JPH056847A - 接合シリコンウエハ−およびｘ線リソグラフイ用マス ク基板の製造方法 - Google Patents
接合シリコンウエハ−およびｘ線リソグラフイ用マス ク基板の製造方法Info
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- JPH056847A JPH056847A JP3183252A JP18325291A JPH056847A JP H056847 A JPH056847 A JP H056847A JP 3183252 A JP3183252 A JP 3183252A JP 18325291 A JP18325291 A JP 18325291A JP H056847 A JPH056847 A JP H056847A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明は高精度で接合された接合シリコンウ
エハーの製造方法およびこれを用いたＸ線リソグラフィ
用マスク基板の製造方法提供を目的とするものである。 【構成】 本発明による接合シリコンウエハーの製造方
法は、複数枚のシリコンウエハーを加熱機構を有する静
電チャックを用いて固定し、加熱融着させることを特徴
とするものであり、本発明によるＸ線リソグラフィ用マ
スク基板の製造方法はこのようにして得た接合シリコン
ウエハーを用いて製造することを特徴とするものであ
る。
エハーの製造方法およびこれを用いたＸ線リソグラフィ
用マスク基板の製造方法提供を目的とするものである。 【構成】 本発明による接合シリコンウエハーの製造方
法は、複数枚のシリコンウエハーを加熱機構を有する静
電チャックを用いて固定し、加熱融着させることを特徴
とするものであり、本発明によるＸ線リソグラフィ用マ
スク基板の製造方法はこのようにして得た接合シリコン
ウエハーを用いて製造することを特徴とするものであ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は接合シリコンウエハーお
よびＸ線リソグラフィ用マスク基板の製造方法、特には
シリコンウエハーを高精度に接合することによってＸ線
リソグラフィ用に有用とされるようになる接合シリコン
ウエハーの製造方法、およびこれを用いてなるＸ線リソ
グラフィ用マスク基板の製造方法に関するものである。
よびＸ線リソグラフィ用マスク基板の製造方法、特には
シリコンウエハーを高精度に接合することによってＸ線
リソグラフィ用に有用とされるようになる接合シリコン
ウエハーの製造方法、およびこれを用いてなるＸ線リソ
グラフィ用マスク基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線リソグラフィ用マスク基板としては
シリコンウエハーが最もよく用いられているが、ここに
使用されるシリコンウエハーは一般に厚さが５００〜６
００μｍのものとされているためにマスクメンブレン材
料をこの基板に被膜すると基板に反りが発生したり、マ
スク使用時に機械的な外力が加わると基板が変形し、結
果においてＸ線リソグラフィの精度が低下するという不
利があった。
シリコンウエハーが最もよく用いられているが、ここに
使用されるシリコンウエハーは一般に厚さが５００〜６
００μｍのものとされているためにマスクメンブレン材
料をこの基板に被膜すると基板に反りが発生したり、マ
スク使用時に機械的な外力が加わると基板が変形し、結
果においてＸ線リソグラフィの精度が低下するという不
利があった。
【０００３】そのため、このシリコン基板についてはこ
れにパイレックスガラスや石英ガラス製の支持枠をはめ
込んだり、接着するという方法も試みられているが、こ
のような方法は高精度な位置合わせとＸ線リソグラフィ
時の位置変動のないことが要求されるＸ線リソグラフィ
技術においては不十分な精度しか得られず、満足できる
ものではなかった。したがって、これについては厚さが
２，０００μｍ程度の厚いシリコン基板を用いることも
試みられており、これによれば厚さが５００μｍの基板
を用いる場合にくらべて反りを１５分の１にすることが
でき、これは厚さをさらに厚くすればよりよい効果をあ
げることができるけれども、これはマスクメンブレンを
得る際のバックエッチング工程におけるシリコン基板の
エッチングに多大の時間を要することになるために実用
性がない。
れにパイレックスガラスや石英ガラス製の支持枠をはめ
込んだり、接着するという方法も試みられているが、こ
のような方法は高精度な位置合わせとＸ線リソグラフィ
時の位置変動のないことが要求されるＸ線リソグラフィ
技術においては不十分な精度しか得られず、満足できる
ものではなかった。したがって、これについては厚さが
２，０００μｍ程度の厚いシリコン基板を用いることも
試みられており、これによれば厚さが５００μｍの基板
を用いる場合にくらべて反りを１５分の１にすることが
でき、これは厚さをさらに厚くすればよりよい効果をあ
げることができるけれども、これはマスクメンブレンを
得る際のバックエッチング工程におけるシリコン基板の
エッチングに多大の時間を要することになるために実用
性がない。
【０００４】また、このシリコン基板については、この
シリコン基板に予めざぐり加工を施してシリコン基板の
必要な部分について基板の厚みを薄くしておいてからエ
ッチングするという方法も提案されている（特開昭６３
−１７５４２２号、特開昭６３−２７６２２３号、特開
昭６４−１５９２３号公報参照）が、このようなざぐり
加工をシリコン基板を傷つけず、結晶性にダメージを与
えずに研削することは難しく、同時にこのようなざぐり
底部を鏡面に近く研摩することは高度な技術を必要とす
るために、これはＸ線マスクのコストアップにつながる
し、生産性も低いという欠点がある。
シリコン基板に予めざぐり加工を施してシリコン基板の
必要な部分について基板の厚みを薄くしておいてからエ
ッチングするという方法も提案されている（特開昭６３
−１７５４２２号、特開昭６３−２７６２２３号、特開
昭６４−１５９２３号公報参照）が、このようなざぐり
加工をシリコン基板を傷つけず、結晶性にダメージを与
えずに研削することは難しく、同時にこのようなざぐり
底部を鏡面に近く研摩することは高度な技術を必要とす
るために、これはＸ線マスクのコストアップにつながる
し、生産性も低いという欠点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】なお、このＸ線リソグ
ラフィ用マスクに使用するシリコン基板については薄い
シリコン基板と厚いシリコン基板とを加熱炉中に重ね合
わせて入れ、１，０００℃程度に加熱して両者を接合す
る方法も提案されており（特開平２−１６２７１４号公
報参照）、これによれば成膜を行なう基板に加工に起因
するダメージを何も与えずに加工を行なったシリコン基
板と同等のものが得られるけれども、これはこのシリコ
ン基板が単にシリコン基板を重ね合わせて設置されたも
のであるために、厚いシリコン基板と薄いシリコン基板
の接合位置を精度よく得ることが難しいという欠点があ
る。
ラフィ用マスクに使用するシリコン基板については薄い
シリコン基板と厚いシリコン基板とを加熱炉中に重ね合
わせて入れ、１，０００℃程度に加熱して両者を接合す
る方法も提案されており（特開平２−１６２７１４号公
報参照）、これによれば成膜を行なう基板に加工に起因
するダメージを何も与えずに加工を行なったシリコン基
板と同等のものが得られるけれども、これはこのシリコ
ン基板が単にシリコン基板を重ね合わせて設置されたも
のであるために、厚いシリコン基板と薄いシリコン基板
の接合位置を精度よく得ることが難しいという欠点があ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不
利、欠点を解決した接合シリコン基板の製造方法および
Ｘ線リソグラフィ用マスク基板の製造方法に関するもの
であり、これは複数枚のシリコンウエハーを加熱機構を
有する静電チャックを用いて固定し、加熱融着させるこ
とを特徴とする接合シリコンウエハーの製造方法、およ
びこのような方法で接合されたシリコンウエハーを使用
してなるＸ線リソグラフィ用マスク基板の製造方法を要
旨とするものである。
利、欠点を解決した接合シリコン基板の製造方法および
Ｘ線リソグラフィ用マスク基板の製造方法に関するもの
であり、これは複数枚のシリコンウエハーを加熱機構を
有する静電チャックを用いて固定し、加熱融着させるこ
とを特徴とする接合シリコンウエハーの製造方法、およ
びこのような方法で接合されたシリコンウエハーを使用
してなるＸ線リソグラフィ用マスク基板の製造方法を要
旨とするものである。
【０００７】すなわち、本発明者らはシリコンウエハー
を高精度で接合する方法について種々検討した結果、こ
れについては複数枚のシリコンウエハーを加熱機構を有
する静電チャックを用いて固定し、ついでこれをその加
熱機構で加熱し、融着すれば、シリコンウエハーが静電
チャックに確実に吸着されるので、このままで加熱し、
融着すればシリコンウエハーが未接合部分なく完全に、
しかも２枚のシリコンウエハーは相対的な位置ずれもな
く接合されることを見出すと共に、このようにして作ら
れた接合シリコンウエハーはＸ線リソグラフィ用マスク
基板としてもすぐれた物性を示すことを確認して本発明
を完成させた。以下にこれをさらに詳述する。
を高精度で接合する方法について種々検討した結果、こ
れについては複数枚のシリコンウエハーを加熱機構を有
する静電チャックを用いて固定し、ついでこれをその加
熱機構で加熱し、融着すれば、シリコンウエハーが静電
チャックに確実に吸着されるので、このままで加熱し、
融着すればシリコンウエハーが未接合部分なく完全に、
しかも２枚のシリコンウエハーは相対的な位置ずれもな
く接合されることを見出すと共に、このようにして作ら
れた接合シリコンウエハーはＸ線リソグラフィ用マスク
基板としてもすぐれた物性を示すことを確認して本発明
を完成させた。以下にこれをさらに詳述する。
【０００８】
【作用】本発明は接合シリコンウエハーの製造方法およ
びＸ線リソグラフィ用マスク基板の製造方法に関するも
のであり、これは複数枚のシリコンウエハーを加熱機構
を有する静電チャックで固定し、加熱、融着させる接合
シリコンウエハーの製造方法およびこのようにして得た
接合シリコンウエハーを使用してなるＸ線リソグラフィ
用マスク基板の製造方法を要旨とするものである。
びＸ線リソグラフィ用マスク基板の製造方法に関するも
のであり、これは複数枚のシリコンウエハーを加熱機構
を有する静電チャックで固定し、加熱、融着させる接合
シリコンウエハーの製造方法およびこのようにして得た
接合シリコンウエハーを使用してなるＸ線リソグラフィ
用マスク基板の製造方法を要旨とするものである。
【０００９】本発明におけるシリコンウエハーの接合は
加熱機構を有する静電チャックを用いて行なわれる。こ
こに使用される加熱機構を有する静電チャックは加熱機
構を組み込んだ静電チャックに限定されるものではな
く、これは静電チャックの上にＰＧヒーターのような加
熱装置を設置したものであってもよい。また、ここに使
用されるシリコンウエハーはこれがＸ線リソグラフィ用
マスク基板として用いられるものであることから、直径
が２〜８インチで面方位が（１００）である、厚さが２
００〜２，０００μｍのものとすればよいが、このもの
は平坦度Ｒａが数＋Å以下で、反り量が数μｍ以下のも
のとすることがよい。
加熱機構を有する静電チャックを用いて行なわれる。こ
こに使用される加熱機構を有する静電チャックは加熱機
構を組み込んだ静電チャックに限定されるものではな
く、これは静電チャックの上にＰＧヒーターのような加
熱装置を設置したものであってもよい。また、ここに使
用されるシリコンウエハーはこれがＸ線リソグラフィ用
マスク基板として用いられるものであることから、直径
が２〜８インチで面方位が（１００）である、厚さが２
００〜２，０００μｍのものとすればよいが、このもの
は平坦度Ｒａが数＋Å以下で、反り量が数μｍ以下のも
のとすることがよい。
【００１０】このシリコンウエハーの接合に当っては、
まずその複数枚を加熱機構を有する静電チャックに固定
させるのであるが、これは複数枚のシリコンウエハーを
チャンバー内に水平に設置し、静電チャックに0.5 〜５
ｋＶの電圧を印加すればよく、これによればシリコンウ
エハーは静電チャックに吸引、吸着されて、固定され
る。
まずその複数枚を加熱機構を有する静電チャックに固定
させるのであるが、これは複数枚のシリコンウエハーを
チャンバー内に水平に設置し、静電チャックに0.5 〜５
ｋＶの電圧を印加すればよく、これによればシリコンウ
エハーは静電チャックに吸引、吸着されて、固定され
る。
【００１１】この静電チャックに固定されたシリコンウ
エハーはついでこの静電チャックに備えられている加熱
機構によって加熱され、融着されるのであるが、この加
熱は例えば静電チャックに備えられている赤外線抵抗加
熱ヒーターに電力を印加するという方法で行えばよい。
また、この加熱温度は５００℃未満ではシリコンウエハ
ー同志が十分な接着強度で接着しないし、１，４２０℃
以上とするとシリコンウエハーの融解が起るので、５０
０℃以上、１，４２０℃未満の範囲とすることがよい。
エハーはついでこの静電チャックに備えられている加熱
機構によって加熱され、融着されるのであるが、この加
熱は例えば静電チャックに備えられている赤外線抵抗加
熱ヒーターに電力を印加するという方法で行えばよい。
また、この加熱温度は５００℃未満ではシリコンウエハ
ー同志が十分な接着強度で接着しないし、１，４２０℃
以上とするとシリコンウエハーの融解が起るので、５０
０℃以上、１，４２０℃未満の範囲とすることがよい。
【００１２】なお、このシリコンウエハーの接合はシリ
コンウエハーの酸化を防止するために真空中で行なう
か、または不活性ガス雰囲気中で行なうことがよいが、
このようにして得られた接合シリコンウエハーは超音波
探傷器によってしらべても未接合部分はなく、完全に接
着したものとなって、これは１２０ｋｇ／ｃｍ2 以上と
いう剥離強度をもつものになるし、また接合した２枚の
シリコンウエハーには相対的位置ずれもないという有利
性が与えられる。
コンウエハーの酸化を防止するために真空中で行なう
か、または不活性ガス雰囲気中で行なうことがよいが、
このようにして得られた接合シリコンウエハーは超音波
探傷器によってしらべても未接合部分はなく、完全に接
着したものとなって、これは１２０ｋｇ／ｃｍ2 以上と
いう剥離強度をもつものになるし、また接合した２枚の
シリコンウエハーには相対的位置ずれもないという有利
性が与えられる。
【００１３】また、本発明はＸ線リソグラフィ用マスク
基板の製造方法に関するものであるが、これは上記した
方法で得られた接合シリコンウエハーをＸ線リソグラフ
ィ用マスク基板として使用するものである。この製造手
順は〜２，０００μm のシリコン基板上にマスクメン
ブレン材を皮膜する、中心に上記シリコン基板よりも
小さな穴をもったリング状シリコン支持枠に上記シリコ
ン基板を中心に重ね合わせたものを静電チヤックに吸着
し、加熱して接合させればよい。この接合シリコンウエ
ハーが上記したように完全に接合した複数枚のシリコン
ウエハーからなるものであるし、位置ずれもないという
ことから、マスク支持枠とフレ−ムの接合位置を高精
度にできる、シリコンウエハーが接着剤を介さずに接
合されるために、接着剤の厚さの不均一による歪みや、
接着剤の硬化による歪みがない、という有利性が与えら
れる。
基板の製造方法に関するものであるが、これは上記した
方法で得られた接合シリコンウエハーをＸ線リソグラフ
ィ用マスク基板として使用するものである。この製造手
順は〜２，０００μm のシリコン基板上にマスクメン
ブレン材を皮膜する、中心に上記シリコン基板よりも
小さな穴をもったリング状シリコン支持枠に上記シリコ
ン基板を中心に重ね合わせたものを静電チヤックに吸着
し、加熱して接合させればよい。この接合シリコンウエ
ハーが上記したように完全に接合した複数枚のシリコン
ウエハーからなるものであるし、位置ずれもないという
ことから、マスク支持枠とフレ−ムの接合位置を高精
度にできる、シリコンウエハーが接着剤を介さずに接
合されるために、接着剤の厚さの不均一による歪みや、
接着剤の硬化による歪みがない、という有利性が与えら
れる。
【００１４】
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。
実施例１
直径３インチ、面方位が（１００）で、厚さが２，００
０μｍ、反り量が２μｍ、平坦度Ｒａが４ｎｍである２
枚のシリコンウエハーを、オリフラ部分を揃えて直径２
１０ｍｍの円盤上静電チャック上に乗せたのち、この静
電チャックに２ｋＶの電圧を印加したところ、シリコン
ウエハーは１．５ｇ／ｃｍ2 の吸着力で静電チャックに
吸着された。
０μｍ、反り量が２μｍ、平坦度Ｒａが４ｎｍである２
枚のシリコンウエハーを、オリフラ部分を揃えて直径２
１０ｍｍの円盤上静電チャック上に乗せたのち、この静
電チャックに２ｋＶの電圧を印加したところ、シリコン
ウエハーは１．５ｇ／ｃｍ2 の吸着力で静電チャックに
吸着された。
【００１５】ついで、このものを真空チャンバー内に水
平に設置し、チャンバー内を１×１０-4トールに減圧し
たのち、この静電チャックに備えられた赤外線抵抗加熱
ヒーターに ｋＶの電力を印加して１時間でシリコン
ウエハーの温度を１，０００℃まで上昇させて３時間保
持したのち、ヒーターへの電力の供給を徐々に下げてシ
リコンウエハーの温度を１０℃／分の速さで降温させ、
シリコンウエハーの表面温度が室温にまで下がったとき
にチャンバー内の圧力を常圧に戻し、静電チャックに印
加していた電力の供給を停止したところ、２枚のシリコ
ンウエハーが接合した接合シリコンウエハーが得られ
た。
平に設置し、チャンバー内を１×１０-4トールに減圧し
たのち、この静電チャックに備えられた赤外線抵抗加熱
ヒーターに ｋＶの電力を印加して１時間でシリコン
ウエハーの温度を１，０００℃まで上昇させて３時間保
持したのち、ヒーターへの電力の供給を徐々に下げてシ
リコンウエハーの温度を１０℃／分の速さで降温させ、
シリコンウエハーの表面温度が室温にまで下がったとき
にチャンバー内の圧力を常圧に戻し、静電チャックに印
加していた電力の供給を停止したところ、２枚のシリコ
ンウエハーが接合した接合シリコンウエハーが得られ
た。
【００１６】つぎに、この接合シリコンウエハーについ
てその接合状況を超音波探傷器を用いてしらべたとこ
ろ、これは未接合部分がなく完全に接合していたし、こ
のものを５ｍｍ2 の正方形に切断し、このものに垂直に
引張力を与えて引き剥し試験を行なったところ、これは
１２０ｋｇ／ｃｍ2 の剥離強度を示した。また、この２
枚のシリコンウエハーについてはその相対的位置ズレ
（ウエハー中心間の距離）をしらべたところ、これは０
ｍｍであった。
てその接合状況を超音波探傷器を用いてしらべたとこ
ろ、これは未接合部分がなく完全に接合していたし、こ
のものを５ｍｍ2 の正方形に切断し、このものに垂直に
引張力を与えて引き剥し試験を行なったところ、これは
１２０ｋｇ／ｃｍ2 の剥離強度を示した。また、この２
枚のシリコンウエハーについてはその相対的位置ズレ
（ウエハー中心間の距離）をしらべたところ、これは０
ｍｍであった。
【００１７】実施例２
直径８インチ、面方位が（１００）で厚さが２，０００
μｍ、反り量が５μｍで平坦度Ｒａが４ｎｍである２枚
のシリコンウエハーを使用したほかは実施例１と同じよ
うに処理して接合シリコンウエハーを作ったところ、こ
の場合も２枚のシリコンウエハーは完全に接合していて
その剥離強度は１２０ｋｇ／ｃｍ2 であり、これにも位
置ずれはなかった。
μｍ、反り量が５μｍで平坦度Ｒａが４ｎｍである２枚
のシリコンウエハーを使用したほかは実施例１と同じよ
うに処理して接合シリコンウエハーを作ったところ、こ
の場合も２枚のシリコンウエハーは完全に接合していて
その剥離強度は１２０ｋｇ／ｃｍ2 であり、これにも位
置ずれはなかった。
【００１８】実施例３
直径３インチ、面方位が（１００）で厚さが２，０００
μｍ、反り量２μｍ、平坦度が４ｎｍであるシリコンウ
エハーの片面上に減圧熱ＣＶＤ法によりＳｉＮ膜１．０
μｍを成膜した。ついで直径６インチ、面方位が（１０
０）で厚さが５，０００μｍ、反り量が２μｍ、平坦度
が４ｎｍであるシリコンウエハーの中心に直径２．５イ
ンチの穴を開けたものを用意し、前記３インチのシリコ
ンウエハーのＳｉＮの成膜されていない面と６インチシ
リコンウエハーの中心を合わせて重ね合わせた。つぎに
実施例１と同じ方法で処理して、接合シリコンウエハー
を作ったところ、２枚のシリコンウエハーは完全に接合
しており、その位置ずれは中心間で０ｍｍであった。
μｍ、反り量２μｍ、平坦度が４ｎｍであるシリコンウ
エハーの片面上に減圧熱ＣＶＤ法によりＳｉＮ膜１．０
μｍを成膜した。ついで直径６インチ、面方位が（１０
０）で厚さが５，０００μｍ、反り量が２μｍ、平坦度
が４ｎｍであるシリコンウエハーの中心に直径２．５イ
ンチの穴を開けたものを用意し、前記３インチのシリコ
ンウエハーのＳｉＮの成膜されていない面と６インチシ
リコンウエハーの中心を合わせて重ね合わせた。つぎに
実施例１と同じ方法で処理して、接合シリコンウエハー
を作ったところ、２枚のシリコンウエハーは完全に接合
しており、その位置ずれは中心間で０ｍｍであった。
【００１９】比較例１
直径３インチ、面方位が（１００）で厚さが２，０００
μｍ、反り量が２μｍ、平坦度Ｒａが４ｎｍである２枚
のシリコンウエハーを、オリフラ部分を揃えて石英基板
上に乗せ、これを外部加熱式の真空チャンバー内に水平
に設置してからチャンバー内を１×１０-4トールに減圧
した。
μｍ、反り量が２μｍ、平坦度Ｒａが４ｎｍである２枚
のシリコンウエハーを、オリフラ部分を揃えて石英基板
上に乗せ、これを外部加熱式の真空チャンバー内に水平
に設置してからチャンバー内を１×１０-4トールに減圧
した。
【００２０】ついで、加熱ヒーターに電力を印加して１
時間でシリコンウエハーの温度を１，０００℃まで上昇
させて３時間保持したのち、ヒーターへの電力の供給を
徐々に下げてシリコンウエハーの温度を１０℃／分の速
さで降温させ、シリコンウエハーの表面温度が室温にま
で下がったときにチャンバー内の圧力を常圧に戻したと
ころ、２枚のシリコンウエハーが接合した接合シリコン
ウエハーが得られた。
時間でシリコンウエハーの温度を１，０００℃まで上昇
させて３時間保持したのち、ヒーターへの電力の供給を
徐々に下げてシリコンウエハーの温度を１０℃／分の速
さで降温させ、シリコンウエハーの表面温度が室温にま
で下がったときにチャンバー内の圧力を常圧に戻したと
ころ、２枚のシリコンウエハーが接合した接合シリコン
ウエハーが得られた。
【００２１】つぎにこの接合シリコンウエハーについて
その接合状況を超音波探傷器を用いてしらべたところ、
これに未接合部分はなく、完全に接合していたが、これ
を５ｍｍ2 の正方形に切断し、これに垂直に引張力を与
えて引き剥し試験を行なったところ、これは１２０ｋｇ
／ｃｍ2 の剥離強度を示し、この２枚のシリコンウエハ
ーについての相対的位置ずれをしらべたところ、これに
は０．５ｍｍのずれが認められた。
その接合状況を超音波探傷器を用いてしらべたところ、
これに未接合部分はなく、完全に接合していたが、これ
を５ｍｍ2 の正方形に切断し、これに垂直に引張力を与
えて引き剥し試験を行なったところ、これは１２０ｋｇ
／ｃｍ2 の剥離強度を示し、この２枚のシリコンウエハ
ーについての相対的位置ずれをしらべたところ、これに
は０．５ｍｍのずれが認められた。
【００２２】比較例２
直径８インチ、面方位が（１００）で厚さが２，０００
μｍ、反り量が５μｍ、平坦度Ｒａが４ｎｍである２枚
のシリコンウエハーを使用したほかは比較例１と同様に
処理して接合シリコンウエハーを作ったところ、この場
合に得られた接合シリコンウエハーには未接合部分とみ
られるところが一部に認められ、この剥離強度も１００
ｋｇ／ｃｍ2 と低く、さらにこの２枚のシリコンウエハ
ーについては相対的位置ずれが０．５ｍｍ認められた。
なお、上記した実施例１〜２、比較例１〜２における接
合状況、位置ずれについては表１に示したとおりの結果
が得られた。
μｍ、反り量が５μｍ、平坦度Ｒａが４ｎｍである２枚
のシリコンウエハーを使用したほかは比較例１と同様に
処理して接合シリコンウエハーを作ったところ、この場
合に得られた接合シリコンウエハーには未接合部分とみ
られるところが一部に認められ、この剥離強度も１００
ｋｇ／ｃｍ2 と低く、さらにこの２枚のシリコンウエハ
ーについては相対的位置ずれが０．５ｍｍ認められた。
なお、上記した実施例１〜２、比較例１〜２における接
合状況、位置ずれについては表１に示したとおりの結果
が得られた。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【発明の効果】本発明は接合シリコンウエハーおよびＸ
線リソグラフィ用マスク基板の製造方法に関するもので
あり、これは前記したように複数枚のシリコンウエハー
を加熱機構を有する静電チャックを用いて固定し、加熱
融着させることを特徴とする接合シリコンウエハーの製
造方法、およびこの方法で接合されたシリコンウエハー
を使用してなるＸ線リソグラフィ用マスク基板の製造方
法を要旨とするものであるが、これによればシリコンウ
エハーが未接合部分なく完全に、しかも２枚のシリコン
ウエハーが相対的な位置ずれなく完全に接合されるし、
このようにして得られた接合シリコンウエハーをＸ線リ
ソグラフィ用マスク基板として使用すればマスク支持
枠とフレ−ムの接合位置を高精度にできる、シリコン
ウエハーが接合剤を介さずに接合されるために接着剤の
厚さの不均一による歪みや接着剤の硬化による歪がない
という有利性が与えられる。
線リソグラフィ用マスク基板の製造方法に関するもので
あり、これは前記したように複数枚のシリコンウエハー
を加熱機構を有する静電チャックを用いて固定し、加熱
融着させることを特徴とする接合シリコンウエハーの製
造方法、およびこの方法で接合されたシリコンウエハー
を使用してなるＸ線リソグラフィ用マスク基板の製造方
法を要旨とするものであるが、これによればシリコンウ
エハーが未接合部分なく完全に、しかも２枚のシリコン
ウエハーが相対的な位置ずれなく完全に接合されるし、
このようにして得られた接合シリコンウエハーをＸ線リ
ソグラフィ用マスク基板として使用すればマスク支持
枠とフレ−ムの接合位置を高精度にできる、シリコン
ウエハーが接合剤を介さずに接合されるために接着剤の
厚さの不均一による歪みや接着剤の硬化による歪がない
という有利性が与えられる。
【手続補正書】
【提出日】平成３年７月２９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】また、本発明はＸ線リソグラフィ用マスク
基板の製造方法に関するものであるが、これは上記した
方法で得られた接合シリコンウエハーをＸ線リソグラフ
ィ用マスク基板として使用するものである。この製造手
順は〜２，０００μｍのシリコン基板上にマスクメン
ブレン材を成膜する、中心に上記シリコン基板よりも
小さな穴をもったリング状シリコン支持枠に上記シリコ
ン基板を中心に重ね合わせたものを静電チャックに吸着
し、加熱して接合させればよい。この接合シリコンウエ
ハーが上記したように完全に接合した複数枚のシリコン
ウエハーからなるものであるし、位置ずれもないという
ことから、マスク支持枠とフレームの接合位置を高精
度にできる、シリコンウエハーが接着剤を介さずに接
合されるために、接着剤の厚さの不均一による歪みや、
接着剤の硬化による歪みがない、という有利性が与えら
れる。
基板の製造方法に関するものであるが、これは上記した
方法で得られた接合シリコンウエハーをＸ線リソグラフ
ィ用マスク基板として使用するものである。この製造手
順は〜２，０００μｍのシリコン基板上にマスクメン
ブレン材を成膜する、中心に上記シリコン基板よりも
小さな穴をもったリング状シリコン支持枠に上記シリコ
ン基板を中心に重ね合わせたものを静電チャックに吸着
し、加熱して接合させればよい。この接合シリコンウエ
ハーが上記したように完全に接合した複数枚のシリコン
ウエハーからなるものであるし、位置ずれもないという
ことから、マスク支持枠とフレームの接合位置を高精
度にできる、シリコンウエハーが接着剤を介さずに接
合されるために、接着剤の厚さの不均一による歪みや、
接着剤の硬化による歪みがない、という有利性が与えら
れる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】ついで、このものを真空チャンバー内に水
平に設置し、チャンバー内を１×１０−４トールに減圧
したのち、この静電チャックに備えられた赤外線抵抗加
熱ヒーターに１．５ＫＷの電力を印加して１時間でシリ
コンウエハーの温度を１，０００℃まで上昇させて３時
間保持したのち、ヒーターへの電力の供給を徐々に下げ
てシリコンウエハーの温度を１０℃／分の速さで降温さ
せ、シリコンウエハーの表面温度が室温にまで下がった
ときにチャンバー内の圧力を常圧に戻し、静電チャック
に印加していた電力の供給を停止したところ、２枚のシ
リコンウエハーが接合した接合シリコンウエハーが得ら
れた。
平に設置し、チャンバー内を１×１０−４トールに減圧
したのち、この静電チャックに備えられた赤外線抵抗加
熱ヒーターに１．５ＫＷの電力を印加して１時間でシリ
コンウエハーの温度を１，０００℃まで上昇させて３時
間保持したのち、ヒーターへの電力の供給を徐々に下げ
てシリコンウエハーの温度を１０℃／分の速さで降温さ
せ、シリコンウエハーの表面温度が室温にまで下がった
ときにチャンバー内の圧力を常圧に戻し、静電チャック
に印加していた電力の供給を停止したところ、２枚のシ
リコンウエハーが接合した接合シリコンウエハーが得ら
れた。
Claims (2)
- 【請求項１】 複数枚のシリコンウエハーを加熱機構を
有する静電チャックを用いて固定し、加熱融着させるこ
とを特徴とする接合シリコンウエハーの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１の方法で接合されたシリコンウ
エハーを使用してなるＸ線リソグラフィ用マスク基板の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3183252A JPH056847A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 接合シリコンウエハ−およびｘ線リソグラフイ用マス ク基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3183252A JPH056847A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 接合シリコンウエハ−およびｘ線リソグラフイ用マス ク基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH056847A true JPH056847A (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=16132425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3183252A Pending JPH056847A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 接合シリコンウエハ−およびｘ線リソグラフイ用マス ク基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH056847A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5685605A (en) * | 1993-10-04 | 1997-11-11 | Aprica Kassai Kabushikikaisha | Chair |
| JP2006245279A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Nitto Denko Corp | 判別機能付き位置決め装置 |
-
1991
- 1991-06-27 JP JP3183252A patent/JPH056847A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5685605A (en) * | 1993-10-04 | 1997-11-11 | Aprica Kassai Kabushikikaisha | Chair |
| JP2006245279A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Nitto Denko Corp | 判別機能付き位置決め装置 |
| JP4535907B2 (ja) * | 2005-03-03 | 2010-09-01 | 日東電工株式会社 | 判別機能付き位置決め装置 |
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