JPH0574920A - 静電吸着力除去方法および静電吸着装置 - Google Patents
静電吸着力除去方法および静電吸着装置Info
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- JPH0574920A JPH0574920A JP23595691A JP23595691A JPH0574920A JP H0574920 A JPH0574920 A JP H0574920A JP 23595691 A JP23595691 A JP 23595691A JP 23595691 A JP23595691 A JP 23595691A JP H0574920 A JPH0574920 A JP H0574920A
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Abstract
する。 【構成】電極に電圧を印加し絶縁膜を介して試料を電極
に静電吸着させた後、静電吸着力を解除する際に、電圧
の印加を中止し、試料と電極とを電気的に接続する。
Description
び静電吸着装置に関するものである。
例えば、特開昭62−255039号公報に記載のよう
に、正負一対の電極間に印加されている吸着保持用の直
流電圧を切断した際に、電極間に正負を逆にした直流電
圧を微小時間印加する方法が提案されている。
223号公報に記載のように、出力可変の交流電圧を発
生する交流電源を設け、静電吸着解放時にプラズマを投
射しつつ、交流電圧を0まで減衰させる方法が提案され
ている。
おいては、逆電圧を印加することによって残留吸着力は
一端小さくなるが、その後も逆電圧を印加すると絶縁膜
には逆極性の電荷が再び帯電するため吸着力が再び大き
くなる。このため、逆電圧の印加にあたっては印加電
圧,印加時間の制御が難しいという問題があった。
着力が0まで減衰する交流の電圧を印加するので、前述
したような問題は生じないが電源回路が複雑になるとい
う問題があった。
着力をすみやかに低減することのできる静電吸着力除去
方法および静電吸着装置にある。
に、絶縁膜が設けられ該絶縁膜を介して試料を配置可能
な電極と、該電極に印加する電圧をON,OFF可能な
電圧印加手段と、試料と前記電極とを電気的に接続可能
なバイパス手段とを具備したものとし、電極に電圧を印
加し絶縁膜を介して試料を電極に静電吸着させた後、静
電吸着力を解除する際に、電圧の印加を中止し、試料と
電極とを電気的に接続するようにしたものである。
試料と電極とを電気的に接続することにより、絶縁膜を
バイパスして試料と電極との間で電流が流れ、電位差が
なくなり吸着力が解除される。これにより、簡単な回路
構成で残留吸着力をすみやかに低減することができる。
より説明する。図1は、この場合、有磁場マイクロ波プ
ラズマ処理装置に本発明の静電吸着装置を適用した場合
の全体構成を示したものである。この場合、真空処理室
1の上部には放電管2を設け、真空空間が形成してあ
る。導波管3は放電管2を覆うように設けてあり、導波
管3の外側にはコイル4が設けてある。真空処理室1内
にはウエハ6を配置可能な試料台5が設けてあり、試料
台5には高周波電源8およびスイッチ11を介して直流
電源10が接続してある。試料台5上面には絶縁膜12
が設けてあり、試料6は絶縁膜12を介して試料台5に
配置される。絶縁膜12の一部には導電膜13が設けて
あり、導電膜13の上面はウエハ6の裏面に接するよう
になっている。導電膜13と試料台5とは、この場合、
可変抵抗器14とスイッチ15とを介して接続され、絶
縁膜12をバイパスする回路が形成されている。なお、
7はウエハ6を搬送装置(図示省略)と試料台5との間
で受け渡しするためのウエハ押し上げ装置である。ま
た、真空処理室1には、図示を省略した処理ガス供給装
置と真空排気装置とが接続してある。また、絶縁膜12
は、この場合、試料台5の表面にアルミナ等を溶射して
成り、導電膜13は、この場合、絶縁膜12の表面の一
部分にAl等の導電材を蒸着して成る。
ハ1をプラズマ処理、例えば、エッチング処理する際
は、導波管3を介して放電管2内に導入したマイクロ波
の電界とコイル4による磁場との相互作用により放電管
2内に導入した処理ガスをプラズマ化し、さらに、試料
台5に高周波電源8により高周波を印加し、プラズマか
らウエハ6に入射するイオンのエネルギ−を制御しなが
ら行う。このとき、ウエハ6は試料台5に静電吸着され
ている。ウエハ6の静電吸着は、図2(a)に示すよう
にスイッチ11をONし、直流電源10の直流電圧を試
料台5に印加した状態でプラズマを発生させることによ
り行なわれる。このとき、スイッチ15はOFFしてお
く。これにより絶縁膜12には電圧Vが印加され、式
(1)に示すような電荷Qが充電される。 Q=CV(1−exp(−t/RC))−−−−(1) C:絶縁膜12の静電容量 (F) R:絶縁膜12の抵抗値 (Ω) よって、ウエハ6と絶縁膜12との間には電荷Qによる
ク−ロン力が発生し、ウエハ6が絶縁膜12上に吸着さ
れる。
を試料台から取り外して搬出するにあたり、ウエハ6の
試料台5からの取外しは、プラズマを消滅させた後、図
2(b)に示すように、スイッチ11をOFFして直流
電圧の印加を停止し、スイッチ15をONさせ可変抵抗
14を介して電流を流し絶縁膜12に帯電した電荷を除
去した後、ウエハ押し上げ装置7を上昇させることによ
り行う。スイッチ15をONにより絶縁膜12に帯電し
ていた電荷Qは可変抵抗14を介して放電する。このと
きの電荷Qの変化は式(2),(3)で表される。 Q=CVexp(−t/R2C)−−−−(2) R2=R1×R/R1+R −−−−(3) R1:可変抵抗12の抵抗値 (Ω) R2:合成抵抗 (Ω) 式(3)からあきらかなように可変抵抗14を設けるこ
とにより、全体の抵抗値はRからR2に小さくなって時
定数が短くなり、残留吸着力をすみやかに低減できる。
すなわち、合成抵抗は絶縁膜12の抵抗成分の逆数と可
変抵抗器14の抵抗成分の逆数の和の逆数となるため、
絶縁膜12の抵抗成分より小さくなり、電荷の放電時定
数は短くなる。
とって残留吸着力の減衰時定数を計算してみる。アルミ
ナの固有抵抗値,誘電率,吸着面積,膜厚をそれぞれ
1.08×1013Ω−cm,8,128cm2,300μm
であるとすると、時定数は約7.1秒となる。これに対
して、10MΩの可変抵抗14を設けた場合、5MΩの
可変抵抗14を設けた場合について同様に計算すると時
定数は前者が約0.03秒、後者が約0.015秒と短
くなる。
よびスイッチ15を介してウエハ6と試料台5とを接続
するようにしているので、絶縁膜12に帯電した電荷を
除去し残留吸着力をすみやかに低減できる。という効果
がある。なお、本実施例では可変抵抗器14とスイッチ
15とを用いてバイパス回路を形成しているが、例え
ば、スイッチ15だけを設けて回路のON,OFFだけ
をするようにしても良く、また、可変抵抗器14だけを
設けて、吸着時は抵抗を大きくし、吸着力除去のときに
は抵抗を小さくするようにしても良い。
明する。図3において図1と同符号は同一部材を示し、
説明を省略する。本図が前記一実施例と異なる点は、絶
縁膜12の一部分に絶縁膜12よりも抵抗の小さいリン
グ16、例えば、SiCをウエハ6と接するように設け
た点であり、本実施例によれば、式(3)から分かるよ
うに全体の抵抗値が小さくなって時定数が短くなり、前
記一実施例と同様の効果がある。
イクロ波プラズマ処理装置、特にエッチング装置を例に
説明したが、静電吸着装置を使用するものにおいてはこ
のような処理装置に限定されるものでないことはいうま
でもない。
着力を短時間で低減できる効果がある。
る有磁場マイクロ波プラズマ処理装置を示す構成図であ
る。
り、(a)は静電吸着時を示し、(b)は吸着力除去時
を示す。
ある有磁場マイクロ波プラズマ処理装置を示す構成図で
ある。
……絶縁膜、13……導電膜、14……可変抵抗器、1
6……リング。
Claims (5)
- 【請求項1】前記電極に電圧を印加し絶縁膜を介して試
料を前記電極に静電吸着させた後、静電吸着力を解除す
る際に、前記電圧の印加を中止し、前記試料と前記電極
とを電気的に接続することを特徴とする静電吸着力除去
方法。 - 【請求項2】絶縁膜が設けられ該絶縁膜を介して試料を
配置可能な電極と、該電極に電圧の印加をON,OFF
可能な電圧印加手段と、前記試料と前記電極とを電気的
に接続可能なバイパス手段とを具備して成ることを特徴
とする静電吸着装置。 - 【請求項3】前記バイパス手段は可変抵抗器を有する請
求項2記載の静電吸着装置。 - 【請求項4】前記バイパス手段はスイッチを有する請求
項2記載の静電吸着装置。 - 【請求項5】絶縁膜が設けられ該絶縁膜を介して試料を
配置可能な電極と、該電極に電圧の印加をON,OFF
可能な電圧印加手段とを具備して成る静電吸着装置にお
いて、前記絶縁膜の一部分に前記絶縁膜より抵抗が小さ
いリングを前記試料および前記電極に接して設けたこと
を特徴とする静電吸着装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23595691A JP2636590B2 (ja) | 1991-09-17 | 1991-09-17 | 静電吸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23595691A JP2636590B2 (ja) | 1991-09-17 | 1991-09-17 | 静電吸着装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0574920A true JPH0574920A (ja) | 1993-03-26 |
JP2636590B2 JP2636590B2 (ja) | 1997-07-30 |
Family
ID=16993706
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23595691A Expired - Lifetime JP2636590B2 (ja) | 1991-09-17 | 1991-09-17 | 静電吸着装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2636590B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08250579A (ja) * | 1995-03-14 | 1996-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置の静電チャック用電源および半導体製造装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62287950A (ja) * | 1986-06-04 | 1987-12-14 | Canon Inc | 静電吸着装置 |
-
1991
- 1991-09-17 JP JP23595691A patent/JP2636590B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS62287950A (ja) * | 1986-06-04 | 1987-12-14 | Canon Inc | 静電吸着装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08250579A (ja) * | 1995-03-14 | 1996-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置の静電チャック用電源および半導体製造装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2636590B2 (ja) | 1997-07-30 |
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