JPS6272112A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPS6272112A JPS6272112A JP21109385A JP21109385A JPS6272112A JP S6272112 A JPS6272112 A JP S6272112A JP 21109385 A JP21109385 A JP 21109385A JP 21109385 A JP21109385 A JP 21109385A JP S6272112 A JPS6272112 A JP S6272112A
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- JP
- Japan
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- adhesion
- preventing
- insulator
- insulated tube
- film forming
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- Pending
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分舒〕
この発明は、基板上に薄膜を形成する／Ｖ膜形成装置に
関するものである。
関するものである。
第２図は、例えば特公昭５４−９５９２公報に示された
従来のＩＣＢ（イオンクラスタービーム）型薄膜形成装
置を示す断面図である。図において、（１）は少なくと
も１個の噴射ノズル（２）を有する密閉形のるつぼ、（
３）は上記るつぼ（１）内に納められた材料、（４）は
材料（３）が加熱されて発生した蒸気、（５）は前“記
蒸気（４）が噴射されろ真空領域、（６）は前記蒸気（
４）から真空領域（５）内で形成されるクラスタ、（７
）は該クラスタ（６）がイオン化されたクラスタイオン
−１（８）は上記クラスタイオン（７）を生成するため
のイオン化用電子を放出するイオン化フィラメント、（
９）は該イオン化フィラメント（８）から放出される電
子、（１０）は基板、（１１）は上記クラスクイオン（
７）を加速するために加速電極（２０）に電力を供給す
る加速電源、（１２）は膜、（１３）および（１３１）
は前記イオン化フィラメンＩ−（８１を不勢するイオン
化ｆｌｌｓｌ’ｉｔ、 （１４）および（１４１）はる
つぼ（１）を加熱するためのボンバードフイラメンｌ−
（１９）を不勢する加熱電源、（１５）ｉよ薄膜形成装
置の支持台、（１６）は該支持台に固定されそして電位
の異なる各構成要素への導電体（１７）を絶縁するため
の絶縁管、（１８）は真空槽である。
従来のＩＣＢ（イオンクラスタービーム）型薄膜形成装
置を示す断面図である。図において、（１）は少なくと
も１個の噴射ノズル（２）を有する密閉形のるつぼ、（
３）は上記るつぼ（１）内に納められた材料、（４）は
材料（３）が加熱されて発生した蒸気、（５）は前“記
蒸気（４）が噴射されろ真空領域、（６）は前記蒸気（
４）から真空領域（５）内で形成されるクラスタ、（７
）は該クラスタ（６）がイオン化されたクラスタイオン
−１（８）は上記クラスタイオン（７）を生成するため
のイオン化用電子を放出するイオン化フィラメント、（
９）は該イオン化フィラメント（８）から放出される電
子、（１０）は基板、（１１）は上記クラスクイオン（
７）を加速するために加速電極（２０）に電力を供給す
る加速電源、（１２）は膜、（１３）および（１３１）
は前記イオン化フィラメンＩ−（８１を不勢するイオン
化ｆｌｌｓｌ’ｉｔ、 （１４）および（１４１）はる
つぼ（１）を加熱するためのボンバードフイラメンｌ−
（１９）を不勢する加熱電源、（１５）ｉよ薄膜形成装
置の支持台、（１６）は該支持台に固定されそして電位
の異なる各構成要素への導電体（１７）を絶縁するため
の絶縁管、（１８）は真空槽である。
次にその動作を説明する。まず、材料（３）を収容した
るつぼ（１）を抵抗加熱または電子ボンバード加熱（第
２図に示したのは電子ボンバード加熱法である）によっ
て加熱して、この蒸着材料（３）を蒸発させる。前記蒸
着材料（３）は蒸気圧が１０−”Ｔｏｒｒ以上となると
、噴射ノズル（２）を通って１０−’Ｔｏｒｒ以下の真
空領域（５）に蒸気（４）を噴出する。このとき、噴出
ノズル（２）を通過した蒸気（４）は、るつぼ（１）と
真空領域（５）の圧力差による断熱膨張によって過冷却
状態となり、１００〜２００個程度の原子が結合したク
ラスタ（塊状原子集団）（６）を形成する。前記クラス
タ（６）はイオン化フイラメイ＋−（８１から引き出さ
れた電子（９）と衝突し、クラスタ（６）を形成する原
子の電子１つが弾きとばされて、クラスタイオン（７）
となる。
るつぼ（１）を抵抗加熱または電子ボンバード加熱（第
２図に示したのは電子ボンバード加熱法である）によっ
て加熱して、この蒸着材料（３）を蒸発させる。前記蒸
着材料（３）は蒸気圧が１０−”Ｔｏｒｒ以上となると
、噴射ノズル（２）を通って１０−’Ｔｏｒｒ以下の真
空領域（５）に蒸気（４）を噴出する。このとき、噴出
ノズル（２）を通過した蒸気（４）は、るつぼ（１）と
真空領域（５）の圧力差による断熱膨張によって過冷却
状態となり、１００〜２００個程度の原子が結合したク
ラスタ（塊状原子集団）（６）を形成する。前記クラス
タ（６）はイオン化フイラメイ＋−（８１から引き出さ
れた電子（９）と衝突し、クラスタ（６）を形成する原
子の電子１つが弾きとばされて、クラスタイオン（７）
となる。
このクラスタイオン（７）は加速電極（２０）によって
加速され、そしてイオン化されていないクラスタがるつ
ぼ（１）から噴射されるときの運動エネルギーでもって
基板（ｌＯ）に衝突して黒膜（１２）が形成される。
加速され、そしてイオン化されていないクラスタがるつ
ぼ（１）から噴射されるときの運動エネルギーでもって
基板（ｌＯ）に衝突して黒膜（１２）が形成される。
ここで前記クラスタイオン（７）が基板（１０）に衝突
する際に、このクラスタイオン（７）の運動エネルギー
の大部分は熱エネルギーに変換されて基板（１０）に与
又られろ。このことにより、膜表面層が加熱され、そし
て前記クラスタイオン（７）は個々の原子に分解して膜
表面を移動し、いわゆるマイグＬ／ −シリン効果によ
って、良質な膜（１２）が得られる。
する際に、このクラスタイオン（７）の運動エネルギー
の大部分は熱エネルギーに変換されて基板（１０）に与
又られろ。このことにより、膜表面層が加熱され、そし
て前記クラスタイオン（７）は個々の原子に分解して膜
表面を移動し、いわゆるマイグＬ／ −シリン効果によ
って、良質な膜（１２）が得られる。
また、基板に膜を形成する初期の段階においては、加速
されたクラスクイオンの基板表面への射突によるスパッ
タクリーニング作用により、基板表面が清浄化され、基
板と膜との間に強い結合力が得られる。
されたクラスクイオンの基板表面への射突によるスパッ
タクリーニング作用により、基板表面が清浄化され、基
板と膜との間に強い結合力が得られる。
従来の薄膜形成装置は以上のように構成されているので
、種々の特徴を有する反面、薄膜形成装置の電位の異な
る各要素を絶縁するためのそれぞれの絶縁物表面に、蒸
発した物質が拡散あるいは反射によって付着する。この
とき、材料が導電性をもつ物質の場合には、絶縁破壊と
いう問題点があった。
、種々の特徴を有する反面、薄膜形成装置の電位の異な
る各要素を絶縁するためのそれぞれの絶縁物表面に、蒸
発した物質が拡散あるいは反射によって付着する。この
とき、材料が導電性をもつ物質の場合には、絶縁破壊と
いう問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、蒸発した材料が絶縁物に飛来しても、その全
表面に付着するのを防ぎ、もって絶縁物表面の絶縁性劣
化による絶縁破壊を防止できる装置を得ることを目的と
する。
たもので、蒸発した材料が絶縁物に飛来しても、その全
表面に付着するのを防ぎ、もって絶縁物表面の絶縁性劣
化による絶縁破壊を防止できる装置を得ることを目的と
する。
この発明に係る薄膜形成装置は、筒状の絶縁管の両端に
この絶縁管よりも大きな直径を有する座金状の絶縁物を
備え、さらにその上からそれぞれ上述の絶縁管および座
金状の絶縁物を覆うように帽子状の絶縁キャップを取り
付けたものである。
この絶縁管よりも大きな直径を有する座金状の絶縁物を
備え、さらにその上からそれぞれ上述の絶縁管および座
金状の絶縁物を覆うように帽子状の絶縁キャップを取り
付けたものである。
この発明における薄膜形成装置は、座金状の絶縁物およ
び帽子状の絶縁キャップにより、飛来した物質が前記絶
縁管の全表面に付着することが防１トされ、それによっ
て絶縁破壊することを防止する。〔発明の実施例〕 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（２１）は座金状の絶縁物からなる防着座
金、（２２）は絶縁管および防着座金を覆うようにして
取り付けられた絶縁物の防着キャップである。なお、そ
の他の要素は前記第２図の対応する要素と同一または類
似であるから、その説明は省略する。したがって、第１
図に示すように、るつぼ（１）から噴射ノズル（２）を
通って噴射した物質（３）が拡散あるいは反射によって
絶縁管（１６）の方へ飛来しても、防着座金（２１）お
よび防着キャップ（２２）が囲っている絶縁管（１６）
の表面には前記物質が付着しないので、絶縁性が保たれ
る。
び帽子状の絶縁キャップにより、飛来した物質が前記絶
縁管の全表面に付着することが防１トされ、それによっ
て絶縁破壊することを防止する。〔発明の実施例〕 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（２１）は座金状の絶縁物からなる防着座
金、（２２）は絶縁管および防着座金を覆うようにして
取り付けられた絶縁物の防着キャップである。なお、そ
の他の要素は前記第２図の対応する要素と同一または類
似であるから、その説明は省略する。したがって、第１
図に示すように、るつぼ（１）から噴射ノズル（２）を
通って噴射した物質（３）が拡散あるいは反射によって
絶縁管（１６）の方へ飛来しても、防着座金（２１）お
よび防着キャップ（２２）が囲っている絶縁管（１６）
の表面には前記物質が付着しないので、絶縁性が保たれ
る。
なお、上記実施例では、ＩＣＢ薄膜形成装置の場合につ
いて説明したが、スパッタリング装置、真空蒸着装置ま
たはイオンゴレーティンゲ装置であってもよく、上記実
施例と同様の効果を奏する。
いて説明したが、スパッタリング装置、真空蒸着装置ま
たはイオンゴレーティンゲ装置であってもよく、上記実
施例と同様の効果を奏する。
゛以上のように１．この発明によれば、膜形成物質が絶
縁管の全表面に付着しないように絶１デ材からなる防着
座金と防着キャップを前記絶縁管に取り付けて構成した
ので、比較的長時間使用しても絶縁劣化しない効果があ
る。
縁管の全表面に付着しないように絶１デ材からなる防着
座金と防着キャップを前記絶縁管に取り付けて構成した
ので、比較的長時間使用しても絶縁劣化しない効果があ
る。
第１図はこの発明の一実施例による薄膜形成装置を示す
断面図、第２図は従来の薄膜形成装置を示す断面図であ
る。 図において、（１）はるつぼ、（５）は真空領域、（８
）はイオン化フイラメンｌ−１（１０）は基板、（１２
）は膜、（］５）は支持台、（１６）は絶縁管、（１７
）は導電体、（１８）は真空槽、（１９）はボンバード
フイラメン計、（２０１ｉよ加速？８８Ｆｌ、 （２１
１は防着座金、（２２）は防着キャップである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 手続補正書６．）
断面図、第２図は従来の薄膜形成装置を示す断面図であ
る。 図において、（１）はるつぼ、（５）は真空領域、（８
）はイオン化フイラメンｌ−１（１０）は基板、（１２
）は膜、（］５）は支持台、（１６）は絶縁管、（１７
）は導電体、（１８）は真空槽、（１９）はボンバード
フイラメン計、（２０１ｉよ加速？８８Ｆｌ、 （２１
１は防着座金、（２２）は防着キャップである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 手続補正書６．）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 真空容器内に配置されている膜形成用の装置に通電す
る電線が絶縁部材を介して支持されている薄膜形成装置
において、 前記絶縁部材のうち、少なくとも膜形成側の端部に、該
絶縁物を覆う大きさの第１の絶縁体を設けるとともに、
この第１の絶縁体から一定間隔をおいて帽子状の第２の
絶縁体を設けたことを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21109385A JPS6272112A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21109385A JPS6272112A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6272112A true JPS6272112A (ja) | 1987-04-02 |
Family
ID=16600295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21109385A Pending JPS6272112A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6272112A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50121135A (ja) * | 1974-03-11 | 1975-09-22 | ||
| JPS5631565B2 (ja) * | 1978-10-31 | 1981-07-22 |
-
1985
- 1985-09-26 JP JP21109385A patent/JPS6272112A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50121135A (ja) * | 1974-03-11 | 1975-09-22 | ||
| JPS5631565B2 (ja) * | 1978-10-31 | 1981-07-22 |
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