JP2002217616A - 平衡不平衡変換器 - Google Patents
平衡不平衡変換器Info
- Publication number
- JP2002217616A JP2002217616A JP2001006975A JP2001006975A JP2002217616A JP 2002217616 A JP2002217616 A JP 2002217616A JP 2001006975 A JP2001006975 A JP 2001006975A JP 2001006975 A JP2001006975 A JP 2001006975A JP 2002217616 A JP2002217616 A JP 2002217616A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microstrip line
- layer
- balanced
- microstrip
- insulating substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高調波抑圧とインピーダンス変換とが可能
で、構成な簡単で低コストの平衡不平衡変換器を提供す
る。 【解決手段】 絶縁基板１に被着され、一端が接地され
た第一のマイクロストリップライン２と、第一のマイク
ロストリップライン１よりも長く、絶縁基板１に被着さ
れた第二のマイクロストリップライン３とを備え、第一
のマイクロストリップライン２と第二のマイクロストリ
ップライン３の長さ方向の中間部分とには互いに対向す
る同じ長さの結合部２ａ、３ａを設け、第一のマイクロ
ストリップライン２に第一の容量素子４を並列に接続す
ると共に、第二のマイクロストリップライン３第二の容
量素子５並列に接続した。
で、構成な簡単で低コストの平衡不平衡変換器を提供す
る。 【解決手段】 絶縁基板１に被着され、一端が接地され
た第一のマイクロストリップライン２と、第一のマイク
ロストリップライン１よりも長く、絶縁基板１に被着さ
れた第二のマイクロストリップライン３とを備え、第一
のマイクロストリップライン２と第二のマイクロストリ
ップライン３の長さ方向の中間部分とには互いに対向す
る同じ長さの結合部２ａ、３ａを設け、第一のマイクロ
ストリップライン２に第一の容量素子４を並列に接続す
ると共に、第二のマイクロストリップライン３第二の容
量素子５並列に接続した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はマイクロストリップ
ラインによって構成された平行不平衡変換器に関する。
ラインによって構成された平行不平衡変換器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の平衡不平衡変換器にはインダクタ
ンス素子と容量素子とで構成した位相回路を用いたもの
や広帯域変成器を用いたものが一般的であった。図４は
広帯域変成器を用いた平衡不平衡変換器の構成を示し、
広帯域変成器２１の一次巻線２１ａの一端は接地され
る。また、二次巻線２１ｂは中点が接地される。そし
て、一次巻き線２１ａの他端が信号の入力端又は出力端
となり、二次巻線２１ｂの両端が出力端又は入力端とな
る。
ンス素子と容量素子とで構成した位相回路を用いたもの
や広帯域変成器を用いたものが一般的であった。図４は
広帯域変成器を用いた平衡不平衡変換器の構成を示し、
広帯域変成器２１の一次巻線２１ａの一端は接地され
る。また、二次巻線２１ｂは中点が接地される。そし
て、一次巻き線２１ａの他端が信号の入力端又は出力端
となり、二次巻線２１ｂの両端が出力端又は入力端とな
る。
【０００３】このような平衡不平衡変換は一次巻線２１
ａの巻回数と二次巻線２１ｂの巻回数との比によってイ
ンピーダンス変換が可能となる。
ａの巻回数と二次巻線２１ｂの巻回数との比によってイ
ンピーダンス変換が可能となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の平衡不平衡変換
器では、広帯域変成器そのものがコスト高であり、形状
がかなり大きくなるという欠点がある。また、広帯域の
信号を扱うのには向くが、狭帯域の信号を扱う場合には
その入力側又は出力側に設けた増幅器等から発生される
高調波によって妨害を受けるので、高調波を抑圧するた
めのバンドパスフィルタ等を併用しなければならないと
いう問題もある。この結果、装置が大きくなる欠点があ
る。
器では、広帯域変成器そのものがコスト高であり、形状
がかなり大きくなるという欠点がある。また、広帯域の
信号を扱うのには向くが、狭帯域の信号を扱う場合には
その入力側又は出力側に設けた増幅器等から発生される
高調波によって妨害を受けるので、高調波を抑圧するた
めのバンドパスフィルタ等を併用しなければならないと
いう問題もある。この結果、装置が大きくなる欠点があ
る。
【０００５】一方、位相回路によって構成する場合は、
使用する部品点数が多くなり、しかも、使用するインダ
クタンス素子や容量素子の常数の設定が煩わしくなると
いう問題がある。
使用する部品点数が多くなり、しかも、使用するインダ
クタンス素子や容量素子の常数の設定が煩わしくなると
いう問題がある。
【０００６】そこで、本発明では、高調波抑圧とインピ
ーダンス変換とが可能で、構成な簡単で低コストの平衡
不平衡変換器を提供する。
ーダンス変換とが可能で、構成な簡単で低コストの平衡
不平衡変換器を提供する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決のため、
絶縁基板に被着され、一端が接地された第一のマイクロ
ストリップラインと、前記第一のマイクロストリップラ
インよりも長く、前記絶縁基板に被着された第二のマイ
クロストリップラインとを備え、前記第一のマイクロス
トリップラインと前記第二のマイクロストリップライン
の長さ方向の中間部分とには互いに対向する同じ長さの
結合部を設け、前記第一のマイクロストリップラインに
第一の容量素子を並列に接続すると共に、前記第二のマ
イクロストリップラインに第二の容量素子を並列に接続
した。
絶縁基板に被着され、一端が接地された第一のマイクロ
ストリップラインと、前記第一のマイクロストリップラ
インよりも長く、前記絶縁基板に被着された第二のマイ
クロストリップラインとを備え、前記第一のマイクロス
トリップラインと前記第二のマイクロストリップライン
の長さ方向の中間部分とには互いに対向する同じ長さの
結合部を設け、前記第一のマイクロストリップラインに
第一の容量素子を並列に接続すると共に、前記第二のマ
イクロストリップラインに第二の容量素子を並列に接続
した。
【０００８】また、前記第二のマイクロストリップライ
ンの形状をコ字状とした。
ンの形状をコ字状とした。
【０００９】また、前記第二のマイクロストリップライ
ンの形状をＣ字状とした。
ンの形状をＣ字状とした。
【００１０】また、前記絶縁基板は多層基板であり、前
記第一のマイクロストリップライン及び前記第二のマイ
クロストリップラインは前記多層基板の第一の層に設け
られた帯状の導体によって構成され、前記多層基板の第
二の層には前記第一及び第二のマイクロストリップライ
ンに対向すると共に接地された第一の導体層を設け、前
記第一の導体層は前記第一及び第二のマイクロストリッ
プラインの前記各結合部に対向した部分が削除されてお
り、前記多層基板には前記第二の層よりも離間する第３
の層に第二の導体層を設け、前記第二の導体層を接地し
た。
記第一のマイクロストリップライン及び前記第二のマイ
クロストリップラインは前記多層基板の第一の層に設け
られた帯状の導体によって構成され、前記多層基板の第
二の層には前記第一及び第二のマイクロストリップライ
ンに対向すると共に接地された第一の導体層を設け、前
記第一の導体層は前記第一及び第二のマイクロストリッ
プラインの前記各結合部に対向した部分が削除されてお
り、前記多層基板には前記第二の層よりも離間する第３
の層に第二の導体層を設け、前記第二の導体層を接地し
た。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の平衡不平衡変換器を図１
で説明する。絶縁基板１上に被着された導体によって第
一のマイクロストリップライン２と第二のマイクロスト
リップライン３とが形成される。第一のマイクロストリ
ップライン２は略Ｌ字状をなし、その一端は接続ランド
１ａに接続され、接続ランド１ａはスルーホール（図示
せず）によって絶縁基板１の下面に設けた接地導体（図
示せず）に接続される。また、他端にはチップコンデン
サ等の第一の容量素子４の一端が接続され、容量素子４
他端は接続ランド１ｂに接続され、接続ランド１ｂはス
ルーホールを介して接地導体に接続される。
で説明する。絶縁基板１上に被着された導体によって第
一のマイクロストリップライン２と第二のマイクロスト
リップライン３とが形成される。第一のマイクロストリ
ップライン２は略Ｌ字状をなし、その一端は接続ランド
１ａに接続され、接続ランド１ａはスルーホール（図示
せず）によって絶縁基板１の下面に設けた接地導体（図
示せず）に接続される。また、他端にはチップコンデン
サ等の第一の容量素子４の一端が接続され、容量素子４
他端は接続ランド１ｂに接続され、接続ランド１ｂはス
ルーホールを介して接地導体に接続される。
【００１２】したがって、第一のマイクロストリップラ
イン２と第一の容量素子４とは並列同調回路を形成する
が、その同調周波数は扱う信号の周波数となるように設
定される。第一のマイクロストリップライン２の長さは
その信号の周波数に対して１／４波長以下となってい
る。そして、第一のマイクロストリップライン２の他端
が結合用の容量素子５に接続され、結合用容量素子５に
不平衡回路（図示せず）が接続される。
イン２と第一の容量素子４とは並列同調回路を形成する
が、その同調周波数は扱う信号の周波数となるように設
定される。第一のマイクロストリップライン２の長さは
その信号の周波数に対して１／４波長以下となってい
る。そして、第一のマイクロストリップライン２の他端
が結合用の容量素子５に接続され、結合用容量素子５に
不平衡回路（図示せず）が接続される。
【００１３】一方、第二のマイクロストリップライン３
はコ字状をなし、長さ方向の中間の部分が結合部３ａと
なって第一のマイクロストリップライン２の結合部２ａ
に同じ長さで平行に対向している。結合部３ａの両側で
ある非結合部３ｂ、３ｃは互いに平行となり、両端の間
に第二の容量素子６が接続される。この結果、第二のマ
イクロストリップライン３と第二の容量素子６が並列同
調回路を構成するが、その同調周波数は第一のマイクロ
ストリップライン２と第一の容量素子４との同調周波数
と同じである。そして、両端が平衡回路（図示せず）に
接続される。
はコ字状をなし、長さ方向の中間の部分が結合部３ａと
なって第一のマイクロストリップライン２の結合部２ａ
に同じ長さで平行に対向している。結合部３ａの両側で
ある非結合部３ｂ、３ｃは互いに平行となり、両端の間
に第二の容量素子６が接続される。この結果、第二のマ
イクロストリップライン３と第二の容量素子６が並列同
調回路を構成するが、その同調周波数は第一のマイクロ
ストリップライン２と第一の容量素子４との同調周波数
と同じである。そして、両端が平衡回路（図示せず）に
接続される。
【００１４】以上のように第一のマイクロストリップラ
イン２と第二のマイクロストリップライン３とによって
平衡不平衡変換器が構成されるが、各マイクロストリッ
プライン２、３と各容量素子４、６とによって同調回路
が構成されるので、同調周波数以外の信号に対して抑圧
効果を生む。したがって、バンドパスフィルタなどを併
用する必要がない。
イン２と第二のマイクロストリップライン３とによって
平衡不平衡変換器が構成されるが、各マイクロストリッ
プライン２、３と各容量素子４、６とによって同調回路
が構成されるので、同調周波数以外の信号に対して抑圧
効果を生む。したがって、バンドパスフィルタなどを併
用する必要がない。
【００１５】また、二つのマイクロストリップライン
２、３は同じ長さの結合部２ａ、３ａ同士で結合するの
で、互いに結合する部分ではインピーダンスの変換なし
に平衡不平衡変換がなされるが、第二のマイクロストリ
ップライン３には結合部３ａの両側に非結合部３ｂ、３
ｃが延びているので、この長さによってインピーダンス
が変わる。例えば、結合部３ａの長さを１／４波長、非
結合部３ｂ、３ｃの長さをそれぞれ１／８波長とする
と、インピーダンスはほぼ１：２に変換される。
２、３は同じ長さの結合部２ａ、３ａ同士で結合するの
で、互いに結合する部分ではインピーダンスの変換なし
に平衡不平衡変換がなされるが、第二のマイクロストリ
ップライン３には結合部３ａの両側に非結合部３ｂ、３
ｃが延びているので、この長さによってインピーダンス
が変わる。例えば、結合部３ａの長さを１／４波長、非
結合部３ｂ、３ｃの長さをそれぞれ１／８波長とする
と、インピーダンスはほぼ１：２に変換される。
【００１６】第二のマイクロストリップライン３の形状
はコ字状に限らず、図２のようにＣ字状としたものでも
よい。こうすることによって第二のマイクロストリップ
ライン３の両端が互いに近づき、第二の容量素子６が小
型であっても接続しやすくなる。
はコ字状に限らず、図２のようにＣ字状としたものでも
よい。こうすることによって第二のマイクロストリップ
ライン３の両端が互いに近づき、第二の容量素子６が小
型であっても接続しやすくなる。
【００１７】図３は、これらマイクロストリップライン
２、３を構成するための絶縁基板１の断面図であり、図
１の３−３断面に相当する。絶縁基板１には最低でも三
層の多層基板が使用される。第一のマイクロストリップ
ライン２及び第二のマイクロストリップライン３は絶縁
基板１の第一の層（例えば上面）に設けられた帯状の導
体によって構成される。そして、絶縁基板１には第一及
び第二のマイクロストリップライン２、３に対向して第
二の層に第一の導体層１ｃが設けられ、この第一の導体
層１ｃは接地される。第一の導体層１ｃは第一のマイク
ロストリップライン２と第二のマイクロストリップライ
ンと３との各結合部２ａ、３ａに対向する部分において
削除されている。さらに、第一の導体層よりも各マイク
ロストリップライン２、３から離間する第三の層には第
二の導体層１ｄが設けられ、これが各結合部２ａ、３ａ
に対向すると共に接地される。
２、３を構成するための絶縁基板１の断面図であり、図
１の３−３断面に相当する。絶縁基板１には最低でも三
層の多層基板が使用される。第一のマイクロストリップ
ライン２及び第二のマイクロストリップライン３は絶縁
基板１の第一の層（例えば上面）に設けられた帯状の導
体によって構成される。そして、絶縁基板１には第一及
び第二のマイクロストリップライン２、３に対向して第
二の層に第一の導体層１ｃが設けられ、この第一の導体
層１ｃは接地される。第一の導体層１ｃは第一のマイク
ロストリップライン２と第二のマイクロストリップライ
ンと３との各結合部２ａ、３ａに対向する部分において
削除されている。さらに、第一の導体層よりも各マイク
ロストリップライン２、３から離間する第三の層には第
二の導体層１ｄが設けられ、これが各結合部２ａ、３ａ
に対向すると共に接地される。
【００１８】この結果、結合部２ａ、３ａと、これに対
向する接地導体である第二の導体層１ｄとの距離が離れ
ることになり、結合部２ａ、３ａはより強く結合し、結
合損失が少なくなる。
向する接地導体である第二の導体層１ｄとの距離が離れ
ることになり、結合部２ａ、３ａはより強く結合し、結
合損失が少なくなる。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、絶縁基板に被着され、一
端が接地された第一のマイクロストリップラインと、第
一のマイクロストリップラインよりも長く、絶縁基板に
被着された第二のマイクロストリップラインとを備え、
第一のマイクロストリップラインと第二のマイクロスト
リップラインの長さ方向の中間部分とには互いに対向す
る同じ長さの結合部を設け、第一のマイクロストリップ
ラインに第一の容量素子を並列に接続すると共に、第二
のマイクロストリップラインに第二の容量素子を並列に
接続したので、各マイクロストリップラインと各容量素
子とによって同調回路が構成され、同調周波数以外の信
号に対して抑圧効果を生む。したがって、バンドパスフ
ィルタなどを併用する必要がない。また、第二のマイク
ロストリップラインには中間部の両側に非対向部が延び
ているので、この長さによってインピーダンスが変わ
る。
端が接地された第一のマイクロストリップラインと、第
一のマイクロストリップラインよりも長く、絶縁基板に
被着された第二のマイクロストリップラインとを備え、
第一のマイクロストリップラインと第二のマイクロスト
リップラインの長さ方向の中間部分とには互いに対向す
る同じ長さの結合部を設け、第一のマイクロストリップ
ラインに第一の容量素子を並列に接続すると共に、第二
のマイクロストリップラインに第二の容量素子を並列に
接続したので、各マイクロストリップラインと各容量素
子とによって同調回路が構成され、同調周波数以外の信
号に対して抑圧効果を生む。したがって、バンドパスフ
ィルタなどを併用する必要がない。また、第二のマイク
ロストリップラインには中間部の両側に非対向部が延び
ているので、この長さによってインピーダンスが変わ
る。
【００２０】また、第二のマイクロストリップラインの
形状をコ字状としたので、中間部を挟む両側を非対向部
とすることが出来る。
形状をコ字状としたので、中間部を挟む両側を非対向部
とすることが出来る。
【００２１】また、第二のマイクロストリップラインの
形状をＣ字状としたので、第二のマイクロストリップラ
インの両端が互いに近づき、第二の容量素子が小型であ
っても接続しやすくなる。
形状をＣ字状としたので、第二のマイクロストリップラ
インの両端が互いに近づき、第二の容量素子が小型であ
っても接続しやすくなる。
【００２２】また、絶縁基板は多層基板であり、第一の
マイクロストリップライン及び第二のマイクロストリッ
プラインは多層基板の第一の層に設けられた帯状の導体
によって構成され、多層基板の第二の層には第一及び第
二のマイクロストリップラインに対向すると共に接地さ
れた第一の導体層を設け、第一の導体層は第一及び第二
のマイクロストリップラインの各結合部に対向した部分
が削除されており、多層基板には第二の層よりも離間す
る第３の層に第二の導体層を設け、第二の導体層を接地
したので、二つのマイクロストリップラインの結合部と
接地された第二の導体層とが離れて結合損失が少なくな
る。
マイクロストリップライン及び第二のマイクロストリッ
プラインは多層基板の第一の層に設けられた帯状の導体
によって構成され、多層基板の第二の層には第一及び第
二のマイクロストリップラインに対向すると共に接地さ
れた第一の導体層を設け、第一の導体層は第一及び第二
のマイクロストリップラインの各結合部に対向した部分
が削除されており、多層基板には第二の層よりも離間す
る第３の層に第二の導体層を設け、第二の導体層を接地
したので、二つのマイクロストリップラインの結合部と
接地された第二の導体層とが離れて結合損失が少なくな
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の平衡不平衡変換器の構成図である。
【図２】本発明のの他の構成図である。
【図３】本発明の平衡不平衡変換器の断面図である。
【図４】従来の平衡不平衡変換器の構成図である。
１ 絶縁基板 １ａ、１ｂ 接続ランド １ｃ 第一の導体層 １ｄ 第二の導体層 ２ 第一のマイクロストリップライン ２ａ 結合部 ３ 第二のマイクロストリップライン ３ａ 結合部 ３ｂ、３ｄ 非結合部 ４ 第一の容量素子 ５ 結合用容量素子 ６ 第二の容量素子
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁基板に被着され、一端が接地された
第一のマイクロストリップラインと、前記第一のマイク
ロストリップラインよりも長く、前記絶縁基板に被着さ
れた第二のマイクロストリップラインとを備え、前記第
一のマイクロストリップラインと前記第二のマイクロス
トリップラインの長さ方向の中間部分とには互いに対向
する同じ長さの結合部を設け、前記第一のマイクロスト
リップラインに第一の容量素子を並列に接続すると共
に、前記第二のマイクロストリップラインに第二の容量
素子を並列に接続したことを特徴とする平衡不平衡変換
器。 - 【請求項２】 前記第二のマイクロストリップラインの
形状をコ字状としたことを特徴とする請求項１に記載の
平衡不平衡変換器。 - 【請求項３】 前記第二のマイクロストリップラインの
形状をＣ字状としたことを特徴とする請求項１に記載の
平衡不平衡変換器。 - 【請求項４】 前記絶縁基板は多層基板であり、前記第
一のマイクロストリップライン及び前記第二のマイクロ
ストリップラインは前記多層基板の第一の層に設けられ
た帯状の導体によって構成され、前記多層基板の第二の
層には前記第一及び第二のマイクロストリップラインに
対向すると共に接地された第一の導体層を設け、前記第
一の導体層は前記第一及び第二のマイクロストリップラ
インの前記各結合部に対向した部分が削除されており、
前記多層基板には前記第二の層よりも離間する第３の層
に第二の導体層を設け、前記第二の導体層を接地したこ
とを特徴とする請求項１又は２又は３に記載の平衡不平
衡変換器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001006975A JP2002217616A (ja) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | 平衡不平衡変換器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001006975A JP2002217616A (ja) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | 平衡不平衡変換器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002217616A true JP2002217616A (ja) | 2002-08-02 |
Family
ID=18874786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001006975A Withdrawn JP2002217616A (ja) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | 平衡不平衡変換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002217616A (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1513217A1 (en) * | 2003-09-04 | 2005-03-09 | TDK Corporation | Multi-layer band-pass filter |
| JP2005512380A (ja) * | 2001-12-06 | 2005-04-28 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 平衡不平衡トランス及びトランシーバ |
| JP2005130376A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Sony Corp | バラン |
| JP2005184245A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Mitsumi Electric Co Ltd | 結合装置及び高周波モジュール |
| JP2005184244A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Mitsumi Electric Co Ltd | 結合装置及び高周波モジュール |
| KR100748389B1 (ko) | 2006-06-27 | 2007-08-10 | 성균관대학교산학협력단 | 고속 차동 전송 선로 및 배선 방법 |
| JP2009232435A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | National Chiao Tung Univ | 平衡−不平衡変換機能を備えたバンドパスフィルタ |
| JP2010021928A (ja) * | 2008-07-14 | 2010-01-28 | Alps Electric Co Ltd | 平衡−不平衡変換回路 |
| JP2011124880A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-23 | Murata Mfg Co Ltd | 積層バランスフィルタ |
| JP2012109949A (ja) * | 2010-10-21 | 2012-06-07 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型フィルタ |
| JP2012109950A (ja) * | 2010-10-21 | 2012-06-07 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型フィルタ |
| WO2012127952A1 (ja) * | 2011-03-18 | 2012-09-27 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| JP2013239985A (ja) * | 2012-05-17 | 2013-11-28 | Murata Mfg Co Ltd | バランスフィルタ |
| TWI505539B (zh) * | 2010-11-16 | 2015-10-21 | Murata Manufacturing Co | Laminated bandpass filter |
| JP2015228593A (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-17 | シャープ株式会社 | 平衡不平衡変換器及び高周波装置 |
| CN108011167A (zh) * | 2016-10-31 | 2018-05-08 | 美国亚德诺半导体公司 | 具有共模归零的耦合线巴伦 |
| JP2018074346A (ja) * | 2016-10-28 | 2018-05-10 | Tdk株式会社 | バラン |
| US10911016B2 (en) | 2019-01-08 | 2021-02-02 | Analog Devices, Inc. | Wideband balun |
| US11101227B2 (en) | 2019-07-17 | 2021-08-24 | Analog Devices International Unlimited Company | Coupled line structures for wideband applications |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61227403A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | カツプラ |
| GB2254195A (en) * | 1991-03-19 | 1992-09-30 | Nokia Mobile Phones Ltd | Balanced printed ciruit board transformer. |
| JPH0565102U (ja) * | 1992-02-14 | 1993-08-27 | アルプス電気株式会社 | 平衡−不平衡変換器 |
| JPH06500442A (ja) * | 1990-08-06 | 1994-01-13 | モトローラ・インコーポレイテッド | 差動出力を有する分割リング共振器帯域通過フィルタ |
| JP2000506344A (ja) * | 1996-03-05 | 2000-05-23 | テレフオンアクチーボラゲツト エル エム エリクソン（パブル） | 多層基板に設けられた高周波バルン |
-
2001
- 2001-01-15 JP JP2001006975A patent/JP2002217616A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61227403A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | カツプラ |
| JPH06500442A (ja) * | 1990-08-06 | 1994-01-13 | モトローラ・インコーポレイテッド | 差動出力を有する分割リング共振器帯域通過フィルタ |
| GB2254195A (en) * | 1991-03-19 | 1992-09-30 | Nokia Mobile Phones Ltd | Balanced printed ciruit board transformer. |
| JPH0565102U (ja) * | 1992-02-14 | 1993-08-27 | アルプス電気株式会社 | 平衡−不平衡変換器 |
| JP2000506344A (ja) * | 1996-03-05 | 2000-05-23 | テレフオンアクチーボラゲツト エル エム エリクソン（パブル） | 多層基板に設けられた高周波バルン |
Cited By (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005512380A (ja) * | 2001-12-06 | 2005-04-28 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 平衡不平衡トランス及びトランシーバ |
| EP1513217A1 (en) * | 2003-09-04 | 2005-03-09 | TDK Corporation | Multi-layer band-pass filter |
| CN1591965B (zh) * | 2003-09-04 | 2010-08-11 | Tdk株式会社 | 层叠型带通滤波器 |
| JP2005130376A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Sony Corp | バラン |
| JP2005184245A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Mitsumi Electric Co Ltd | 結合装置及び高周波モジュール |
| JP2005184244A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Mitsumi Electric Co Ltd | 結合装置及び高周波モジュール |
| KR100748389B1 (ko) | 2006-06-27 | 2007-08-10 | 성균관대학교산학협력단 | 고속 차동 전송 선로 및 배선 방법 |
| JP2009232435A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | National Chiao Tung Univ | 平衡−不平衡変換機能を備えたバンドパスフィルタ |
| JP2010021928A (ja) * | 2008-07-14 | 2010-01-28 | Alps Electric Co Ltd | 平衡−不平衡変換回路 |
| JP4627791B2 (ja) * | 2008-07-14 | 2011-02-09 | アルプス電気株式会社 | 平衡−不平衡変換回路 |
| US8482366B2 (en) | 2009-12-11 | 2013-07-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated balance filter |
| JP2011124880A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-23 | Murata Mfg Co Ltd | 積層バランスフィルタ |
| TWI467847B (zh) * | 2009-12-11 | 2015-01-01 | Murata Manufacturing Co | 積層平衡濾波器 |
| JP2012109950A (ja) * | 2010-10-21 | 2012-06-07 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型フィルタ |
| JP2012109949A (ja) * | 2010-10-21 | 2012-06-07 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型フィルタ |
| TWI496345B (zh) * | 2010-10-21 | 2015-08-11 | Murata Manufacturing Co | Laminated filter |
| TWI505539B (zh) * | 2010-11-16 | 2015-10-21 | Murata Manufacturing Co | Laminated bandpass filter |
| WO2012127952A1 (ja) * | 2011-03-18 | 2012-09-27 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| US8896394B2 (en) | 2011-03-18 | 2014-11-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component |
| JP5725158B2 (ja) * | 2011-03-18 | 2015-05-27 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| JP2013239985A (ja) * | 2012-05-17 | 2013-11-28 | Murata Mfg Co Ltd | バランスフィルタ |
| JP2015228593A (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-17 | シャープ株式会社 | 平衡不平衡変換器及び高周波装置 |
| JP2018074346A (ja) * | 2016-10-28 | 2018-05-10 | Tdk株式会社 | バラン |
| CN108011167A (zh) * | 2016-10-31 | 2018-05-08 | 美国亚德诺半导体公司 | 具有共模归零的耦合线巴伦 |
| CN108011167B (zh) * | 2016-10-31 | 2020-08-21 | 美国亚德诺半导体公司 | 具有共模归零的耦合线巴伦 |
| US10911016B2 (en) | 2019-01-08 | 2021-02-02 | Analog Devices, Inc. | Wideband balun |
| US11381216B2 (en) | 2019-01-08 | 2022-07-05 | Analog Devices, Inc. | Wideband balun |
| US11101227B2 (en) | 2019-07-17 | 2021-08-24 | Analog Devices International Unlimited Company | Coupled line structures for wideband applications |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002217616A (ja) | 平衡不平衡変換器 | |
| JP4135928B2 (ja) | バラン | |
| US6954116B2 (en) | Balanced-unbalanced converting circuit and laminated balanced-unbalanced converter | |
| JP2003087008A (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
| US8547186B2 (en) | Compact balun | |
| JP2006094462A (ja) | 積層型バルントランス | |
| JPS59148405A (ja) | 平衡不平衡変換器 | |
| JP2009044303A (ja) | アッテネータ複合カプラ | |
| JP2002271111A (ja) | 積層バラン素子 | |
| JP3390344B2 (ja) | 積層型誘電体フィルタ及び高周波回路基板 | |
| US7898362B2 (en) | Passband filter | |
| KR100476561B1 (ko) | 적층형 발룬 트랜스포머 | |
| US20090121813A1 (en) | Electronic component | |
| JP2002217036A (ja) | 高周波複合回路及び高周波複合部品 | |
| JP4197352B2 (ja) | 幅の広い結合間隔を伴う、ストリップ導体技術における方向性結合器 | |
| JP5326931B2 (ja) | 薄膜バラン | |
| JP3196201B2 (ja) | １８０°移相器 | |
| US20070188273A1 (en) | Resonant circuit, filter circuit, and multilayered substrate | |
| KR101271328B1 (ko) | 수동 부품 | |
| JP2002260930A (ja) | 積層型バラントランス | |
| WO2006057366A1 (ja) | 受動部品 | |
| JPS60153603A (ja) | 共平面回路 | |
| JP4241073B2 (ja) | 受動部品 | |
| JP3123562U (ja) | 平衡不平衡信号変換機能を有するミニ多層帯域フィルタ | |
| JP2006180563A (ja) | 積層型誘電体フィルタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040517 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060227 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060418 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060516 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060613 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20060703 |