren.

Als erstes wird ein Dotiergas oder ein dichter Dampf ei­ ner Ionenquelle 1 zugeführt, in der eine Bogen-Entladung zum Erzeugen eines hochdichten Plasmas stattfindet. Dar­ aufhin wird eine Hochspannung (üblicherweise 20-80 kV) an einer (nicht gezeigten) Extraktionselektrode angelegt, um die Ionen aus der Ionenquelle 1 herauszuziehen. Gleichzeitig wird den Ionen eine fest vorgegebene Energie zugeführt, um sie in Ionenstrahlen 2 umzuwandeln. Die magnetischen Felder der Ionen werden durch einen Massen­ analysator 3 abgelenkt. Die jeweiligen Ionen haben eine fest vorgegebene elektrische Ladung und Masse, die durch die magnetische Flußdichte, die Energie und den Kurvenra­ dius des Massenanalysators 3 bestimmt wird. Auf diese Weise werden Ionen aus den Ionenstrahlen 2 ausgewertet, denen die fest vorgegebene Energie zugeführt wurde.

Danach treten die Ionenstrahlen 2 zur Verbesserung ihrer Auflösung durch eine Auflösungs-Blende 4, und werden ei­ ner Beschleunigungsröhre 5 zugeführt, in der die Energie der Ionenstrahlen auf einen vorbestimmten Wert erhöht wird. Eine vierfach Linse ist derart eingestellt, daß die Ionenstrahlen 2 auf ein Halbleitersubstrat 7 (dem Ziel) fokussiert werden, welches sich in einem Implantationskäfig 10 befindet. In dieser Phase lenken Abtastelektroden 8 und 9 die Ionenstrahlen 2 derart ab, daß die Ionen gleichmäßig in dem Halbleitersubstrat 7 implantiert werden.

Herkömmliche Ionen-Implantiervorrichtungen sind wie vor­ hergehend beschrieben aufgebaut. In den meisten Fällen sind die Strukturen bereits auf dem Halbleitersubstrat 7 ausgebildet, wenn die Ionen-Implantation durchgeführt wird. Fig. 7 zeigt ein Beispiel eines Halbleitersubstrats 7, auf dem bereits Strukturen ausgebildet sind. Gemäß Fig. 7 besteht das Halbleitersubstrat 7 aus einem P-elek­ trisch leitendem Halbleiter. Auf der vorderen Oberfläche des Halbleitersubstrats 7 sind dicke Feld-Isolierfilme 12 wahlweise ausgebildet. Zwischen den Feld-Isolierfilmen 12 sind in Sandwich-Bauweise dünne Isolierfilme 13 die als Gate-Isolierfilme agieren, in aktiven Bereichen ausgebil­ det. Gate-Elektroden 14 befinden sich über den Isolier­ filmen 13. Da die Halbleitergeräte immer kleiner werden, werden auch die Isolierfilme 13 immer dünner. Wird gemäß Fig. 7 ein CMOS-Transistor ausgebildet, so maskiert nor­ malerweise ein Fotowiderstand 15 zum Beispiel einen p- Kanalbereich 11. In diesem Fall wird eine Ionen-Implanta­ tion durchgeführt, um Source und Drain eines n-Kanalbe­ reichs in einen N elektrisch leitenden Typ zu verwandeln. Während dieser Zeit werden Ionen (positive Ionen), die aus einem Element wie z. B. Phosphor oder Arsen bestehen, zum Bilden des Ionenstrahls 2 verwendet.

Die vordere Oberfläche des Halbleitersubstrats 7 wird po­ sitiv aufgeladen, wenn die Ionen in das mit den Isolier­ filmen 12 und 13 beschichtete Halbleitersubstrat 7 im­ plantiert werden. Folglich besteht eine sehr große Wahr­ scheinlichkeit, daß in dem extrem dünnen Isolierfilm 13 ein dielektrischer Durchbruch stattfindet.

Normalerweise wird ein Ladungsneutralisator 16 als Vor­ richtung zum Verhindern eines solchen dielektrischen Durchbruchs verwendet. In Fig. 8 wird die Arbeitsweise des Ladungsneutralisators 16 dargestellt. Gemäß Fig. 8 beschleunigt der Ladungsneutralisator 16 Primärelektronen 17, die von einem Heizdraht 16b einer Elektronenkanone 16a ausgesendet werden. Diese Beschleunigung findet in einem magnetischen Feld von ca. 300 V statt. Die ausge­ sendeten Primärelektronen 17 werden auf einen dem La­ dungsneutralisator 16 gegenüberliegenden Faradaykäfig ab­ gestrahlt, um dadurch Sekundärelektronen 19 zu erzeugen. Die Sekundärelektronen 19 werden dem Halbleitersubstrat 7 zugeführt, in das die Ionen implantiert werden. Das durch die positiven Ionen elektrisch aufgeladene Halbleitersub­ strat 7 wird dadurch elektrisch neutralisiert. Das Halbleitersubstrat 7 ist mit einem Klemmring 20 an einer Hal­ tevorrichtung 21 befestigt.

Wird ein derartiger Ladungsneutralisator 16 zum Durchfüh­ ren der Ionen-Implantation verwendet, so werden aus Tei­ len der Primärelektronen 17 Rückstoßelektronen die das Halbleitersubstrat 7 mit einer Energie von ca. 300 eV erreichen. Die Rückstrahlelektronen gehen über das posi­ tive Potential des Halbleitersubstrats 7 hinaus, welches durch den Ionenstrahl 2 positiv aufgeladen wurde, und er­ reichen einen elektrisch neutralen Abschnitt des Halbleitersubstrats 7, welcher seinerseits negativ gela­ den wird. Mit anderen Worten bewegen sich die Ionenstrah­ len 2 wie beim Abtasten über das Halbleitersubstrat 7. Aus diesem Grund meint man, daß das Substrat 7 wiederholt positiv und negativ geladen wird, wenn man einen extrem kleinen Bereich des Halbleitersubstrats 7 betrachtet.

Auf diese Weise wird das Halbleitersubstrat 7 wiederholt positiv und negativ geladen und nicht neutralisiert, wenn der Ladungsneutralisator 16 zum Durchführen der Ionen-Im­ plantation verwendet wird. Folglich besteht eine große Wahrscheinlichkeit, daß ein dielektrischer Durchbruch in dem extrem dünnen Isolierfilm 13 auftritt. Ein solches Phänomen wird besonders dann vorhersagbar, wenn der Iso­ lierfilm 13 einen größeren Bereich besitzt. Zum Beispiel besitzt ein MOS-Kondensator eine große Wahrscheinlichkeit für einen dielektrischen Durchbruch, weil der Isolierfilm 13 zum Vergrößern der elektrischen Kapazität einen großen Bereich umfassen muß. Zusätzlich erhöht sich die Anzahl der Rückstoßelektronen mit der Verschmutzung des Faraday­ käfig 18. So lädt und ändert sich mit der Zeit die Ober­ fläche des Käfigs 18 wenn z. B. ein verunreinigter Iso­ lierfilm auf dem Faradykäfig 18 ausgebildet ist. Die Io­ nen-Implantation kann somit nicht wirkungsvoll gesteuert werden.

Mit der vorstehend genannten Vorrichtung zum Ionen Im­ plantieren treten elektrische Ladungen auf und verursa­ chen dielektrische Durchbrüche in den immer kleiner wer­ denden Halbleitergeräten. Folglich verringert ein solcher Durchbruch sowohl die Ausbeute als auch die Zuverlässig­ keit der Halbleitergeräte. Selbst wenn ein Ladungsneutra­ lisator 16 verwendet wird laden Primärelektronen mit ho­ her Energie das Halbleitersubstrat 7 negativ auf. Folg­ lich löst der Ladungsneutralisator 16 nicht vollständig die Probleme der herkömmlichen Vorrichtungen. Des weite­ ren ist es zeitraubend, womit sich die Produktivität der Halbleitergeräte verringert, wenn die Ionen-Implantation derart ausgeführt wird, daß keine elektrische Aufladung stattfindet.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, zum Lösen der genannten Nachteile eine Vorrichtung zur Ionen-Implanta­ tion zu schaffen in der Ionenstrahlen verwendet werden, die wirkungsvoll niederenergetische Sekundärelektronen erzeugen, welche keine negative Aufladung verursachen. Die Sekundärelektronen dürfen zum Halbleitersubstrat ge­ langen welches selbst dann neutralisiert werden kann, wenn dieses Substrat durch die Implantierung von Ionen aufgeladen wurde. Ferner soll mit der Erfindung ein Ver­ fahren zur Steuerung einer solchen Ionen-Implantiervor­ richtung geschaffen werden.

Ein Teil dieser Aufgabe wird erfindungsgemäß für eine Vor­ richtung zur Ionen-Implantation gelöst durch eine Ionen­ quelle; eine Vorrichtung zum Absondern von Ionen aus ei­ ner Ionenquelle, sowie zum Bilden eines Ionenstrahls; eine Vorrichtung zum gleichmäßigen Abtasten des Ionen­ strahls auf einem Halbleitersubstrat; eine Ionen-Implan­ tationskammer zur Anpassung des Halbleitersubstrats; ei­ nem in der Ionen-Implantationskammer befindlichen Trage- Bett, auf dem das Halbleitersubstrat montiert ist; einem Befestigungsglied zum Festhalten des Halbleitersubstrats auf dem Trage-Bett; eine an das Befestigungsglied an­ grenzende Sekundärelektronen-Generatorvorrichtung, die das Halbleitersubstrat umfaßt und bezüglich dem Trage- Bett negativ vorgespannt ist; und durch eine Ausrichtvorrichtung für die Sekundärelektronen zum Aus­ richten der durch die Sekundärelektronen-Generatorvor­ richtung erzeugten Sekundärelektronen auf das Halbleiter­ substrat, wobei die Ausrichtvorrichtung einen äußeren Randbereich des Halbleitersubstrats umfaßt.

Ein weiterer Teil wird erfindungsgemäß durch ein Verfah­ ren zum Steuern einer Vorrichtung zur Ionen-Implantation mit den Schritten des Absonderns eines Ions aus einer Io­ nenquelle zum Bilden eines Ionenstrahls; des Ausrichtens der von einer Sekundärelektronen-Generatorvorrichtung er­ zeugten Sekundärelektronen durch eine bezüglich dem Trage-Bett negativ vorgespannten Sekundärelektronen-Aus­ richtvorrichtung auf ein Halbleitersubstrat; des Im­ plantierens des Ionenstrahls im Halbleitersubstrat; und des Abschaltens der Vorspannung, wenn die Sekundärelek­ tronen-Ausrichtvorrichtung aufgrund einer Verunreinigung während des Implantierens des Ionenstrahls isolierend wird, gelöst.

Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbei­ spielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläu­ tert.

Fig. 1 zeigt eine schematische Schnittansicht, die im we­ sentlichen eine Vorrichtung zur Ionen-Implantation eines erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels darstellt;

Fig. 2 zeigt eine schematische Schnittansicht, die im we­ sentlichen eine Vorrichtung zur Ionen-Implantation eines weiteren erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels dar­ stellt;

Fig. 3 zeigt eine schematische Schnittansicht, die im we­ sentlichen eine Vorrichtung zur Ionen-Implantation eines dritten erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels darstellt;

Fig. 4 zeigt eine schematische Draufsicht einer Stufe ei­ ner Vorrichtung zur Ionen-Implantation eines vierten erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels;

Fig. 5 zeigt eine schematische Schnittansicht entlang der Linie A-A gemäß Fig. 4;

Fig. 6 ist eine schematische Ansicht, die den Aufbau ei­ ner herkömmlichen Vorrichtung zur Ionen-Implantation dar­ stellt;

Fig. 7 ist eine schematische Schnittansicht, die zeigt wie ein auf einem Halbleitersubstrat ausgebildeter Iso­ lierfilm elektrisch aufgeladen wird; und

Fig. 8 zeigt eine Ansicht, die die Arbeitsweise eines La­ dungsneutralisators darstellt, der in herkömmlichen Vor­ richtungen zur Ionen-Implantation verwendet wird.

Fig. 1 ist eine schematische Schnittansicht, die im we­ sentlichen eine Vorrichtung zur Ionen-Implantation eines erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels zeigt. In der Zeichnung beschreiben gleiche Bezugszeichen identische oder korrespondierende Bauteile. Gemäß Fig. 1 ist kein Ladungsneutralisator 16 vorgesehen, sondern eine Sekun­ därelektronen-Generatorvorrichtung wie z. B. eine ring­ förmige Elektrode 22 und eine Sekundärelektronen-Aus­ richtvorrichtung, wie z. B. eine schalenförmige Elektrode 23. Die Sekundärelektronen-Generartorvorrichtung wird dazu verwendet die Anzahl der durch die Abstrahlung des Ionenstrahls 2 unvermeidbar erzeugten Sekundärelektronen zu vergrößern. Diese Vorrichtung umfaßt den äußeren Rand­ bereich eines Halbleitersubstrats 7 zum Anpassen der Se­ kundärelektroden auf dem Halbleitersubstrat 7. Dies sind die Merkmale der Erfindung, welche von herkömmlichen Vor­ richtungen zur Ionen-Implantation verschieden sind.

Die so aufgebaute Vorrichtung zur Ionen-Implantation ist die gleiche wie bei herkömmlichen Vorrichtungen zur Io­ nen-Implantation, mit Ausnahme der Neutralisation der La­ dung auf dem Halbleitersubstrat 7; auf eine detaillierte Beschreibung wurde daher verzichtet. Gemäß Fig. 1 befin­ det sich die ringförmige Elektrode 22 auf einem Klemmring 20, der das Halbleitersubstrat 7 befestigt und auf einem Trage-Bett 21 montiert ist. Sie ist elektrisch vom Klemm­ ring 20 isoliert und bezüglich dem Trage-Bett 21 negativ vorgespannt. Weil sich die ringförmige Elektrode 22 in­ nerhalb des Abtastpfades des Ionenstrahls 2 befindet, wird sie durch die Ionenstrahlen 2 bestrahlt, wobei Sekun­ därelektronen 19 erzeugt werden. In dieser Phase erhöht die ringförmige Elektrode 22 die Anzahl der zu Erzeu­ genden Sekundärelektronen 19 aufgrund seiner negativen Vorspannung. Die erzeugten Sekundärelektronen 19 überzie­ hen das positiv aufgeladene Halbleitersubstrat 7, wobei die positive Ladung des Halbleitersubstrats 7 neu­ tralisiert wird. Ein Strommesser 24 ist zum Messen der Anzahl von Sekundärelektronen 19, die sich durch die negative Vorspannung zu dieser Zeit erhöht hat, vorgesehen. Die Anzahl der negativen Elektronen 19 schaltet die negative Vorspannung der ringförmigen Elektrode 22 ein und aus und wird durch den Differenzbetrag eines elektrischen Stroms bestimmt, der zu der ringförmigen Elektrode 22 fließt.

Die schalenförmige Elektrode 23, welche den äußeren Rand­ bereich des Halbleitersubstrats 7 umfaßt, ist bezüglich des Trage-Betts 21 negativ vorgespannt. Die schalenför­ mige Elektrode 23 stößt die durch das Halbleitersubstrat 7 und die ringförmige Elektrode 22 erzeugten Sekundär­ elektronen derart zurück, daß sich die Sekundärelektronen 19 auf dem Halbleitersubstrat 7 verteilen. Ein Strommes­ ser 25 ist vorgesehen, um den Betrag eines elektrischen Elektrons, der zur schalenförmigen Elektrode 23 fließt, zu messen. Ein elektrischer Strom fließt in der Richtung zum Strommesser 25, in der Elektronen normalerweise auf die schalenförmige Elektrode 23 auftreffen. Der Betrag des elektrischen Stroms verringert sich mit dem altern der Oberfläche der schalenförmigen Elektrode 23. Ein sol­ cher Rückgang wird angezeigt. Die Vorspannung der scha­ lenförmigen Elektrode 23 kann letztendlich abgeschaltet sein.

Gemäß Fig. 1 ist die ringförmige Elektrode 22 mit -20 V vorgespannt und die schalenförmige Elektrode mit -30 V. Vorzugsweise kann jedoch eine Vorspannung im Bereich von -50 V bis -10 V an beiden Elektroden 22 und 23 angelegt werden.

Obwohl die negativ vorgespannte schalenförmige Elektrode 23 im vorstehend genannten Ausführungsbeispiel aus Metall besteht, kann sie ebenso aus einem isolierenden Material bestehen.

Fig. 2 ist eine schematische Schnittansicht, die im we­ sentlichen eine Vorrichtung zur Ionen-Implantation gemäß einem weiteren erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel zeigt. Eine aus einem isolierenden Material bestehende Schale 26 ist im Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 2 vorge­ sehen. Sekundärelektronen 19, die von einer ringförmigen Elektrode 22 ausgesendet werden, laden die Oberfläche der Schale 26 negativ auf. Deshalb stößt die Schale 26 die Sekundärelektronen 19 ab, so daß sie sich auf dem Halbleitersubstrat 7 verteilen können. Somit besitzt die Schale 26 die Fähigkeit die elektrische Ladung des Halbleitersubstrats 7 zu neutralisieren. Obwohl die Schale 26 in diesem Ausführungsbeispiel aus einem iso­ lierenden Material besteht, kann sie auch aus Metall be­ stehen, dessen Oberfläche mit einem isolierenden Material beschichtet ist. Zum Beispiel kann die Schale 26 aus Alu­ miniumoxid bestehen, welches durch anoden Aluminiumbe­ handlung entsteht.

Die Steuerung der Vorrichtung zur Ionen-Implantation ist folgendermaßen möglich. Während die elektrisch leitfähige schalenförmige Elektrode 23 gemäß Fig. 1 negativ vorge­ spannt ist werden Ionen implantiert. Während der Ionen- Implantation haftet eine Verunreinigung wie z. B. ein Wi­ derstand an den inneren Wänden der schalenförmigen Elek­ trode 23, wodurch sich die elektrische Leitfähigkeit ver­ ringert. Wenn die schalenförmige Elektrode 23 isolierend wird, was durch den Strommesser 25 angezeigt werden kann, wird die elektrische Stromquelle für einen negativ vorge­ spannten Strom abgeschaltet. Diese Abschalten ermöglicht es die schalenförmige Elektrode 23 wie die vorhergenannte Schale 26 zu verwenden.

Obwohl in den genannten Ausführungsbeispielen die scha­ lenförmige Elektrode 23 und die Schale 26 jeweils einen zylindrischen Aufbau haben, kann die Öffnung der Kompo­ nenten 23 oder 26 gemäß Fig. 3 auch nach innen gebogen sein, um Sekundärelektronen wirkungsvoll abzusenden. Die Elektrode 23 und die Schale 26 sind nicht auf spezielle Formen begrenzt sondern können alle Formen annehmen. Die gleichen Vorteile wie die beschriebenen können mit ver­ schiedenen Aufbauten und Formen erreicht werden.

Die vorherstehend genannten erfindungsgemäßen Ausfüh­ rungsbeispiele werden auf sogenannte Single-Wavertyp-Im­ plantationsvorrichtungen angewandt, in der eine mittlere Strommaschine mit nicht mehr als 1 mA an Ionen gleichzei­ tig zum Implantieren von Ionen in einem Halbleitersub­ strat verwendet wird. Diese Ausführungsbeispiele können gemäß Fig. 4 jedoch in der gleichen Weise wie vorstehend beschrieben auf eine Vorrichtung zur Ionen-Implantation vom Stapel Typus angewendet werden, in der eine große Strommaschine zum Implantieren von Ionen in mehrere Halb­ leitersubstrate 7 verwendet wird, die auf einer Scheibe 30 montiert sind. In diesem Fall ist gemäß Fig. 5 eine ringförmige Elektrode 22 und eine schalenförmige Elek­ trode 23 für jedes Halbleitersubstrat 7 vorgesehen.

Eine Vorrichtung zur Ionen-Implantation ist derart ange­ ordnet, daß sie ein Halbleitersubstrat enthält, welches an ein Befestigungsglied angrenzt, das das Halbleitersub­ strat in einem Trage-Bett festhält. Die Vorrichtung zur Ionen-Implantation enthält eine Ringelektrode zum Erzeu­ gen von Sekundärelektronen und eine schalenförmige Elek­ trode zum Ausrichten der Sekundärelektronen auf das Halb­ leitersubstrat. Die Ringelektrode ist bezüglich des Trage-Betts negativ vorgespannt und die schalenförmige Elektrode ist derart angeordnet, daß sie die äußeren Randbereiche des Halbleitersubstrats umfaßt. Die Vorrich­ tung zur Ionen-Implantation erhöht die Anzahl der Sekun­ därelektronen und erlaubt ihnen auf wirkungsvolle Weise das Halbleitersubstrat zu erreichen. Das Halbleitersub­ strat, das durch die Implantierung der Ionen elektrisch aufgeladen wurde, wird dadurch neutralisiert. Es ist mög­ lich einen in einem Isolierfilm entstehenden dielektri­ schen Durchbruch zu verhindern und ein sehr zuverlässiges Halbleitergerät zu erhalten.

Claims (7)

1. Vorrichtung zur Ionen-Implantation gekennzeichnet durch
eine Ionenquelle (1);
eine Vorrichtung zum Absondern von Ionen aus einer Ionen­ quelle (1) sowie zum Bilden eines Ionenstrahls (2);
eine Vorrichtung (8, 9) zum gleichmäßigen Abtasten des Ionenstrahls (2) auf ein Halbleitersubstrat (7);
einer Ionen-Implantationskammer (10) zur Anpassung des Halbleitersubstrats (7);
ein in der Ionen-Implantationskammer (10) befindliches Trage-Bett (21), auf den das Halbleitersubstrat (7) mon­ tiert ist;
ein Befestigungsglied (20) zum Festhalten des Halbleiter­ substrats (7) auf dem Trage-Bett (21);
eine an das Befestigungsglied (20) angrenzende Sekundär­ elektronen-Generatorvorrichtung (22), die das Halbleiter­ substrat (7) umfaßt und bezüglich dem Trage-Bett (21) ne­ gativ vorgespannt ist; und
eine Sekundärelektronen-Ausrichtvorrichtung (23, 26), zum Ausrichten der durch die Sekundärelektronen-Generatorvor­ richtung (22) erzeugten Sekundärelektronen (19) auf das Halbleitersubstrat (7), wobei die Ausrichtvorrichtung (23; 26) einen äußeren Randbereich des Halbleitersub­ strats (7) umfaßt.

2. Vorrichtung zur Ionen-Implantation nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorspannung der Sekundär­ elektronen-Generartorvorrichtung (22) in einem Bereich von -50 bis -10 V liegt.

3. Vorrichtung zur Ionen-Implantation nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Sekundärelektronen-Aus­ richtvorrichtung (23) aus einem Leiter besteht und bezüg­ lich des Trage-Betts (21) negativ vorgespannt ist.

4. Vorrichtung zur Ionen-Implantation nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorspannung der Sekundär­ elektronen-Ausrichtvorrichtung (23) in einem Bereich von -50 bis -10 V liegt.

5. Vorrichtung zur Ionen-Implantation nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Sekundärelektronen-Aus­ richtvorrichtung (26) aus einem Isoliermaterial besteht.

6. Vorrichtung zur Ionen-Implantation nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Sekundärelektronen-Aus­ richtvorrichtung (23, 26) aus Metall besteht, dessen Oberfläche mit einem isolierendem Material beschichtet ist.

7. Verfahren zum Steuern einer Vorrichtung zur Ionen-Im­ plantation gekennzeichnet durch die Schritte
des Absonderns eines Ions aus einer Ionenquelle (1) zum Bilden eines Ionenstrahls (2);
des Ausrichtens der von einer Sekundärelektronen-Genera­ torvorrichtung (22) erzeugten Sekundärelektronen (19) durch eine bezüglich dem Trage-Bett (21) negativ vorge­ spannten Sekundärelektronen-Ausrichtvorrichtung (23) auf ein Halbleitersubstrat (7);
des Implantierens des Ionenstrahls im Halbleitersubstrat (7); und
des Abschaltens der Vorspannung, wenn die Sekundärelek­ tronen-Ausrichtvorrichtung (23) aufgrund einer Verunrei­ nigung während des Implantierens des Ionenstrahls isolie­ rend wird.