JPH056763B2 - - Google Patents
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- JPH056763B2 JPH056763B2 JP60167953A JP16795385A JPH056763B2 JP H056763 B2 JPH056763 B2 JP H056763B2 JP 60167953 A JP60167953 A JP 60167953A JP 16795385 A JP16795385 A JP 16795385A JP H056763 B2 JPH056763 B2 JP H056763B2
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- zno
- dielectric
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- Expired - Lifetime
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- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
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- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
この発明は、マイクロ波やミリ波等の高周波領
域において高誘電率で高いＱ値を有する高周波用
誘電体磁器組成物に関する。 〔従来の技術〕 マイクロ波やミリ波等の高周波領域いおいて、
誘電体磁器は誘電体共振器やMIC用誘電体基板
等に広く利用されている。 従来、この種の誘電体磁器として例えばTiO2
−ZrO2−SnO2−ZnO−NiO系の材料が知られて
いる（特公昭55−34526号公報）。 しかしながら上記材料のＱ値は、1GHzで
25000、4GHzで12000、7GHzで7000のレベルであ
つた。そのため、例えば低い周波数（例えば
800MHz）でハイパワーの回路の誘電体共振器等
に使用しようとしても、発熱が大きくて温度不安
定となつて使用することはできない。また、4G
Hzや10GHz近辺の誘電体共振器としてもＱ値が低
くて使用することができない場合がある。 そこで、TiO2−ZrO2−SnO2−ZnO−NiO系の
材料のZnOまたはNiOの代わりにTa2O5を添加す
ることによつてＱ値の改善を図つた高周波用誘導
体磁器組成物が、特開昭58−51406号公報及び特
開昭58−217465号公報にそれぞれ提案されてい
る。前者における誘電体磁器組成物は、TiO222
〜43重量％、ZrO238〜58重量％、SnO29〜26重
量％を主成分としこれにZnOを７重量％以下、
Ta2O5を５重量％以下添加したものであり、後者
のそれは、前者のZnOの代わりにNiOを10重量％
以下添加したものである。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記公報開示の材料においては、Ｑ値は改善さ
れるもののそれでも7GHzにおいて8000程度止ま
りである。また焼結性に更に改善の余地がある。 したがつてこの発明は、更にＱ値及び焼結性の
改善を図つた高周波用誘電体磁器組成物を提供す
ることを目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 この発明の高周波用誘電体磁器組成物は、
TiO222〜43重量％、ZrO238〜58重量％、SnO29
〜26重量％を主成分とし、これにZnOを７重量％
以下、NiOを10重量％以下、WO3を７重量％以
下添加含有してなるものである。 上記した組成範囲に限定した理由は次のとおり
である。即ち、TiO2が22重量％未満では誘電率
（ε）が低下し、43重量％を越えると誘電率の温
度係数（TC）が＋側で大きくなり過ぎる。また
ZrO2が38重量％未満になり、あるいは58重量％
を越えると誘電率の温度係数（TC）が＋側で大
きくなり過ぎる。またSnO2が９重量％未満では
誘電率の温度係数（TC）が＋側で大きくなり過
ぎると共にＱが低下し、26重量％を越えると誘電
率の温度係数（TC）が−側で大きくなり過ぎる。 次に添加物の内、ZnOが７重量％を越えると誘
電率及びＱが低下し、NiOが10重量％を越える、
あるいはWO3が７重量％を越えるとＱが低下し、
いずれも実用に供さなくなる。 〔実施例〕 以下、この発明を実施例に従つて詳述する。 原料として高純度のTiO2、ZrO2、SnO2、
ZnO、NiO、WO3を用い、第１表の組成比率の
磁器が得られるように秤量し、16時間湿式混合し
た。次いで、脱水、乾燥し、得られた混合原料を
2500Kg／cm2の圧力で直径12mm、厚み６mmの円板に
成形した。引続き成形物を自然雰囲気中1350〜
1450℃の温度で４時間焼成して磁器試料を得た。 各磁器試料について25℃、7GHzにおける誘電
率（ε）、Ｑ及び共振周波数の温度係数（TC）の
各電気的特性を測定し、その結果を第１表に表し
た。 第１表中＊印はこの発明の範囲外のものであ
り、それ以外は全てこの発明の範囲内のものであ
る。
域において高誘電率で高いＱ値を有する高周波用
誘電体磁器組成物に関する。 〔従来の技術〕 マイクロ波やミリ波等の高周波領域いおいて、
誘電体磁器は誘電体共振器やMIC用誘電体基板
等に広く利用されている。 従来、この種の誘電体磁器として例えばTiO2
−ZrO2−SnO2−ZnO−NiO系の材料が知られて
いる（特公昭55−34526号公報）。 しかしながら上記材料のＱ値は、1GHzで
25000、4GHzで12000、7GHzで7000のレベルであ
つた。そのため、例えば低い周波数（例えば
800MHz）でハイパワーの回路の誘電体共振器等
に使用しようとしても、発熱が大きくて温度不安
定となつて使用することはできない。また、4G
Hzや10GHz近辺の誘電体共振器としてもＱ値が低
くて使用することができない場合がある。 そこで、TiO2−ZrO2−SnO2−ZnO−NiO系の
材料のZnOまたはNiOの代わりにTa2O5を添加す
ることによつてＱ値の改善を図つた高周波用誘導
体磁器組成物が、特開昭58−51406号公報及び特
開昭58−217465号公報にそれぞれ提案されてい
る。前者における誘電体磁器組成物は、TiO222
〜43重量％、ZrO238〜58重量％、SnO29〜26重
量％を主成分としこれにZnOを７重量％以下、
Ta2O5を５重量％以下添加したものであり、後者
のそれは、前者のZnOの代わりにNiOを10重量％
以下添加したものである。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記公報開示の材料においては、Ｑ値は改善さ
れるもののそれでも7GHzにおいて8000程度止ま
りである。また焼結性に更に改善の余地がある。 したがつてこの発明は、更にＱ値及び焼結性の
改善を図つた高周波用誘電体磁器組成物を提供す
ることを目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 この発明の高周波用誘電体磁器組成物は、
TiO222〜43重量％、ZrO238〜58重量％、SnO29
〜26重量％を主成分とし、これにZnOを７重量％
以下、NiOを10重量％以下、WO3を７重量％以
下添加含有してなるものである。 上記した組成範囲に限定した理由は次のとおり
である。即ち、TiO2が22重量％未満では誘電率
（ε）が低下し、43重量％を越えると誘電率の温
度係数（TC）が＋側で大きくなり過ぎる。また
ZrO2が38重量％未満になり、あるいは58重量％
を越えると誘電率の温度係数（TC）が＋側で大
きくなり過ぎる。またSnO2が９重量％未満では
誘電率の温度係数（TC）が＋側で大きくなり過
ぎると共にＱが低下し、26重量％を越えると誘電
率の温度係数（TC）が−側で大きくなり過ぎる。 次に添加物の内、ZnOが７重量％を越えると誘
電率及びＱが低下し、NiOが10重量％を越える、
あるいはWO3が７重量％を越えるとＱが低下し、
いずれも実用に供さなくなる。 〔実施例〕 以下、この発明を実施例に従つて詳述する。 原料として高純度のTiO2、ZrO2、SnO2、
ZnO、NiO、WO3を用い、第１表の組成比率の
磁器が得られるように秤量し、16時間湿式混合し
た。次いで、脱水、乾燥し、得られた混合原料を
2500Kg／cm2の圧力で直径12mm、厚み６mmの円板に
成形した。引続き成形物を自然雰囲気中1350〜
1450℃の温度で４時間焼成して磁器試料を得た。 各磁器試料について25℃、7GHzにおける誘電
率（ε）、Ｑ及び共振周波数の温度係数（TC）の
各電気的特性を測定し、その結果を第１表に表し
た。 第１表中＊印はこの発明の範囲外のものであ
り、それ以外は全てこの発明の範囲内のものであ
る。
【表】
上述した実施例から明らかなようにこの発明に
おいては、添加物をZnO−NiO−WO3の３成分
とすることにより、焼結性は安定し、かつ高Ｑの
ものが得られた。例えばＱ値は、7GHz、TC≒０
で8700と、従来にない大きな値が得られた。 つまりこの発明の材料においては、結晶粒子が
従来のものに比べて小さくかつ大きさが均一にな
つており、上記添加物系は結晶成長を均一に、か
つ結晶内の格子不整の生成を抑制する効果を持つ
ている。 またこの発明の材料では、低い周波数になるほ
どＱの改善効果が大きい。これは、低い周波数に
なるほどユニツトが大型になるが、上記添加物系
によつて焼結性が改善された大型ユニツトも均一
に焼結したためである。例えば、この発明の材料
のＱ値は、1GHzで38000、4GHzで16000、7GHzで
8700となつており、これは上述した従来のTiO2
−ZrO2−SnO2−ZnO−NiO系の材料のＱ値に比
べて、それぞれの周波数において52％増、33％増
及び24％増となつている。 それゆえこの発明によれば、例えば自動車電話
の基地局チヤンネルフイルタ用誘電体共振器等の
低周波数（例えば800MHz）で高パワーの分野へ
の用途が拡大する。また、4GHz、10GHzの衛生
放送用誘電体共振器等の高い周波数領域において
も、これまでの超高Ｑ材に比べればＱは小さいも
のの、誘電率（ε）が約38と大きいため、これま
で使用できなかつた分野への用途の拡大も期待で
きる。
おいては、添加物をZnO−NiO−WO3の３成分
とすることにより、焼結性は安定し、かつ高Ｑの
ものが得られた。例えばＱ値は、7GHz、TC≒０
で8700と、従来にない大きな値が得られた。 つまりこの発明の材料においては、結晶粒子が
従来のものに比べて小さくかつ大きさが均一にな
つており、上記添加物系は結晶成長を均一に、か
つ結晶内の格子不整の生成を抑制する効果を持つ
ている。 またこの発明の材料では、低い周波数になるほ
どＱの改善効果が大きい。これは、低い周波数に
なるほどユニツトが大型になるが、上記添加物系
によつて焼結性が改善された大型ユニツトも均一
に焼結したためである。例えば、この発明の材料
のＱ値は、1GHzで38000、4GHzで16000、7GHzで
8700となつており、これは上述した従来のTiO2
−ZrO2−SnO2−ZnO−NiO系の材料のＱ値に比
べて、それぞれの周波数において52％増、33％増
及び24％増となつている。 それゆえこの発明によれば、例えば自動車電話
の基地局チヤンネルフイルタ用誘電体共振器等の
低周波数（例えば800MHz）で高パワーの分野へ
の用途が拡大する。また、4GHz、10GHzの衛生
放送用誘電体共振器等の高い周波数領域において
も、これまでの超高Ｑ材に比べればＱは小さいも
のの、誘電率（ε）が約38と大きいため、これま
で使用できなかつた分野への用途の拡大も期待で
きる。
図面は、この発明の実施例にかかる材料（試料
番号16）と、従来例のTiO2−ZrO2−SnO2−ZnO
−NiO系材料のＱと周波数の関係を示す図であ
る。
番号16）と、従来例のTiO2−ZrO2−SnO2−ZnO
−NiO系材料のＱと周波数の関係を示す図であ
る。
Claims (1)
- １ TiO222〜43重量％、ZrO238〜58重量％、
SnO29〜26重量％を主成分とし、これにZnOを７
重量％以下、NiOを10重量％以下、WO3を７重
量％以下添加含有してなる高周波用誘電体磁器組
成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60167953A JPS6229009A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
| US06/861,239 US4665041A (en) | 1985-05-10 | 1986-05-08 | Dielectric ceramic composition for high frequencies |
| DE19863615785 DE3615785A1 (de) | 1985-05-10 | 1986-05-10 | Dielektrische keramische zusammensetzung fuer hohe frequenzen |
| FR868606762A FR2581639B1 (fr) | 1985-05-10 | 1986-05-12 | Composition ceramique dielectrique pour hautes frequences |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60167953A JPS6229009A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6229009A JPS6229009A (ja) | 1987-02-07 |
| JPH056763B2 true JPH056763B2 (ja) | 1993-01-27 |
Family
ID=15859106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60167953A Granted JPS6229009A (ja) | 1985-05-10 | 1985-07-29 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6229009A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57207328A (en) * | 1981-05-28 | 1982-12-20 | Paromaa System Ando Mashiinzu | Method and device for coating small electric part terminal |
| JPS5890719A (ja) * | 1981-10-22 | 1983-05-30 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリ−ズ インコ−ポレ−テッド | 小型電子パ−ツ端部のコ−テイング方法 |
| JPS5890718A (ja) * | 1981-10-22 | 1983-05-30 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | コ−デイング処理用電子パ−ツ支持板 |
| JPS5975617A (ja) * | 1982-10-21 | 1984-04-28 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリ−ズ インコ−ポレ−テッド | 部品配向装置 |
| JPS60101923A (ja) * | 1983-11-08 | 1985-06-06 | 株式会社村田製作所 | チツプ部品保持プレ−トにおけるチツプ部品の保持方法 |
| JPS60109204A (ja) * | 1983-11-17 | 1985-06-14 | 株式会社村田製作所 | チップ部品の外部電極形成方法 |
-
1985
- 1985-07-29 JP JP60167953A patent/JPS6229009A/ja active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57207328A (en) * | 1981-05-28 | 1982-12-20 | Paromaa System Ando Mashiinzu | Method and device for coating small electric part terminal |
| JPS5890719A (ja) * | 1981-10-22 | 1983-05-30 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリ−ズ インコ−ポレ−テッド | 小型電子パ−ツ端部のコ−テイング方法 |
| JPS5890718A (ja) * | 1981-10-22 | 1983-05-30 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | コ−デイング処理用電子パ−ツ支持板 |
| JPS5975617A (ja) * | 1982-10-21 | 1984-04-28 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリ−ズ インコ−ポレ−テッド | 部品配向装置 |
| JPS60101923A (ja) * | 1983-11-08 | 1985-06-06 | 株式会社村田製作所 | チツプ部品保持プレ−トにおけるチツプ部品の保持方法 |
| JPS60109204A (ja) * | 1983-11-17 | 1985-06-14 | 株式会社村田製作所 | チップ部品の外部電極形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6229009A (ja) | 1987-02-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |