JPH0574979A - セラミツクス配線基板及びその製造方法 - Google Patents
セラミツクス配線基板及びその製造方法Info
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- JPH0574979A JPH0574979A JP3238054A JP23805491A JPH0574979A JP H0574979 A JPH0574979 A JP H0574979A JP 3238054 A JP3238054 A JP 3238054A JP 23805491 A JP23805491 A JP 23805491A JP H0574979 A JPH0574979 A JP H0574979A
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- B60N3/023—Arrangements or adaptations of other passenger fittings, not otherwise provided for of hand grips or straps movable
Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単な製造工程によって、基板表面に耐熱性
に優れた平滑なコーティング層を形成できるとともに、
ビアホール等の導通を十分に確保できるセラミックス配
線基板及びその製造方法を提供すること。 【構成】 セラミックス基板２に設けられたビアホール
３の表面に、Ｎｉメッキ層６を備えるとともに、このＮ
ｉメッキ層６の以外のセラミックス基板２の表面には、
ＳｉＯ2及びＡｌ2Ｏ3からなるコーティング層４が形成
されている。
に優れた平滑なコーティング層を形成できるとともに、
ビアホール等の導通を十分に確保できるセラミックス配
線基板及びその製造方法を提供すること。 【構成】 セラミックス基板２に設けられたビアホール
３の表面に、Ｎｉメッキ層６を備えるとともに、このＮ
ｉメッキ層６の以外のセラミックス基板２の表面には、
ＳｉＯ2及びＡｌ2Ｏ3からなるコーティング層４が形成
されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体を搭載す
る基板等に使用されて、表面に微細な配線が施されるセ
ラミックス配線基板及びその製造方法に関する。
る基板等に使用されて、表面に微細な配線が施されるセ
ラミックス配線基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体用基板等に使用される
セラミックス基板には、セラミックス基板の上面と下面
との導通を取るために、基板の厚さ方向に貫くビアホー
ルが設けられている。このビアホールとは、セラミック
ス基板に設けられた貫通孔内に、タングステン等の導電
部材が充填されたものであり、例えば複数のセラミック
ス基板を積層してセラミックス多層基板を製造する際な
どに、上下の基板の導通を確保するため等に使用され
る。
セラミックス基板には、セラミックス基板の上面と下面
との導通を取るために、基板の厚さ方向に貫くビアホー
ルが設けられている。このビアホールとは、セラミック
ス基板に設けられた貫通孔内に、タングステン等の導電
部材が充填されたものであり、例えば複数のセラミック
ス基板を積層してセラミックス多層基板を製造する際な
どに、上下の基板の導通を確保するため等に使用され
る。
【０００３】また、この様な半導体用の基板には、前記
ビアホールとともにセラミックス基板の表面に多数の微
細な配線が形成されるが、この配線を施すためには、セ
ラミックス基板の焼成時に発生する穴（ボイド）等の表
面欠陥を塞いで、基板の表面を平滑にする必要がある。
ビアホールとともにセラミックス基板の表面に多数の微
細な配線が形成されるが、この配線を施すためには、セ
ラミックス基板の焼成時に発生する穴（ボイド）等の表
面欠陥を塞いで、基板の表面を平滑にする必要がある。
【０００４】このため、セラミックス基板の表面を平滑
にする技術として、シリカゾルやアルキルシリケート等
のコーティング剤を基板表面に塗布し焼成することによ
って、無機コーティング層を形成する技術が提案されて
いる（特開昭６２−１０５９８７号公報参照）。また、
このコーティング剤とは別に、ポリイミド等の合成樹脂
を用いてセラミックス基板の表面を平滑にする技術が知
られている。
にする技術として、シリカゾルやアルキルシリケート等
のコーティング剤を基板表面に塗布し焼成することによ
って、無機コーティング層を形成する技術が提案されて
いる（特開昭６２−１０５９８７号公報参照）。また、
このコーティング剤とは別に、ポリイミド等の合成樹脂
を用いてセラミックス基板の表面を平滑にする技術が知
られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記の様な
技術では、セラミックス基板の表面を平滑にし、しかも
その基板表面に露出したビアホール等の導通を確保する
ことが容易ではないという問題があった。
技術では、セラミックス基板の表面を平滑にし、しかも
その基板表面に露出したビアホール等の導通を確保する
ことが容易ではないという問題があった。
【０００６】つまり、従来は、例えばビアホールの部分
の導通を確保するために、ビアホール以外のセラミック
ス基板の表面に無機材料を用いてコーティング層を形成
しているので、例えばビアホールが多数ある場合にはそ
の作業が容易ではなく、非常に手間がかかるという問題
があった。また、ビアホールは一般に小さなものである
ため、ビアホール周辺のコーティングが過不足なくしっ
かりと行えないという問題や、コーティング層がビアホ
ールの表面にまで広がって、ビアホールの導通の確保が
十分にできないという問題も生じていた。
の導通を確保するために、ビアホール以外のセラミック
ス基板の表面に無機材料を用いてコーティング層を形成
しているので、例えばビアホールが多数ある場合にはそ
の作業が容易ではなく、非常に手間がかかるという問題
があった。また、ビアホールは一般に小さなものである
ため、ビアホール周辺のコーティングが過不足なくしっ
かりと行えないという問題や、コーティング層がビアホ
ールの表面にまで広がって、ビアホールの導通の確保が
十分にできないという問題も生じていた。
【０００７】更に近年では、他の方法として、まずセラ
ミックス基板の表面全体をコーティングした後、感光性
樹脂（レジスト）を塗布し、いわゆるホトリソグラフに
よりビアホール部のみ感光性樹脂を除去し、コーティン
グ層をエッチングする技術が開発されているが、この光
を使用したエッチング処理は、通常塗布・洗浄等の多く
の処理工程を必要とするので必ずしも容易ではない。ま
た、合成樹脂を用いてコーティング層を形成した場合
は、熱に弱いという別の問題点があった。
ミックス基板の表面全体をコーティングした後、感光性
樹脂（レジスト）を塗布し、いわゆるホトリソグラフに
よりビアホール部のみ感光性樹脂を除去し、コーティン
グ層をエッチングする技術が開発されているが、この光
を使用したエッチング処理は、通常塗布・洗浄等の多く
の処理工程を必要とするので必ずしも容易ではない。ま
た、合成樹脂を用いてコーティング層を形成した場合
は、熱に弱いという別の問題点があった。
【０００８】本発明は前記課題を解決するためになさ
れ、簡単な製造工程によって、基板表面に耐熱性に優れ
た平滑なコーティング層を形成できるとともに、ビアホ
ール等の導通を十分に確保できるセラミックス配線基板
及びその製造方法を提供することを目的とする。
れ、簡単な製造工程によって、基板表面に耐熱性に優れ
た平滑なコーティング層を形成できるとともに、ビアホ
ール等の導通を十分に確保できるセラミックス配線基板
及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めの、請求項１の発明は、セラミックス基板に設けられ
たビアホールが基板表面に露出した表面導電層を備える
とともに、該表面導電層以外の前記セラミックス基板の
表面に無機材料からなるコーティング層を備えたことを
特徴とするセラミックス配線基板を要旨とする。
めの、請求項１の発明は、セラミックス基板に設けられ
たビアホールが基板表面に露出した表面導電層を備える
とともに、該表面導電層以外の前記セラミックス基板の
表面に無機材料からなるコーティング層を備えたことを
特徴とするセラミックス配線基板を要旨とする。
【００１０】また、請求項２の発明は、セラミックス基
板に基板表面に露出する導電部を設けるとともに、該導
電部の表面に表面導電層を形成し、次いで前記セラミッ
クス基板及び表面導電層を覆って無機材料のゾル又は／
及び溶液を塗布し、その後乾燥し焼成してコーティング
層を形成し、次に前記表面導電層上のコーティング層を
除去して表面導電層を露出させて導通を確保することを
特徴とするセラミックス配線基板の製造方法を要旨とす
る。
板に基板表面に露出する導電部を設けるとともに、該導
電部の表面に表面導電層を形成し、次いで前記セラミッ
クス基板及び表面導電層を覆って無機材料のゾル又は／
及び溶液を塗布し、その後乾燥し焼成してコーティング
層を形成し、次に前記表面導電層上のコーティング層を
除去して表面導電層を露出させて導通を確保することを
特徴とするセラミックス配線基板の製造方法を要旨とす
る。
【００１１】ここで、セラミックス基板としては、アル
ミナ，ムライト，窒化アルミニウム等の基板を使用する
ことができる。前記導電部としては、セラミックス基板
の上下の面を貫通して導通を確保するビアホールが挙げ
られる。
ミナ，ムライト，窒化アルミニウム等の基板を使用する
ことができる。前記導電部としては、セラミックス基板
の上下の面を貫通して導通を確保するビアホールが挙げ
られる。
【００１２】表面導電層としては、メッキや蒸着等によ
って形成された、Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｔ等からなる導
電膜が挙げられる。無機材料としては、ＳｉＯ2系やＡ
ｌ2Ｏ3系のものが挙げられ、その材料のゾル又は溶液を
単独で或はそれらを混合して使用してもよい。尚、溶液
としては、例えばアルコキシド等を使用することができ
る。
って形成された、Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｔ等からなる導
電膜が挙げられる。無機材料としては、ＳｉＯ2系やＡ
ｌ2Ｏ3系のものが挙げられ、その材料のゾル又は溶液を
単独で或はそれらを混合して使用してもよい。尚、溶液
としては、例えばアルコキシド等を使用することができ
る。
【００１３】ゾルや溶液等の液剤を塗布する方法として
は、例えば基板を液剤に浸漬した後に引き上げるいわゆ
る浸漬法，回転体上に基板を固定し基板表面に液剤を滴
下するいわゆるスピナー法などがあり、その他、スプレ
ー，ロール，刷毛等を使用する方法等が挙げられる。
は、例えば基板を液剤に浸漬した後に引き上げるいわゆ
る浸漬法，回転体上に基板を固定し基板表面に液剤を滴
下するいわゆるスピナー法などがあり、その他、スプレ
ー，ロール，刷毛等を使用する方法等が挙げられる。
【００１４】焼成温度としては、例えば８００〜１５０
０℃の範囲が好ましく、そのうち１０００℃前後が好適
である。形成したコーティング層の厚さは、１μm以下
が好ましく、このコーティング層によって表面が平滑に
なり、ボイドが１０μm以下になることが望ましい。
０℃の範囲が好ましく、そのうち１０００℃前後が好適
である。形成したコーティング層の厚さは、１μm以下
が好ましく、このコーティング層によって表面が平滑に
なり、ボイドが１０μm以下になることが望ましい。
【００１５】コーティング層を除去する方法としては、
特に限定はないが、ラップ研磨等が好適である。
特に限定はないが、ラップ研磨等が好適である。
【００１６】
【作用】上記構成を有する請求項１の発明では、セラミ
ックス基板の表面は、ＳｉＯ2系又は／及びＡｌ2Ｏ3系
等の無機材料からなるコーティング層を備えているの
で、表面のボイドや傷等がコーティング層に覆われて平
滑になり、コーティング層の表面に微細な配線を施すこ
とが可能である。それとともに、ビアホールには基板表
面に露出する表面導電層が形成され、しかもこの表面導
電層の上にはコーティング層が形成されていないので、
ビアホールを介してセラミックス基板の上下面の導電性
が確保できる。
ックス基板の表面は、ＳｉＯ2系又は／及びＡｌ2Ｏ3系
等の無機材料からなるコーティング層を備えているの
で、表面のボイドや傷等がコーティング層に覆われて平
滑になり、コーティング層の表面に微細な配線を施すこ
とが可能である。それとともに、ビアホールには基板表
面に露出する表面導電層が形成され、しかもこの表面導
電層の上にはコーティング層が形成されていないので、
ビアホールを介してセラミックス基板の上下面の導電性
が確保できる。
【００１７】また、請求項２の発明では、セラミックス
配線基板の製造に際して、まず、セラミックス基板の表
面に露出する導電部を設けて、導電部の表面に表面導電
層を形成する。次いでセラミックス基板及び表面導電層
を覆って無機材料のゾル又は／及び溶液を塗布し、その
後乾燥し焼成してコーティング層を形成することによっ
て、表面導通部も含んでセラミックス基板全体をコーテ
ィングする。次に表面導電層上のコーティング層のみ
を、研磨等によって除去して表面導電層を露出させるこ
とによって、導電部の導通を確保する。
配線基板の製造に際して、まず、セラミックス基板の表
面に露出する導電部を設けて、導電部の表面に表面導電
層を形成する。次いでセラミックス基板及び表面導電層
を覆って無機材料のゾル又は／及び溶液を塗布し、その
後乾燥し焼成してコーティング層を形成することによっ
て、表面導通部も含んでセラミックス基板全体をコーテ
ィングする。次に表面導電層上のコーティング層のみ
を、研磨等によって除去して表面導電層を露出させるこ
とによって、導電部の導通を確保する。
【００１８】つまり、一旦、基板全体をコーティングし
た後に、必要部分だけのコーティング層を除去すること
によって、十分なコーティングを保つとともに、必要な
導通を確保することが可能となる。
た後に、必要部分だけのコーティング層を除去すること
によって、十分なコーティングを保つとともに、必要な
導通を確保することが可能となる。
【００１９】
【実施例】次に、本発明に係るセラミックス配線基板及
びその製造方法の実施例について説明する。本実施例の
セラミックス配線基板は、その表面に多数の微細な配線
が形成されるもので、例えば半導体を搭載する基板等に
利用される。
びその製造方法の実施例について説明する。本実施例の
セラミックス配線基板は、その表面に多数の微細な配線
が形成されるもので、例えば半導体を搭載する基板等に
利用される。
【００２０】図１（Ａ）及びその一部を破断して拡大し
た図１（Ｂ）に示す様に、本実施例のセラミックス配線
基板１は、厚さ１．５mmのアルミナ製のセラミックス基
板２に、多数のビアホール３（直径０．２５mmが２０
個，直径０．１５mmが１００個）が形成されたものであ
り、このセラミックス基板２の表面には、ＳｉＯ2及び
Ａｌ2Ｏ3からなる厚さ１μm以下の（例えば０．８μm程
度の）コーティング層４が形成されている。尚、前記セ
ラミックス基板２は、後述する様に積層された４枚のグ
リーンシート１０（図２）が焼成されて一体化されたも
のである。
た図１（Ｂ）に示す様に、本実施例のセラミックス配線
基板１は、厚さ１．５mmのアルミナ製のセラミックス基
板２に、多数のビアホール３（直径０．２５mmが２０
個，直径０．１５mmが１００個）が形成されたものであ
り、このセラミックス基板２の表面には、ＳｉＯ2及び
Ａｌ2Ｏ3からなる厚さ１μm以下の（例えば０．８μm程
度の）コーティング層４が形成されている。尚、前記セ
ラミックス基板２は、後述する様に積層された４枚のグ
リーンシート１０（図２）が焼成されて一体化されたも
のである。
【００２１】前記ビアホール３とは、セラミックス基板
２の厚さ方向の導通を得るために、セラミックス基板の
上面と下面とを貫く貫通孔５に導電材であるタングステ
ンを充填したものであり、その表面には厚さ１．５μm
のＮｉメッキ層６が形成されている。そして、このＮｉ
メッキ層６の上方のコーティング層４は、導通を得るた
めに除去されている。
２の厚さ方向の導通を得るために、セラミックス基板の
上面と下面とを貫く貫通孔５に導電材であるタングステ
ンを充填したものであり、その表面には厚さ１．５μm
のＮｉメッキ層６が形成されている。そして、このＮｉ
メッキ層６の上方のコーティング層４は、導通を得るた
めに除去されている。
【００２２】次に、前記セラミックス配線基板１の製造
方法について説明する。まず、図２（Ａ）に示す様
に、Ａｌ2Ｏ3を主材料としてドクターブレード法にて周
知のグリーンシート１０を形成する。そして、図２
（Ｂ）に示す様に、このグリーンシート１０を厚さ方向
に貫く多数の貫通孔５をあける。
方法について説明する。まず、図２（Ａ）に示す様
に、Ａｌ2Ｏ3を主材料としてドクターブレード法にて周
知のグリーンシート１０を形成する。そして、図２
（Ｂ）に示す様に、このグリーンシート１０を厚さ方向
に貫く多数の貫通孔５をあける。
【００２３】次に、図２（Ｃ）に示す様に、貫通孔５
にタングステンペーストを充填して、セラミックス基板
２の上下面方向の導通を確保するビアホール３を形成す
る。同様にして、更に３枚のグリーンシート１０にビア
ホール３を形成し、各々タングステンペーストをスクリ
ーン印刷して、信号ラインや電源層等の配線１２（図２
（Ｄ））を形成する。
にタングステンペーストを充填して、セラミックス基板
２の上下面方向の導通を確保するビアホール３を形成す
る。同様にして、更に３枚のグリーンシート１０にビア
ホール３を形成し、各々タングステンペーストをスクリ
ーン印刷して、信号ラインや電源層等の配線１２（図２
（Ｄ））を形成する。
【００２４】その後、図２（Ｄ）に示す様に、これら
のグリーンシート１０を４層積層し、外径寸法３６mm角
に切断した後、還元雰囲気中で焼成してセラミックス基
板２を得る。次いで、図２（Ｅ）に示す様に、ビアホ
ール３の露出した部分に無電解Ｎｉメッキを施し、Ｎｉ
メッキ層６を形成する。
のグリーンシート１０を４層積層し、外径寸法３６mm角
に切断した後、還元雰囲気中で焼成してセラミックス基
板２を得る。次いで、図２（Ｅ）に示す様に、ビアホ
ール３の露出した部分に無電解Ｎｉメッキを施し、Ｎｉ
メッキ層６を形成する。
【００２５】そして、このＮｉメッキ層６の表面を含
むセラミックス基板２の表面全体に、２０重量％Ａｌ2
Ｏ3ゾル及び２０重量％ＳｉＯ2ゾルを、それぞれ浸漬法
により約１μmの厚さにコーティングする。次に、図
２（Ｆ）に示す様に、このコーティング剤を塗布したセ
ラミックス基板２を、乾燥させ、その後１０００℃で焼
成して、コーティング剤の焼付けを行なって、コーティ
ング層４を形成する。
むセラミックス基板２の表面全体に、２０重量％Ａｌ2
Ｏ3ゾル及び２０重量％ＳｉＯ2ゾルを、それぞれ浸漬法
により約１μmの厚さにコーティングする。次に、図
２（Ｆ）に示す様に、このコーティング剤を塗布したセ
ラミックス基板２を、乾燥させ、その後１０００℃で焼
成して、コーティング剤の焼付けを行なって、コーティ
ング層４を形成する。
【００２６】最後に、図２（Ｇ）に示す様に、Ｎｉメ
ッキ層６上に位置するコーティング層４を研磨して除去
し、Ｎｉメッキ層６を表面に露出させて、セラミックス
配線基板１を完成する。この様にして製造された、セラ
ミックス配線基板１は、基板表面が平滑で大きなボイド
や欠陥がなく、しかもＮｉメッキ層６の周囲までしっか
りとコーティングが施されている。また、セラミックス
配線基板１の表面には、Ｎｉメッキ層６のみが露出した
状態で配置されているので、ビアホール３及びＮｉメッ
キ層６による導通を確実に得ることができ、しかも配線
との接続が容易であるという利点がある。
ッキ層６上に位置するコーティング層４を研磨して除去
し、Ｎｉメッキ層６を表面に露出させて、セラミックス
配線基板１を完成する。この様にして製造された、セラ
ミックス配線基板１は、基板表面が平滑で大きなボイド
や欠陥がなく、しかもＮｉメッキ層６の周囲までしっか
りとコーティングが施されている。また、セラミックス
配線基板１の表面には、Ｎｉメッキ層６のみが露出した
状態で配置されているので、ビアホール３及びＮｉメッ
キ層６による導通を確実に得ることができ、しかも配線
との接続が容易であるという利点がある。
【００２７】更に、上述した実施例の方法では、十分な
コーティングができしかも確実な導通が得られるにもか
かわらず、従来と比較してその製造工程を極めて簡易化
できるという優れた効果がある。次に、本実施例の効果
を確認するために行った実験例について説明する。 （実験例１）本実験例では、セラミックス多層基板の表
面の平滑さを調べるために、下記表１の様なNo１〜５の
試料を製造して、その表面に発生したボイドの直径を測
定した。また、Ｎｉメッキ層の上方のコーティング層を
研磨して取り除き、Ｎｉメッキ層を露出させてビアホー
ルの上面と下面との間の導通状態も測定した。その結果
を表１に記す。
コーティングができしかも確実な導通が得られるにもか
かわらず、従来と比較してその製造工程を極めて簡易化
できるという優れた効果がある。次に、本実施例の効果
を確認するために行った実験例について説明する。 （実験例１）本実験例では、セラミックス多層基板の表
面の平滑さを調べるために、下記表１の様なNo１〜５の
試料を製造して、その表面に発生したボイドの直径を測
定した。また、Ｎｉメッキ層の上方のコーティング層を
研磨して取り除き、Ｎｉメッキ層を露出させてビアホー
ルの上面と下面との間の導通状態も測定した。その結果
を表１に記す。
【００２８】
【表１】
【００２９】この表１に示す様に、本実施例の試料No
１，２のものは、表面のボイド径が小さく表面が平滑で
あるので好適であるが、比較例の試料No５のものは、ボ
イド径が大きく表面が平滑でないので好適ではない。ま
た、本実施例の試料No１，２のものは、研磨によってコ
ーティング層が除去されているので、確実に導通が得ら
れるが、比較例の試料No３，４のものは研磨が施されて
いないので、導通が得られず好適ではない。 （実験例２）本実験例では、セラミックス配線基板の表
面の平滑度をより詳しく調べるために、図３に示す様
に、基板の表面に１００μm角のＴａ2Ｎの抵抗薄膜２０
を１００個（縦１０個×横１０個）形成し、この抵抗薄
膜２０の両端にＡｕ薄膜電極２１ａ，２１ｂを形成し
て、両薄膜電極２１ａ，２１ｂ間の抵抗を測定した。そ
の結果を下記表２に記す。
１，２のものは、表面のボイド径が小さく表面が平滑で
あるので好適であるが、比較例の試料No５のものは、ボ
イド径が大きく表面が平滑でないので好適ではない。ま
た、本実施例の試料No１，２のものは、研磨によってコ
ーティング層が除去されているので、確実に導通が得ら
れるが、比較例の試料No３，４のものは研磨が施されて
いないので、導通が得られず好適ではない。 （実験例２）本実験例では、セラミックス配線基板の表
面の平滑度をより詳しく調べるために、図３に示す様
に、基板の表面に１００μm角のＴａ2Ｎの抵抗薄膜２０
を１００個（縦１０個×横１０個）形成し、この抵抗薄
膜２０の両端にＡｕ薄膜電極２１ａ，２１ｂを形成し
て、両薄膜電極２１ａ，２１ｂ間の抵抗を測定した。そ
の結果を下記表２に記す。
【００３０】
【表２】
【００３１】この表２に示す様に、本実施例の試料No
６，７のものは、表面が平滑であるので抵抗値のバラツ
キが少なく好適であるが、比較例の試料No８のものは、
表面が平滑でないので抵抗値のバラツキが大きく好適で
はない。 （実験例３）本実験例では、セラミックス配線基板の表
面の平滑度を更に詳しく調べるために、図４に示す様
に、基板の表面にＴｉ／Ｃｕ＋Ｎｉ＋Ａｕからなる線幅
２５μmと５０μmとの薄膜配線３０，３１を各５０本形
成し、その両端における導通と、配線３０，３１がボイ
ドにかかって形状不良となる発生状況を調べた。その結
果を下記表３に記す。
６，７のものは、表面が平滑であるので抵抗値のバラツ
キが少なく好適であるが、比較例の試料No８のものは、
表面が平滑でないので抵抗値のバラツキが大きく好適で
はない。 （実験例３）本実験例では、セラミックス配線基板の表
面の平滑度を更に詳しく調べるために、図４に示す様
に、基板の表面にＴｉ／Ｃｕ＋Ｎｉ＋Ａｕからなる線幅
２５μmと５０μmとの薄膜配線３０，３１を各５０本形
成し、その両端における導通と、配線３０，３１がボイ
ドにかかって形状不良となる発生状況を調べた。その結
果を下記表３に記す。
【００３２】
【表３】
【００３３】この表３に示す様に、本実施例の試料No
９，１０のものは、表面が平滑で導通不良及び形状不良
が見られないので好適であるが、比較例の試料No１１の
ものは、表面が平滑でなく、両配線３０，３１において
不良が見られるので好適ではない。
９，１０のものは、表面が平滑で導通不良及び形状不良
が見られないので好適であるが、比較例の試料No１１の
ものは、表面が平滑でなく、両配線３０，３１において
不良が見られるので好適ではない。
【００３４】尚、本発明は、上記実施例に何等限定され
ず、本発明の要旨の範囲内において各種の態様で実施で
きることは勿論である。
ず、本発明の要旨の範囲内において各種の態様で実施で
きることは勿論である。
【００３５】
【発明の効果】以上詳述した様に、請求項１の発明で
は、セラミックス配線基板の表面が平滑で大きなボイド
や欠陥がなく、しかも表面導電層の周囲までしっかりと
コーティング層が形成されているという効果がある。ま
た、セラミックス配線基板表面には、表面導電層が露出
しているので導通を確実に得ることができ、しかも配線
との接続が容易であるという利点がある。
は、セラミックス配線基板の表面が平滑で大きなボイド
や欠陥がなく、しかも表面導電層の周囲までしっかりと
コーティング層が形成されているという効果がある。ま
た、セラミックス配線基板表面には、表面導電層が露出
しているので導通を確実に得ることができ、しかも配線
との接続が容易であるという利点がある。
【００３６】また、請求項２の発明では、前記請求項１
の様な、基板表面の優れた平滑性及び導電部分の高い導
通性を備えたセラミックス配線基板を、簡易な工程で容
易に製造できるという効果があり、特にビアホール等の
導電部が多数形成される場合に好適である。
の様な、基板表面の優れた平滑性及び導電部分の高い導
通性を備えたセラミックス配線基板を、簡易な工程で容
易に製造できるという効果があり、特にビアホール等の
導電部が多数形成される場合に好適である。
【図１】本実施例のセラミックス配線基板を示す説明図
である。
である。
【図２】本実施例のセラミックス配線基板の製造手順を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図３】実験例２の実験方法を示す説明図である。
【図４】実験例３の実験方法を示す説明図である。
１…セラミックス配線基板 ２…セラミックス基板 ３…ビアホール ６…Ｎｉメッキ層 ４…コーティング層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ 6921−4Ｅ
Claims (2)
- 【請求項１】 セラミックス基板に設けられたビアホー
ルが基板表面に露出した表面導電層を備えるとともに、
該表面導電層以外の前記セラミックス基板の表面に無機
材料からなるコーティング層を備えたことを特徴とする
セラミックス配線基板。 - 【請求項２】 セラミックス基板に基板表面に露出する
導電部を設けるとともに、該導電部の表面に表面導電層
を形成し、次いで前記セラミックス基板及び表面導電層
を覆って無機材料のゾル又は／及び溶液を塗布し、その
後乾燥し焼成してコーティング層を形成し、次に前記表
面導電層上のコーティング層を除去して表面導電層を露
出させて導通を確保することを特徴とするセラミックス
配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3238054A JP3025560B2 (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | セラミックス配線基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3238054A JP3025560B2 (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | セラミックス配線基板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574979A true JPH0574979A (ja) | 1993-03-26 |
| JP3025560B2 JP3025560B2 (ja) | 2000-03-27 |
Family
ID=17024482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3238054A Expired - Fee Related JP3025560B2 (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | セラミックス配線基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3025560B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005086056A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Tdk Corp | 積層チップ形成部材及び積層チップ電子部品の製造方法 |
| JP2005129918A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-05-19 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 薄膜電子部品用セラミック基板及びこれを用いた薄膜電子部品 |
| JP2005126322A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-05-19 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 薄膜電子部品用セラミック基板及びその製造方法並びにこれを用いた薄膜電子部品 |
| JP2005277385A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-10-06 | Tdk Corp | 積層チップインダクタ形成用部材および積層チップインダクタ部品の製造方法 |
| JP2010238932A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュールの製造方法 |
-
1991
- 1991-09-18 JP JP3238054A patent/JP3025560B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005086056A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Tdk Corp | 積層チップ形成部材及び積層チップ電子部品の製造方法 |
| JP2005129918A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-05-19 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 薄膜電子部品用セラミック基板及びこれを用いた薄膜電子部品 |
| JP2005126322A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-05-19 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 薄膜電子部品用セラミック基板及びその製造方法並びにこれを用いた薄膜電子部品 |
| JP2005277385A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-10-06 | Tdk Corp | 積層チップインダクタ形成用部材および積層チップインダクタ部品の製造方法 |
| JP2010238932A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュールの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3025560B2 (ja) | 2000-03-27 |
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