JPH0565102U - 平衡−不平衡変換器 - Google Patents

平衡−不平衡変換器

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JPH0565102U
JPH0565102U JP593892U JP593892U JPH0565102U JP H0565102 U JPH0565102 U JP H0565102U JP 593892 U JP593892 U JP 593892U JP 593892 U JP593892 U JP 593892U JP H0565102 U JPH0565102 U JP H0565102U
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JP
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ceramic material
balanced
lines
directional coupling
coupling portion
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JP593892U
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武 種村
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Alps Alpine Co Ltd
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Alps Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 小型、かつ、低変換損失の平衡−不平衡変換
器を構成する。 【構成】 方向性結合部13は、伝搬される信号の波長
の1/4の長さの溝が底面の長さ方向に沿って所定間隔
で設けられるととともに、上面および両側面に接地パタ
ーンが設けられたセラミック材と、溝に各々設けられた
結合ライン13a,13bとから構成されている。そし
て、方向性結合部13は、プリント基板14上に載置さ
れ、2本の結合ライン13a,13bのいずれかいっぽ
うの一端が接地されるとともに、接地パターンが接地さ
れる。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、小型化された高周波送受信装置等における平衡−不平衡変換器に関 する。
【0002】
【従来の技術】
近年、移動体通信の分野においては、通信機器が小型化、低コスト化へ移行す る傾向にあるため、従来、ディスクリート部品で構成されていた回路、例えば、 増幅器、ミキサ、オシレータ等をICで構成することにより上述した傾向に対処 している。 また、IC化のメリットを引き出すために、ICの内部回路は平衡回路で構成 されるのが一般的である。このため、各回路の電気的性能が向上するとともに、 信号の回り込み等についても有利になる。 しかし、ICの内部回路以外の周辺の回路は、通常、ディスクリート部品で構 成されているため、不平衡回路である。 したがって、平衡回路と不平衡回路との変換器として、小型、かつ、低変換損 失の平衡−不平衡変換器が必要となってくる。
【0003】 図6は従来の平衡−不平衡変換器1の電気的構成を示す回路図、図7は同外観 構成を示す平面図であり、各々の図において、互いに対応する部分には同じ符号 が付けてある。 図7に示すように、この平衡−不平衡変換器1は、プリント基板2およびコン デンサ3,4により構成されている。そして、プリント基板2の表面には、方向 性結合部5(一点鎖線で囲まれている部分)、伝送線路である信号取り出し用ラ イン6a〜6d、およびアース7が、エッチング等の方法により形成されている 。
【0004】 方向性結合部5は、2本のマイクロストリップライン5a,5bから構成され ている。マイクロストリップライン5aおよび5bの長さは、共にマイクロスト リップライン5a,5bを伝搬する信号の波長λ0の1/4であり、対向して配 置されている。一例として、プリント基板2が誘電率4.5程度のガラスエポキ シ材で構成される場合、マイクロストリップライン5a,5bの長さλ0/4は 1GHzで約35mmであり、その幅は0.6mm、また、マイクロストリップ 5aと5bとの間隔は0.2mmである。
【0005】 そして、マイクロストリップライン5aの両端に接続されている信号取り出し 用ライン6aおよび6bは、平衡回路入出力部である端子8,9において、図示 せぬ外部の平衡回路に接続されているとともに、コンデンサ3を介し、互いに接 続されている。また、マイクロストリップライン5bの一端に接続されている信 号取り出し用ライン6cは、アース7に接続されているとともに、不平衡回路入 出力部の端子10において、図示せぬ外部の不平衡回路に接続されている。また 、マイクロストリップライン5bの他端に接続されている信号取り出し用ライン 6dは、不平衡回路入出力部の端子11において、図示せぬ外部の不平衡回路に 接続されているとともに、コンデンサ4を介し、アース7に接続されている。こ こで、コンデンサ3および4は、各々方向性結合部5と平衡回路との整合および 方向性結合部5と不平衡回路とを整合させるために設けられている。
【0006】
【考案が解決しようとする課題】
上述した従来の平衡−不平衡変換器1においては、高周波送受信装置等の小型 化にともない、平衡−不平衡変換器1と他回路との距離が近くなり、回路間にお ける信号の結合およびとび込み等の影響が大きいという問題がある。 また、上述したように、プリント基板2にはガラスエポキシ材等が一般的に用 いられており、マイクロストリップライン5a,5bの周囲の実効誘電率が小さ いため、方向性結合部5が大きくなってしまうという欠点がある。 この考案は、上述した事情に鑑みてなされたもので、回路間における信号の結 合やとび込み等の影響が小さく、しかも小型な平衡−不平衡変換器を提供するこ とを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上述した問題点を解決するために、請求項1に係わる考案による平衡−不平衡 変換器は、伝搬される信号の波長の1/4の長さの2本の溝が底面の長さ方向に 沿って所定間隔で設けられるととともに、上面および両側面に接地パターンが設 けられた強誘電体部材と、前記2本の溝に各々設けられた2本の結合ラインとか らなる方向性結合部と、 該方向性結合部が載置され、前記2本の結合ラインのいずれかいっぽうの一端 が接地されるとともに、前記接地パターンが接地されるプリント基板と を具備することを特徴とする。
【0008】 請求項2に係わる考案による平衡−不平衡変換器は、伝搬される信号の波長の 1/4の長さの2本の貫通孔が長さ方向に沿って所定間隔で設けられるとととも に、上面および両側面に接地パターンが設けられた強誘電体部材と、前記2本の 貫通孔に各々設けられた2本の結合ラインとからなる方向性結合部と、 該方向性結合部が載置され、前記2本の結合ラインのいずれかいっぽうの一端 が接地されるとともに、前記接地パターンが接地されるプリント基板と を具備することを特徴とする。
【0009】
【作用】
上記請求項1および2に係わる考案による平衡−不平衡変換器によれば、強誘 電体部材を用いることにより線路の周囲における実効誘電率が高くなるため、強 誘電体部材における信号の波長が短縮される。また、2本の線路長が線路を伝搬 する信号の波長の1/4であるため、それらの線路間で信号の結合が行われる。 この場合、2本の線路は強誘電体部材の外側面に形成される接地パターンにより シールドされる。
【0010】
【実施例】
図1は本考案の第1実施例による平衡−不平衡変換器12の構成を示す平面図 であり、図2は図1に示される方向性結合部13の外観構成を示す斜視図である 。図1および図2において、図6および図7の各部と対応する部分には同じ符号 を付け、その説明を省略する。 図1および図2に示す本実施例の平衡−不平衡変換器12においては、図7に 示すような長さがλ0/4のマイクロストリップライン5a,5bから構成され る方向性結合部5の代わりに、プリント基板14上に高誘電率のセラミック材1 5を用いた方向性結合部13が新たに設けられている。
【0011】 図1に示す1点鎖線で囲まれた部分は、図2に示す方向性結合部13が設置さ れる場所である。セラミック材15の底面には、セラミック材15の長さ方向に 沿って、2本の直方体状の溝15a,15bが所定の間隔で設けられており、溝 15a,15bに金属メッキが施されることにより、長さがλ1/4の2本の結 合ライン13a、13bが形成されている。ここで、λ1は結合ライン13a、 13bを伝搬する信号の波長である。
【0012】 ここで、図3にセラミック材15の詳細な構成図を示す。この図において、上 述した図1、図2の対応する部分には同じ符号が付けてある。同図(a)はセラ ミック材15の底面図、同図(b)はセラミック材15の上面図である。以下、 同様に、同図(c),(d),(e)および(f)は、各々、セラミック材15 の左側面図、右側面図、前面図および後面図である。また、同図(g)は、同図 (a)のA−A断面における溝15a,15bの拡大図である。 図に示すように、セラミック材15の右側面、左側面、および上面の全面には 、方向性結合部13内部と外部回路との間を互いにシールドするために、金属メ ッキによる接地パターン16(図中の斜線部分)が形成されている。
【0013】 さて、図1に示すプリント基板14において、信号取り出し用ライン6aおよ び6bの先端部分である接触部17aおよび17bは、結合ライン13aの両端 部にそれぞれ接触し、また、信号取り出し用ライン6cおよび6dの先端部分で ある接触部17cおよび17dは、結合ライン13bの両端部にそれぞれ接触す るように配置されている。そして、図2に示すように、結合ライン13a、13 bのそれぞれの両端部は、各々接触部17a〜17dと半田18により電気的に 接続されているとともに、セラミック材15がプリント基板14に固定されてい る。
【0014】 そして、図2に示すように、セラミック材15の右側面および左側面はプリン ト基板14上に形成された金属パターンである半田付け部19と半田18により 接続されている。この場合、半田付け部19は、セラミック材15の右側面およ び左側面において、少なくとも一カ所で半田付けができるように設けられている 。さらに、半田付け部19は、スルーホールを介してプリント基板14の裏面の アースに接続されるか、または、プリント基板14上に形成される金属パターン 等を介してアース7と接続されるように形成されている。これにより、図3に示 すセラミック材15の右側面、左側面および上面に形成されている接地パターン 16が接地されるとともに、セラミック材15がプリント基板14上にさらに強 く固定される。
【0015】 上述の平衡−不平衡変換器12の構成において、セラミック材15に誘電率が 90のものを用いた場合、方向性結合部13の長さは1GHzで8mmとなる。 このように、強誘電体部材であるセラミック材15を用いることにより、結合ラ イン13a,13bの周囲の実効誘電率が高くなり、従来の平衡−不平衡変換器 1における方向性結合部5の長さの約1/4の方向性結合部13を持つ平衡−不 平衡変換器12を構成することができる。ただし、この場合、結合ライン13a と13bとの間隔は0.3mmであり、従来例におけるマイクロストリップライ ン5aと5bとの間隔より僅かに大きくなる。また、結合ライン13a,13b の周囲の実効誘電率が高いため、信号の結合度が強くなる。さらに、セラミック 材15の表面に接地パターン16を設けたことにより、方向性結合部13と他回 路との間の信号の結合およびとび込み等の影響も軽減することができる。 したがって、この実施例によれば、小型で、しかも、信号の結合が強い平衡− 不平衡変換器12を構成することができる。
【0016】 次に、図4は、本考案の第2実施例における方向性結合部20の構成を示す斜 視図である。なお、この図において、上述した図1、図2、図6および図7に対 応する部分には同一の符号を付け、その説明を省略する。本実施例においては、 図1に示すプリント基板14をそのまま用いるが、方向性結合部13に代えて、 セラミック材21を用いた方向性結合部20を新たに設ける。
【0017】 セラミック材21には、その長さ方向に沿って、2本の円柱状の孔21a,2 1bが所定の間隔で設けられており、各々孔21aおよび21bには、金属メッ キが施されることにより各々長さλ2/4の2本の結合ライン20aおよび20 bが形成されている。ここで、λ2は結合ライン20a,20bを伝搬する信号 の波長である。また、セラミック材21の表面において、各々の結合ライン20 a,20bの両端部からセラミック材21の底面に向かって延びている金属メッ キによる信号取り出し用パターン22が形成されている。
【0018】 ここで、図5にセラミック材21の詳細な構成図を示す。この図において、上 述した図4に対応する部分には同じ符号を付け、その説明を省略する。同図(a )はセラミック材21の底面図、同図(b)はセラミック材21の上面図である 。以下、同様に、同図(c),(d),(e)および(f)は、各々、セラミッ ク材21の左側面図、右側面図、前面図および後面図である。また、同図(g) は、同図(f)のB−B断面の一部を示す図である。 図に示すように、セラミック材21の右側面、左側面、上面の全面、および下 面の一部には、方向性結合部20内部と外部回路との間を互いにシールドするた めに、金属メッキによる接地パターン23(図中の斜線部分)が形成されている 。
【0019】 ところで、図4に示すように、4つの信号取り出し用パターン22の各々の一 端は結合ライン20aまたは20bの端部と連続しており、各々の他端はセラミ ック材21の底面において、図1に示す各々接触部17a〜17dと半田18に より接続されるようになっている。そのため、結合ライン20a、20b、信号 取り出し用パターン22、および信号取り出し用ライン6a〜6dが電気的に接 続されるとともに、セラミック材21がプリント基板14に固定される。ただし 、この場合、半田18がセラミック材21と各接触部17a〜17dとの間に入 り込む場合があるため、セラミック材21がプリント基板14上から0.02〜 0.1mm程度浮くことがあるが、結合ライン20a,20bが図5に示す接地 パターン23によりシールドされているため、性能上の問題はない。また、セラ ミック材21の右側面および左側面の接地パターン23とプリント基板13上の 半田付け部19とにおける半田付けの方法は、第1実施例と同様である。
【0020】 本実施例においては、上述した方向性結合部20を用いることにより、第1実 施例と比較して、結合ライン20a,20bの周囲における実効誘電率の値がよ りセラミック材21の誘電率の値に近くなるため、方向性結合部20の長さをよ り短く構成することができる。
【0021】 なお、上述したセラミック材21の下面に形成されている接地パターン23に 代えて、セラミック材21の下で、かつ半田づけ部19に連続するようにプリン ト基板14上に形成された金属パターンを用いても同様の効果が得られる。
【0022】
【考案の効果】
以上説明したように、本考案の平衡−不平衡変換器においては、方向性結合部 を小さく構成することができ、平衡−不平衡変換器を小型化することができる。 また、信号の結合度が強く、変換損失の小さな平衡−不平衡変換器を構成するこ とができる。さらに、セラミック材表面に金属箔を設けたことにより、装置の小 型化にともなう平衡−不平衡変換器と他回路間における信号の結合およびとび込 み等の影響も軽減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の第1実施例の平衡−不平衡変換器の構
成を示す平面図である。
【図2】図1に示す第1実施例における方向性結合部1
3の構成を示す斜視図である。
【図3】図1に示す実施例におけるセラミック材15の
構成を示す詳細図である。
【図4】本考案の第2の実施例における方向性結合部2
0の構成を示す斜視図である。
【図5】図4に示す実施例におけるセラミック材21の
構成を示す詳細図である。
【図6】平衡−不平衡変換器の電気回路図である。
【図7】従来の平衡−不平衡変換器1の構成を示す平面
図である。
【符号の説明】
12 平衡−不平衡変換器 13,20 方向性結合部 13a,13b,20a,20b 結合ライン 14 プリント基板 15,21 セラミック材 15a,15b 溝 16,23 接地パターン 21a,21b 孔 22 信号取り出し用パターン

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 伝搬される信号の波長の1/4の長さの
    2本の溝が底面の長さ方向に沿って所定間隔で設けられ
    るととともに、上面および両側面に接地パターンが設け
    られた強誘電体部材と、前記2本の溝に各々設けられた
    2本の結合ラインとからなる方向性結合部と、 該方向性結合部が載置され、前記2本の結合ラインのい
    ずれかいっぽうの一端が接地されるとともに、前記接地
    パターンが接地されるプリント基板とを具備することを
    特徴とする平衡−不平衡変換器。
  2. 【請求項2】 伝搬される信号の波長の1/4の長さの
    2本の貫通孔が長さ方向に沿って所定間隔で設けられる
    ととともに、上面および両側面に接地パターンが設けら
    れた強誘電体部材と、前記2本の貫通孔に各々設けられ
    た2本の結合ラインとからなる方向性結合部と、 該方向性結合部が載置され、前記2本の結合ラインのい
    ずれかいっぽうの一端が接地されるとともに、前記接地
    パターンが接地されるプリント基板とを具備することを
    特徴とする平衡−不平衡変換器。
JP593892U 1992-02-14 1992-02-14 平衡−不平衡変換器 Withdrawn JPH0565102U (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002217616A (ja) * 2001-01-15 2002-08-02 Alps Electric Co Ltd 平衡不平衡変換器
JP2005512380A (ja) * 2001-12-06 2005-04-28 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 平衡不平衡トランス及びトランシーバ
JP2005184244A (ja) * 2003-12-17 2005-07-07 Mitsumi Electric Co Ltd 結合装置及び高周波モジュール
JP2005184245A (ja) * 2003-12-17 2005-07-07 Mitsumi Electric Co Ltd 結合装置及び高周波モジュール

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Effective date: 19960606