JPH0566648B2 - - Google Patents
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- JPH0566648B2 JPH0566648B2 JP21952084A JP21952084A JPH0566648B2 JP H0566648 B2 JPH0566648 B2 JP H0566648B2 JP 21952084 A JP21952084 A JP 21952084A JP 21952084 A JP21952084 A JP 21952084A JP H0566648 B2 JPH0566648 B2 JP H0566648B2
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は強磁性薄膜を磁気記録層とする磁気記
録媒体に関する。 従来例の構成とその問題点 従来から磁気記録は高密度化を中心的課題とし
て、磁気記録媒体,磁気ヘツド,記録方式の開発
により進歩してきている。 しかし、ここにきて、従来技術の改良では面記
録密度的に限界がみえ、更に1桁記録密度を向上
させるには、磁気記録層に有機結合剤を全く用い
ない、いわゆる強磁性金属薄膜を用いた、薄膜型
磁気記録媒体の実用化が望まれ、各方面で開発が
進められている。 第1図は面内記録媒体、第2図は垂直記録媒体
の拡大断面図である。 第1図で1は高分子基板、2は磁気記録層とな
る強磁性金属薄膜、3は保護層である。 第2図で4は高分子基板、5は軟磁性層、6は
磁気記録層となる垂直磁化磁性膜、7は保護膜で
ある。 2又は6に用いられる磁性材料はCo,Co−
Ni,Co−Cr,Co−Cu,Co−Ga,Co−Mn,Co
−Mg,Co−Nd,Co−P,Co−Ru,Co−Sm,
Co−Sn,Co−Ti,Co−Ta,Co−U,Co−V,
Co−W,Co−Y,Co−Zn,Co−Zr,Co−Ni−
P,Co−Ni−Cr,Co−Zn−P,Co−Ni−O等
で、薄膜化技術としては、スパツタリング法,イ
オンプレーテイング法,電子ビーム蒸着法等が挙
げられる。 現状では、フエライトヘツドとCo−Ni−O系
薄膜の組み合わせが最も進んでおり、高密度化を
進めるには、合金ヘツドとの組み合わせが必要と
なり、合金ヘツドによる録再に対する耐久性の改
良が望まれる。 特にスチル状態で高速摺接時の耐久性は、保護
膜のみでは解決されないため、改良が必要であ
る。 発明の目的 本発明は上記事情に鑑みなされたもので、耐久
性の改良された強磁性金属薄膜を磁気記録層とす
る磁気記録媒体を提供することを目的とする。 発明の構成 本発明の磁気記録媒体は、強磁性薄膜を構成す
る微結晶粒子が空孔を有し、空孔率で体積比率で
3%から15%であることを特徴とし、合金ヘツド
との高速摺接に於ける耐久性が改良されたもので
ある。 実施例の説明 以下、図面を参照しながら本発明の実施例を説
明する。 第3図は本発明の磁気記録媒体の部分拡大断面
図である。 8は高分子基板或いは軟磁性層で、9は微結晶
粒子で、10は空孔である。 本発明は微結晶粒子内の空孔率を体積%で3%
から15%までに制御することで、合金ヘツドに対
する高速摺接時に発生するスリキズにより磁気記
録層がやがて破壊するに至る時間を大幅に延長す
ることができるものである。 空孔の作用は、局部的な応力に対する歪をかん
和するものと思われるもので3%以上50%までそ
の効果をかくにんしたが15%以上になると、面内
磁化膜でも、垂直磁化磁性膜でも、短波長記録で
の雑音が増えることから、最適の範囲が決る。 本発明の磁気記録媒体の製造は、例えば、高分
子基板を真空乾燥してから、置換ガスとしてヘリ
ウムを用い、基板に飽和量吸着させ、その基板を
用いて、電子ビーム蒸着法,スパツタリング法等
で磁気記録層を形成すれば、微結晶内にヘリウム
がトラツプされ、磁気記録層形成後、長時間(最
低24h)真空中で加熱することで、トラツグされ
たヘリウムガスを追い出せばよい。 なお、本発明の磁気記録層の保護のために、脂
肪酸アミド,脂肪酸,フツ素オイル等の塗布を行
うことや、プラズマ重合膜を形成する等は周知の
範囲で実施し、かつ良好な結果を得られるもので
あることは勿論である。 以下さらに具体的に本発明の実施例について説
明する。 (実施例) 厚み10μmのポリアミド基板を用い()真空
脱ガス(),ガス吸着(),電子ビーム蒸着
(),真空加熱のプロセスで、磁気記録媒体を製
造し、センダストヘツドとCo系非品質合金ヘツ
ドでS/N(信号対雑音比)とスチル寿命を調べ
た。スチル寿命は初期の出力さら3dB出力が低下
するまでの時間で、スチル寿命に至つたサンプル
は光学顕微鏡にて表面かん察を行つた。 (i) 真空脱ガス条件範囲、基板温度:190℃,処
理時間:10時間〜48時間,真空度:10-3Torr
以下 (ii) ガス吸着条件:基板温度:−20℃,ガス:
He真空度:50Torr〜300Torr,処理時間:24h
〜120h, (iii) 電子ビーム蒸着条件:基板温度:0℃,基板
移動速度:5m/min〜24m/min,蒸着材料:
Co100%,真空度:1×10-4Torr,最大分圧:
酸素9×10-5Torr,入射角:14度以内のほぼ
垂直入射 (iv) 真空加熱:基板温度:140℃,処理時間:
48h〜120h,真空度:4×10-5Torr以下、 使用したヘツドは、センダストヘツド,非品質
合金ヘツド共、コア幅100μm,ギヤツプ長0.25μ
mのリング型ヘツドで記録波長は0.5μm,トラツ
ク幅は9.6μmである。 テープ幅は8mmで、スチル時の張力は25g一定
とした。 なお、表面保護層は、ステアリン酸亜鉛をほぼ
35Åの厚みとなるよう塗布したものである。
録媒体に関する。 従来例の構成とその問題点 従来から磁気記録は高密度化を中心的課題とし
て、磁気記録媒体,磁気ヘツド,記録方式の開発
により進歩してきている。 しかし、ここにきて、従来技術の改良では面記
録密度的に限界がみえ、更に1桁記録密度を向上
させるには、磁気記録層に有機結合剤を全く用い
ない、いわゆる強磁性金属薄膜を用いた、薄膜型
磁気記録媒体の実用化が望まれ、各方面で開発が
進められている。 第1図は面内記録媒体、第2図は垂直記録媒体
の拡大断面図である。 第1図で1は高分子基板、2は磁気記録層とな
る強磁性金属薄膜、3は保護層である。 第2図で4は高分子基板、5は軟磁性層、6は
磁気記録層となる垂直磁化磁性膜、7は保護膜で
ある。 2又は6に用いられる磁性材料はCo,Co−
Ni,Co−Cr,Co−Cu,Co−Ga,Co−Mn,Co
−Mg,Co−Nd,Co−P,Co−Ru,Co−Sm,
Co−Sn,Co−Ti,Co−Ta,Co−U,Co−V,
Co−W,Co−Y,Co−Zn,Co−Zr,Co−Ni−
P,Co−Ni−Cr,Co−Zn−P,Co−Ni−O等
で、薄膜化技術としては、スパツタリング法,イ
オンプレーテイング法,電子ビーム蒸着法等が挙
げられる。 現状では、フエライトヘツドとCo−Ni−O系
薄膜の組み合わせが最も進んでおり、高密度化を
進めるには、合金ヘツドとの組み合わせが必要と
なり、合金ヘツドによる録再に対する耐久性の改
良が望まれる。 特にスチル状態で高速摺接時の耐久性は、保護
膜のみでは解決されないため、改良が必要であ
る。 発明の目的 本発明は上記事情に鑑みなされたもので、耐久
性の改良された強磁性金属薄膜を磁気記録層とす
る磁気記録媒体を提供することを目的とする。 発明の構成 本発明の磁気記録媒体は、強磁性薄膜を構成す
る微結晶粒子が空孔を有し、空孔率で体積比率で
3%から15%であることを特徴とし、合金ヘツド
との高速摺接に於ける耐久性が改良されたもので
ある。 実施例の説明 以下、図面を参照しながら本発明の実施例を説
明する。 第3図は本発明の磁気記録媒体の部分拡大断面
図である。 8は高分子基板或いは軟磁性層で、9は微結晶
粒子で、10は空孔である。 本発明は微結晶粒子内の空孔率を体積%で3%
から15%までに制御することで、合金ヘツドに対
する高速摺接時に発生するスリキズにより磁気記
録層がやがて破壊するに至る時間を大幅に延長す
ることができるものである。 空孔の作用は、局部的な応力に対する歪をかん
和するものと思われるもので3%以上50%までそ
の効果をかくにんしたが15%以上になると、面内
磁化膜でも、垂直磁化磁性膜でも、短波長記録で
の雑音が増えることから、最適の範囲が決る。 本発明の磁気記録媒体の製造は、例えば、高分
子基板を真空乾燥してから、置換ガスとしてヘリ
ウムを用い、基板に飽和量吸着させ、その基板を
用いて、電子ビーム蒸着法,スパツタリング法等
で磁気記録層を形成すれば、微結晶内にヘリウム
がトラツプされ、磁気記録層形成後、長時間(最
低24h)真空中で加熱することで、トラツグされ
たヘリウムガスを追い出せばよい。 なお、本発明の磁気記録層の保護のために、脂
肪酸アミド,脂肪酸,フツ素オイル等の塗布を行
うことや、プラズマ重合膜を形成する等は周知の
範囲で実施し、かつ良好な結果を得られるもので
あることは勿論である。 以下さらに具体的に本発明の実施例について説
明する。 (実施例) 厚み10μmのポリアミド基板を用い()真空
脱ガス(),ガス吸着(),電子ビーム蒸着
(),真空加熱のプロセスで、磁気記録媒体を製
造し、センダストヘツドとCo系非品質合金ヘツ
ドでS/N(信号対雑音比)とスチル寿命を調べ
た。スチル寿命は初期の出力さら3dB出力が低下
するまでの時間で、スチル寿命に至つたサンプル
は光学顕微鏡にて表面かん察を行つた。 (i) 真空脱ガス条件範囲、基板温度:190℃,処
理時間:10時間〜48時間,真空度:10-3Torr
以下 (ii) ガス吸着条件:基板温度:−20℃,ガス:
He真空度:50Torr〜300Torr,処理時間:24h
〜120h, (iii) 電子ビーム蒸着条件:基板温度:0℃,基板
移動速度:5m/min〜24m/min,蒸着材料:
Co100%,真空度:1×10-4Torr,最大分圧:
酸素9×10-5Torr,入射角:14度以内のほぼ
垂直入射 (iv) 真空加熱:基板温度:140℃,処理時間:
48h〜120h,真空度:4×10-5Torr以下、 使用したヘツドは、センダストヘツド,非品質
合金ヘツド共、コア幅100μm,ギヤツプ長0.25μ
mのリング型ヘツドで記録波長は0.5μm,トラツ
ク幅は9.6μmである。 テープ幅は8mmで、スチル時の張力は25g一定
とした。 なお、表面保護層は、ステアリン酸亜鉛をほぼ
35Åの厚みとなるよう塗布したものである。
【表】
【表】
上表より明らかに本発明品は、合金ヘツドに対
してS/Nと、スチル寿命の双方共が良好である
ことがわかる。 なお、本発明は磁気テープに限らず、磁気デイ
スクに於ても効果を発揮するのは勿論、前述の他
の材料の組み合わせでも十分効果のあることを確
認した。 発明の効果 以上のように、本発明は磁気記録層を空孔を体
積比率で3〜15%有する微結晶粒子から成る強磁
性薄膜で構成することで合金ヘツド系に対するス
チル寿命が改良され、かつ優れたS/Nの磁気記
録媒体を得ることができるもので、その効果はき
わめて大きい。
してS/Nと、スチル寿命の双方共が良好である
ことがわかる。 なお、本発明は磁気テープに限らず、磁気デイ
スクに於ても効果を発揮するのは勿論、前述の他
の材料の組み合わせでも十分効果のあることを確
認した。 発明の効果 以上のように、本発明は磁気記録層を空孔を体
積比率で3〜15%有する微結晶粒子から成る強磁
性薄膜で構成することで合金ヘツド系に対するス
チル寿命が改良され、かつ優れたS/Nの磁気記
録媒体を得ることができるもので、その効果はき
わめて大きい。
第1図は面内磁気記録媒体の拡大断面図、第2
図は垂直記録用の磁気記録媒体の拡大断面図、第
3図は本発明の磁気記録媒体の一例の部分拡大断
面図である。 8……高分子基板、9……微結晶粒子、10…
…空孔。
図は垂直記録用の磁気記録媒体の拡大断面図、第
3図は本発明の磁気記録媒体の一例の部分拡大断
面図である。 8……高分子基板、9……微結晶粒子、10…
…空孔。
Claims (1)
- 1 強磁性薄膜を構成する微結晶粒子が空孔を有
し、空孔率が体積比率で3%から15%であること
を特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21952084A JPS6199922A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21952084A JPS6199922A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6199922A JPS6199922A (ja) | 1986-05-19 |
JPH0566648B2 true JPH0566648B2 (ja) | 1993-09-22 |
Family
ID=16736755
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21952084A Granted JPS6199922A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6199922A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101372250B1 (ko) * | 2013-08-02 | 2014-03-10 | (주)미가람 | 자이로밀형 풍력 터빈을 구비한 풍력 발전 타워 |
KR101372251B1 (ko) * | 2013-12-17 | 2014-03-10 | (주)미가람 | 자이로밀형 풍력 터빈을 구비한 풍력 발전 타워 |
KR101372253B1 (ko) * | 2013-12-17 | 2014-03-11 | (주)미가람 | 자이로밀형 풍력 터빈을 구비한 풍력 발전 타워 |
KR101374050B1 (ko) * | 2013-12-17 | 2014-03-12 | (주)미가람 | 자이로밀형 풍력 터빈을 구비한 풍력 발전 타워 |
-
1984
- 1984-10-19 JP JP21952084A patent/JPS6199922A/ja active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101372250B1 (ko) * | 2013-08-02 | 2014-03-10 | (주)미가람 | 자이로밀형 풍력 터빈을 구비한 풍력 발전 타워 |
KR101372251B1 (ko) * | 2013-12-17 | 2014-03-10 | (주)미가람 | 자이로밀형 풍력 터빈을 구비한 풍력 발전 타워 |
KR101372253B1 (ko) * | 2013-12-17 | 2014-03-11 | (주)미가람 | 자이로밀형 풍력 터빈을 구비한 풍력 발전 타워 |
KR101374050B1 (ko) * | 2013-12-17 | 2014-03-12 | (주)미가람 | 자이로밀형 풍력 터빈을 구비한 풍력 발전 타워 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6199922A (ja) | 1986-05-19 |
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