JP2002198649A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents
多層配線基板の製造方法Info
- Publication number
- JP2002198649A JP2002198649A JP2000397438A JP2000397438A JP2002198649A JP 2002198649 A JP2002198649 A JP 2002198649A JP 2000397438 A JP2000397438 A JP 2000397438A JP 2000397438 A JP2000397438 A JP 2000397438A JP 2002198649 A JP2002198649 A JP 2002198649A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole
- wiring layer
- conductive paste
- solid component
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】下部配線層と上部配線層とをスルーホール内の
接続導体で確実に接続させることが可能な多層配線基板
の製造方法を提供する。 【解決手段】基板1の上面に下部配線層2を被着させる
工程と、基板1上に下部配線層3を被覆するようにして
絶縁層4を被着させるとともに、前記下部配線層2上の
絶縁層4中にスルーホール5を形成する工程と、絶縁層
4の上面に一部がスルーホール5の開口部近傍に導出さ
れた上部配線層3を被着させる工程と、スルーホール5
内に、固形成分含有率が50wt%〜75wt%に調整
された導電ペースト6’を充填して乾燥させ、導電ペー
スト6’中の固形成分6”をスルーホール5の内面に沿
って断面凹状をなすように被着させる工程と、前記固形
成分6”を焼結させてスルーホール5の内面に、上部配
線層3及び下部配線層2の双方と接続される接続導体6
を形成する工程と、によって多層配線基板を製造する。
接続導体で確実に接続させることが可能な多層配線基板
の製造方法を提供する。 【解決手段】基板1の上面に下部配線層2を被着させる
工程と、基板1上に下部配線層3を被覆するようにして
絶縁層4を被着させるとともに、前記下部配線層2上の
絶縁層4中にスルーホール5を形成する工程と、絶縁層
4の上面に一部がスルーホール5の開口部近傍に導出さ
れた上部配線層3を被着させる工程と、スルーホール5
内に、固形成分含有率が50wt%〜75wt%に調整
された導電ペースト6’を充填して乾燥させ、導電ペー
スト6’中の固形成分6”をスルーホール5の内面に沿
って断面凹状をなすように被着させる工程と、前記固形
成分6”を焼結させてスルーホール5の内面に、上部配
線層3及び下部配線層2の双方と接続される接続導体6
を形成する工程と、によって多層配線基板を製造する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種プリンタの記
録ヘッド、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、
半導体装置等に用いられる多層配線基板の製造方法に関
するものである。
録ヘッド、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、
半導体装置等に用いられる多層配線基板の製造方法に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、各種プリンタの記録ヘッド等
を構成するのに多層配線基板が用いられている。
を構成するのに多層配線基板が用いられている。
【0003】かかる従来の多層配線基板は、例えば図3
に示す如く、ガラスやセラミック等から成る基板11の
上面に、銀(Ag)や金(Au)等の金属を含む導電材
料から成る下部配線層12及び上部配線層13を間に絶
縁層14を介して順次積層し、該絶縁層14のスルーホ
ール15内に充填される接続導体16をスルーホール1
5内で下部配線層12の上面に、また上部配線層13を
接続導体16の上面に被着させておくことにより両配線
層12,13を接続導体16を介して電気的に接続させ
ている。
に示す如く、ガラスやセラミック等から成る基板11の
上面に、銀(Ag)や金(Au)等の金属を含む導電材
料から成る下部配線層12及び上部配線層13を間に絶
縁層14を介して順次積層し、該絶縁層14のスルーホ
ール15内に充填される接続導体16をスルーホール1
5内で下部配線層12の上面に、また上部配線層13を
接続導体16の上面に被着させておくことにより両配線
層12,13を接続導体16を介して電気的に接続させ
ている。
【0004】このような従来の多層配線基板は、厚膜手
法によって製造する場合、まず(1)基板11の上面に
導電ペーストを所定パターンに塗布して焼き付けること
により下部配線層12を形成し、次に(2)下部配線層
12が被着されている基板11上にガラスペーストを所
定パターンに塗布して焼き付けることによりスルーホー
ル15を有した絶縁層14を形成し、次に(3)前記ス
ルーホール15内に導電ペーストを充填し、これを焼結
させることによって接続導体16を形成し、最後に
(4)絶縁層14及び接続導体16の上面に導電ペース
トを所定パターンに塗布して焼き付け、上部配線層13
を形成することによって多層配線基板が完成する。
法によって製造する場合、まず(1)基板11の上面に
導電ペーストを所定パターンに塗布して焼き付けること
により下部配線層12を形成し、次に(2)下部配線層
12が被着されている基板11上にガラスペーストを所
定パターンに塗布して焼き付けることによりスルーホー
ル15を有した絶縁層14を形成し、次に(3)前記ス
ルーホール15内に導電ペーストを充填し、これを焼結
させることによって接続導体16を形成し、最後に
(4)絶縁層14及び接続導体16の上面に導電ペース
トを所定パターンに塗布して焼き付け、上部配線層13
を形成することによって多層配線基板が完成する。
【0005】尚、上部配線層12や下部配線層13,接
続導体16の形成に用いる導電ペーストは、銀等から成
る金属粉末に適当な有機溶剤、有機バインダー、ガラス
フリット等を添加・混合することによって作製されてお
り、固形成分(金属粉末,有機バインダー,ガラスフリ
ット)の占める割合を全体の80wt%〜90wt%に
調整したものが一般的であった。
続導体16の形成に用いる導電ペーストは、銀等から成
る金属粉末に適当な有機溶剤、有機バインダー、ガラス
フリット等を添加・混合することによって作製されてお
り、固形成分(金属粉末,有機バインダー,ガラスフリ
ット)の占める割合を全体の80wt%〜90wt%に
調整したものが一般的であった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の多層配線基板の製造方法によれば、絶縁層14
のスルーホール15内に接続導体16を形成する際、ス
ルーホール15内に充填した導電ペーストを焼き付ける
と、導電ペースト中に含まれている固形成分に焼結時の
収縮に伴う大きな応力が印加され、接続導体16とスル
ーホール15との界面もしくはその近傍に上記応力に起
因したクラックを発生することがある。この場合、下部
配線層12と上部配線層13とを接続導体16でもって
良好に接続することができず、多層配線基板として良好
に機能させることが不可となる欠点を有していた。
た従来の多層配線基板の製造方法によれば、絶縁層14
のスルーホール15内に接続導体16を形成する際、ス
ルーホール15内に充填した導電ペーストを焼き付ける
と、導電ペースト中に含まれている固形成分に焼結時の
収縮に伴う大きな応力が印加され、接続導体16とスル
ーホール15との界面もしくはその近傍に上記応力に起
因したクラックを発生することがある。この場合、下部
配線層12と上部配線層13とを接続導体16でもって
良好に接続することができず、多層配線基板として良好
に機能させることが不可となる欠点を有していた。
【0007】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は、下部配線層と上部配線層とをスルーホ
ール内の接続導体でもって確実に接続させておくことが
可能な多層配線基板を得ることができる、生産性に優れ
た多層配線基板の製造方法を提供することにある。
で、その目的は、下部配線層と上部配線層とをスルーホ
ール内の接続導体でもって確実に接続させておくことが
可能な多層配線基板を得ることができる、生産性に優れ
た多層配線基板の製造方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の多層配線基板の
製造方法は、基板の上面に下部配線層を被着させる工程
と、前記基板上に下部配線層を被覆するようにして絶縁
層を被着させるとともに、前記下部配線層上の絶縁層中
にスルーホールを形成する工程と、前記絶縁層の上面に
一部が前記スルーホールの開口部近傍に導出された上部
配線層を被着させる工程と、前記スルーホール内に、固
形成分含有率が50wt%〜75wt%に調整された導
電ペーストを充填し、これを乾燥させることによって導
電ペースト中の固形成分をスルーホールの内面に沿って
断面凹状をなすように被着させる工程と、前記固形成分
を焼結させてスルーホールの内面に、上部配線層及び下
部配線層の双方と接続される接続導体を形成する工程
と、を含むことを特徴とするものである。
製造方法は、基板の上面に下部配線層を被着させる工程
と、前記基板上に下部配線層を被覆するようにして絶縁
層を被着させるとともに、前記下部配線層上の絶縁層中
にスルーホールを形成する工程と、前記絶縁層の上面に
一部が前記スルーホールの開口部近傍に導出された上部
配線層を被着させる工程と、前記スルーホール内に、固
形成分含有率が50wt%〜75wt%に調整された導
電ペーストを充填し、これを乾燥させることによって導
電ペースト中の固形成分をスルーホールの内面に沿って
断面凹状をなすように被着させる工程と、前記固形成分
を焼結させてスルーホールの内面に、上部配線層及び下
部配線層の双方と接続される接続導体を形成する工程
と、を含むことを特徴とするものである。
【0009】また本発明の多層配線基板の製造方法は、
前記上部配線層、絶縁層及び下部配線層が全て印刷ペー
ストの塗布及び焼き付けによって形成されることを特徴
とするものである。
前記上部配線層、絶縁層及び下部配線層が全て印刷ペー
ストの塗布及び焼き付けによって形成されることを特徴
とするものである。
【0010】本発明の多層配線基板の製造方法によれ
ば、上下両側に上部配線層及び下部配線層が配されてい
る絶縁層のスルーホール内に、固形成分含有率が50w
t%〜75wt%に調整された導電ペーストを充填する
とともに、これを乾燥させることによって導電ペースト
中の固形成分をスルーホールの内面に沿って断面凹状を
なすように被着させ、しかる後、前記固形成分を焼結さ
せることによってスルーホール内に上部配線層及び下部
配線層の双方に接続される接続導体を形成するようにし
たことから、スルーホール内に充填される前記固形成分
の体積を極小となして焼結時の収縮に伴う応力を小さく
抑えることができ、接続導体とスルーホールとの界面も
しくはその近傍にクラックが発生するのを有効に防止す
ることが可能となる。従って、下部配線層と上部配線層
とをスルーホール内に充填した接続導体でもって確実に
接続させることができ、多層配線基板の生産性が向上さ
れる。
ば、上下両側に上部配線層及び下部配線層が配されてい
る絶縁層のスルーホール内に、固形成分含有率が50w
t%〜75wt%に調整された導電ペーストを充填する
とともに、これを乾燥させることによって導電ペースト
中の固形成分をスルーホールの内面に沿って断面凹状を
なすように被着させ、しかる後、前記固形成分を焼結さ
せることによってスルーホール内に上部配線層及び下部
配線層の双方に接続される接続導体を形成するようにし
たことから、スルーホール内に充填される前記固形成分
の体積を極小となして焼結時の収縮に伴う応力を小さく
抑えることができ、接続導体とスルーホールとの界面も
しくはその近傍にクラックが発生するのを有効に防止す
ることが可能となる。従って、下部配線層と上部配線層
とをスルーホール内に充填した接続導体でもって確実に
接続させることができ、多層配線基板の生産性が向上さ
れる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明を添付図面に基づい
て詳細に説明する。図1は本発明の製造方法によって製
作した多層配線基板の断面図であり、1は基板、2は下
部配線層、3は上部配線層、4は絶縁層、5はスルーホ
ール、6は接続導体である。
て詳細に説明する。図1は本発明の製造方法によって製
作した多層配線基板の断面図であり、1は基板、2は下
部配線層、3は上部配線層、4は絶縁層、5はスルーホ
ール、6は接続導体である。
【0012】前記基板1は、アルミナセラミックス、ム
ライト、窒化アルミニウム、ガラスセラミックス、石
英、アルカリガラス、無アルカリガラス等の電気絶縁性
材料から成り、その上面には下部配線層2、絶縁層4、
上部配線層3、接続導体6等が設けられ、これらを支持
する支持母材として機能する。
ライト、窒化アルミニウム、ガラスセラミックス、石
英、アルカリガラス、無アルカリガラス等の電気絶縁性
材料から成り、その上面には下部配線層2、絶縁層4、
上部配線層3、接続導体6等が設けられ、これらを支持
する支持母材として機能する。
【0013】また前記基板1の上面には、複数個の下部
配線層2と、複数個の上部配線層3とが、間に絶縁層4
を介して被着・積層されている。
配線層2と、複数個の上部配線層3とが、間に絶縁層4
を介して被着・積層されている。
【0014】前記下部配線層2及び上部配線層3は、例
えば銀や金等の金属を含む導電材料によって各々が所定
パターンをなすように3μm〜15μmの厚みに形成さ
れており、両配線層2,3は後述する絶縁層4のスルー
ホール5内に充填した接続導体6を介して電気的に接続
される。
えば銀や金等の金属を含む導電材料によって各々が所定
パターンをなすように3μm〜15μmの厚みに形成さ
れており、両配線層2,3は後述する絶縁層4のスルー
ホール5内に充填した接続導体6を介して電気的に接続
される。
【0015】一方、下部配線層2と上部配線層3の間に
介在されている絶縁層4は、下部配線層2と上部配線層
3とを電気的に絶縁するためのものであり、例えば0.
5×10-6/℃〜9×10-6/℃の線膨張係数をもった
非晶質ガラス等により15μm〜100μmの厚みをも
って形成される。
介在されている絶縁層4は、下部配線層2と上部配線層
3とを電気的に絶縁するためのものであり、例えば0.
5×10-6/℃〜9×10-6/℃の線膨張係数をもった
非晶質ガラス等により15μm〜100μmの厚みをも
って形成される。
【0016】そして前記絶縁層4は、その所定箇所にス
ルーホール5を有しており、その内部には、下部配線層
2の一部が配され、これと接するようにして断面凹状の
接続導体6が充填されている。
ルーホール5を有しており、その内部には、下部配線層
2の一部が配され、これと接するようにして断面凹状の
接続導体6が充填されている。
【0017】前記接続導体6は、金や銀等の金属を含む
導電材料によってスルーホール5の内面に沿って形成さ
れており、その下部領域で下部配線層2と、上部領域で
スルーホール5の開口部近傍に導出されている上部配線
層3とそれぞれ接触することにより両配線層2,3を電
気的に接続している。
導電材料によってスルーホール5の内面に沿って形成さ
れており、その下部領域で下部配線層2と、上部領域で
スルーホール5の開口部近傍に導出されている上部配線
層3とそれぞれ接触することにより両配線層2,3を電
気的に接続している。
【0018】尚、前記接続導体6は断面凹状を成してい
るため、上面の中央部には大きな窪み6aを有してお
り、その容積はスルーホール5の容積の例えば50%〜
70%となっている。
るため、上面の中央部には大きな窪み6aを有してお
り、その容積はスルーホール5の容積の例えば50%〜
70%となっている。
【0019】次に上述した多層配線基板の製造方法につ
いて図2を用いて説明する。
いて図2を用いて説明する。
【0020】(1)まず基板1を準備し、その上面に図
2(a)に示す如く下部配線層2を所定パターンに被着
させる。
2(a)に示す如く下部配線層2を所定パターンに被着
させる。
【0021】前記基板1は、例えばアルミナセラミック
スから成る場合、アルミナ、シリカ、マグネシア等のセ
ラミックス原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加・混
合して泥漿状になすとともに、これを従来周知のドクタ
ーブレード法やカレンダーロール法等を採用することに
よってセラミックグリーンシート(セラミック生シー
ト)を得、しかる後、該グリーンシートを所定形状に打
ち抜いた上、高温(約1600℃)で焼成することによ
り製作され、得られた基板1の上面に所定の導電ペース
トを従来周知の厚膜手法、例えばスクリーン印刷法等に
よって所定パターンに印刷・塗布し、これを高温(例え
ば、560℃)で焼き付けることによって下部配線層2
が形成される。
スから成る場合、アルミナ、シリカ、マグネシア等のセ
ラミックス原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加・混
合して泥漿状になすとともに、これを従来周知のドクタ
ーブレード法やカレンダーロール法等を採用することに
よってセラミックグリーンシート(セラミック生シー
ト)を得、しかる後、該グリーンシートを所定形状に打
ち抜いた上、高温(約1600℃)で焼成することによ
り製作され、得られた基板1の上面に所定の導電ペース
トを従来周知の厚膜手法、例えばスクリーン印刷法等に
よって所定パターンに印刷・塗布し、これを高温(例え
ば、560℃)で焼き付けることによって下部配線層2
が形成される。
【0022】尚、前記導電ペーストとしては、例えば銀
や金等の金属粉末に適当な有機溶剤、有機バインダー、
ガラスフリット等を添加・混合して固形成分含有率を8
0wt%〜90wt%に調整したものが好適に用いられ
る。
や金等の金属粉末に適当な有機溶剤、有機バインダー、
ガラスフリット等を添加・混合して固形成分含有率を8
0wt%〜90wt%に調整したものが好適に用いられ
る。
【0023】(2)次に図2(b)に示す如く、前記基
板1上に下部配線層2を被覆するようにして絶縁層4を
被着させるとともに、下部配線層2上の絶縁層4中に所
定のスルーホール5を形成する。
板1上に下部配線層2を被覆するようにして絶縁層4を
被着させるとともに、下部配線層2上の絶縁層4中に所
定のスルーホール5を形成する。
【0024】このようなスルーホール5を有した絶縁層
4は、ガラス粉末に適当な有機溶剤、有機バインダーを
添加・混合して得た所定のガラスペーストを従来周知の
厚膜手法、例えばスクリーン印刷法等によって、スルー
ホール5の形成箇所を除く基板1の上面全域にわたって
印刷・塗布し、これを高温(例えば530℃)で焼き付
けることにより例えば30μm〜50μmの厚みに形成
される。
4は、ガラス粉末に適当な有機溶剤、有機バインダーを
添加・混合して得た所定のガラスペーストを従来周知の
厚膜手法、例えばスクリーン印刷法等によって、スルー
ホール5の形成箇所を除く基板1の上面全域にわたって
印刷・塗布し、これを高温(例えば530℃)で焼き付
けることにより例えば30μm〜50μmの厚みに形成
される。
【0025】尚、前記絶縁層4を上述の厚膜手法によっ
て形成する場合、その内部に設けられるスルーホール5
の内周面はテーパー形状をなし、例えば絶縁層4の厚み
が40μm、スルーホール径が基板1側で300μmの
場合、開口部側のスルーホール径は346μm〜438
μmとなる。この場合、基板1の上面に対するスルーホ
ール内周面の傾斜角度θは30°〜60°となる。
て形成する場合、その内部に設けられるスルーホール5
の内周面はテーパー形状をなし、例えば絶縁層4の厚み
が40μm、スルーホール径が基板1側で300μmの
場合、開口部側のスルーホール径は346μm〜438
μmとなる。この場合、基板1の上面に対するスルーホ
ール内周面の傾斜角度θは30°〜60°となる。
【0026】(3)次に図2(c)に示す如く、前記絶
縁層4の上面に、一部がスルーホール5の開口部近傍ま
で導出された上部配線層3を被着させる。
縁層4の上面に、一部がスルーホール5の開口部近傍ま
で導出された上部配線層3を被着させる。
【0027】前記上部配線層3は、下部配線層2の形成
に用いたものと同様の導電ペーストを従来周知のスクリ
ーン印刷法等によって絶縁層4の上面に所定パターンに
印刷・塗布し、これを高温(例えば550℃)で焼き付
けることによって被着・形成される。
に用いたものと同様の導電ペーストを従来周知のスクリ
ーン印刷法等によって絶縁層4の上面に所定パターンに
印刷・塗布し、これを高温(例えば550℃)で焼き付
けることによって被着・形成される。
【0028】このとき、上部配線層3の導出部の先端は
スルーホール5の内周面と絶縁層4の上面とで形成され
る角部の位置と合致させておいても良いし、この角部を
越えてスルーホール5の内周面の途中まで延在させてお
いても良いが、上部配線層3を接続導体6と確実に接続
させるには、上部配線層3の導出部の先端はスルーホー
ル5の内周面の途中まで延在させておくことが好まし
い。
スルーホール5の内周面と絶縁層4の上面とで形成され
る角部の位置と合致させておいても良いし、この角部を
越えてスルーホール5の内周面の途中まで延在させてお
いても良いが、上部配線層3を接続導体6と確実に接続
させるには、上部配線層3の導出部の先端はスルーホー
ル5の内周面の途中まで延在させておくことが好まし
い。
【0029】(4)次に図2(d)に示す如く、絶縁層
4のスルーホール5内に、固形成分含有率が50wt%
〜75wt%に調整された導電ペースト6’を充填し、
これを乾燥させることによって導電ペースト6’中の固
形成分6”を、図2(e)に示す如く、スルーホール5
の内面に沿って断面凹状をなすように被着させる。
4のスルーホール5内に、固形成分含有率が50wt%
〜75wt%に調整された導電ペースト6’を充填し、
これを乾燥させることによって導電ペースト6’中の固
形成分6”を、図2(e)に示す如く、スルーホール5
の内面に沿って断面凹状をなすように被着させる。
【0030】かかる導電ペースト6’の固形成分とは、
金属粉末、ガラスフリット、有機バインダー及び添加剤
等によって構成され、これらの固形成分に所定量の有機
溶剤を加えることにより導電ペースト6’が作製され、
その粘度は例えば150Pa・s〜350Pa・sに調
整される。
金属粉末、ガラスフリット、有機バインダー及び添加剤
等によって構成され、これらの固形成分に所定量の有機
溶剤を加えることにより導電ペースト6’が作製され、
その粘度は例えば150Pa・s〜350Pa・sに調
整される。
【0031】この工程で用いる固形成分含有率50wt
%〜75wt%の導電ペースト6’は、全体の25wt
%〜50wt%が有機溶剤で占められていることから、
これを従来周知のスクリーン印刷等によってスルーホー
ル5の内部に充填した上、導電ペースト6’中に含まれ
ている有機溶剤を全て蒸発させると、導電ペースト6’
の体積はスルーホール5の内部で著しく減少して少量の
固形成分6”のみがスルーホール5内に残留する。従っ
て、スルーホール5の内部には上述の固形成分6”がス
ルーホール5の内面に沿って断面凹状をなすように形成
されることとなる。
%〜75wt%の導電ペースト6’は、全体の25wt
%〜50wt%が有機溶剤で占められていることから、
これを従来周知のスクリーン印刷等によってスルーホー
ル5の内部に充填した上、導電ペースト6’中に含まれ
ている有機溶剤を全て蒸発させると、導電ペースト6’
の体積はスルーホール5の内部で著しく減少して少量の
固形成分6”のみがスルーホール5内に残留する。従っ
て、スルーホール5の内部には上述の固形成分6”がス
ルーホール5の内面に沿って断面凹状をなすように形成
されることとなる。
【0032】尚、導電ペースト6’は、絶縁層4のスル
ーホール5内に充填する際、その一部が下部配線層2及
び上部配線層3の端面もしくは上面と接触するように塗
布することが重要であり、これによって導電ペースト
6’の固形成分6”を下部配線層2及び上部配線層3の
双方と接触させておくことができる。
ーホール5内に充填する際、その一部が下部配線層2及
び上部配線層3の端面もしくは上面と接触するように塗
布することが重要であり、これによって導電ペースト
6’の固形成分6”を下部配線層2及び上部配線層3の
双方と接触させておくことができる。
【0033】また上記導電ペースト6’の乾燥は、スル
ーホール5内に充填した導電ペースト6’を100℃〜
200℃の温度で、約10分間加熱することにより行わ
れる。
ーホール5内に充填した導電ペースト6’を100℃〜
200℃の温度で、約10分間加熱することにより行わ
れる。
【0034】(5)そして最後に、前記固形成分6”を
焼結させてスルーホール5の内面に、上部配線層3及び
下部配線層2の双方と接続される接続導体6を形成す
る。
焼結させてスルーホール5の内面に、上部配線層3及び
下部配線層2の双方と接続される接続導体6を形成す
る。
【0035】この焼結は、スルーホール5の内面に被着
させた導電ペースト6’の固形成分6”を450℃〜5
50℃の温度で、約10分間加熱することによって行わ
れ、これによってスルーホール5の内面に沿った断面凹
状の接続導体6が形成され、図1に示す多層配線基板が
完成する。
させた導電ペースト6’の固形成分6”を450℃〜5
50℃の温度で、約10分間加熱することによって行わ
れ、これによってスルーホール5の内面に沿った断面凹
状の接続導体6が形成され、図1に示す多層配線基板が
完成する。
【0036】この場合、スルーホール5の内部に形成さ
れている導電ペースト6’の固形成分6”は、前述した
ように少量であることから、これを焼結させる際の収縮
に伴う応力は極めて小さく抑えられ、接続導体6とスル
ーホール5との界面もしくはその近傍にクラックが発生
することはない。従って、下部配線層2と上部配線層3
とをスルーホール5内に充填した接続導体6でもって確
実に接続させることができ、多層配線基板の生産性を向
上させることが可能となる。
れている導電ペースト6’の固形成分6”は、前述した
ように少量であることから、これを焼結させる際の収縮
に伴う応力は極めて小さく抑えられ、接続導体6とスル
ーホール5との界面もしくはその近傍にクラックが発生
することはない。従って、下部配線層2と上部配線層3
とをスルーホール5内に充填した接続導体6でもって確
実に接続させることができ、多層配線基板の生産性を向
上させることが可能となる。
【0037】尚、先に述べた(4)の工程で用いる導電
ペースト6’は、固形成分含有率が75wt%よりも大
きくなると、スルーホール5内に残留する固形成分6”
の体積が大き過ぎるため、固形成分6”を焼結させる際
の応力を有効に低減させることが困難であり、また固形
成分含有率が50wt%よりも小さくなると、スルーホ
ール5内に残留する固形成分6”の体積が少な過ぎるた
め、固形成分6”を焼成させた際に接続導体6に割れを
生じる恐れがある。従って、(4)の工程で用いる導電
ペースト6’の固形成分含有率は50wt%〜75wt
%の範囲内に設定することが重要である。
ペースト6’は、固形成分含有率が75wt%よりも大
きくなると、スルーホール5内に残留する固形成分6”
の体積が大き過ぎるため、固形成分6”を焼結させる際
の応力を有効に低減させることが困難であり、また固形
成分含有率が50wt%よりも小さくなると、スルーホ
ール5内に残留する固形成分6”の体積が少な過ぎるた
め、固形成分6”を焼成させた際に接続導体6に割れを
生じる恐れがある。従って、(4)の工程で用いる導電
ペースト6’の固形成分含有率は50wt%〜75wt
%の範囲内に設定することが重要である。
【0038】本発明は上述の実施形態に限定されるもの
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々
の変更、改良等が可能である。
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々
の変更、改良等が可能である。
【0039】例えば上述の形態では配線層を2層積層さ
せた多層配線基板について説明したが、本発明は配線層
を3層以上積層させた多層配線基板にも適用が可能であ
る。
せた多層配線基板について説明したが、本発明は配線層
を3層以上積層させた多層配線基板にも適用が可能であ
る。
【0040】
【発明の効果】本発明の多層配線基板の製造方法によれ
ば、上下両側に上部配線層及び下部配線層が配されてい
る絶縁層のスルーホール内に、固形成分含有率が50w
t%〜75wt%に調整された導電ペーストを充填する
とともに、これを乾燥させることによって導電ペースト
中の固形成分をスルーホールの内面に沿って断面凹状を
なすように被着させ、しかる後、前記固形成分を焼結さ
せることによってスルーホール内に上部配線層及び下部
配線層の双方に接続される接続導体を形成するようにし
たことから、スルーホール内に充填される前記固形成分
の体積を極小となして焼結時の収縮に伴う応力を小さく
抑えることができ、接続導体とスルーホールとの界面も
しくはその近傍にクラックが発生するのを有効に防止す
ることが可能となる。従って、下部配線層と上部配線層
とをスルーホール内に充填した接続導体でもって確実に
接続させることができ、多層配線基板の生産性が向上さ
れる。
ば、上下両側に上部配線層及び下部配線層が配されてい
る絶縁層のスルーホール内に、固形成分含有率が50w
t%〜75wt%に調整された導電ペーストを充填する
とともに、これを乾燥させることによって導電ペースト
中の固形成分をスルーホールの内面に沿って断面凹状を
なすように被着させ、しかる後、前記固形成分を焼結さ
せることによってスルーホール内に上部配線層及び下部
配線層の双方に接続される接続導体を形成するようにし
たことから、スルーホール内に充填される前記固形成分
の体積を極小となして焼結時の収縮に伴う応力を小さく
抑えることができ、接続導体とスルーホールとの界面も
しくはその近傍にクラックが発生するのを有効に防止す
ることが可能となる。従って、下部配線層と上部配線層
とをスルーホール内に充填した接続導体でもって確実に
接続させることができ、多層配線基板の生産性が向上さ
れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の製造方法によって製作した多層配線基
板の断面図である。
板の断面図である。
【図2】(a)〜(e)は本発明の製造方法を説明する
ための工程毎の断面図である。
ための工程毎の断面図である。
【図3】従来の多層配線基板の断面図である。
1・・・基板、2・・・下部配線層、3・・・上部配線
層、4・・・絶縁層、5・・・スルーホール、6・・・
接続導体、6’・・・導電ペースト、6”・・・固形成
分
層、4・・・絶縁層、5・・・スルーホール、6・・・
接続導体、6’・・・導電ペースト、6”・・・固形成
分
Claims (2)
- 【請求項1】基板の上面に下部配線層を被着させる工程
と、 前記基板上に下部配線層を被覆するようにして絶縁層を
被着させるとともに、前記下部配線層上の絶縁層中にス
ルーホールを形成する工程と、 前記絶縁層の上面に一部が前記スルーホールの開口部近
傍に導出された上部配線層を被着させる工程と、 前記スルーホール内に、固形成分含有率が50wt%〜
75wt%に調整された導電ペーストを充填し、これを
乾燥させることによって導電ペースト中の固形成分をス
ルーホールの内面に沿って断面凹状をなすように被着さ
せる工程と、 前記固形成分を焼結させてスルーホールの内面に、上部
配線層及び下部配線層の双方と接続される接続導体を形
成する工程と、を含むことを特徴とする多層配線基板の
製造方法。 - 【請求項2】前記上部配線層、絶縁層及び下部配線層が
全て印刷ペーストの塗布及び焼き付けによって形成され
ることを特徴とする請求項1に記載の多層配線基板の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000397438A JP2002198649A (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000397438A JP2002198649A (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 多層配線基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002198649A true JP2002198649A (ja) | 2002-07-12 |
Family
ID=18862559
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000397438A Pending JP2002198649A (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002198649A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006229034A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Toshiba Corp | 配線基板とその製造方法 |
US20180076164A1 (en) * | 2016-09-14 | 2018-03-15 | International Business Machines Corporation | Method of forming solder bumps |
-
2000
- 2000-12-27 JP JP2000397438A patent/JP2002198649A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006229034A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Toshiba Corp | 配線基板とその製造方法 |
US20180076164A1 (en) * | 2016-09-14 | 2018-03-15 | International Business Machines Corporation | Method of forming solder bumps |
US10797011B2 (en) * | 2016-09-14 | 2020-10-06 | International Business Machines Corporation | Method of forming solder bumps |
US10833035B2 (en) | 2016-09-14 | 2020-11-10 | International Business Machines Corporation | Method of forming solder bumps |
US10840202B2 (en) | 2016-09-14 | 2020-11-17 | International Business Machines Corporation | Method of forming solder bumps |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH05335183A (ja) | 多層基板を備えた電子部品及びその製造方法 | |
US20040099364A1 (en) | Method of producing a composite sheet and method of producing a laminate by using the composite sheet | |
JPH08139230A (ja) | セラミック回路基板とその製造方法 | |
JP5409261B2 (ja) | 電子部品搭載用基板の製造方法 | |
JP4683743B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP2002198649A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
US7348069B2 (en) | Ceramic substrate for thin-film electronic components, method for producing the substrate, and thin-film electronic component employing the substrate | |
JPH08125339A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
JPH09298368A (ja) | セラミック配線基板 | |
JP2002171064A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
JP2002141646A (ja) | 回路基板 | |
JP5383531B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP4540193B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP2002231860A (ja) | 電子部品装置 | |
JP2001189563A (ja) | 多層配線基板 | |
JP2001185857A (ja) | 多層配線基板 | |
JP2001185855A (ja) | 多層配線基板 | |
JP4462695B2 (ja) | セラミック回路基板の製造方法 | |
JPH11135899A (ja) | セラミック回路基板 | |
JP2001189558A (ja) | 多層配線基板 | |
JP2976088B2 (ja) | 側面電極を有する表面実装用部品とその製造方法 | |
JP2001345556A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
JP2001284812A (ja) | 多層配線基板 | |
JPH11135941A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
JP4310458B2 (ja) | 電子部品の製造方法および電子部品 |