JPH046130A - 電子部品用基板の製造方法 - Google Patents
電子部品用基板の製造方法Info
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- JPH046130A JPH046130A JP10574190A JP10574190A JPH046130A JP H046130 A JPH046130 A JP H046130A JP 10574190 A JP10574190 A JP 10574190A JP 10574190 A JP10574190 A JP 10574190A JP H046130 A JPH046130 A JP H046130A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0018—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and monovalent metal oxide as main constituents
- C03C10/0027—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and monovalent metal oxide as main constituents containing SiO2, Al2O3, Li2O as main constituents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は電子部品用基板の製造方法に関するものである
。
。
[従来技術]
従来より磁気センサ等の電子部品を作製する方法の一つ
として、あらかじめ磁性材料上に非磁性層を備えた基板
を作製し、これにパターンを形成した後、所定の大きさ
に切断する方法がある。このような電子部品用基板の非
磁性層は、素子と磁性材料との磁路を遮断するために形
成され、その材質としては、一般にガラスや結晶化ガラ
スが使用されている。
として、あらかじめ磁性材料上に非磁性層を備えた基板
を作製し、これにパターンを形成した後、所定の大きさ
に切断する方法がある。このような電子部品用基板の非
磁性層は、素子と磁性材料との磁路を遮断するために形
成され、その材質としては、一般にガラスや結晶化ガラ
スが使用されている。
磁性材料上に非磁性層を形成するには、磁性材料の表面
にガラス粉末をペースト化したものを、スクリーン印刷
した後、焼成することによって非磁性層を形成する方法
や本出願人の出願に係る特願平1−171578号に示
されている方法、すなわち−旦、加圧しながら熱処理す
ることにより他部材との接着が可能、いわゆる熱圧着が
可能な結晶化ガラスを所定の寸法形状に加工し、その−
面を磁性材料に熱圧着して両者を接着した後、該結晶化
ガラス板を所定の厚さに研磨する方法がある。
にガラス粉末をペースト化したものを、スクリーン印刷
した後、焼成することによって非磁性層を形成する方法
や本出願人の出願に係る特願平1−171578号に示
されている方法、すなわち−旦、加圧しながら熱処理す
ることにより他部材との接着が可能、いわゆる熱圧着が
可能な結晶化ガラスを所定の寸法形状に加工し、その−
面を磁性材料に熱圧着して両者を接着した後、該結晶化
ガラス板を所定の厚さに研磨する方法がある。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら前者のガラス粉末を用いる方法は、磁性材
料上に形成された非磁性層の表面が凹凸状を呈している
ため、研磨することによってその表面を平滑にする必要
があるが、ガラス内に泡が存在するため、研磨すると表
面にピンホールと呼ばれる小さな穴が発生して欠陥部品
になるという問題が生じる。さらに磁気センサ等では非
磁性層を所定の厚みにすることが要求され、具体的には
100〜30(N+mの厚みにすることが要求されるが
、この方法によって形成される非磁性層の厚みは精々1
0〜30μmに限定される。
料上に形成された非磁性層の表面が凹凸状を呈している
ため、研磨することによってその表面を平滑にする必要
があるが、ガラス内に泡が存在するため、研磨すると表
面にピンホールと呼ばれる小さな穴が発生して欠陥部品
になるという問題が生じる。さらに磁気センサ等では非
磁性層を所定の厚みにすることが要求され、具体的には
100〜30(N+mの厚みにすることが要求されるが
、この方法によって形成される非磁性層の厚みは精々1
0〜30μmに限定される。
また後者の方法は、ピンホールを発生することなく、所
定の厚みを有する非磁性層を備えた電子部品用基板を製
造することが可能であるが、磁性材料の一面にのみ非磁
性材料を接着するため、反りが発生し易いという問題が
ある。
定の厚みを有する非磁性層を備えた電子部品用基板を製
造することが可能であるが、磁性材料の一面にのみ非磁
性材料を接着するため、反りが発生し易いという問題が
ある。
すなわちこのような基板は、一般に50+nmX 50
+nmX 0.5mmの大面積で、薄い形状を有してお
り、それを構成する磁性材料と非磁性材料との熱膨張係
数を近似させても接着時に高温下に置かれるために歪み
が生じ、その結果30μm以上の大きな反りが発生し易
い。この用途の基板は、後でその表面に電極が設けられ
るが、30μm以上の反りが発生すると、電極を設ける
前のフォトマスクを用い、露光する工程においてパター
ンのずれを発生させ、製品の歩留りを悪くする。
+nmX 0.5mmの大面積で、薄い形状を有してお
り、それを構成する磁性材料と非磁性材料との熱膨張係
数を近似させても接着時に高温下に置かれるために歪み
が生じ、その結果30μm以上の大きな反りが発生し易
い。この用途の基板は、後でその表面に電極が設けられ
るが、30μm以上の反りが発生すると、電極を設ける
前のフォトマスクを用い、露光する工程においてパター
ンのずれを発生させ、製品の歩留りを悪くする。
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、所定の厚みの
非磁性層を磁性材料上に形成することができ、しかも非
磁性層の形成後にピンホールを発生することなく、さら
に基板の反りを10μm以下に抑えることが可能な電子
部品用基板の製造方法を提供することを目的とするもの
である。
非磁性層を磁性材料上に形成することができ、しかも非
磁性層の形成後にピンホールを発生することなく、さら
に基板の反りを10μm以下に抑えることが可能な電子
部品用基板の製造方法を提供することを目的とするもの
である。
[問題点を解決するための手段]
本発明の電子部品用基板の製造方法は、加圧しながら熱
処理することにより他部材との接着が可能な結晶化ガラ
スを所定の寸法形状に加工する工程、該結晶化ガラスを
板状の磁性材料の両面に配置した後、加圧しながら熱処
理することにより接着する工程、該結晶化ガラスの表面
を各々研磨して所定の肉厚にする工程からなることを特
徴とする。
処理することにより他部材との接着が可能な結晶化ガラ
スを所定の寸法形状に加工する工程、該結晶化ガラスを
板状の磁性材料の両面に配置した後、加圧しながら熱処
理することにより接着する工程、該結晶化ガラスの表面
を各々研磨して所定の肉厚にする工程からなることを特
徴とする。
本発明において用いる結晶化ガラスは重量百分率でS1
0□60〜85%、L1□06〜15%、K2O1〜7
%、Na、OO,1〜7%、 K2O+Na2O2〜1
4%、P2O60.1〜5%、A1.O,1〜10%、
Pb00〜15%、zr020〜10%からなり、ガラ
スマトリックス相が全容量の20〜60%を占め、残り
が結晶相であることを特徴とする。この結晶化ガラスは
、磁性材料を接触関係に置いた後、加圧しながら熱処理
することにより、表面部のガラスマトリックス相に接着
作用を付与せしめることが可能なものであるが、軟化点
以上の温度で熱処理すると形状変化をおこすため好まし
くない。
0□60〜85%、L1□06〜15%、K2O1〜7
%、Na、OO,1〜7%、 K2O+Na2O2〜1
4%、P2O60.1〜5%、A1.O,1〜10%、
Pb00〜15%、zr020〜10%からなり、ガラ
スマトリックス相が全容量の20〜60%を占め、残り
が結晶相であることを特徴とする。この結晶化ガラスは
、磁性材料を接触関係に置いた後、加圧しながら熱処理
することにより、表面部のガラスマトリックス相に接着
作用を付与せしめることが可能なものであるが、軟化点
以上の温度で熱処理すると形状変化をおこすため好まし
くない。
また磁性材料には、酸化物磁性材料と金属磁性材料があ
り、酸化物磁性材料としてはフェライト、金属磁性材料
としては磁鉄鋼が代表的である。
り、酸化物磁性材料としてはフェライト、金属磁性材料
としては磁鉄鋼が代表的である。
[作用コ
元肥した成分及び含育量からなる結晶化ガラスは、主結
晶相としてLi2O・2S10□を析出するため形状変
化を起こしにり<、一方ガラスマトリックス相は、St
O□が少なく、且つに20 、Na2O等のアルカリ成
分が多いため熱を受けるとガラスマトリックス相が溶け
て接着性を示す特性を有している。この結晶化ガラスを
磁性材料の両面に配置した後、加圧しながら軟化点以下
の温度で熱処理すると形状変化を起こすことなく、結晶
化ガラスの表面部のガラスマトリックス相が薄膜状に溶
けて磁性材料との接触界面を被い、これによって結晶化
ガラス、すなわち非磁性材料が磁性材料に強固に接着す
る。
晶相としてLi2O・2S10□を析出するため形状変
化を起こしにり<、一方ガラスマトリックス相は、St
O□が少なく、且つに20 、Na2O等のアルカリ成
分が多いため熱を受けるとガラスマトリックス相が溶け
て接着性を示す特性を有している。この結晶化ガラスを
磁性材料の両面に配置した後、加圧しながら軟化点以下
の温度で熱処理すると形状変化を起こすことなく、結晶
化ガラスの表面部のガラスマトリックス相が薄膜状に溶
けて磁性材料との接触界面を被い、これによって結晶化
ガラス、すなわち非磁性材料が磁性材料に強固に接着す
る。
本発明においては非磁性材料である2個の結晶化ガラス
を磁性材料の両面に熱圧着した後、各結晶化ガラスの外
表面を研磨するので、結晶化ガラスの厚みを薄くしても
割れることがなく、また各結晶化ガラスの肉厚が同じに
なるように研磨することにより、歪みをつりあわせ、反
りを102m以内に管理することが可能である。
を磁性材料の両面に熱圧着した後、各結晶化ガラスの外
表面を研磨するので、結晶化ガラスの厚みを薄くしても
割れることがなく、また各結晶化ガラスの肉厚が同じに
なるように研磨することにより、歪みをつりあわせ、反
りを102m以内に管理することが可能である。
また一般に結晶化ガラスは、泡が少ないためピンホール
が発生せず、化学的耐久性も良好であるため、基板の後
工程における酸処理にも耐え、且つ上記組成を有する本
発明の結晶化ガラスは、80〜150 Xl0−’/’
Cの熱膨張係数を有するため磁性材料のそれに合わすこ
とが可能である。
が発生せず、化学的耐久性も良好であるため、基板の後
工程における酸処理にも耐え、且つ上記組成を有する本
発明の結晶化ガラスは、80〜150 Xl0−’/’
Cの熱膨張係数を有するため磁性材料のそれに合わすこ
とが可能である。
[実施例コ
以下本発明を実施例に基づいて説明する。
重量百分率で510□75%、L1□08%、K2O3
%、Na2O3%、Al2O31i%、P2Ol53%
のガラス組成になるようにガラス原料を調合し、白金る
つぼを用いて約I450℃で溶融した後、カーボン鋳型
に流し込んで成形し、これを徐冷炉に入れ室温まで炉冷
することによって結晶化可能なガラス成形体を得た。そ
の後、このガラス成形体を電気炉に入れ、120℃/時
の昇温速度で約550°Cまで加熱して1時間保持し、
次いで40℃/時の昇温速度で約800℃まで加熱して
2時間保持した後室温まで炉冷した。これによってLl
。0・2S10□結晶を析出し、ガラスマトリックス相
が約25容量%を占め熱膨張係数が約120 Xl0−
7/”C1屈伏点が約730℃の結晶化ガラス成形体が
得られた。
%、Na2O3%、Al2O31i%、P2Ol53%
のガラス組成になるようにガラス原料を調合し、白金る
つぼを用いて約I450℃で溶融した後、カーボン鋳型
に流し込んで成形し、これを徐冷炉に入れ室温まで炉冷
することによって結晶化可能なガラス成形体を得た。そ
の後、このガラス成形体を電気炉に入れ、120℃/時
の昇温速度で約550°Cまで加熱して1時間保持し、
次いで40℃/時の昇温速度で約800℃まで加熱して
2時間保持した後室温まで炉冷した。これによってLl
。0・2S10□結晶を析出し、ガラスマトリックス相
が約25容量%を占め熱膨張係数が約120 Xl0−
7/”C1屈伏点が約730℃の結晶化ガラス成形体が
得られた。
次にこの結晶化ガラス成形体から50mmX 50mm
X093■の寸法に加工した2個の板状結晶化ガラスを
作製し、これらの間に50mmX 50mmX O,3
mmの寸法を有し、表面を鏡面研磨した熱膨張係数が約
]18 Xl0−7/’Cの板状フェライトが接するよ
うにして載置し、さらにその上に約2Kg/cm2の圧
力になるように荷重をかけ、それを電気炉中にセットし
、フェライトの酸化防止のためN2ガス雰囲気中におい
て常温から600℃/時の昇温速度で約71θ℃まで加
熱し、この温度に1時間保持した後、常温まで炉冷する
ことによって各板状結晶化ガラスにフェライトを接着し
た。その後、各板状結晶化ガラスの両面を研磨して0.
1mmの肉厚の結晶化ガラスからなる非磁性層を備えた
肉厚0.5mmの基板を作製した。
X093■の寸法に加工した2個の板状結晶化ガラスを
作製し、これらの間に50mmX 50mmX O,3
mmの寸法を有し、表面を鏡面研磨した熱膨張係数が約
]18 Xl0−7/’Cの板状フェライトが接するよ
うにして載置し、さらにその上に約2Kg/cm2の圧
力になるように荷重をかけ、それを電気炉中にセットし
、フェライトの酸化防止のためN2ガス雰囲気中におい
て常温から600℃/時の昇温速度で約71θ℃まで加
熱し、この温度に1時間保持した後、常温まで炉冷する
ことによって各板状結晶化ガラスにフェライトを接着し
た。その後、各板状結晶化ガラスの両面を研磨して0.
1mmの肉厚の結晶化ガラスからなる非磁性層を備えた
肉厚0.5mmの基板を作製した。
上記のようにして作製した基板の平坦度を光学式平坦度
測定器によって測定したところ、10μm以下であった
。またこの基板をダイヤモンドカッターを用いて4 、
Omm X 4 、Omm X O,5mmの寸法に切
断し、その切断面を観察したところ、フェライトと結晶
化ガラスは精度良く強固に接着しており、結晶化ガラス
の表面にピンホールは認められなかった。
測定器によって測定したところ、10μm以下であった
。またこの基板をダイヤモンドカッターを用いて4 、
Omm X 4 、Omm X O,5mmの寸法に切
断し、その切断面を観察したところ、フェライトと結晶
化ガラスは精度良く強固に接着しており、結晶化ガラス
の表面にピンホールは認められなかった。
[発明の効果]
以上のように本発明の電子部品用基板の製造方法による
と、所定の厚みの非磁性層を磁性材料上に形成すること
ができ、しかも非磁性層の表面にピンホールを発生する
ことなく、さらに基板の反りを小さく抑えることができ
るので、磁気センサに用いられる基板をはじめとして磁
性材料と非磁性材料からなる各種の電子部品用基板を製
造するのに好適である。
と、所定の厚みの非磁性層を磁性材料上に形成すること
ができ、しかも非磁性層の表面にピンホールを発生する
ことなく、さらに基板の反りを小さく抑えることができ
るので、磁気センサに用いられる基板をはじめとして磁
性材料と非磁性材料からなる各種の電子部品用基板を製
造するのに好適である。
特許出願人 日本電気硝子株式会社
代表者 岸 1)清 作
Claims (2)
- (1)加圧しながら熱処理することにより他部材との接
着が可能な結晶化ガラスを所定の寸法形状に加工する工
程、該結晶化ガラスを板状の磁性材料の両面に配置した
後、加圧しながら熱処理することにより接着する工程、
該結晶化ガラスの表面を各々研磨して所定の肉厚にする
工程からなることを特徴とする電子部品用基板の製造方
法。 - (2)結晶化ガラスが重量百分率でSiO_260〜8
5%、Li_2O6〜15%、K_2O1〜7%、Na
_2O0.1〜7%、K_2O+Na_2O2〜14%
、P_2O_60.1〜5%、Al_2O_31〜10
%、PbO0〜15%、ZrO_20〜10%からなり
、ガラスマトリックス相が全容量の20〜60%を占め
、残りが結晶相であることを特徴とする特許請求の範囲
第一項記載の電子部品用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2105741A JP2868131B2 (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 電子部品用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2105741A JP2868131B2 (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 電子部品用基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH046130A true JPH046130A (ja) | 1992-01-10 |
JP2868131B2 JP2868131B2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=14415695
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2105741A Expired - Lifetime JP2868131B2 (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 電子部品用基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2868131B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04144938A (ja) * | 1990-10-04 | 1992-05-19 | Toshiba Glass Co Ltd | 磁気ディスク用結晶化ガラス基板 |
JP2002163934A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Yazaki Corp | 平型シールドハーネス及び平型シールドハーネスの製造方法 |
JP2002231057A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-16 | Yazaki Corp | シールドハーネス及び該シールドハーネスの製造方法 |
JP2010111559A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Taiheiyo Cement Corp | セラミックス接合体及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-04-20 JP JP2105741A patent/JP2868131B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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