JPH0567648A - 半導体実装方法とその装置 - Google Patents
半導体実装方法とその装置Info
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- JPH0567648A JPH0567648A JP22759491A JP22759491A JPH0567648A JP H0567648 A JPH0567648 A JP H0567648A JP 22759491 A JP22759491 A JP 22759491A JP 22759491 A JP22759491 A JP 22759491A JP H0567648 A JPH0567648 A JP H0567648A
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- bonding head
- chip
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 各種電子機器の回路構成用に使用されるプリ
ント板ユニットの半導体実装方法とその装置に関し、実
装時における接着剤の上昇を防止してベアチップの破壊
を防ぐとともに容易に高密度実装すること目的とする。 【構成】 基板２の主面に形成されたパッド2aの間に一
定量の接着剤３を供給するとともにチップ本体1aの上面
をボンディングヘッド14-1の吸着面14-1ａに吸着してベ
アチップ１を保持し、当該ボンディングヘッド14-1を下
降して上記ベアチップ１の該バンプ1bを上記基板２の該
パッド2aに圧接させ、当該ボンディングヘッド14-1の周
囲に配設した各ノズル14-2から高温のエアー14-2ａを該
ベアチップ１の各側面に噴射して、上記ボンディングヘ
ッド14-1からの伝熱により該接着剤３を硬化させること
により上記基板２の該パッド2aに上記ベアチップ１をそ
れぞれ実装する。
ント板ユニットの半導体実装方法とその装置に関し、実
装時における接着剤の上昇を防止してベアチップの破壊
を防ぐとともに容易に高密度実装すること目的とする。 【構成】 基板２の主面に形成されたパッド2aの間に一
定量の接着剤３を供給するとともにチップ本体1aの上面
をボンディングヘッド14-1の吸着面14-1ａに吸着してベ
アチップ１を保持し、当該ボンディングヘッド14-1を下
降して上記ベアチップ１の該バンプ1bを上記基板２の該
パッド2aに圧接させ、当該ボンディングヘッド14-1の周
囲に配設した各ノズル14-2から高温のエアー14-2ａを該
ベアチップ１の各側面に噴射して、上記ボンディングヘ
ッド14-1からの伝熱により該接着剤３を硬化させること
により上記基板２の該パッド2aに上記ベアチップ１をそ
れぞれ実装する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種電子機器の回路構
成用に使用されるプリント板ユニットの半導体実装方法
とその装置に関する。
成用に使用されるプリント板ユニットの半導体実装方法
とその装置に関する。
【０００２】最近、各種電子機器は更に小型化と多くの
機能が備えられるに伴い、これらの機器に装着されるプ
リント板ユニットには多数個の各種半導体チップの高密
度実装が必要となっている。そのため、各種半導体チッ
プの小型化がはかれる素子本体（以下ベアチップと略称
する）を専用の実装装置によりプリント回路基板（以下
基板と略称する）へ高密度に実装しているが、これらベ
アチップの実装時における破壊を防止して容易に高密度
実装することができる新しい半導体実装方法とその装置
が要求されている。
機能が備えられるに伴い、これらの機器に装着されるプ
リント板ユニットには多数個の各種半導体チップの高密
度実装が必要となっている。そのため、各種半導体チッ
プの小型化がはかれる素子本体（以下ベアチップと略称
する）を専用の実装装置によりプリント回路基板（以下
基板と略称する）へ高密度に実装しているが、これらベ
アチップの実装時における破壊を防止して容易に高密度
実装することができる新しい半導体実装方法とその装置
が要求されている。
【０００３】
【従来の技術】従来広く使用されている半導体の実装方
法は、図２(a) に示すようにベアチップ１を実装する基
板２の主面に形成されたパッド2a間に一定量の接着剤３
をディスペンサーにより供給するとともに、図示してい
ない加熱手段を有するボンディングヘッド４の内部を真
空にすることによりチップ本体1aの上面を吸着面4aに吸
着してベアチップ１を保持し、その吸着されたベアチッ
プ１のバンプ1bが上記基板２のパッド2aと対応する位置
となるように当該基板２を移動している。
法は、図２(a) に示すようにベアチップ１を実装する基
板２の主面に形成されたパッド2a間に一定量の接着剤３
をディスペンサーにより供給するとともに、図示してい
ない加熱手段を有するボンディングヘッド４の内部を真
空にすることによりチップ本体1aの上面を吸着面4aに吸
着してベアチップ１を保持し、その吸着されたベアチッ
プ１のバンプ1bが上記基板２のパッド2aと対応する位置
となるように当該基板２を移動している。
【０００４】そして、図２(b) に示す如くボンディング
ヘッド４を下降させて吸着面4aに吸着したベアチップ１
のバンプ1bを基板２のパッド2aに圧接すると、当該パッ
ド2aの間に供給した前記接着剤３がチップ本体1aの下面
と基板２の上面で形成される隙間に広がり、ボンディン
グヘッド４から一定温度の加熱によりこの接着剤３を硬
化して基板２にベアチップ１が接着される。
ヘッド４を下降させて吸着面4aに吸着したベアチップ１
のバンプ1bを基板２のパッド2aに圧接すると、当該パッ
ド2aの間に供給した前記接着剤３がチップ本体1aの下面
と基板２の上面で形成される隙間に広がり、ボンディン
グヘッド４から一定温度の加熱によりこの接着剤３を硬
化して基板２にベアチップ１が接着される。
【０００５】その後にボンディングヘッド４の吸着面4a
を大気圧に戻して上昇させると、図２(c) に示すように
上記ベアチップ１のバンプ1bが基板２のパッド2aと導通
した状態で接着剤３により固着され、この実装方法を順
次繰り返すことにより基板２の各パッド2aにそれぞれベ
アチップ１が実装されている。
を大気圧に戻して上昇させると、図２(c) に示すように
上記ベアチップ１のバンプ1bが基板２のパッド2aと導通
した状態で接着剤３により固着され、この実装方法を順
次繰り返すことにより基板２の各パッド2aにそれぞれベ
アチップ１が実装されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の半
導体の実装方法で問題となるのは、図２(a) に示すよう
にベアチップ１を固着する接着剤３は基板２のパッド2a
間にディスペンサーで供給されているがその供給量が多
いと、図３(a) に示す如くベアチップ１のバンプ1bと基
板２のパッド2aとの結合時において、供給された接着剤
３が加熱，加圧によりチップ本体1aからはみ出してその
側面を伝わって上昇することによりチップ本体1aの上面
とボンディングヘッド４の吸着面4aの間に浸入し、当該
ボンディングヘッド４からの加熱によりチップ本体1aと
基板２の間に介在する接着剤３と吸着面4aとの間に浸入
した接着剤３が硬化する。
導体の実装方法で問題となるのは、図２(a) に示すよう
にベアチップ１を固着する接着剤３は基板２のパッド2a
間にディスペンサーで供給されているがその供給量が多
いと、図３(a) に示す如くベアチップ１のバンプ1bと基
板２のパッド2aとの結合時において、供給された接着剤
３が加熱，加圧によりチップ本体1aからはみ出してその
側面を伝わって上昇することによりチップ本体1aの上面
とボンディングヘッド４の吸着面4aの間に浸入し、当該
ボンディングヘッド４からの加熱によりチップ本体1aと
基板２の間に介在する接着剤３と吸着面4aとの間に浸入
した接着剤３が硬化する。
【０００７】そのためボンディングヘッド４を上昇させ
ると、図３(b) に示すようにチップ本体1aの一部が破損
して基板２と接合したベアチップ１が使用不可能になる
とともに、その破損片がボンディングヘッド４の吸着面
4aに接着した状態となるので続いて行う他のベアチップ
１の吸引ができなくなるという問題が生じている。
ると、図３(b) に示すようにチップ本体1aの一部が破損
して基板２と接合したベアチップ１が使用不可能になる
とともに、その破損片がボンディングヘッド４の吸着面
4aに接着した状態となるので続いて行う他のベアチップ
１の吸引ができなくなるという問題が生じている。
【０００８】また、チップ本体1aが破損しなくてもボン
ディングヘッド４の吸着面4aに接着剤３の硬化片が残る
から、その状態でベアチップ１を吸引して基板２に実装
すると実装位置がずれるという問題も生じている。
ディングヘッド４の吸着面4aに接着剤３の硬化片が残る
から、その状態でベアチップ１を吸引して基板２に実装
すると実装位置がずれるという問題も生じている。
【０００９】本発明は上記のような問題点に鑑み、実装
時における接着剤の上昇を防止してベアチップの破壊を
防ぐとともに容易に高密度実装することができる新しい
半導体実装方法とその装置の提供を目的とする。
時における接着剤の上昇を防止してベアチップの破壊を
防ぐとともに容易に高密度実装することができる新しい
半導体実装方法とその装置の提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、図１に示すよ
うに基板２の主面に形成されたパッド2aの間に一定量の
接着剤３を供給するとともにチップ本体1aの上面をボン
ディングヘッド14-1の吸着面14-1ａに吸着してベアチッ
プ１を保持し、当該ボンディングヘッド14-1を下降して
上記ベアチップ１の該バンプ1bを上記基板２の該パッド
2aに圧接させ、当該ボンディングヘッド14-1の周囲に配
設した各ノズル14-2から高温のエアー14-2ａを該ベアチ
ップ１の各側面に噴射して、上記ボンディングヘッド14
-1からの伝熱により該接着剤３を硬化させることにより
上記基板２の該パッド2aに上記ベアチップ１をそれぞれ
実装する。
うに基板２の主面に形成されたパッド2aの間に一定量の
接着剤３を供給するとともにチップ本体1aの上面をボン
ディングヘッド14-1の吸着面14-1ａに吸着してベアチッ
プ１を保持し、当該ボンディングヘッド14-1を下降して
上記ベアチップ１の該バンプ1bを上記基板２の該パッド
2aに圧接させ、当該ボンディングヘッド14-1の周囲に配
設した各ノズル14-2から高温のエアー14-2ａを該ベアチ
ップ１の各側面に噴射して、上記ボンディングヘッド14
-1からの伝熱により該接着剤３を硬化させることにより
上記基板２の該パッド2aに上記ベアチップ１をそれぞれ
実装する。
【００１１】
【作用】本発明では、ボンディングヘッド14-1を下降し
てベアチップ１のバンプ1bを基板２のパッド2aに圧接さ
せた状態で加熱により接着剤３を硬化する時に、ボンデ
ィングヘッド14-1の周囲に配設した各ノズル14-2から高
温のエアー14-2ａをチップ本体1aの各側面に噴射する
と、チップ本体1aの下面と基板２上面の隙間に広がって
当該チップ本体1aの側面から上昇しようとする接着剤３
は、ノズル14-2から噴射した高温のエアー14-2ａにより
基板２の方に押し戻されて硬化するから、チップ本体1a
の上面とボンディングヘッド14-1の吸着面14-1ａとの間
に前記接着剤３の浸入が無くなってベアチップの破壊を
防止できるとともに容易に高密度実装することが可能と
なる。
てベアチップ１のバンプ1bを基板２のパッド2aに圧接さ
せた状態で加熱により接着剤３を硬化する時に、ボンデ
ィングヘッド14-1の周囲に配設した各ノズル14-2から高
温のエアー14-2ａをチップ本体1aの各側面に噴射する
と、チップ本体1aの下面と基板２上面の隙間に広がって
当該チップ本体1aの側面から上昇しようとする接着剤３
は、ノズル14-2から噴射した高温のエアー14-2ａにより
基板２の方に押し戻されて硬化するから、チップ本体1a
の上面とボンディングヘッド14-1の吸着面14-1ａとの間
に前記接着剤３の浸入が無くなってベアチップの破壊を
防止できるとともに容易に高密度実装することが可能と
なる。
【００１２】
【実施例】以下図面に示した実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。図１は本実施例による半導体実装方法
とその装置の側断面図を示し、図中において、図２と同
一部材には同一記号が付してあるが、その他の14はベア
チップを基板の主面に実装するボンディング装置であ
る。
詳細に説明する。図１は本実施例による半導体実装方法
とその装置の側断面図を示し、図中において、図２と同
一部材には同一記号が付してあるが、その他の14はベア
チップを基板の主面に実装するボンディング装置であ
る。
【００１３】このボンディン装置14は、図１に示すよう
に実装するベアチップ１のチップ本体1aを真空により吸
着する吸着面14-1ａを先端に形成して図示していない加
熱手段を設け、制御回路により基板２に対して垂直方向
へ移動するよう従来と同様に構成されたボンディングヘ
ッド14-1の周囲に、当該ボンディングヘッド14-1の吸着
面14-1ａへ吸着される前記ベアチップ１のチップ本体1a
各側面に高温のエアー14-2ａを噴射するノズル14-2が配
設されている。
に実装するベアチップ１のチップ本体1aを真空により吸
着する吸着面14-1ａを先端に形成して図示していない加
熱手段を設け、制御回路により基板２に対して垂直方向
へ移動するよう従来と同様に構成されたボンディングヘ
ッド14-1の周囲に、当該ボンディングヘッド14-1の吸着
面14-1ａへ吸着される前記ベアチップ１のチップ本体1a
各側面に高温のエアー14-2ａを噴射するノズル14-2が配
設されている。
【００１４】上記ボンディン装置を使用した本発明の半
導体実装方法は、図１(a) に示すように基板２の主面に
形成されたパッド2aの間に一定量の接着剤３を従来と同
様ディスペンサーにより供給するとともに、ボンディン
グヘッド14-1の内部を真空にして吸着面14-1ａにチップ
本体1aの上面を吸着することによりベアチップ１を保持
し、その吸着されたベアチップ１のバンプ1bに対して上
記基板２のパッド2aが互いに対向するように当該基板２
を移動する。
導体実装方法は、図１(a) に示すように基板２の主面に
形成されたパッド2aの間に一定量の接着剤３を従来と同
様ディスペンサーにより供給するとともに、ボンディン
グヘッド14-1の内部を真空にして吸着面14-1ａにチップ
本体1aの上面を吸着することによりベアチップ１を保持
し、その吸着されたベアチップ１のバンプ1bに対して上
記基板２のパッド2aが互いに対向するように当該基板２
を移動する。
【００１５】そして、図１(b) に示す如くボンディング
ヘッド14-1を下降させて従来と同様その吸着面14-1ａに
吸着したベアチップ１のバンプ1bを基板２のパッド2aに
圧接して加熱すると同時に、当該ボンディングヘッド14
-1の周囲に配設した各ノズル14-2から高温のエアー14-2
ａをベアチップ１のチップ本体1a各側面に噴射し、ボン
ディングヘッド14-1からの熱伝導により供給された前記
接着剤３を硬化させて基板２にベアチップ１を接着す
る。
ヘッド14-1を下降させて従来と同様その吸着面14-1ａに
吸着したベアチップ１のバンプ1bを基板２のパッド2aに
圧接して加熱すると同時に、当該ボンディングヘッド14
-1の周囲に配設した各ノズル14-2から高温のエアー14-2
ａをベアチップ１のチップ本体1a各側面に噴射し、ボン
ディングヘッド14-1からの熱伝導により供給された前記
接着剤３を硬化させて基板２にベアチップ１を接着す
る。
【００１６】その後にボンディングヘッド14-1の吸着面
14-1ａを大気圧に戻すと同時にノズル14-2からのエアー
14-2ａ噴射を停止して当該ボンディングヘッド14-1を上
昇させると、図１(c) に示すように上記ベアチップ１の
バンプ1bが基板２のパッド2aと導通した状態で接着剤３
により固着されるから、この実装方法を順次繰り返すこ
とにより基板２の各パッド2aにそれぞれベアチップ１を
実装している。
14-1ａを大気圧に戻すと同時にノズル14-2からのエアー
14-2ａ噴射を停止して当該ボンディングヘッド14-1を上
昇させると、図１(c) に示すように上記ベアチップ１の
バンプ1bが基板２のパッド2aと導通した状態で接着剤３
により固着されるから、この実装方法を順次繰り返すこ
とにより基板２の各パッド2aにそれぞれベアチップ１を
実装している。
【００１７】その結果、基板２のパッド2aにベアチップ
１のバンプ1bを圧接して加熱する時にこのチップ本体1a
の各側面にノズル14-2から高温のエアー14-2ａが噴射さ
れるから、接着剤３はその圧力と温度により基板２の方
で硬化するからボンディングヘッド14-1の吸着面14-1ａ
とチップ本体1aの接着が無くなってベアチップの破壊を
防止することができる。
１のバンプ1bを圧接して加熱する時にこのチップ本体1a
の各側面にノズル14-2から高温のエアー14-2ａが噴射さ
れるから、接着剤３はその圧力と温度により基板２の方
で硬化するからボンディングヘッド14-1の吸着面14-1ａ
とチップ本体1aの接着が無くなってベアチップの破壊を
防止することができる。
【００１８】以上、図示実施例に基づき説明したが、本
発明は上記実施例の態様のみに限定されるものでなく、
例えばノズル14-2より窒素ガス等の不活性ガスを噴出さ
せても良く、高温のエアーに限定しなても良い。
発明は上記実施例の態様のみに限定されるものでなく、
例えばノズル14-2より窒素ガス等の不活性ガスを噴出さ
せても良く、高温のエアーに限定しなても良い。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば極めて簡単な方法と装置で、ベアチップの実装時
における破壊を防止して容易に高密度実装することがで
きる等の利点があり、著しい経済的及び、信頼性向上の
効果が期待できる半導体実装方法とその装置を提供する
ことができる。
よれば極めて簡単な方法と装置で、ベアチップの実装時
における破壊を防止して容易に高密度実装することがで
きる等の利点があり、著しい経済的及び、信頼性向上の
効果が期待できる半導体実装方法とその装置を提供する
ことができる。
【図１】 本発明の一実施例による半導体実装方法とそ
の装置を示す側断面図である。
の装置を示す側断面図である。
【図２】 従来の半導体実装方法を示す側断面図であ
る。
る。
【図３】 問題点を説明する側断面図である。
１はベアチップ、1aはチップ本体、
1bはバンプ、２は基板、
2aはパッド、３は接着剤、14はボンディング装置、14-1
はボンディングヘッド、 14-1ａは吸着面、14-2
はノズル、 14-2ａはエアー、
1bはバンプ、２は基板、
2aはパッド、３は接着剤、14はボンディング装置、14-1
はボンディングヘッド、 14-1ａは吸着面、14-2
はノズル、 14-2ａはエアー、
Claims (2)
- 【請求項１】 プリント配線基板(2) の主面に形成さ
れたパッド(2a)の間に一定量の接着剤(3) を供給すると
ともにベアチップ(1) の上面をボンディングヘッド(14-
1)の吸着面(14-1a) に吸着して保持し、当該ボンディン
グヘッド(14-1)を移動して上記ベアチップ(1) のバンプ
(1b)を上記プリント配線基板(2) の該パッド(2a)に圧接
させ、各ノズル(14-2)より高温ガス(14-2a) を該ベアチ
ップ１の各側面に斜め上から噴射するとともに、上記ボ
ンディングヘッド(14-1)からの伝熱で該接着剤(3) を硬
化させて上記ベアチップ(1) を該プリント配線基板(2)
の該パッド(2a)にそれぞれ実装してなることを特徴とす
る半導体実装方法。 - 【請求項２】 上記ベアチップ(1) の吸着面(14-1a)
を先端に形成するとともに加熱手段を付設して制御手段
により上記プリント配線基板(2) に対し垂直方向へ移動
するように構成されたボンディングヘッド(14-1)の周囲
に、上記吸着面(14-1a) に吸着される該ベアチップ(1)
の各側面に高温ガス(14-2a) を噴射するノズル(14-2)を
当該ボンディングヘッド(14-1)とともに移動するように
配設したことを特徴とする半導体実装装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22759491A JPH0567648A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 半導体実装方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22759491A JPH0567648A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 半導体実装方法とその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0567648A true JPH0567648A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=16863373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22759491A Withdrawn JPH0567648A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 半導体実装方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0567648A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01295827A (ja) * | 1988-05-24 | 1989-11-29 | Kawasaki Steel Corp | 防食被覆鋼管の製造方法と製造装置 |
| JPH08113955A (ja) * | 1994-10-14 | 1996-05-07 | Hinode Suido Kiki Kk | 地下構造物用蓋 |
| US6482676B2 (en) | 1997-01-09 | 2002-11-19 | Fujitsu Limited | Method of mounting semiconductor chip part on substrate |
| JP2008198940A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Fujitsu Ltd | 電子部品の実装方法 |
| KR101113837B1 (ko) * | 2004-10-27 | 2012-02-29 | 삼성테크윈 주식회사 | 본딩 장치 |
-
1991
- 1991-09-09 JP JP22759491A patent/JPH0567648A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01295827A (ja) * | 1988-05-24 | 1989-11-29 | Kawasaki Steel Corp | 防食被覆鋼管の製造方法と製造装置 |
| JPH08113955A (ja) * | 1994-10-14 | 1996-05-07 | Hinode Suido Kiki Kk | 地下構造物用蓋 |
| US6482676B2 (en) | 1997-01-09 | 2002-11-19 | Fujitsu Limited | Method of mounting semiconductor chip part on substrate |
| KR101113837B1 (ko) * | 2004-10-27 | 2012-02-29 | 삼성테크윈 주식회사 | 본딩 장치 |
| JP2008198940A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Fujitsu Ltd | 電子部品の実装方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981203 |