JPH0577936U - 半導体素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 テープキャリアのインナーリードが全体的に
広がったり、狭まったりしても、突起状電極からズレ落
ちてはがれたり、隣りの突起状電極と接触したりしない
半導体素子を提供する。 【構成】 半導体素子１１に列状に配置された突起状電
極１２のピッチ及び幅を半導体素子１１の中央部から端
部にいくに従がい順次大きくした。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

この考案は近年高密度実装技術に用いられているテープキャリアパッケージ用 の半導体素子に関するものである。

【０００２】

【従来技術】

従来、テープキャリアパッケージ（以下略してＴＣＰと呼ぶ）の製造方法は、 図２に示す如く、リールに巻かれたテープキャリア２２の所定の場所に突起状電 極を有する半導体素子２１をボンディングし、引き続き樹脂封止、電気的検査、 捺印、個片抜き等を行なう方式がある。図２で２４はリール、２３はスペーサー テープ、２２はテープキャリア、２１は突起状電極を有する半導体素子である。

【０００３】 図３は半導体素子ボンディング前のテープキャリア平面図で、３２はポリイミ ド・ポリエステル・ガラスエポキシ等のベースフィルム、３１はテープキャリア 搬送時又は位置決め時に用いられるパーフォレーション孔、３４はベースフィル ム３２にあらかじめ金型により打ち抜かれている又はエッチングにより開口して いる孔、３３はベースフィルム３２上に接着後エッチング、又は蒸着により形成 された導体（銅）パターンで、金・スズ・半田等のメッキ処理が施されている。 ３は孔３４内部に形成されたインナーリードである。このインナーリード３と、 半導体素子の突起状電極を位置合せして温度、荷重を加えて接合する工程をイン ナーリードボンド工程と呼ぶ。

【０００４】 図４（ａ）は突起状電極２を有する半導体素子１の平面図、図４（ｂ）はテー プキャリア２２のデバイスホール４周辺の平面図、図４（ｃ）は図４（ａ）と（ ｂ）に示された半導体素子１とテープキャリア２２とを用いてインナーリード３ と突起状電極２を接合した状態の平面図である。ここで１は半導体素子、２は突 起状電極、３はインナーリード、４はデバイスホール、Ａは突起状電極ピッチ、 Ｅは突起状電極幅、Ｐはインナーリード累積ピッチである。

【０００５】 突起状電極ピッチＡと突起状電極幅Ｅはそれぞれ同一サイズに設計されている 。

【０００６】

【考案が解決しようとする課題】

しかし以上述べた従来の半導体素子では、図４（ｂ）に示すようにインナーリ ード累積ピッチＰの寸法公差は約０．２％ある。更に近年リードピッチは縮小化 、チップサイズは大型化になり、ますますインナーリード累積ピッチ公差は大き くなる傾向にある。図４（ａ）に示す突起状電極２を有する半導体素子１と、図 ４（ｂ）に示すテープキャリア２２を用いてインナーリード３のボンドを行なっ た場合、ボンディング時の熱によってベースフィルムは全体的に変形し、更にボ ンダーの精度も加えると、ボンディング後の状態は図４（ｃ）に示すように、突 起状電極２とインナーリード３とがズレた状態になる。インナーリード３は全体 的に広がって、最悪の場合半導体素子１端部のインナーリード３は、突起状電極 ２からズレ落ちてはがれたり、隣りの突起状電極２と接合されてしまい、電気的 不良が発生するという課題があった。また図には示していないが、ボンディング 後にインナーリードが全体的に狭まって同様な不良が発生するという課題もあっ た。

【０００７】

【課題を解決するための手段】

この考案は前記課題を解決するために、半導体素子において、その上の突起状 電極ピッチを外側にいくに従がって順次大きくし、更に突起状電極ピッチを大き くしたぶんだけ突起状電極サイズも大きくするようにしたものである。

【０００８】

【作用】

この考案によれば以上述べたように、半導体素子の突起状電極ピッチを外側に 行くに従がって順次大きくし、更にそのピッチを大きくしたぶんだけ、突起状電 極幅も大きくして、ボンディング後にインナーリードが全体的に広がる又は狭ま ってもチップ端部のインナーリードが突起状電極からズレ落ちてはがれたり、隣 りの突起状電極と接触しない優れた半導体素子を得ることができる。

【０００９】

【実施例】

図１はこの考案の実施例を説明するための図であり、以下図面を用いて説明す る。

【００１０】 図１（ａ）はこの考案の実施例を示す突起状電極を有する半導体素子の平面図 である。１１は半導体素子、１２は突起状電極である。ここで、半導体素子１１ の中央部の突起状電極ピッチをＸ、幅をＹとすると、中央部より少しはなれた部 分の突起状電極ピッチはＸ＋α、幅はＹ＋α、更にはなれてチップ端部の突起状 電極ピッチはＸ＋β（α＜β）、幅はＹ＋βとする。例えば中央部の突起状電極 ピッチを１００（μｍ）、幅を７０（μｍ）とすると中央部より少しはなれた部 分の突起状電極ピッチは１０５（μｍ）、幅は７５（μｍ）、更にはなれてチッ プ端部の突起状電極ピッチは１１０（μｍ）、幅は８０（μｍ）というように設 計する。

【００１１】 また、図１（ｂ）に示すように、テープキャリア２２のインナーリード３のピ ッチにおいても前記した半導体素子１の突起状電極ピッチＸ，Ｘ＋α，Ｘ＋βと 対応させて設計する。

【００１２】 このようにして設計した突起状電極１２を有する半導体素子１と、テープキャ リア２２を用いてボンディングを行なった場合は、図１（ｂ）に示すようになり 、ボンディング後にインナーリード１２が全体的に広がる又は狭まっても突起状 電極からズレ落ちたり、隣りの突起状電極と接合されることはなくなり、電気的 不良は発生しなくなる。

【００１３】

【考案の効果】

以上詳細に説明したようにこの考案によればＴＣＰ用の半導体素子において、 列状に配置された突起状電極を有する半導体素子の突起状電極ピッチを、半導体 素子中央部から端に行くに従がい順次大きくし、それに対応して突起状電極幅も 大きくしたので、ＴＣＰの製造工程の一部であるインナーリードボンド工程にお いて、ボンディング時の熱によりテープキャリアのインナーリードが全体的に広 がる又は狭まっても、突起状電極からズレ落ちてはがれたり、隣りの突起状電極 と接合されて電気的不良が発生するおそれがなくなり、歩留まりの向上が期待で きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この考案の実施例を説明するための半導体素子
の平面図。

【図２】一般のＴＣＰを製造する方法を説明するための
図。

【図３】一般のテープキャリアの平面図。

【図４】従来の半導体素子及びテープキャリアの平面
図。

【符号の説明】

１，１１ 半導体素子 ２，１２ 突起状電極 ３ インナーリード ４ デバイスホール ２２ テープキャリア

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 基体と、基体上に形成された半導体集積
   回路と、この半導体集積回路に接続され且つ列状に配置
   された複数の突起状電極とを有する半導体素子におい
   て、 前記複数の突起状電極のピッチは前記半導体素子の中央
   部から端部に行くに従がって順次大きくし、且つ、 前記複数の突起状電極の幅は前記半導体素子の中央部か
   ら端部に行くに従がって順次大きくしたことを特徴とす
   る半導体素子。