JPH056847A - 接合シリコンウエハ−およびx線リソグラフイ用マス ク基板の製造方法 - Google Patents
接合シリコンウエハ−およびx線リソグラフイ用マス ク基板の製造方法Info
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- JPH056847A JPH056847A JP3183252A JP18325291A JPH056847A JP H056847 A JPH056847 A JP H056847A JP 3183252 A JP3183252 A JP 3183252A JP 18325291 A JP18325291 A JP 18325291A JP H056847 A JPH056847 A JP H056847A
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 本発明は高精度で接合された接合シリコンウ
エハーの製造方法およびこれを用いたX線リソグラフィ
用マスク基板の製造方法提供を目的とするものである。 【構成】 本発明による接合シリコンウエハーの製造方
法は、複数枚のシリコンウエハーを加熱機構を有する静
電チャックを用いて固定し、加熱融着させることを特徴
とするものであり、本発明によるX線リソグラフィ用マ
スク基板の製造方法はこのようにして得た接合シリコン
ウエハーを用いて製造することを特徴とするものであ
る。
エハーの製造方法およびこれを用いたX線リソグラフィ
用マスク基板の製造方法提供を目的とするものである。 【構成】 本発明による接合シリコンウエハーの製造方
法は、複数枚のシリコンウエハーを加熱機構を有する静
電チャックを用いて固定し、加熱融着させることを特徴
とするものであり、本発明によるX線リソグラフィ用マ
スク基板の製造方法はこのようにして得た接合シリコン
ウエハーを用いて製造することを特徴とするものであ
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は接合シリコンウエハーお
よびX線リソグラフィ用マスク基板の製造方法、特には
シリコンウエハーを高精度に接合することによってX線
リソグラフィ用に有用とされるようになる接合シリコン
ウエハーの製造方法、およびこれを用いてなるX線リソ
グラフィ用マスク基板の製造方法に関するものである。
よびX線リソグラフィ用マスク基板の製造方法、特には
シリコンウエハーを高精度に接合することによってX線
リソグラフィ用に有用とされるようになる接合シリコン
ウエハーの製造方法、およびこれを用いてなるX線リソ
グラフィ用マスク基板の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】X線リソグラフィ用マスク基板としては
シリコンウエハーが最もよく用いられているが、ここに
使用されるシリコンウエハーは一般に厚さが500〜6
00μmのものとされているためにマスクメンブレン材
料をこの基板に被膜すると基板に反りが発生したり、マ
スク使用時に機械的な外力が加わると基板が変形し、結
果においてX線リソグラフィの精度が低下するという不
利があった。
シリコンウエハーが最もよく用いられているが、ここに
使用されるシリコンウエハーは一般に厚さが500〜6
00μmのものとされているためにマスクメンブレン材
料をこの基板に被膜すると基板に反りが発生したり、マ
スク使用時に機械的な外力が加わると基板が変形し、結
果においてX線リソグラフィの精度が低下するという不
利があった。
【0003】そのため、このシリコン基板についてはこ
れにパイレックスガラスや石英ガラス製の支持枠をはめ
込んだり、接着するという方法も試みられているが、こ
のような方法は高精度な位置合わせとX線リソグラフィ
時の位置変動のないことが要求されるX線リソグラフィ
技術においては不十分な精度しか得られず、満足できる
ものではなかった。したがって、これについては厚さが
2,000μm程度の厚いシリコン基板を用いることも
試みられており、これによれば厚さが500μmの基板
を用いる場合にくらべて反りを15分の1にすることが
でき、これは厚さをさらに厚くすればよりよい効果をあ
げることができるけれども、これはマスクメンブレンを
得る際のバックエッチング工程におけるシリコン基板の
エッチングに多大の時間を要することになるために実用
性がない。
れにパイレックスガラスや石英ガラス製の支持枠をはめ
込んだり、接着するという方法も試みられているが、こ
のような方法は高精度な位置合わせとX線リソグラフィ
時の位置変動のないことが要求されるX線リソグラフィ
技術においては不十分な精度しか得られず、満足できる
ものではなかった。したがって、これについては厚さが
2,000μm程度の厚いシリコン基板を用いることも
試みられており、これによれば厚さが500μmの基板
を用いる場合にくらべて反りを15分の1にすることが
でき、これは厚さをさらに厚くすればよりよい効果をあ
げることができるけれども、これはマスクメンブレンを
得る際のバックエッチング工程におけるシリコン基板の
エッチングに多大の時間を要することになるために実用
性がない。
【0004】また、このシリコン基板については、この
シリコン基板に予めざぐり加工を施してシリコン基板の
必要な部分について基板の厚みを薄くしておいてからエ
ッチングするという方法も提案されている(特開昭63
−175422号、特開昭63−276223号、特開
昭64−15923号公報参照)が、このようなざぐり
加工をシリコン基板を傷つけず、結晶性にダメージを与
えずに研削することは難しく、同時にこのようなざぐり
底部を鏡面に近く研摩することは高度な技術を必要とす
るために、これはX線マスクのコストアップにつながる
し、生産性も低いという欠点がある。
シリコン基板に予めざぐり加工を施してシリコン基板の
必要な部分について基板の厚みを薄くしておいてからエ
ッチングするという方法も提案されている(特開昭63
−175422号、特開昭63−276223号、特開
昭64−15923号公報参照)が、このようなざぐり
加工をシリコン基板を傷つけず、結晶性にダメージを与
えずに研削することは難しく、同時にこのようなざぐり
底部を鏡面に近く研摩することは高度な技術を必要とす
るために、これはX線マスクのコストアップにつながる
し、生産性も低いという欠点がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】なお、このX線リソグ
ラフィ用マスクに使用するシリコン基板については薄い
シリコン基板と厚いシリコン基板とを加熱炉中に重ね合
わせて入れ、1,000℃程度に加熱して両者を接合す
る方法も提案されており(特開平2−162714号公
報参照)、これによれば成膜を行なう基板に加工に起因
するダメージを何も与えずに加工を行なったシリコン基
板と同等のものが得られるけれども、これはこのシリコ
ン基板が単にシリコン基板を重ね合わせて設置されたも
のであるために、厚いシリコン基板と薄いシリコン基板
の接合位置を精度よく得ることが難しいという欠点があ
る。
ラフィ用マスクに使用するシリコン基板については薄い
シリコン基板と厚いシリコン基板とを加熱炉中に重ね合
わせて入れ、1,000℃程度に加熱して両者を接合す
る方法も提案されており(特開平2−162714号公
報参照)、これによれば成膜を行なう基板に加工に起因
するダメージを何も与えずに加工を行なったシリコン基
板と同等のものが得られるけれども、これはこのシリコ
ン基板が単にシリコン基板を重ね合わせて設置されたも
のであるために、厚いシリコン基板と薄いシリコン基板
の接合位置を精度よく得ることが難しいという欠点があ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不
利、欠点を解決した接合シリコン基板の製造方法および
X線リソグラフィ用マスク基板の製造方法に関するもの
であり、これは複数枚のシリコンウエハーを加熱機構を
有する静電チャックを用いて固定し、加熱融着させるこ
とを特徴とする接合シリコンウエハーの製造方法、およ
びこのような方法で接合されたシリコンウエハーを使用
してなるX線リソグラフィ用マスク基板の製造方法を要
旨とするものである。
利、欠点を解決した接合シリコン基板の製造方法および
X線リソグラフィ用マスク基板の製造方法に関するもの
であり、これは複数枚のシリコンウエハーを加熱機構を
有する静電チャックを用いて固定し、加熱融着させるこ
とを特徴とする接合シリコンウエハーの製造方法、およ
びこのような方法で接合されたシリコンウエハーを使用
してなるX線リソグラフィ用マスク基板の製造方法を要
旨とするものである。
【0007】すなわち、本発明者らはシリコンウエハー
を高精度で接合する方法について種々検討した結果、こ
れについては複数枚のシリコンウエハーを加熱機構を有
する静電チャックを用いて固定し、ついでこれをその加
熱機構で加熱し、融着すれば、シリコンウエハーが静電
チャックに確実に吸着されるので、このままで加熱し、
融着すればシリコンウエハーが未接合部分なく完全に、
しかも2枚のシリコンウエハーは相対的な位置ずれもな
く接合されることを見出すと共に、このようにして作ら
れた接合シリコンウエハーはX線リソグラフィ用マスク
基板としてもすぐれた物性を示すことを確認して本発明
を完成させた。以下にこれをさらに詳述する。
を高精度で接合する方法について種々検討した結果、こ
れについては複数枚のシリコンウエハーを加熱機構を有
する静電チャックを用いて固定し、ついでこれをその加
熱機構で加熱し、融着すれば、シリコンウエハーが静電
チャックに確実に吸着されるので、このままで加熱し、
融着すればシリコンウエハーが未接合部分なく完全に、
しかも2枚のシリコンウエハーは相対的な位置ずれもな
く接合されることを見出すと共に、このようにして作ら
れた接合シリコンウエハーはX線リソグラフィ用マスク
基板としてもすぐれた物性を示すことを確認して本発明
を完成させた。以下にこれをさらに詳述する。
【0008】
【作用】本発明は接合シリコンウエハーの製造方法およ
びX線リソグラフィ用マスク基板の製造方法に関するも
のであり、これは複数枚のシリコンウエハーを加熱機構
を有する静電チャックで固定し、加熱、融着させる接合
シリコンウエハーの製造方法およびこのようにして得た
接合シリコンウエハーを使用してなるX線リソグラフィ
用マスク基板の製造方法を要旨とするものである。
びX線リソグラフィ用マスク基板の製造方法に関するも
のであり、これは複数枚のシリコンウエハーを加熱機構
を有する静電チャックで固定し、加熱、融着させる接合
シリコンウエハーの製造方法およびこのようにして得た
接合シリコンウエハーを使用してなるX線リソグラフィ
用マスク基板の製造方法を要旨とするものである。
【0009】本発明におけるシリコンウエハーの接合は
加熱機構を有する静電チャックを用いて行なわれる。こ
こに使用される加熱機構を有する静電チャックは加熱機
構を組み込んだ静電チャックに限定されるものではな
く、これは静電チャックの上にPGヒーターのような加
熱装置を設置したものであってもよい。また、ここに使
用されるシリコンウエハーはこれがX線リソグラフィ用
マスク基板として用いられるものであることから、直径
が2〜8インチで面方位が(100)である、厚さが2
00〜2,000μmのものとすればよいが、このもの
は平坦度Raが数+Å以下で、反り量が数μm以下のも
のとすることがよい。
加熱機構を有する静電チャックを用いて行なわれる。こ
こに使用される加熱機構を有する静電チャックは加熱機
構を組み込んだ静電チャックに限定されるものではな
く、これは静電チャックの上にPGヒーターのような加
熱装置を設置したものであってもよい。また、ここに使
用されるシリコンウエハーはこれがX線リソグラフィ用
マスク基板として用いられるものであることから、直径
が2〜8インチで面方位が(100)である、厚さが2
00〜2,000μmのものとすればよいが、このもの
は平坦度Raが数+Å以下で、反り量が数μm以下のも
のとすることがよい。
【0010】このシリコンウエハーの接合に当っては、
まずその複数枚を加熱機構を有する静電チャックに固定
させるのであるが、これは複数枚のシリコンウエハーを
チャンバー内に水平に設置し、静電チャックに0.5 〜5
kVの電圧を印加すればよく、これによればシリコンウ
エハーは静電チャックに吸引、吸着されて、固定され
る。
まずその複数枚を加熱機構を有する静電チャックに固定
させるのであるが、これは複数枚のシリコンウエハーを
チャンバー内に水平に設置し、静電チャックに0.5 〜5
kVの電圧を印加すればよく、これによればシリコンウ
エハーは静電チャックに吸引、吸着されて、固定され
る。
【0011】この静電チャックに固定されたシリコンウ
エハーはついでこの静電チャックに備えられている加熱
機構によって加熱され、融着されるのであるが、この加
熱は例えば静電チャックに備えられている赤外線抵抗加
熱ヒーターに電力を印加するという方法で行えばよい。
また、この加熱温度は500℃未満ではシリコンウエハ
ー同志が十分な接着強度で接着しないし、1,420℃
以上とするとシリコンウエハーの融解が起るので、50
0℃以上、1,420℃未満の範囲とすることがよい。
エハーはついでこの静電チャックに備えられている加熱
機構によって加熱され、融着されるのであるが、この加
熱は例えば静電チャックに備えられている赤外線抵抗加
熱ヒーターに電力を印加するという方法で行えばよい。
また、この加熱温度は500℃未満ではシリコンウエハ
ー同志が十分な接着強度で接着しないし、1,420℃
以上とするとシリコンウエハーの融解が起るので、50
0℃以上、1,420℃未満の範囲とすることがよい。
【0012】なお、このシリコンウエハーの接合はシリ
コンウエハーの酸化を防止するために真空中で行なう
か、または不活性ガス雰囲気中で行なうことがよいが、
このようにして得られた接合シリコンウエハーは超音波
探傷器によってしらべても未接合部分はなく、完全に接
着したものとなって、これは120kg/cm2 以上と
いう剥離強度をもつものになるし、また接合した2枚の
シリコンウエハーには相対的位置ずれもないという有利
性が与えられる。
コンウエハーの酸化を防止するために真空中で行なう
か、または不活性ガス雰囲気中で行なうことがよいが、
このようにして得られた接合シリコンウエハーは超音波
探傷器によってしらべても未接合部分はなく、完全に接
着したものとなって、これは120kg/cm2 以上と
いう剥離強度をもつものになるし、また接合した2枚の
シリコンウエハーには相対的位置ずれもないという有利
性が与えられる。
【0013】また、本発明はX線リソグラフィ用マスク
基板の製造方法に関するものであるが、これは上記した
方法で得られた接合シリコンウエハーをX線リソグラフ
ィ用マスク基板として使用するものである。この製造手
順は〜2,000μm のシリコン基板上にマスクメン
ブレン材を皮膜する、中心に上記シリコン基板よりも
小さな穴をもったリング状シリコン支持枠に上記シリコ
ン基板を中心に重ね合わせたものを静電チヤックに吸着
し、加熱して接合させればよい。この接合シリコンウエ
ハーが上記したように完全に接合した複数枚のシリコン
ウエハーからなるものであるし、位置ずれもないという
ことから、マスク支持枠とフレ−ムの接合位置を高精
度にできる、シリコンウエハーが接着剤を介さずに接
合されるために、接着剤の厚さの不均一による歪みや、
接着剤の硬化による歪みがない、という有利性が与えら
れる。
基板の製造方法に関するものであるが、これは上記した
方法で得られた接合シリコンウエハーをX線リソグラフ
ィ用マスク基板として使用するものである。この製造手
順は〜2,000μm のシリコン基板上にマスクメン
ブレン材を皮膜する、中心に上記シリコン基板よりも
小さな穴をもったリング状シリコン支持枠に上記シリコ
ン基板を中心に重ね合わせたものを静電チヤックに吸着
し、加熱して接合させればよい。この接合シリコンウエ
ハーが上記したように完全に接合した複数枚のシリコン
ウエハーからなるものであるし、位置ずれもないという
ことから、マスク支持枠とフレ−ムの接合位置を高精
度にできる、シリコンウエハーが接着剤を介さずに接
合されるために、接着剤の厚さの不均一による歪みや、
接着剤の硬化による歪みがない、という有利性が与えら
れる。
【0014】
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。
実施例1
直径3インチ、面方位が(100)で、厚さが2,00
0μm、反り量が2μm、平坦度Raが4nmである2
枚のシリコンウエハーを、オリフラ部分を揃えて直径2
10mmの円盤上静電チャック上に乗せたのち、この静
電チャックに2kVの電圧を印加したところ、シリコン
ウエハーは1.5g/cm2 の吸着力で静電チャックに
吸着された。
0μm、反り量が2μm、平坦度Raが4nmである2
枚のシリコンウエハーを、オリフラ部分を揃えて直径2
10mmの円盤上静電チャック上に乗せたのち、この静
電チャックに2kVの電圧を印加したところ、シリコン
ウエハーは1.5g/cm2 の吸着力で静電チャックに
吸着された。
【0015】ついで、このものを真空チャンバー内に水
平に設置し、チャンバー内を1×10-4トールに減圧し
たのち、この静電チャックに備えられた赤外線抵抗加熱
ヒーターに kVの電力を印加して1時間でシリコン
ウエハーの温度を1,000℃まで上昇させて3時間保
持したのち、ヒーターへの電力の供給を徐々に下げてシ
リコンウエハーの温度を10℃/分の速さで降温させ、
シリコンウエハーの表面温度が室温にまで下がったとき
にチャンバー内の圧力を常圧に戻し、静電チャックに印
加していた電力の供給を停止したところ、2枚のシリコ
ンウエハーが接合した接合シリコンウエハーが得られ
た。
平に設置し、チャンバー内を1×10-4トールに減圧し
たのち、この静電チャックに備えられた赤外線抵抗加熱
ヒーターに kVの電力を印加して1時間でシリコン
ウエハーの温度を1,000℃まで上昇させて3時間保
持したのち、ヒーターへの電力の供給を徐々に下げてシ
リコンウエハーの温度を10℃/分の速さで降温させ、
シリコンウエハーの表面温度が室温にまで下がったとき
にチャンバー内の圧力を常圧に戻し、静電チャックに印
加していた電力の供給を停止したところ、2枚のシリコ
ンウエハーが接合した接合シリコンウエハーが得られ
た。
【0016】つぎに、この接合シリコンウエハーについ
てその接合状況を超音波探傷器を用いてしらべたとこ
ろ、これは未接合部分がなく完全に接合していたし、こ
のものを5mm2 の正方形に切断し、このものに垂直に
引張力を与えて引き剥し試験を行なったところ、これは
120kg/cm2 の剥離強度を示した。また、この2
枚のシリコンウエハーについてはその相対的位置ズレ
(ウエハー中心間の距離)をしらべたところ、これは0
mmであった。
てその接合状況を超音波探傷器を用いてしらべたとこ
ろ、これは未接合部分がなく完全に接合していたし、こ
のものを5mm2 の正方形に切断し、このものに垂直に
引張力を与えて引き剥し試験を行なったところ、これは
120kg/cm2 の剥離強度を示した。また、この2
枚のシリコンウエハーについてはその相対的位置ズレ
(ウエハー中心間の距離)をしらべたところ、これは0
mmであった。
【0017】実施例2
直径8インチ、面方位が(100)で厚さが2,000
μm、反り量が5μmで平坦度Raが4nmである2枚
のシリコンウエハーを使用したほかは実施例1と同じよ
うに処理して接合シリコンウエハーを作ったところ、こ
の場合も2枚のシリコンウエハーは完全に接合していて
その剥離強度は120kg/cm2 であり、これにも位
置ずれはなかった。
μm、反り量が5μmで平坦度Raが4nmである2枚
のシリコンウエハーを使用したほかは実施例1と同じよ
うに処理して接合シリコンウエハーを作ったところ、こ
の場合も2枚のシリコンウエハーは完全に接合していて
その剥離強度は120kg/cm2 であり、これにも位
置ずれはなかった。
【0018】実施例3
直径3インチ、面方位が(100)で厚さが2,000
μm、反り量2μm、平坦度が4nmであるシリコンウ
エハーの片面上に減圧熱CVD法によりSiN膜1.0
μmを成膜した。ついで直径6インチ、面方位が(10
0)で厚さが5,000μm、反り量が2μm、平坦度
が4nmであるシリコンウエハーの中心に直径2.5イ
ンチの穴を開けたものを用意し、前記3インチのシリコ
ンウエハーのSiNの成膜されていない面と6インチシ
リコンウエハーの中心を合わせて重ね合わせた。つぎに
実施例1と同じ方法で処理して、接合シリコンウエハー
を作ったところ、2枚のシリコンウエハーは完全に接合
しており、その位置ずれは中心間で0mmであった。
μm、反り量2μm、平坦度が4nmであるシリコンウ
エハーの片面上に減圧熱CVD法によりSiN膜1.0
μmを成膜した。ついで直径6インチ、面方位が(10
0)で厚さが5,000μm、反り量が2μm、平坦度
が4nmであるシリコンウエハーの中心に直径2.5イ
ンチの穴を開けたものを用意し、前記3インチのシリコ
ンウエハーのSiNの成膜されていない面と6インチシ
リコンウエハーの中心を合わせて重ね合わせた。つぎに
実施例1と同じ方法で処理して、接合シリコンウエハー
を作ったところ、2枚のシリコンウエハーは完全に接合
しており、その位置ずれは中心間で0mmであった。
【0019】比較例1
直径3インチ、面方位が(100)で厚さが2,000
μm、反り量が2μm、平坦度Raが4nmである2枚
のシリコンウエハーを、オリフラ部分を揃えて石英基板
上に乗せ、これを外部加熱式の真空チャンバー内に水平
に設置してからチャンバー内を1×10-4トールに減圧
した。
μm、反り量が2μm、平坦度Raが4nmである2枚
のシリコンウエハーを、オリフラ部分を揃えて石英基板
上に乗せ、これを外部加熱式の真空チャンバー内に水平
に設置してからチャンバー内を1×10-4トールに減圧
した。
【0020】ついで、加熱ヒーターに電力を印加して1
時間でシリコンウエハーの温度を1,000℃まで上昇
させて3時間保持したのち、ヒーターへの電力の供給を
徐々に下げてシリコンウエハーの温度を10℃/分の速
さで降温させ、シリコンウエハーの表面温度が室温にま
で下がったときにチャンバー内の圧力を常圧に戻したと
ころ、2枚のシリコンウエハーが接合した接合シリコン
ウエハーが得られた。
時間でシリコンウエハーの温度を1,000℃まで上昇
させて3時間保持したのち、ヒーターへの電力の供給を
徐々に下げてシリコンウエハーの温度を10℃/分の速
さで降温させ、シリコンウエハーの表面温度が室温にま
で下がったときにチャンバー内の圧力を常圧に戻したと
ころ、2枚のシリコンウエハーが接合した接合シリコン
ウエハーが得られた。
【0021】つぎにこの接合シリコンウエハーについて
その接合状況を超音波探傷器を用いてしらべたところ、
これに未接合部分はなく、完全に接合していたが、これ
を5mm2 の正方形に切断し、これに垂直に引張力を与
えて引き剥し試験を行なったところ、これは120kg
/cm2 の剥離強度を示し、この2枚のシリコンウエハ
ーについての相対的位置ずれをしらべたところ、これに
は0.5mmのずれが認められた。
その接合状況を超音波探傷器を用いてしらべたところ、
これに未接合部分はなく、完全に接合していたが、これ
を5mm2 の正方形に切断し、これに垂直に引張力を与
えて引き剥し試験を行なったところ、これは120kg
/cm2 の剥離強度を示し、この2枚のシリコンウエハ
ーについての相対的位置ずれをしらべたところ、これに
は0.5mmのずれが認められた。
【0022】比較例2
直径8インチ、面方位が(100)で厚さが2,000
μm、反り量が5μm、平坦度Raが4nmである2枚
のシリコンウエハーを使用したほかは比較例1と同様に
処理して接合シリコンウエハーを作ったところ、この場
合に得られた接合シリコンウエハーには未接合部分とみ
られるところが一部に認められ、この剥離強度も100
kg/cm2 と低く、さらにこの2枚のシリコンウエハ
ーについては相対的位置ずれが0.5mm認められた。
なお、上記した実施例1〜2、比較例1〜2における接
合状況、位置ずれについては表1に示したとおりの結果
が得られた。
μm、反り量が5μm、平坦度Raが4nmである2枚
のシリコンウエハーを使用したほかは比較例1と同様に
処理して接合シリコンウエハーを作ったところ、この場
合に得られた接合シリコンウエハーには未接合部分とみ
られるところが一部に認められ、この剥離強度も100
kg/cm2 と低く、さらにこの2枚のシリコンウエハ
ーについては相対的位置ずれが0.5mm認められた。
なお、上記した実施例1〜2、比較例1〜2における接
合状況、位置ずれについては表1に示したとおりの結果
が得られた。
【0023】
【表1】
【0024】
【発明の効果】本発明は接合シリコンウエハーおよびX
線リソグラフィ用マスク基板の製造方法に関するもので
あり、これは前記したように複数枚のシリコンウエハー
を加熱機構を有する静電チャックを用いて固定し、加熱
融着させることを特徴とする接合シリコンウエハーの製
造方法、およびこの方法で接合されたシリコンウエハー
を使用してなるX線リソグラフィ用マスク基板の製造方
法を要旨とするものであるが、これによればシリコンウ
エハーが未接合部分なく完全に、しかも2枚のシリコン
ウエハーが相対的な位置ずれなく完全に接合されるし、
このようにして得られた接合シリコンウエハーをX線リ
ソグラフィ用マスク基板として使用すればマスク支持
枠とフレ−ムの接合位置を高精度にできる、シリコン
ウエハーが接合剤を介さずに接合されるために接着剤の
厚さの不均一による歪みや接着剤の硬化による歪がない
という有利性が与えられる。
線リソグラフィ用マスク基板の製造方法に関するもので
あり、これは前記したように複数枚のシリコンウエハー
を加熱機構を有する静電チャックを用いて固定し、加熱
融着させることを特徴とする接合シリコンウエハーの製
造方法、およびこの方法で接合されたシリコンウエハー
を使用してなるX線リソグラフィ用マスク基板の製造方
法を要旨とするものであるが、これによればシリコンウ
エハーが未接合部分なく完全に、しかも2枚のシリコン
ウエハーが相対的な位置ずれなく完全に接合されるし、
このようにして得られた接合シリコンウエハーをX線リ
ソグラフィ用マスク基板として使用すればマスク支持
枠とフレ−ムの接合位置を高精度にできる、シリコン
ウエハーが接合剤を介さずに接合されるために接着剤の
厚さの不均一による歪みや接着剤の硬化による歪がない
という有利性が与えられる。
【手続補正書】
【提出日】平成3年7月29日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0013
【補正方法】変更
【補正内容】
【0013】また、本発明はX線リソグラフィ用マスク
基板の製造方法に関するものであるが、これは上記した
方法で得られた接合シリコンウエハーをX線リソグラフ
ィ用マスク基板として使用するものである。この製造手
順は〜2,000μmのシリコン基板上にマスクメン
ブレン材を成膜する、中心に上記シリコン基板よりも
小さな穴をもったリング状シリコン支持枠に上記シリコ
ン基板を中心に重ね合わせたものを静電チャックに吸着
し、加熱して接合させればよい。この接合シリコンウエ
ハーが上記したように完全に接合した複数枚のシリコン
ウエハーからなるものであるし、位置ずれもないという
ことから、マスク支持枠とフレームの接合位置を高精
度にできる、シリコンウエハーが接着剤を介さずに接
合されるために、接着剤の厚さの不均一による歪みや、
接着剤の硬化による歪みがない、という有利性が与えら
れる。
基板の製造方法に関するものであるが、これは上記した
方法で得られた接合シリコンウエハーをX線リソグラフ
ィ用マスク基板として使用するものである。この製造手
順は〜2,000μmのシリコン基板上にマスクメン
ブレン材を成膜する、中心に上記シリコン基板よりも
小さな穴をもったリング状シリコン支持枠に上記シリコ
ン基板を中心に重ね合わせたものを静電チャックに吸着
し、加熱して接合させればよい。この接合シリコンウエ
ハーが上記したように完全に接合した複数枚のシリコン
ウエハーからなるものであるし、位置ずれもないという
ことから、マスク支持枠とフレームの接合位置を高精
度にできる、シリコンウエハーが接着剤を介さずに接
合されるために、接着剤の厚さの不均一による歪みや、
接着剤の硬化による歪みがない、という有利性が与えら
れる。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0015
【補正方法】変更
【補正内容】
【0015】ついで、このものを真空チャンバー内に水
平に設置し、チャンバー内を1×10−4トールに減圧
したのち、この静電チャックに備えられた赤外線抵抗加
熱ヒーターに1.5KWの電力を印加して1時間でシリ
コンウエハーの温度を1,000℃まで上昇させて3時
間保持したのち、ヒーターへの電力の供給を徐々に下げ
てシリコンウエハーの温度を10℃/分の速さで降温さ
せ、シリコンウエハーの表面温度が室温にまで下がった
ときにチャンバー内の圧力を常圧に戻し、静電チャック
に印加していた電力の供給を停止したところ、2枚のシ
リコンウエハーが接合した接合シリコンウエハーが得ら
れた。
平に設置し、チャンバー内を1×10−4トールに減圧
したのち、この静電チャックに備えられた赤外線抵抗加
熱ヒーターに1.5KWの電力を印加して1時間でシリ
コンウエハーの温度を1,000℃まで上昇させて3時
間保持したのち、ヒーターへの電力の供給を徐々に下げ
てシリコンウエハーの温度を10℃/分の速さで降温さ
せ、シリコンウエハーの表面温度が室温にまで下がった
ときにチャンバー内の圧力を常圧に戻し、静電チャック
に印加していた電力の供給を停止したところ、2枚のシ
リコンウエハーが接合した接合シリコンウエハーが得ら
れた。
Claims (2)
- 【請求項1】 複数枚のシリコンウエハーを加熱機構を
有する静電チャックを用いて固定し、加熱融着させるこ
とを特徴とする接合シリコンウエハーの製造方法。 - 【請求項2】 請求項1の方法で接合されたシリコンウ
エハーを使用してなるX線リソグラフィ用マスク基板の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3183252A JPH056847A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 接合シリコンウエハ−およびx線リソグラフイ用マス ク基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3183252A JPH056847A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 接合シリコンウエハ−およびx線リソグラフイ用マス ク基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH056847A true JPH056847A (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=16132425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3183252A Pending JPH056847A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 接合シリコンウエハ−およびx線リソグラフイ用マス ク基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH056847A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5685605A (en) * | 1993-10-04 | 1997-11-11 | Aprica Kassai Kabushikikaisha | Chair |
JP2006245279A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Nitto Denko Corp | 判別機能付き位置決め装置 |
-
1991
- 1991-06-27 JP JP3183252A patent/JPH056847A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5685605A (en) * | 1993-10-04 | 1997-11-11 | Aprica Kassai Kabushikikaisha | Chair |
JP2006245279A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Nitto Denko Corp | 判別機能付き位置決め装置 |
JP4535907B2 (ja) * | 2005-03-03 | 2010-09-01 | 日東電工株式会社 | 判別機能付き位置決め装置 |
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