JPH0578930B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0578930B2
JPH0578930B2 JP60119435A JP11943585A JPH0578930B2 JP H0578930 B2 JPH0578930 B2 JP H0578930B2 JP 60119435 A JP60119435 A JP 60119435A JP 11943585 A JP11943585 A JP 11943585A JP H0578930 B2 JPH0578930 B2 JP H0578930B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
projection
projection magnification
magnification
glass
optical system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP60119435A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS61278141A (ja
Inventor
Masao Kosugi
Ichiro Kano
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP60119435A priority Critical patent/JPS61278141A/ja
Priority to US06/868,147 priority patent/US4676631A/en
Publication of JPS61278141A publication Critical patent/JPS61278141A/ja
Publication of JPH0578930B2 publication Critical patent/JPH0578930B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70241Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の分野) 本発明は投影光学系の投影倍率を調整する方
法、特に半導体装置の製造過程においてレチクル
もしくはマスク上のパターンを半導体ウエハー上
に投影するための光学系の投影倍率を調整する方
法に関する。
(従来技術の説明) 半導体素子はシリコンウエハー上に幾種類も異
るパターンを重ね合わせて焼付けながら、その
各々の焼付の間に、不純物拡散、エツチング、酸
化などの工程を組み入れて製造される。半導体素
子は集積回路という名の示す通り、ウエハーの単
位面積あたりいかに多くの機能素子(トランジス
タ・キヤパシタンス等)を作り込めるかというこ
とが重要なテーマであり、これが過去、将来に渡
つての半導体製造分野での目標である。集積度を
上げるためには、パターンをウエハー上に投影す
るために露光装置に設けられている投影光学系の
解像性能と、露光装置における投影パターンとウ
エハー上のパターンの重ね合せ精度の向上が大き
く貢献する。第1図aに示すような投影パターン
1とウエハー上のパターン2の重ね合せ誤差は、
第1図bに示す様なアライメント誤差と第1図
c,dに示すデイントーシヨン誤差、倍率誤差に
大別できる。前者は投影パターン1が形成されて
いるマスクもしくはレチクル(以下レチクルと総
称する)とウエハーの相対位置調整(アライメン
ト)で補正される可能性はあるが、後者は、アラ
イメントによつては重ならない。しかし、現在の
露光装置に対してはこの様な結像誤差を減少させ
ることが強く要求される。これらの投影パターン
1の歪み(偏位量δ)は、投影光学系の光軸に対
称で、光軸からの放射状の距離Rに1次比例した
成分としての倍率誤差と、その他のデイントーシ
ヨン誤差に分離できるが、最近のレンズ投影光学
系の場合、両者の成分を含めて、δ≒0.2μm程度
までにおさえられている。しかし、これは半導体
素子の製造過程において複数本のレンズ、即ち複
数の露光装置を使用するとすれば、最大0.4μm
(露光装置2台の場合)の重ね合せ誤差を生むこ
とを意味する。
一方、このオーダーの精度を問題とする場合、
投影レンズは大気圧の変動に伴つた空気の屈折率
の変化のために投影倍率が変化することが知られ
ている。これに対応する方法としては、例えば特
開昭60−28613号公報で、投影レンズ内の特定の
2枚の単レンズと保持金物とで囲まれた閉空間の
圧力を調整し屈折率の変化により投影倍率を補正
する方法が提案されている。しかしこの方法の場
合、圧力が単レンズに働いて超精密に加工された
レンズ表面を変形させてしまう恐れが十分にあ
り、そのため投影倍率の補正はできても、それ以
外の悪影響を投影レンズに与えてしまう恐れがあ
る。
(発明の目的) 本発明はこのような事情に鑑みなされたもの
で、その目的は投影光学系の投影倍率の誤差を投
影光学系の他の性能に悪影響を与えることなく補
正可能であり、更に半導体素子の製造過程でレチ
クル上のパターンをウエハー上に縮小投影するレ
ンズに大気圧の変化に応じて発生する投影倍率の
誤差を補正するためにも利用可能な投影倍率調整
方法を提供することにある。
(実施例の説明) 以下、本発明を図に示した実施例に基づいて詳
細に説明する。
第2図a,bは本発明の基本原理を示すもの
で、これらの図において、3,4はそれぞれ異な
つた厚さt1,t2を有する円形状の平行平面ガラ
ス、5は平面ガラス3,4を平行に保持するフレ
ームで、このフレーム5は平面ガラス3,4の各
面が結像光学系(不図示)の光軸0と垂直に交わ
るよう結像光学系とその像面10間の光路中に配
置されている。フレーム5は光軸0を中心として
半径aの円周に沿つて設けられた凸部によつて平
面ガラス3,4を支持している。平面ガラス3,
4とフレーム5によつて密閉状態の空間6が形成
されるが、この空間6はフレーム5に設けられた
開口7によつて大気に開放されている。
第2図aの場合、平面ガラス3の面に垂直に入
射する光は方向も位置も変えることなく、平面ガ
ラス4から射出する。即ち、射出光9は入射光の
延長線上に射出する。一方、第2図bの如く、開
口7に接続されたレギユレーター11を介して空
間6に空間供給源(不図示)から空気を送り込み
空間6に圧力Ppを加えると、平面ガラス3,4は
圧力Ppと大気圧Paとの差によつて外側に凸とな
るように変形する。この変形は平面ガラス3,4
の支持中心、即ち光軸0を中心として対称に生じ
る。このため光軸0に沿つて入射した光はその延
長線上に射出するが、光軸0から半径rの位置で
光軸0と平行に入射した光8′は平面ガラス3,
4が傾斜しているためそれぞれの境界面で屈折
し、結果的に入射光8′と平行で、且つ半径(放
射)方向に量δだけ偏位した光9′として射出す
ることになる。この偏位量δは図からも明らかな
如く半径rの関数となり、半径rが大きくなる程
偏位量δは大きくなる。
なお、第2図bは平面ガラス3,4の厚み、変
形量を誇張して画いているが、実際に問題として
いるのは偏位量δ<0.5μmのオーダーであり、板
厚、変形量はともに極めて微少な値で、材料力学
で扱う薄板理論の範囲内である。
第3図は前述の補正系を半導体素子の製造過程
で用いられる投影露光装置(所謂ステツパー)に
適用した例を示すもので、この図において、20
はレチクル、21は投影レンズ22の像面に位置
する半導体ウエハーで、レチクル20上のパター
ンはレンズ22によつてウエハー21上に縮小投
影される。レチクル20をミラー24,25とレ
ンズ26,27,28を介してランプ23からの
光の照明することにより、レチクル20上のパタ
ーンはウエハー21上に焼付けられる。この焼付
とウエハー21のステツプ移動を交互に繰り返
し、レチクル20上のパターンを縮小してウエハ
ー21の全面に多数焼付ける。平面ガラス3,4
はフレーム5に保持されて投影レンズ22とウエ
ハー21の間の光路中に前述の如く配置される。
一般に、この種の装置の投影レンズ22は像面側
がテレセントリツクとなつており、また、縮小タ
イプのため光束径も小さいので、このような付加
的な光学系を置くのに適している。ただし、付加
的といつても、平面ガラス3,4の存在によつて
光路長が変化し、結像位置が変るので、投影レン
ズ22の設計時に付加光学系を考慮する必要があ
るのはいうまでもない。
29は空間6内の圧力を制御するための圧力制
御系で、この制御系29によつて平面ガラス3,
4を変形させて投影倍率を補正する。なお、投影
レンズ22の通常の大気圧に対する投影倍率を所
望の倍率、例えば1/5より僅かにずらしておき、
平面ガラス3,4の所定の変形で投影倍率が所望
の値となるように設定しておけば、大気圧のプラ
ス側、マイナス側の変化に対応する平面ガラス
3,4の変形方向を外側へ凸もしくは内側へ凸の
一方とすることができるので、制御系29を簡単
な構成とすることができ好ましい。即ち、この場
合には、制御系29は加圧もしくは減圧の一方を
行なえれば良い。
次に、第2図a,bに示した本発明の基本原理
を理論的に解析し、0.2〜0.5μm程度の倍率補正
を行なうのに好適な実施例を考えてみる。
等分布荷重がかかつた時の円板の変形は、圧力
(供給圧と大気圧の差)をP、円板の弾性係数を
E、円板の板厚をt、円板のポアソン比をν、円
板の中心からの距離をr、円板の中心から支持点
までの半径値をa、円板の変形量をyとすると、
単純支持の場合で、 y=P/64D(r4−2ν+6/ν+1a2r2+ν+5/ν+
1a4) ……(1・1) 固定支持の場合で、 y=P/64D(r4−2a2r2−a4)……(1・2) となる。ただし、 D=Et3/12(1−ν2) ……(1・3) である。傾斜角θは変形量yを距離rで1回微分
することにより求められ、単純支持の場合で、 θ=dy/dr=P/16D(r3−ν+3/ν+1a2r) ……(2・1) 固定支持の場合で、 θ=dy/dr=P/16D(r3−a2r) ……(2・2) となる。一方、傾斜角θによる入射光の偏位量δ
は円板を構成するガラスの屈折率をNとして、θ
が微少な範囲で、 δ=tθ(1−1/N) ……(3・1) となる。(3・1)式に(2・1)、(2・2)、
(1・3)式を代入して整理すると、偏位量δは、
単純支持の場合で、 δ=3P(1−ν2)(1−1/N)/4Et2(r3−ν+3
/ν+1a2r)
……(4・1) 固定支持の場合で、 δ=3P(1−ν2)(1−1/N)/4Et2(r3−a2r)
……(4・2) となる。第2図a,bの場合、2枚の平面ガラス
の変形方向は逆になるから(4・1)式か(4・
2)式かは別にして総合的な偏位量△δは|δ
(第1ガラス)−δ(第2ガラス)|となる。△δを
決定するための係数は(4・1)、(4・2)式か
ら明らかなように多数有り、最適化するのに有利
である。例えば、円板を構成するガラスの物性値
E、ν、N、板厚t、支持径aが自由に選択でき
る。
一方、この(4・1)、(4・2)式で問題とな
るのはrの3次の項が入つていることである。こ
の項がある限り完全な意味ではrに一次比例する
倍率の補正にはならない。第4図にa=1でノル
マライズしνの値を一般的なガラス材料である
BK−7の値(ν=0.207)を入れた時の(r3
ν+3/ν+1)の値(=A)、(r3−ar)の値(=B
)、 並びにその差(=A−B)をプロツトしてある。
これから分る様に、前者の場合r=0.6、後者で
r=0.4程度まではほとんどリニアである。つま
り、rの一次の項が支配的である。このことか
ら、r3の影響を軽減するために有光光束径より
1.5倍位離れた位置以上にガラスの支持部を持つ
てゆくことが有効となる。これは支持部の応力に
よるガラスの変形等を考えても望ましい姿であ
る。
また、r3の項を消すための最も有効な方法は、
ガラスの物性値E、ν、N、板厚t、支持径aを
2枚の平面板について全く同一にし、一方を単純
支持、他方を固定支持にすることである。このと
き、△δは(4・1)、(4・2)式から △δ=δ1−δ2=(3P(1−ν2)(1−1/N)/4Et
2×2/ν+1a2r)=3P(1−ν)(1−1/N)/2E
t2a2r……(5・1) となりr3の項が消える。また、支持径aの値はr3
の項には働らかないから、単純支持側の支持径a1
を固定支持側の支持径a2より大きくすることによ
り、更にrの係数を大きくすることも可能であ
る。
△δ=K(ν+3/ν+1a1 2−a2 2)r……(5・2
) ただし、 K=3P(1−ν2)(1−1/N)/4Et2……(5
・3) である。
例えば、2枚のガラスをBK−7に選び(E=
7980Kg/mm2、ν=0.207、N=1.526)、両方の板
厚をt1=t2=3mm、支持径をa1=a2=40mmとし、
一方を単純支持、他方を固定支持とすると△δ=
0.0913Prとなり、r=10mmで△δ=0.0003mm=
0.3μmの偏位を生ずるためには0.33Kg/cm2の圧力
を加えればよいことになる。また、a1=40mm、a2
=25mmとすれば、△δ=0.12Prとなり同じく0.24
Kg/cm2となる。これらは、現存する投影レンズ2
2にとつて妥当な値である。
ところで、大気圧変動による投影レンズ22の
倍率変化の補正を考えた場合、大気圧を気圧計に
より電気信号に変え、投影レンズ22の倍率/気
圧係数と補正光学系の圧力係数を換算し、サーボ
弁等に閉空間6に圧力を加えるというサーボの考
え方もあるが、むしろ、この場合には閉空間6を
本当の密閉空間とし、外気(大気圧)の変動その
もので平面ガラス3,4を変形させ、その時の変
化係数がレンズ22の変化係数に対して絶対値が
同一で負号が反対になる関係を作り出せばよい。
この場合の△δ=AprのAはもうすこし大きな値
が必要であるが、そのためには、t、E、ν、N
等の値を適当に選択すれば良い。板厚は1/t2
効くから効果的であるが、投影レンズ22の一部
を構成するものとして要求される精度からあまり
薄くすることはできない。また、E、ν、Nは、
それ程大きな変化をもたらす程種類がない。従つ
て、このような場合には、少々r3の項が入るにし
ても平面ガラス3,4の厚さを異ならせる(t1
t2)ことが効果的である。また、平面ガラス3,
4の一方を空間6内の圧力では問題となるような
変形を生じないような曲面を持つたガラス板とし
ても良い。
次に、第5図を用いて大気圧による投影レンズ
22の倍率変化を大気圧自身によつて自動的に補
正する方法を説明する。この図において、30は
投影レンズ22を保持するレンズ鏡筒、31,3
3は平面ガラス3,4をフレーム5に取付けるた
めの取付け具で、それぞれネジ32,34により
固定されている。レンズ22側の平面ガラス3は
単純支持、ウエハー21側の平面ガラス4は固定
支持されている。平面ガラス3の板厚tは平面ガ
ラス4のそれより薄く、また支持径aは大きい。
平面ガラス3の支持部分はエツチングによつて段
差が形成されている。フレーム5はネジ35によ
つて鏡筒30に固定され、平面ガラス3,4を光
軸0に面が垂直に交わるようにレンズ22の光路
中に位置させる。フレーム5は平面ガラス3,4
を平行に保持する。
36はウエハー21を保持するチヤツク、40
は密閉空間6内の圧力を調整するためのマノメー
タで、このマノメータ40は2つの管42,43
の底部をホース44で接続した略U字状をしてお
り、その内部に液体、例えば水銀45が注入され
ている。マノメータ40の一方の管42はホース
50を介して空間6に接続されると共に、他方の
管43は大気に開放されている。46は管43の
断面積を調整するための面積調整棒、47は管4
3支持高さをつまみ48を介して調整するための
ネジ、50は空間6内の圧力を調整するためのコ
ツクである。
空間6が密閉状態であれば、大気圧の低下によ
り空間内の圧力が相対的に高くなるので、平面ガ
ラス3,4は外側に変形し、倍率を縮小すること
になる。一方、投影レンズは大気圧の低下により
倍率を拡大するのであれば、両者の倍率変化は打
ち消し合うことになるので、前述した諸条件を倍
率誤差の発生を補正するように設定することによ
つて大気圧の変化に対して投影倍率を所望の値に
保持することが可能である。この場合には、投影
レンズ22の予想される変化より多少大きくなる
ように平面ガラス3,4の諸条件を設定した方が
好ましい。
第6図は密閉空間6を投影レンズ22のレンズ
面と平面ガラス4との間で形成した第5図の変形
例を示すものである。この例では空間6内の気圧
と大気圧を差によつて平面ガラス4のみが変形す
る。
次に、これらの構成により平面ガラス3,4に
加えられる内外の圧力差をコントロールできるこ
とを第7図a,bを用いて説明する。第7図aに
於ては、マノメーター40の水頭がゼロ、つまり
閉空間6の圧力Poと大気圧Paが等しい状況を示
している。このときの閉空間6のすべての体積を
Vp、閉空間6側のマノメーターの断面積をS1
大気開放側をS2とする。この状態から大気圧が下
がつてPn(Pa>Pn)になつた場合を第7図bに示
す。この時、内圧Poに置かれて液柱は水頭Hの
差を示し、Cを液体45の比重とすると、次の式
でバランスする。
Po−Pn=C×H ……(5・1) 一方、液柱を押し下げることにより、容積Vp
はVoに拡大し、このため圧力もPpからPoに減少
するので、 VpPp=VoPo=Po(Vp+S1×h1) ……(5・2) となる。簡略のためS1=S2とすると、h1=h2
H/2となり(5・1)、(5・2)式より、 Pn=Po−2×C×Vp/S(Pp/Po−1) ……(5・3) となる。これは直線の式ではないが、係数な妥当
な値を与えたとき、大気圧Pnと平面ガラス3,
4にかかる差圧(Pn−Po)の関係は予想される
大気圧変動の範囲でほぼリニアな関係を示す。
第8図はPa=Pp=1000g/cm2とした際の大気
圧Pnと平面ガラス3,4にかかる差圧(Pn−Po
の関係を示すもので、AはVp=18cm3、C=13.6
g/cm3、S=0.4cm2とした場合、BはVp=10cm3
C=13.6g/cm3、S=0.4cm2とした場合を示して
いる。なお、(5・3)式からも明らかなように、
この特性曲線は空間6の体積Vp、液体45の比
重C、マノメータ40の面積Sで変えることがで
きる。VpとSはマノメータ40の管42内に設
けられる面積調整棒を交換することにより変える
ことができる。また、コツク51、つまみ48に
より液面の高さを変え、閉空間6の体積Vpを微
調整することができる。
この様な方法により、大気圧変動に対する閉空
間6の内外の圧力変化係数を任意に設定すること
ができ、大気変動に伴う倍率変化を自動的にコン
ペンセートすることが可能となる。レンズ22の
製造誤差等による倍率変化もこのつまみを調整す
ることにより補正することも当然ながら可能であ
る。
(発明の効果) 以上の如く、本発明によれば、投影光学系の他
の性能に悪影響を与えることなく投影倍率を調整
することができると共に、半導体素子の製造過程
においてレチクル上のパターンをウエハー上に投
影するためのレンズの大気変動に応じた倍率誤差
を自動的に補正することも可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図a,b,c,dは投影パターンと物体上
のパターン間の重ね合せ誤差の種類を示す図、第
2図a,bは本発明の基本原理を示す図、第3図
は本発明が適用された投影露光装置の一実施例を
示す図、第4図は本実施例の平面ガラスの変形量
を示す図、第5図は本発明が適用された投影露光
装置の他の実施例を示す図、第6図は第5図の変
形例を示す図、第7図a,bは第5図の実施例に
おける圧力補正の基本原理を示す図、第8図は第
5図の実施例における大気圧と差圧の関係を示す
図である。 3,4……平面ガラス、5……フレーム、20
……レチクル、21……ウエハー、22……投影
レンズ、40……マノメーター。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 第1物体上のパターンを第2物体上に投影す
    る投影光学系の投影倍率を調整するための方法に
    おいて、1枚の平面ガラスと前記投影光学系また
    は2枚の平面ガラスにより前記第1物体のパター
    ンの投影光路内に密閉空間を形成し、該密閉空間
    内の圧力を制御して前記1枚または2枚の平面ガ
    ラスを撓ませることにより前記投影光学系の投影
    倍率を変えることを特徴とする投影倍率調整方
    法。 2 前記2枚の平面ガラスの厚みが互いに異なる
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の投
    影倍率調整方法。 3 前記2枚の平面ガラスは前記投影光学系の光
    軸に中心が略一致する円周上の部材に夫々の支持
    径が異なるように支持されていることを特徴とす
    る特許請求の範囲第2項記載の投影倍率調整方
    法。 4 前記2枚の平面ガラスのうち支持径の大きい
    方を単純支持、小さい方を固定支持としたことを
    特徴とする特許請求の範囲第3項記載の投影倍率
    調整方法。 5 前記平面ガラスの支持径は前記投影光学系か
    ら前記第2物体への有効光束の1.5倍以上である
    ことを特徴とする特許請求の範囲第4項記載の投
    影倍率調整方法。 6 前記投影光学系の投影倍率を所定の投影倍率
    に保持するよう前記密閉空間内の気圧と大気圧の
    差によつて前記平面ガラスを撓ませることを特徴
    とする特許請求の範囲第1項記載の投影倍率調整
    方法。 7 前記平面ガラスは円形状平行平面ガラスであ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第
    6項記載の投影倍率調整方法。
JP60119435A 1985-05-31 1985-05-31 投影倍率調整方法 Granted JPS61278141A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60119435A JPS61278141A (ja) 1985-05-31 1985-05-31 投影倍率調整方法
US06/868,147 US4676631A (en) 1985-05-31 1986-05-29 Device for adjusting projection magnification

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60119435A JPS61278141A (ja) 1985-05-31 1985-05-31 投影倍率調整方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61278141A JPS61278141A (ja) 1986-12-09
JPH0578930B2 true JPH0578930B2 (ja) 1993-10-29

Family

ID=14761350

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60119435A Granted JPS61278141A (ja) 1985-05-31 1985-05-31 投影倍率調整方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4676631A (ja)
JP (1) JPS61278141A (ja)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6232613A (ja) * 1985-08-05 1987-02-12 Canon Inc 投影露光装置
JPH0712012B2 (ja) * 1985-12-11 1995-02-08 株式会社ニコン 投影露光装置
US5113218A (en) * 1989-12-04 1992-05-12 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Electrophotographic machine with control means responsive to set magnification ratio and focal length
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
US5557469A (en) * 1994-10-28 1996-09-17 Ultratech Stepper, Inc. Beamsplitter in single fold optical system and optical variable magnification method and system
JPH10133150A (ja) 1996-10-29 1998-05-22 Canon Inc 回折光学装置及びこれを用いた露光装置
JP3031375B2 (ja) * 1998-04-23 2000-04-10 キヤノン株式会社 レンズ鏡筒及びそれを用いた投影露光装置
JP3631045B2 (ja) 1999-06-16 2005-03-23 キヤノン株式会社 駆動装置、光学素子駆動装置、露光装置およびデバイス製造方法
DE10000193B4 (de) * 2000-01-05 2007-05-03 Carl Zeiss Smt Ag Optisches System
DE10119861A1 (de) 2000-05-04 2001-11-08 Zeiss Carl Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie
DE10117170A1 (de) * 2001-04-06 2002-10-10 Zeiss Carl Jena Gmbh Anordnung zum Druckausgleich für optische Geräte
AU2003219097A1 (en) * 2003-03-26 2004-10-18 Carl Zeiss Smt Ag Device for the low-deformation replaceable mounting of an optical element
US6809888B1 (en) * 2003-04-16 2004-10-26 Ultratech, Inc. Apparatus and methods for thermal reduction of optical distortion
JP4368639B2 (ja) * 2003-08-19 2009-11-18 株式会社アドテックエンジニアリング 投影露光装置
DE102008054818A1 (de) 2008-01-29 2009-07-30 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zum Manipulieren eines optischen Systems, sowie optisches System
US9541844B2 (en) * 2009-08-09 2017-01-10 Rolls-Royce Corporation Method and apparatus for calibrating a projected image manufacturing device
US8922750B2 (en) * 2009-11-20 2014-12-30 Corning Incorporated Magnification control for lithographic imaging system
WO2013174646A1 (en) * 2012-05-24 2013-11-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9341951B2 (en) 2012-12-21 2016-05-17 Ultratech, Inc. Wynn-dyson imaging system with reduced thermal distortion
US9488811B2 (en) 2013-08-20 2016-11-08 Ultratech, Inc. Wynne-Dyson optical system with variable magnification

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2330030A1 (fr) * 1975-10-31 1977-05-27 Thomson Csf Nouvel appareil photorepeteur de masques de haute precision
GB2063523B (en) * 1978-10-20 1982-12-15 Hitachi Ltd Wafer position setting apparatus
JPS5885338U (ja) * 1981-12-07 1983-06-09 株式会社日立製作所 自動焦点装置
JPS58116735A (ja) * 1981-12-29 1983-07-12 Canon Inc 投影焼付方法
JPS58179834A (ja) * 1982-04-14 1983-10-21 Canon Inc 投影露光装置及び方法
JPS5999722A (ja) * 1982-11-29 1984-06-08 Canon Inc 半導体焼付露光制御方法
JPH0697301B2 (ja) * 1983-07-27 1994-11-30 株式会社ニコン 投影露光装置
US4537498A (en) * 1984-05-03 1985-08-27 At&T Technologies, Inc. Focal plane adjusted photomask and methods of projecting images onto photosensitized workpiece surfaces

Also Published As

Publication number Publication date
US4676631A (en) 1987-06-30
JPS61278141A (ja) 1986-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0578930B2 (ja)
US7113263B2 (en) Supporting structure of optical element, exposure apparatus having the same, and manufacturing method of semiconductor device
US7864293B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and producing method of microdevice
KR100285030B1 (ko) 투영노광장치 및 소자제조방법
KR100632890B1 (ko) 리소그래피 장치 등을 위한 마스크 클램핑장치
US8553207B2 (en) Optically compensated unidirectional reticle bender
US7221460B2 (en) Optical system in exposure apparatus, and device manufacturing method
US7139137B2 (en) Support mechanism, exposure apparatus having the same, and aberration reducing method
JPH03198320A (ja) 投影光学装置
JP5311341B2 (ja) 近接露光装置及び近接露光方法
JPS6232613A (ja) 投影露光装置
JP2007052214A (ja) 走査型露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JP2006113414A (ja) 光学素子保持装置、鏡筒、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
US6127095A (en) Illuminating optical device and semiconductor device manufacturing method
JP2008112756A (ja) 光学素子駆動装置及びその制御方法、露光装置、並びにデバイス製造方法
JPH10142555A (ja) 投影露光装置
WO2018008366A1 (ja) 保持装置、投影光学系、露光装置、および物品製造方法
JPS6235620A (ja) 光学倍率補正装置
JP2013106017A (ja) 光学素子保持装置、光学装置、及び露光装置
KR20110053904A (ko) 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4582306B2 (ja) 光学系及び露光装置
JP2003045793A (ja) 波面収差計測方法、投影光学系の調整方法及び露光方法、並びに露光装置の製造方法
US7136238B2 (en) Method of supporting and adjusting optical element in exposure apparatus
JP5434498B2 (ja) 光学素子の保持装置、光学系、及び露光装置
JP2000195784A (ja) 露光装置およびデバイス製造方法