JPH11340363A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH11340363A JPH11340363A JP14599298A JP14599298A JPH11340363A JP H11340363 A JPH11340363 A JP H11340363A JP 14599298 A JP14599298 A JP 14599298A JP 14599298 A JP14599298 A JP 14599298A JP H11340363 A JPH11340363 A JP H11340363A
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- metal
- semiconductor device
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】高い信頼性を有するＢＧＡパッケージが容易に
可能になる半導体装置を提供する。 【解決手段】ＢＧＡパッケージにおいて、絶縁基板上に
形成されたアウターリード２の所定の領域に金属突起物
３が形成され、半田ボール４がこの金属突起物３に食い
込むように形成されてアウターリード２に固定して接続
される。ここで、金属突起物は、アウターリードの端部
が鉤状に折り曲げられて形成されたり、アウターリード
の所定の領域の表面がめくられて形成される。あるい
は、この金属突起物は、アウターリード表面の所定の領
域に金属が付着されて設けられた金属の出っ張り部でも
って形成される。
可能になる半導体装置を提供する。 【解決手段】ＢＧＡパッケージにおいて、絶縁基板上に
形成されたアウターリード２の所定の領域に金属突起物
３が形成され、半田ボール４がこの金属突起物３に食い
込むように形成されてアウターリード２に固定して接続
される。ここで、金属突起物は、アウターリードの端部
が鉤状に折り曲げられて形成されたり、アウターリード
の所定の領域の表面がめくられて形成される。あるい
は、この金属突起物は、アウターリード表面の所定の領
域に金属が付着されて設けられた金属の出っ張り部でも
って形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、特に、ＢＧＡを介して実装された構造を有する半導
体装置に関する。
し、特に、ＢＧＡを介して実装された構造を有する半導
体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩはますます高集積化され大
容量化してきている。そして、半導体ペレットを実装す
るパッケージは、小型化と共に多ピン化されてきてい
る。さらには、ＵＬＳＩの機器への浸透に対応して、容
量の大きな半導体装置を提供したり、あるいはこのよう
な半導体装置を用いた機器の実装面積を向上させるため
に、ペレットサイズの半導体装置となるようなＢＧＡ
（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）方式が開発されて
きている。例えば、この最近の技術として、特開平８−
３１９７７号公報あるいは特開平９−２６０５３６号公
報に記載されているものがある。そこで、以下に従来の
上記のような実装技術についてその概略を図４と図５に
基づいて説明する。
容量化してきている。そして、半導体ペレットを実装す
るパッケージは、小型化と共に多ピン化されてきてい
る。さらには、ＵＬＳＩの機器への浸透に対応して、容
量の大きな半導体装置を提供したり、あるいはこのよう
な半導体装置を用いた機器の実装面積を向上させるため
に、ペレットサイズの半導体装置となるようなＢＧＡ
（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）方式が開発されて
きている。例えば、この最近の技術として、特開平８−
３１９７７号公報あるいは特開平９−２６０５３６号公
報に記載されているものがある。そこで、以下に従来の
上記のような実装技術についてその概略を図４と図５に
基づいて説明する。
【０００３】ここで従来の技術としては、半導体ペレッ
トを封止するためのテープキャリアの絶縁テープ層に金
属プリント配線が接着材層を通して接着されるタブ（Ｔ
ＡＢ：Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎ
ｇ）において、ＢＧＡ方式が適用される場合が示されて
いる。図４はこの場合の断面図であり、図５は、上記キ
ャリアテープの金属プリント配線と半田ボールの接続を
示すための工程順の断面図である。
トを封止するためのテープキャリアの絶縁テープ層に金
属プリント配線が接着材層を通して接着されるタブ（Ｔ
ＡＢ：Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎ
ｇ）において、ＢＧＡ方式が適用される場合が示されて
いる。図４はこの場合の断面図であり、図５は、上記キ
ャリアテープの金属プリント配線と半田ボールの接続を
示すための工程順の断面図である。
【０００４】図４に示すように、基板１０１の所定の領
域に半導体ペレット１０２がマウントされている。そし
て、半導体ペレット１０２と基板１０１表面の配線（図
示されず）とは、ボンディングワイヤー１０３で電気接
続されている。このようにして半導体ペレットの搭載さ
れた基板１０１は、絶縁テープ層１０４表面にアウター
リード１０５を有するテープキャリアに配列される。こ
こで、詳細は説明していないが、基板１０１表面に形成
される配線すなわちインナーリードと上記アウターリー
ド１０５とはバンプ等を等して電気接続されている。
域に半導体ペレット１０２がマウントされている。そし
て、半導体ペレット１０２と基板１０１表面の配線（図
示されず）とは、ボンディングワイヤー１０３で電気接
続されている。このようにして半導体ペレットの搭載さ
れた基板１０１は、絶縁テープ層１０４表面にアウター
リード１０５を有するテープキャリアに配列される。こ
こで、詳細は説明していないが、基板１０１表面に形成
される配線すなわちインナーリードと上記アウターリー
ド１０５とはバンプ等を等して電気接続されている。
【０００５】そして、アウターリード１０５の所定の領
域に半田ボール１０６が形成されている。アウターリー
ド１０５は、この半田ボール１０６を通して機器と電気
接続されることになる。
域に半田ボール１０６が形成されている。アウターリー
ド１０５は、この半田ボール１０６を通して機器と電気
接続されることになる。
【０００６】次に、半田ボール１０６をアウターリード
１０５に接続する方法とその領域の構造について、図５
に基づいて説明する。図５（ａ）に示すように、テープ
キャリアの絶縁テープ層１０４表面にアウターリード１
０５が設けられる。ここで、アウターリード１０５は銅
（Ｃｕ）で形成されている。そして、アウターリード１
０５表面のの所定の領域がエッチングされて窪みが形成
される。
１０５に接続する方法とその領域の構造について、図５
に基づいて説明する。図５（ａ）に示すように、テープ
キャリアの絶縁テープ層１０４表面にアウターリード１
０５が設けられる。ここで、アウターリード１０５は銅
（Ｃｕ）で形成されている。そして、アウターリード１
０５表面のの所定の領域がエッチングされて窪みが形成
される。
【０００７】次に、この窪みの表面が金メッキされ、金
メッキ層１０７が形成される。そして、この金メッキ層
１０７表面にペーストフラックスが塗布され、半田ボー
ル１０６ａが乗せられる。そして、熱処理が施され半田
ボール１０６ａの一部が溶解される。このようにして、
図５（ｂ）に示すように、半田ボール１０６が熱変形す
ると共に、半田ボール１０６と金メッキ層１０７とが接
着するようになる。このように、従来の技術では、半田
ボール１０６は金メッキ層１０７表面との接着でアウタ
ーリード１０５に接続され固定されることになる。
メッキ層１０７が形成される。そして、この金メッキ層
１０７表面にペーストフラックスが塗布され、半田ボー
ル１０６ａが乗せられる。そして、熱処理が施され半田
ボール１０６ａの一部が溶解される。このようにして、
図５（ｂ）に示すように、半田ボール１０６が熱変形す
ると共に、半田ボール１０６と金メッキ層１０７とが接
着するようになる。このように、従来の技術では、半田
ボール１０６は金メッキ層１０７表面との接着でアウタ
ーリード１０５に接続され固定されることになる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来の技術で
は、図４に示したようにＢＧＡを介して実装される半導
体装置の製造工程で、半田ボール１０６のアウターリー
ド１０５からの剥がれが頻発するようになる。あるい
は、上記のような剥がれは、製品となった上記半導体装
置が機器に使用される時にも、発生するようになる。
は、図４に示したようにＢＧＡを介して実装される半導
体装置の製造工程で、半田ボール１０６のアウターリー
ド１０５からの剥がれが頻発するようになる。あるい
は、上記のような剥がれは、製品となった上記半導体装
置が機器に使用される時にも、発生するようになる。
【０００９】このような半田ボール１０６とアウターリ
ード１０５間での剥がれは、半田ボール１０６と金メッ
キ層１０７との接着性が安定していないためと考えられ
る。また、半田ボール１０６に対して、種々の方向特に
横方向の外力が加わると、上記のような剥がれが生じや
すくなる。特に、テープキャリアを使用するＴＡＢで
は、テープキャリアが撓みやすく上記の剥がれの発生す
る確率が高くなる。
ード１０５間での剥がれは、半田ボール１０６と金メッ
キ層１０７との接着性が安定していないためと考えられ
る。また、半田ボール１０６に対して、種々の方向特に
横方向の外力が加わると、上記のような剥がれが生じや
すくなる。特に、テープキャリアを使用するＴＡＢで
は、テープキャリアが撓みやすく上記の剥がれの発生す
る確率が高くなる。
【００１０】本発明の目的は、ＢＧＡを介して実装する
構造を有する半導体装置において、上記のような剥がれ
を皆無にし、高い信頼性を有するＢＧＡパッケージを容
易に可能とする半導体装置を提供することにある。
構造を有する半導体装置において、上記のような剥がれ
を皆無にし、高い信頼性を有するＢＧＡパッケージを容
易に可能とする半導体装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このために本発明の半導
体装置では、ＢＧＡパッケージにおいて、絶縁基板上に
形成されたアウターリードの所定の領域に金属突起物が
形成され、半田ボールが前記金属突起物に食い込むよう
に形成されて前記アウターリードに固定して接続されて
いる。
体装置では、ＢＧＡパッケージにおいて、絶縁基板上に
形成されたアウターリードの所定の領域に金属突起物が
形成され、半田ボールが前記金属突起物に食い込むよう
に形成されて前記アウターリードに固定して接続されて
いる。
【００１２】ここで、前記金属突起物は、前記アウター
リードの端部が鉤状に折り曲げられて形成されている。
あるいは、前記金属突起物は、前記アウターリードの所
定の領域の表面が捲られて形成されている。または、前
記金属突起物は、アウターリード表面の所定の領域に金
属が付着されて設けられた金属の出っ張り部でもって形
成されている。そして、前記金属の出っ張り部がアウタ
ーリードと同一の金属で構成されている。
リードの端部が鉤状に折り曲げられて形成されている。
あるいは、前記金属突起物は、前記アウターリードの所
定の領域の表面が捲られて形成されている。または、前
記金属突起物は、アウターリード表面の所定の領域に金
属が付着されて設けられた金属の出っ張り部でもって形
成されている。そして、前記金属の出っ張り部がアウタ
ーリードと同一の金属で構成されている。
【００１３】また、前記金属突起物はアウターリードの
表面にリング形状になるように形成されている。ここ
で、前記アウターリードはＣｕで構成されている。
表面にリング形状になるように形成されている。ここ
で、前記アウターリードはＣｕで構成されている。
【００１４】本発明では、半田ボールがアウターリード
の所定の領域に形成された金属突起物でもって固定され
る。このために、半田ボールに横方向の外力が加わって
も、この金属突起物が半田ボールの剥がれを防止するよ
うになる。
の所定の領域に形成された金属突起物でもって固定され
る。このために、半田ボールに横方向の外力が加わって
も、この金属突起物が半田ボールの剥がれを防止するよ
うになる。
【００１５】
【発明の実施の形態】次に、本発明の第１の実施の形態
を図１に基づいて説明する。図１（ａ）は、本発明にお
ける半田ボールとアウターリードとの接続構造を説明す
るため平面図である。また、図１（ｂ）は、図１（ａ）
に記したＡ−Ｂで切断したところの断面図である。な
お、この実施例の説明では、本発明が、上記のようなテ
ープキャリアの絶縁テープ層に金属プリント配線が接着
材層を通して接着されるＴＡＢに適用される場合で行わ
れる。
を図１に基づいて説明する。図１（ａ）は、本発明にお
ける半田ボールとアウターリードとの接続構造を説明す
るため平面図である。また、図１（ｂ）は、図１（ａ）
に記したＡ−Ｂで切断したところの断面図である。な
お、この実施例の説明では、本発明が、上記のようなテ
ープキャリアの絶縁テープ層に金属プリント配線が接着
材層を通して接着されるＴＡＢに適用される場合で行わ
れる。
【００１６】図１（ａ）に示すように、絶縁基板である
テープキャリアの絶縁テープ層１上に所定の寸法を有す
る配線パターンすなわちアウターリード２が金属プリン
ト配線として形成されている。ここで、アウターリード
２はＣｕ等で構成されている。そして、このアウターリ
ード２の所定の領域にリング形状の金属突起物３が設け
られる。なお、金属突起物３の領域は判り易くするため
に斜線が施されている。そして、半田ボール４はこの金
属突起物を覆うようにしてアウターリード２に固定され
る。
テープキャリアの絶縁テープ層１上に所定の寸法を有す
る配線パターンすなわちアウターリード２が金属プリン
ト配線として形成されている。ここで、アウターリード
２はＣｕ等で構成されている。そして、このアウターリ
ード２の所定の領域にリング形状の金属突起物３が設け
られる。なお、金属突起物３の領域は判り易くするため
に斜線が施されている。そして、半田ボール４はこの金
属突起物を覆うようにしてアウターリード２に固定され
る。
【００１７】次に、このような構造を図１（ｂ）に基づ
いて説明する。以下、その製造工程に従って説明する。
図１（ｂ）に示すように、従来の技術と同様にして、絶
縁テープ層１上にアウターリード２が形成される。ここ
で、アウターリード２の膜厚は３０μｍ程度である。そ
して、このアウターリード２の端部が鉤状に折り曲げら
れてバリが形成され、上記の金属突起物３が形成され
る。そして、金属パッド面５が形成される。ここで、金
属パッド面５は、半田ボールおよびＣｕとの接着性に優
れる金属で構成され。例えば、表面の金メッキされたＣ
ｕあるいは半田が用いられる。ここで、半田はＰｂとＳ
ｎでもって構成されている。
いて説明する。以下、その製造工程に従って説明する。
図１（ｂ）に示すように、従来の技術と同様にして、絶
縁テープ層１上にアウターリード２が形成される。ここ
で、アウターリード２の膜厚は３０μｍ程度である。そ
して、このアウターリード２の端部が鉤状に折り曲げら
れてバリが形成され、上記の金属突起物３が形成され
る。そして、金属パッド面５が形成される。ここで、金
属パッド面５は、半田ボールおよびＣｕとの接着性に優
れる金属で構成され。例えば、表面の金メッキされたＣ
ｕあるいは半田が用いられる。ここで、半田はＰｂとＳ
ｎでもって構成されている。
【００１８】次に、従来の技術で説明したように全面に
ペーストフラックスが塗布され、熱処理が施されて半田
ボール４が形成される。ここで、半田ボール４はほぼ球
状でありその直径は２００μｍ程度である。本発明で
は、この半田ボール４はパッド面５と接着すると共に、
金属突起物３にも接続し固定されるようになる。
ペーストフラックスが塗布され、熱処理が施されて半田
ボール４が形成される。ここで、半田ボール４はほぼ球
状でありその直径は２００μｍ程度である。本発明で
は、この半田ボール４はパッド面５と接着すると共に、
金属突起物３にも接続し固定されるようになる。
【００１９】このようにして、本発明では、半田ボール
４は金属突起物３に固定されるようにしてアウターリー
ド２に接続される。
４は金属突起物３に固定されるようにしてアウターリー
ド２に接続される。
【００２０】以上のようにすることで、ＢＧＡパケージ
において、半田ボールのアウターリードからの剥がれが
完全に無くなる。そして、半田ボールに対して種々の方
向特に横方向の外力が加わる場合でも、上記の剥がれは
なくなり、ＢＧＡパッケージを有する半導体装置の信頼
性が大幅に向上する。
において、半田ボールのアウターリードからの剥がれが
完全に無くなる。そして、半田ボールに対して種々の方
向特に横方向の外力が加わる場合でも、上記の剥がれは
なくなり、ＢＧＡパッケージを有する半導体装置の信頼
性が大幅に向上する。
【００２１】次に、本発明の第２の実施の形態を図２に
基づいて説明する。図２は、本発明における半田ボール
とアウターリードとの接続構造を説明するための断面図
である。以下、第１の実施の形態と同一のものは同一符
号で示される。そして、第１の実施の形態での説明と同
様に、その製法に従って説明される。
基づいて説明する。図２は、本発明における半田ボール
とアウターリードとの接続構造を説明するための断面図
である。以下、第１の実施の形態と同一のものは同一符
号で示される。そして、第１の実施の形態での説明と同
様に、その製法に従って説明される。
【００２２】図２に示すように、テープキャリアの絶縁
テープ層１上にアウターリード２が形成される。ここ
で、アウターリード２は膜厚４０μｍのＣｕで構成され
ている。そして、このアウターリード２の所定の領域に
金属突起物３ａが設けられる。
テープ層１上にアウターリード２が形成される。ここ
で、アウターリード２は膜厚４０μｍのＣｕで構成され
ている。そして、このアウターリード２の所定の領域に
金属突起物３ａが設けられる。
【００２３】ここで、この場合の金属突起物３ａは次の
ようにして形成される。すなわち、アウターリード２の
表面の所定の領域において、例えば、１０μｍの深さの
Ｃｕが均一にめくられるにして剥がされる。この場合
に、この捲るようにして剥がされたＣｕ表面は除去され
ることはない。そして、この剥がされたＣｕ表面の先端
部が切り取られて、図２に示すような金属突起物３ａが
残存するようになる。そして、Ｃｕ表面の剥がされた領
域に金メッキ層６が形成される。
ようにして形成される。すなわち、アウターリード２の
表面の所定の領域において、例えば、１０μｍの深さの
Ｃｕが均一にめくられるにして剥がされる。この場合
に、この捲るようにして剥がされたＣｕ表面は除去され
ることはない。そして、この剥がされたＣｕ表面の先端
部が切り取られて、図２に示すような金属突起物３ａが
残存するようになる。そして、Ｃｕ表面の剥がされた領
域に金メッキ層６が形成される。
【００２４】次に、従来の技術で説明したように全面に
ペーストフラックスが塗布され、熱処理が施されて半田
ボール４が形成される。この実施の形態では、半田ボー
ル４は金メッキ層６と接着すると共に、金属突起物３ａ
にも接続し固定されるようになる。このようにして、こ
の実施の形態でも、半田ボール４は金属突起物３ａに固
定されるようにしてアウターリード２に接続されること
になる。
ペーストフラックスが塗布され、熱処理が施されて半田
ボール４が形成される。この実施の形態では、半田ボー
ル４は金メッキ層６と接着すると共に、金属突起物３ａ
にも接続し固定されるようになる。このようにして、こ
の実施の形態でも、半田ボール４は金属突起物３ａに固
定されるようにしてアウターリード２に接続されること
になる。
【００２５】この実施の形態でも、第１の実施の形態と
同様に、ＢＧＡパケージの半田ボールがアウターリード
からの剥がれことが完全に無くなる。そして、ＢＧＡパ
ッケージを有する半導体装置の信頼性が大幅に向上す
る。また、この場合には、第１の実施の形態の場合より
その製造方法が簡便になる。
同様に、ＢＧＡパケージの半田ボールがアウターリード
からの剥がれことが完全に無くなる。そして、ＢＧＡパ
ッケージを有する半導体装置の信頼性が大幅に向上す
る。また、この場合には、第１の実施の形態の場合より
その製造方法が簡便になる。
【００２６】次に、本発明の第３の実施の形態を図３に
基づいて説明する。図３も、本発明における半田ボール
とアウターリードとの接続構造を説明するための断面図
である。以下、第１の実施の形態と同一のものは同一符
号で示される。この場合も、第１の実施の形態での説明
と同様に、その製法に従って説明される。
基づいて説明する。図３も、本発明における半田ボール
とアウターリードとの接続構造を説明するための断面図
である。以下、第１の実施の形態と同一のものは同一符
号で示される。この場合も、第１の実施の形態での説明
と同様に、その製法に従って説明される。
【００２７】図３に示すように、テープキャリアの絶縁
テープ層１上にアウターリード２が形成される。ここ
で、アウターリード２は膜厚２５μｍのＣｕで構成され
ている。そして、このアウターリード２の所定の領域に
金属突起物３ｂが設けられる。
テープ層１上にアウターリード２が形成される。ここ
で、アウターリード２は膜厚２５μｍのＣｕで構成され
ている。そして、このアウターリード２の所定の領域に
金属突起物３ｂが設けられる。
【００２８】ここで、この場合の金属突起物３ｂは次の
ようにして形成される。すなわち、アウターリード２の
表面の所定の領域において、例えば、１０μｍの高さを
有するリング状の金属の出っ張り部が形成される。この
場合に、この出っ張り部はＣｕで形成されてもよいし、
Ｃｕとの接着性に優れた他の金属でもって形成されても
よい。このようにして、図３に示すような金属突起物３
ｂが形成される。そして、この金属突起物３ｂで囲われ
るようにして金メッキ層６が形成される。
ようにして形成される。すなわち、アウターリード２の
表面の所定の領域において、例えば、１０μｍの高さを
有するリング状の金属の出っ張り部が形成される。この
場合に、この出っ張り部はＣｕで形成されてもよいし、
Ｃｕとの接着性に優れた他の金属でもって形成されても
よい。このようにして、図３に示すような金属突起物３
ｂが形成される。そして、この金属突起物３ｂで囲われ
るようにして金メッキ層６が形成される。
【００２９】以下、従来の技術で説明したように全面に
ペーストフラックスが塗布され、熱処理が施されて直径
１５０μｍ程度の半田ボール４が形成される。この実施
の形態でも、半田ボール４は金メッキ層６と接着すると
共に、金属突起物３ｂにも接続し固定される。
ペーストフラックスが塗布され、熱処理が施されて直径
１５０μｍ程度の半田ボール４が形成される。この実施
の形態でも、半田ボール４は金メッキ層６と接着すると
共に、金属突起物３ｂにも接続し固定される。
【００３０】この実施の形態でも、第１の実施の形態と
同様に、ＢＧＡパケージの半田ボールがアウターリード
からの剥がれことが完全に無くなり、ＢＧＡパッケージ
を有する半導体装置の信頼性が大幅に向上するようにな
る。また、この場合には、第１および第２の実施の形態
と異なり、金属突起物が金属の付着でもって形成され
る。このために、アウターリードの膜厚あるいは半田ボ
ールの寸法が小さくなるように設定できる。そして、Ｂ
ＧＡパッケージの縮小化が容易になる。
同様に、ＢＧＡパケージの半田ボールがアウターリード
からの剥がれことが完全に無くなり、ＢＧＡパッケージ
を有する半導体装置の信頼性が大幅に向上するようにな
る。また、この場合には、第１および第２の実施の形態
と異なり、金属突起物が金属の付着でもって形成され
る。このために、アウターリードの膜厚あるいは半田ボ
ールの寸法が小さくなるように設定できる。そして、Ｂ
ＧＡパッケージの縮小化が容易になる。
【００３１】以上に説明した本発明の半導体装置では、
ＴＡＢに半導体ペレットが実装される場合の説明であ
る。しかし、本発明はこれに限定されるものでない。こ
の他のＢＧＡパッケージでも本発明は同様に適用できる
ことに言及しておく。
ＴＡＢに半導体ペレットが実装される場合の説明であ
る。しかし、本発明はこれに限定されるものでない。こ
の他のＢＧＡパッケージでも本発明は同様に適用できる
ことに言及しておく。
【００３２】また、実施の形態では、金属突起物がリン
グ形状に形成される場合について説明されているが、こ
の金属突起物の形状はこれに限定されるものでなく、半
田ボールに食い込むように形成されるものであればその
形状は問われない。
グ形状に形成される場合について説明されているが、こ
の金属突起物の形状はこれに限定されるものでなく、半
田ボールに食い込むように形成されるものであればその
形状は問われない。
【００３３】また、半田ボールの直径がアウターリード
幅より大きくなり、半田ボールがアウターリード表面か
らはみ出るような場合でも、本発明は充分に適用できる
ことにも言及しておく。
幅より大きくなり、半田ボールがアウターリード表面か
らはみ出るような場合でも、本発明は充分に適用できる
ことにも言及しておく。
【００３４】
【発明の効果】以上に説明したように本発明の半導体装
置では、ＢＧＡパッケージにおいて、絶縁基板上に形成
されたアウターリードの所定の領域に金属突起物が形成
され、半田ボールがこの金属突起物に食い込むように形
成されてアウターリードに固定して接続される。ここ
で、金属突起物は、アウターリードの端部が鉤状に折り
曲げられて形成されたり、アウターリードの所定の領域
の表面がめくられて形成される。あるいは、この金属突
起物は、アウターリード表面の所定の領域に金属が付着
されて設けられた金属の出っ張り部でもって形成され
る。
置では、ＢＧＡパッケージにおいて、絶縁基板上に形成
されたアウターリードの所定の領域に金属突起物が形成
され、半田ボールがこの金属突起物に食い込むように形
成されてアウターリードに固定して接続される。ここ
で、金属突起物は、アウターリードの端部が鉤状に折り
曲げられて形成されたり、アウターリードの所定の領域
の表面がめくられて形成される。あるいは、この金属突
起物は、アウターリード表面の所定の領域に金属が付着
されて設けられた金属の出っ張り部でもって形成され
る。
【００３５】このようにして、半田ボールがアウターリ
ードから剥がれることが皆無になり、従来の技術で生じ
ていたような問題はなくなる。そして、高い信頼性を有
するＢＧＡパッケージを容易に可能にできるようにな
る。
ードから剥がれることが皆無になり、従来の技術で生じ
ていたような問題はなくなる。そして、高い信頼性を有
するＢＧＡパッケージを容易に可能にできるようにな
る。
【００３６】そして、本発明の半導体装置では、半導体
ペレットの実装密度が大幅に向上するようになる。
ペレットの実装密度が大幅に向上するようになる。
【図１】本発明の第１の実施の形態を説明する半田ボー
ルとアウターリードとの接続部の平面図と断面図であ
る。
ルとアウターリードとの接続部の平面図と断面図であ
る。
【図２】本発明の第２の実施の形態を説明する半田ボー
ルとアウターリードとの接続部の断面図である。
ルとアウターリードとの接続部の断面図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態を説明する半田ボー
ルとアウターリードとの接続部の断面図である。
ルとアウターリードとの接続部の断面図である。
【図４】ＢＧＡパッケージに半導体ペレットを実装した
半導体装置の断面図である。
半導体装置の断面図である。
【図５】従来の技術を説明するための半田ボールとアウ
ターリードとの接続部の製造工程順の断面図である。
ターリードとの接続部の製造工程順の断面図である。
１，１０４ 絶縁テープ層 ２，１０５ アウターリード ３，３ａ，３ｂ 金属突起物 ４，１０６，１０６ａ 半田ボール ５ パッド面 ６，１０７ 金メッキ層 １０２ 半導体ペレット １０３ ボンディングワイヤー
Claims (7)
- 【請求項１】 ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａ
ｙ）パッケージにおいて、絶縁基板上に形成された配線
パターン（アウターリードという）の所定の領域に金属
突起物が形成され、半田ボールが前記金属突起物に食い
込むように形成されて前記アウターリードに固定して接
続されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記金属突起物は、前記アウターリード
の端部が鉤状に折り曲げられて形成されていることを特
徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記金属突起物は、前記アウターリード
の所定の領域の表面が捲（めく）られるようにして形成
されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装
置。 - 【請求項４】 前記金属突起物は、アウターリード表面
の所定の領域に金属が付着されて設けられた金属の出っ
張り部でもって形成されていることを特徴とする請求項
１記載の半導体装置。 - 【請求項５】 前記金属の出っ張り部がアウターリード
と同一の金属で構成されていることを特徴とする請求項
４記載の半導体装置。 - 【請求項６】 前記金属突起物がリング形状になってい
ることを特徴とする請求項１から請求項５のうち１つの
請求項に記載の半導体装置。 - 【請求項７】 前記アウターリードが銅で構成されてい
ることを特徴とする請求項１から請求項６のうち１つの
請求項に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14599298A JP3076302B2 (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14599298A JP3076302B2 (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340363A true JPH11340363A (ja) | 1999-12-10 |
| JP3076302B2 JP3076302B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=15397676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14599298A Expired - Fee Related JP3076302B2 (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3076302B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009105441A (ja) * | 2009-02-04 | 2009-05-14 | Nec Infrontia Corp | 半導体装置 |
-
1998
- 1998-05-27 JP JP14599298A patent/JP3076302B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009105441A (ja) * | 2009-02-04 | 2009-05-14 | Nec Infrontia Corp | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3076302B2 (ja) | 2000-08-14 |
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