JPH0574787A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0574787A JPH0574787A JP23143691A JP23143691A JPH0574787A JP H0574787 A JPH0574787 A JP H0574787A JP 23143691 A JP23143691 A JP 23143691A JP 23143691 A JP23143691 A JP 23143691A JP H0574787 A JPH0574787 A JP H0574787A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- collector
- base region
- type
- impurity diffusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁場に対する感度を向上させる。
【構成】 ベース領域３の、コレクタ領域に隣接したと
ころに、ベース領域３と同じ導電型で不純物濃度の高い
領域９を設けた。これを磁場中におくと、ベース領域３
とエミッタ領域８との接合部分において、磁場の作用に
よってエミッタ領域８へのキャリア注入に変調が起き、
コレクタ領域６，７に流れ込む電流の密度の大きさが変
化する。コレクタ領域６，７間において、それらがもっ
とも隣り合った領域間では電流密度の差が小さく、それ
から離れた領域では電流密度の差が大きくなる。
ころに、ベース領域３と同じ導電型で不純物濃度の高い
領域９を設けた。これを磁場中におくと、ベース領域３
とエミッタ領域８との接合部分において、磁場の作用に
よってエミッタ領域８へのキャリア注入に変調が起き、
コレクタ領域６，７に流れ込む電流の密度の大きさが変
化する。コレクタ領域６，７間において、それらがもっ
とも隣り合った領域間では電流密度の差が小さく、それ
から離れた領域では電流密度の差が大きくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置、特に磁場の
強度に応じて出力が変化する横方向バイポーラトランジ
スタに関するものである。
強度に応じて出力が変化する横方向バイポーラトランジ
スタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３に、従来使用されている、半導体基
板表面上に形成された２ヶ所のコレクタ領域コンタクト
を持つ横方向バイポーラトランジスタ（以下マルチコレ
クタトランジスタと称す）を示す（例 ＩＥＥＥ トラ
ンザクションズ オン エレクトロン デバイセズ（TR
ANSUACTIONS ON ELECTRON DEVICES），第ＥＤ３１卷，
第１４８６ページ〜第１４９４ページ，１９８４年１０
月）。
板表面上に形成された２ヶ所のコレクタ領域コンタクト
を持つ横方向バイポーラトランジスタ（以下マルチコレ
クタトランジスタと称す）を示す（例 ＩＥＥＥ トラ
ンザクションズ オン エレクトロン デバイセズ（TR
ANSUACTIONS ON ELECTRON DEVICES），第ＥＤ３１卷，
第１４８６ページ〜第１４９４ページ，１９８４年１０
月）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この種マルチコレクタ
トランジスタにおいては、半導体基板に対して垂直方向
に磁場を印加すると、エミッタ注入変調が起き、各コレ
クタに流れ込む電流の大きさが変化する。しかしなが
ら、磁場の変化に対するコレクタ電流の変化分が小さ
く、十分な感度が得られてない。
トランジスタにおいては、半導体基板に対して垂直方向
に磁場を印加すると、エミッタ注入変調が起き、各コレ
クタに流れ込む電流の大きさが変化する。しかしなが
ら、磁場の変化に対するコレクタ電流の変化分が小さ
く、十分な感度が得られてない。
【０００４】本発明は、各コレクタ間の電流差を増加さ
せる構造とすることにより、従来のマルチコレクタトラ
ンジスタに比べて感度の高いバイポーラ型磁気トランジ
スタを提供することを目的とする。
せる構造とすることにより、従来のマルチコレクタトラ
ンジスタに比べて感度の高いバイポーラ型磁気トランジ
スタを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体基板表面上に形成されたマルチコレクタトランジ
スタにおいて、複数のコレクタ領域を有し、エミッタ領
域に隣接するベース領域の一部分にそれと同じ導電型で
しかも不純物濃度がそれよりも高い領域を形成したもの
である。
半導体基板表面上に形成されたマルチコレクタトランジ
スタにおいて、複数のコレクタ領域を有し、エミッタ領
域に隣接するベース領域の一部分にそれと同じ導電型で
しかも不純物濃度がそれよりも高い領域を形成したもの
である。
【０００６】
【作用】この半導体装置においては、エミッタから注入
された少数キャリアのうち、コレクタの向かい合った部
分の方向へ向かうものは、その前面に設けた不純物濃度
の高い拡散領域で再結合するため、それを越えてコレク
タに到達する少数キャリアが極端に減少し、その部分に
起因するコレクタ電流をカットすることができる。
された少数キャリアのうち、コレクタの向かい合った部
分の方向へ向かうものは、その前面に設けた不純物濃度
の高い拡散領域で再結合するため、それを越えてコレク
タに到達する少数キャリアが極端に減少し、その部分に
起因するコレクタ電流をカットすることができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例であるＰＮＰマルチ
コレクタトランジスタについて、図を参照して説明す
る。図１は本実施例の平面図、図２は図１のＸ−Ｘ線に
沿った断面図である。
コレクタトランジスタについて、図を参照して説明す
る。図１は本実施例の平面図、図２は図１のＸ−Ｘ線に
沿った断面図である。
【０００８】これらの図に示すように、Ｐ型シリコン基
板１の一主面に沿ってＮ+型埋め込み層２、Ｎ-型エピタ
キシャル層で構成されるベース領域３、および、Ｐ+型
分離層４が形成されている。ベース領域３にはＮ+型不
純物拡散層からなるコンタクト領域５が形成され、この
不純物拡散層５に隣合うよう、向い合わせに二つのＬ字
状、逆Ｌ字状のＰ+型不純物拡散からなるコレクタ領域
６，７（図１では一方６のみが図示されている）が形成
されている。さらに、コレクタ領域６，７に関して、不
純物拡散層５とは反対側にところに、Ｐ+型不純物拡散
からなるエミッタ領域８が形成されている。そして、二
つのコレクタ領域６，７間で挟まれた、エミッタ領域８
側の領域に、ベース領域３よりも高不純物濃度のＮ+不
純物拡散層９が形成されている。シリコン基板１は、そ
の表面がシリコン酸化膜１０で覆われて保護されてい
る。シリコン酸化膜１０の、ベースコンタクト領域５、
コレクタ領域６，７、および、エミッタ領域８上にそれ
ぞれ窓が形成されており、この窓部分に各電極１１〜１
４が設けられている。
板１の一主面に沿ってＮ+型埋め込み層２、Ｎ-型エピタ
キシャル層で構成されるベース領域３、および、Ｐ+型
分離層４が形成されている。ベース領域３にはＮ+型不
純物拡散層からなるコンタクト領域５が形成され、この
不純物拡散層５に隣合うよう、向い合わせに二つのＬ字
状、逆Ｌ字状のＰ+型不純物拡散からなるコレクタ領域
６，７（図１では一方６のみが図示されている）が形成
されている。さらに、コレクタ領域６，７に関して、不
純物拡散層５とは反対側にところに、Ｐ+型不純物拡散
からなるエミッタ領域８が形成されている。そして、二
つのコレクタ領域６，７間で挟まれた、エミッタ領域８
側の領域に、ベース領域３よりも高不純物濃度のＮ+不
純物拡散層９が形成されている。シリコン基板１は、そ
の表面がシリコン酸化膜１０で覆われて保護されてい
る。シリコン酸化膜１０の、ベースコンタクト領域５、
コレクタ領域６，７、および、エミッタ領域８上にそれ
ぞれ窓が形成されており、この窓部分に各電極１１〜１
４が設けられている。
【０００９】なお、図１ではシリコン酸化膜１０の図示
を省略している。本実施例に磁場におくと、ベース領域
３とエミッタ領域８との接合部分において、その作用に
よってエミッタ領域８へのキャリア注入に変調が起き
る。これによって、コレクタ領域６，７に流れ込む電流
の密度の大きさが変化する。コレクタ領域６，７間にお
いて、それらがもっとも隣り合った領域間では電流密度
の差が小さく、それから離れた領域では電流密度の差が
大きくなる。
を省略している。本実施例に磁場におくと、ベース領域
３とエミッタ領域８との接合部分において、その作用に
よってエミッタ領域８へのキャリア注入に変調が起き
る。これによって、コレクタ領域６，７に流れ込む電流
の密度の大きさが変化する。コレクタ領域６，７間にお
いて、それらがもっとも隣り合った領域間では電流密度
の差が小さく、それから離れた領域では電流密度の差が
大きくなる。
【００１０】コレクタ領域６，７間に、ベース領域３よ
りも不純物量の高いＮ+型不純物拡散層９が設けられて
いるので、Ｎ+型不純物拡散層９の背後に位置する、コ
レクタ領域６，７の部分では、それらに入り込もうとす
るキャリアがＮ+型不純物拡散層９で少数キャリアと再
結合する。よって、Ｎ+型不純物拡散層９を越えてコレ
クタ領域６，７に到達する少数キャリアの量が極端に減
少する。すなわち、コレクタ領域６，７に対面する、ベ
ース領域３とエミッタ領域８との接合の中央付近の電流
が減少する。一方、その接合の両端部分から流れ出る電
流は接合中央部分からの電流に比べて大きく、これがコ
レクタ領域６，７のそれぞれに到達する。このため、従
来の構造に比べて、印加された磁場に対するコレクタ電
流の差が大きくなり、磁気感度が上昇する。
りも不純物量の高いＮ+型不純物拡散層９が設けられて
いるので、Ｎ+型不純物拡散層９の背後に位置する、コ
レクタ領域６，７の部分では、それらに入り込もうとす
るキャリアがＮ+型不純物拡散層９で少数キャリアと再
結合する。よって、Ｎ+型不純物拡散層９を越えてコレ
クタ領域６，７に到達する少数キャリアの量が極端に減
少する。すなわち、コレクタ領域６，７に対面する、ベ
ース領域３とエミッタ領域８との接合の中央付近の電流
が減少する。一方、その接合の両端部分から流れ出る電
流は接合中央部分からの電流に比べて大きく、これがコ
レクタ領域６，７のそれぞれに到達する。このため、従
来の構造に比べて、印加された磁場に対するコレクタ電
流の差が大きくなり、磁気感度が上昇する。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、高感度の磁気感応素子
を現行の半導体プロセス技術を用いて容易に実現するこ
とが可能となる。
を現行の半導体プロセス技術を用いて容易に実現するこ
とが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の半導体装置の平面図
【図２】図１のＸ−Ｘ線に沿った断面図
１ Ｐ型シリコン基板 ２ Ｎ+型埋め込み層 ３ Ｎ-型エピタキシャル層で構成されるベース領域 ４ Ｐ+型分離層 ５ Ｎ+型不純物拡散層からなるコンタクト領域５ ６，７ Ｐ+型不純物拡散からなるコレクタ領域 ８ Ｐ+型不純物拡散からなるエミッタ領域 ９ Ｎ+不純物拡散層 １０ シリコン酸化膜 １１〜１４ 電極
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板に一主面に沿って形成されたベ
ース領域と、前記ベース領域に形成された、複数の不純
物拡散層からなるコレクタ領域と、前記ベース領域の、
前記コレクタ領域と離間した位置に形成されたエミッタ
領域と、前記ベース領域内の、前記コレクタ領域と前記
エミッタ領域との間に形成された、前記ベース領域と同
じ導電型で、それより高い濃度の不純物拡散層とを備え
た半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23143691A JPH0574787A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23143691A JPH0574787A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574787A true JPH0574787A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16923521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23143691A Pending JPH0574787A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0574787A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010263231A (ja) * | 2010-06-28 | 2010-11-18 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 磁気検出装置 |
-
1991
- 1991-09-11 JP JP23143691A patent/JPH0574787A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010263231A (ja) * | 2010-06-28 | 2010-11-18 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 磁気検出装置 |
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