CN108011167B - 具有共模归零的耦合线巴伦 - Google Patents

具有共模归零的耦合线巴伦 Download PDF

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Abstract

本申请涉及具有共模归零的耦合线巴伦。本文提供具有共模补偿的耦合线巴伦。在某些配置中，串联电阻器‑电感器(RL)网络连接耦合线巴伦的端口以将期望频率的共模传输系数归零。这可以通过改善器件的低频振幅和相位平衡来延长较低频率的性能。电感器和电阻器可以串联在差分末端中一个和单端接地末端之间。这有利地可以使在最小长度主导频率附近的特定频率处的共模传输为零，以便增强较低频率下的共模抑制。

Description

具有共模归零的耦合线巴伦
相关申请的交叉引用
本申请要求2016年10月31日提交的题为“具有共模归零的耦合线巴伦”的美国临时专利申请No.62/415,138的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明的实施方案涉及电子电路，更特别地涉及耦合线巴伦。
背景技术
巴伦可以在平衡差分传输路径和不平衡的单端传输路径之间运行。巴伦可用于各种电子设备，包括例如射频和微波电子设备。巴伦的示例应用包括频率乘法器、移相器、调制器和偶极天线馈线。
发明内容
本文提供具有共模补偿的耦合线巴伦。在某些配置中，串联电阻器-电感器(RL)网络连接耦合线巴伦的端口以将期望频率的共模传输系数归零。这通过改善器件的低频振幅和相位平衡来延长较低频率的性能。电感器和电阻器可以串联在差分末端中一个和单端接地末端之间。这有利地可以使在最小长度主导频率附近的特定频率处的共模传输为零，以便增强较低频率下的共模抑制
在一个方面，提供具有共模补偿的电子系统。电子系统包括基板和所述基板上的耦合线巴伦。耦合线巴伦包括：第一带状线，包括配置为承载不平衡信号的第一端、和配置为承载平衡信号的第一分量的第二端；第二带状线，与所述第一带状线相邻并且包括配置为接收参考电压的第一端、和配置为承载平衡信号的第二分量的第二端；以及串联RL网络，包括在所述第一带状线的第二端和所述参考电压之间串联电连接的电阻器和电感器。串联RL网络可操作地控制耦合线巴伦的共模响应特性。
在另一个方面，提供一种使用共模补偿进行信号变换的方法。该方法包括：使用耦合线巴伦提供信号变换，包括使用所述耦合线巴伦的第一末端处理所述不平衡信号，使用所述耦合线巴伦的第二末端处理所述平衡信号的第一分量，以及使用所述耦合线巴伦的第三末端处理所述平衡信号的第二分量。该方法还包括：在所述耦合线巴伦的第四末端接收所述不平衡信号的参考电压；以及使用连接在所述第二末端和所述第四末端之间的串联RL网络来控制所述耦合线巴伦的共模响应。
在另一个方面，具有共模补偿的耦合线巴伦包括：配置为承载不平衡信号的第一末端；配置为承载平衡信号的第一分量的第二末端；配置为承载平衡信号的第二分量的第三末端；配置为接收用于不平衡信号的参考电压的第四末端；和电连接在所述第二末端和所述第四末端之间的串联RL网络。
附图说明
提供这些附图和相关描述以说明本发明的具体实施例，而不是限制。
图1A是根据一个实施方案具有共模归零的耦合线巴伦的架空透视图。
图1B是沿着图1A的耦合线巴伦的横截面轴线的局部集总电路模型的一个示例。
图1C是图1A的耦合线巴伦的多端口集总电路模型的一个例子。
图2是根据一个实施方案具有共模归零的耦合线巴伦的示意图。
图3A是根据一个实施方案用于比较没有共模补偿的耦合线巴伦和具有共模补偿的耦合线巴伦的无损介质中的差模和共模传输散射系数的图。
图3B是根据一个实施方案用于比较没有共模补偿的耦合线巴伦和具有共模补偿的耦合线巴伦的无损介质中的幅度平衡和相位平衡的曲线的图。
图4A是根据一个实施方案用于比较没有共模补偿的耦合线巴伦和具有共模补偿的耦合线巴伦的无损介质中的差模和共模传输散射系数的曲线的图。
图4B是根据一个实施方案用于比较没有共模补偿的耦合线巴伦和具有共模补偿的耦合线巴伦的无损介质中的幅度平衡和相位平衡的曲线的图。
图5A是根据一个实施方案用于比较没有共模补偿的耦合线巴伦和具有共模补偿的耦合线巴伦的无损介质中的差模和共模传输散射系数的曲线的图。
图5B是根据一个实施方案用于比较没有共模补偿的耦合线巴伦和具有共模补偿的损耗耦合线巴伦的无损介质中的幅度平衡和相位平衡的曲线的图。
图6A是根据一个实施方案用于比较没有共模补偿的损耗耦合线巴伦和具有共模补偿的耦合线巴伦的无损介质中的差模和共模传输散射系数的曲线的图。
图6B是根据一个实施方案用于比较没有共模补偿的耦合线巴伦和具有共模补偿的损耗耦合线巴伦的无损介质中的幅度平衡和相位平衡的曲线的图。
图7是根据另一实施方案具有共模归零的耦合线巴伦的示意图。
图8A是根据一个实施方案使用具有共模归零的耦合线巴伦的接收器系统的示意图。
图8B是根据一个实施方案使用具有共模归零的耦合线巴伦的接收器系统的示意图。
图8C是根据一个实施方案使用具有共模归零的耦合线巴伦的放大器的示意图。
具体实施方式
以下对某些实施方案的详细描述给出了本发明的具体实施方案的各种描述。然而，本发明可以以权利要求所限定和覆盖的多种不同方式来体现。在本说明书中，参考附图，其中相同的附图标记可以表示相同或功能相似的元件。应当理解，图中所示的元件不一定按比例绘制。此外，应当理解，某些实施例可以包括比图中所示的更多元件和/或图中所示的元件的子集。此外，一些实施例可以包括来自两个或更多个附图的特征的任何合适的组合。
巴伦可用于射频(RF)系统，包括但不限于微波系统。如本领域普通技术人员将理解的，RF和微波信号频率共同地覆盖宽的频率范围，例如3kHz至300GHz。
为了增强RF和微波系统的集成，希望在诸如单片微波集成电路(MMIC)的半导体芯片中引入巴伦。整合的优势包括减小尺寸和大规模生产，从而降低成本。适用于MMIC的制造方法的实例包括但不限于硅绝缘体(SOI)工艺和化合物半导体工艺，例如硅锗(SiGe)或砷化镓(GaAs)技术。
可以使用位于基板上的导电材料的共面带状线(也称为微带状线)形成耦合线巴伦。
在某些配置中，巴伦可以接收单端RF输入信号并输出差分RF输出信号。差分RF输出信号的非反相和反相分量期望具有相等的幅度，并且相位偏移为180度。
对于宽带宽应用，巴伦希望在不同频率范围内将不平衡输入信号转换为平衡差分输出信号。另外，巴伦希望表现出高共模抑制，对应于耦合线巴伦阻塞或拒绝平衡输出的不平衡输入的共模分量的测量，反之亦然。
本发明人已经认识到，耦合线巴伦具有基于输入信号的波长的最小频率限制。当波长相当于或大于巴伦带状线的电长度时，带状线的性质偏离传输线模型。在低输入频率下，与地平面的不必要耦合可能会降低共模抑制，并允许不需要的共模信号馈通。
可以通过观察偶模信号的反射或吸收量来分析共模抑制。例如，如果具有相同幅度和相位的两个信号被注入到耦合线巴伦的平衡端口中，则可以反射或吸收信号。在这些条件下，该模式称为均匀模式。或者，当平衡端口处的注入信号的幅度相等并且相位相反时，则将该模式称为奇数模式。因此，偶模式信号也是共模信号，奇数模式信号也是差模信号。
在考虑耦合线巴伦的共模抑制时，可以通过确定(例如，计算和/或测量)从输入端口到输出端口的传输系数来分析奇数模式信号相对于偶模式信号的传输。例如，散射矩阵参数S21是合适参数的一个示例，并且可以用于以以分贝为单位(dB)量化传输量。可以通过比较差模(奇模)信号的散射参数S21与共模(偶模)信号的散射参数S21来确定共模抑制和共模抑制比。
其他重要的性能规格包括相位平衡和幅度平衡。相位平衡测量差分输出信号的一对分量之间的相位差与180度(异相)相位分离之间的差异。幅度平衡表示差分输出信号的一对分量的输出功率大小之间的匹配程度。在一个例子中，相位平衡以度为单位表示，幅度平衡以dB为单位表示。
当信号的频率降低使得信号波长与带状线(微带状线)的电长度相当时，带状线开始具有集总成分(R、L、C)的特征。而带状线之间的能量传递又减少了。
信号波长与带状线电气长度相当的低频性能也可以通过耦合到基板来降低。与基板和/或背面相对较高的耦合(例如，连接有包括巴伦的裸片的封装焊盘)以及周围的电路可以通过减少共模抑制和降级相位和幅度平衡来降低频率性能。
在耦合线巴伦中，共模抑制可以根据偶模阻抗(Z0e)和奇模阻抗(Z0o)进行分析。偶模阻抗Z0e是当输入信号为偶模信号时存在的特征阻抗，而奇模阻抗Z0o是输出信号为奇模信号时存在的特征阻抗。
在某些实施方式中，期望增加或最大化偶模模式阻抗Z0e与奇模阻抗Z0o的比。以这种方式实现耦合线巴伦扩展了巴伦的总体带宽，并提高了低频下的共模抑制。
在高电阻率基板(例如绝缘体上硅(SOI))基板上制造巴伦可以减少与基板或接地平面的耦合。然而，在高电阻率基板上实现巴伦可能在低频率下提供不足的共模抑制。此外，还希望在其他类型的工艺中提供低共模抑制，例如其中高电阻率基板可能不容易获得的半导体技术或者当基板变薄时，增加到芯片背面的电容。
需要在较低频率下具有改善的相位平衡和振幅的耦合线巴伦。此外，需要可以在广泛的处理技术中使用的耦合线巴伦，并且提供强大的共模抑制，包括在信号波长相当于带状线电长度的低频。
本文提供具有共模补偿的耦合线巴伦。在某些实施方式中，耦合线巴伦包括携带不平衡信号的第一末端或端口、第二末端携带平衡信号的第一个或非反向分量、第三末端携带平衡信号的第二或反向组成部分、以及第四端接收不平衡信号的参考电压(例如，地面)。耦合线巴伦包括在第二末端和参考电压之间电连接的串联电阻器-电感器(RL)网络。串联RL网络具有选择的电阻和电感值，以在期望的低频下减少或消除巴伦的共模响应，从而增强低频振幅和相位平衡。
因此，串联RL网络连接到耦合线巴伦的端口，以期望频率将共模传输系数(例如，共模散射参数S21)置零。期望的频率可以从低频范围选择，从而增强低频共模抑制。因此，本文公开的巴伦适用于宽带宽应用。当共模传输系数为零时，幅度平衡和相位平衡都可以接近理想值。
在某些实施方式中，串联RL网络包括一个或多个可变组件来调整归零频率。例如，电阻器可以变化，以提供归零频率的用户控制。
如本文所使用的，“可变”组件包括具有可控制值的组件，包括但不限于模拟调谐组件和/或数字调谐组件，例如数字可编程组件。
因此，制造商和/或用户可以通过控制归零频率来控制巴伦的带宽性能。在一个示例中，可以使用开关网络来修剪电阻器来调谐期望的归零频率。在另一个示例中，制造商将熔丝/反熔丝和/或程序数据设置到非易失性存储器，以用控制IC的归零频率的数据对集成电路(IC)进行编程。
共模补偿提高性能，如通过降低共模馈通通过归零共模传输系数在最小长度主导频率附近的归零频率。电感器和电阻器可以串联连接在差分末端和单端接地末端之间。因此，相位平衡和幅度平衡在归零频率处理理想的性能值。
串联RL网络可以实现在较低频率下增强操作，同时对高频性能提供很少或没有劣化。有利地，电感器可以以更高的频率作为开路工作，使得LR网络对高频操作基本上没有影响。
这里的教导适用于将不平衡信号转换为平衡信号和/或将平衡信号转换为不平衡信号。
例如，一方面，一种不平衡信号转换的方法包括：将不平衡信号作为输入接收到耦合线巴伦的第一末端、提供平衡信号的第一分量到耦合线巴伦的第二末端、提供平衡信号的第二分量到耦合线巴伦的第三末端、接收不平衡信号的参考电压到耦合线巴伦的第四端、并使用连接在第二末端和第四末端之间的串联RL网络来控制耦合线巴伦的共模响应。另一方面，平衡不平衡信号转换的方法包括在耦合线巴伦的第二末端接收平衡信号的第一分量，在连线巴伦的第一末端提供不平衡信号，在耦合线巴伦的第三末端接收平衡信号的第二分量，并在耦合线巴伦的第四端接收不平衡信号的参考电压。串联RL网络连接在第二末端和第四末端之间，以控制耦合线巴伦的共模响应。
图1A是一个具有共模归零的耦合线巴伦100的架空透视图，根据一个实施方案。架空透视图描绘了耦合线巴伦100的带状线(微带状线)实现。如图1A所示，耦合线巴伦100包括第一带状线106、第二带状线104、电感器108和电阻器110，并且形成在基板102上。
在某些实施方式中，使用诸如SiGe的MMIC工艺制造耦合线巴伦100，其中基板102是硅。然而，其他实现也是可能的。例如，这里的教导不仅适用于在集成电路或半导体芯片上实现的耦合线巴伦，而且还适用于以其他方式实现的耦合线巴伦。例如，可以使用PCB上的集总元件实现耦合线巴伦。在另一示例中，耦合线巴伦被实现在模块或封装的叠层基板上。
带状线104、106被图案化以便紧密接近电场和磁场的足够耦合并满足巴伦规格。在所示实施例中，带状线104、106各自具有长度l。
电感器108可以以各种各样的方式实现。在一个示例中，电感器108被图案化在管芯的一个或多个导电层中。例如，电感器108可以使用螺旋图案或等效物来实现为集总元件。在一个实施方式中，电感器108的电感值为10nH至30nH。然而，其他实现也是可能的。电感器108对应于显式电感器，而不对应于寄生电感。然而，当选择电感器108的电感值时，可以考虑寄生电感。
电阻器110可以以各种各样的方式实现。在一个示例中，使用薄膜电阻器或等效物将电阻器110图案化为集总元件。在一个实施方式中，电阻器110的电阻范围为10欧姆(Ω)至100Ω。在某些实施方式中，使用晶体管实现电阻器110。例如，场效应晶体管可以被偏置以提供沟道电阻，其可以用作电阻器110。电阻器110对应于显式电阻器，而不是仅仅是寄生电阻。然而，当选择电阻器110的电阻值时，可以考虑寄生电阻。
在某些实施方式中，电阻器110和/或电感器108具有可控制的值以帮助实现可控的归零频率。
如图1A所示，耦合线巴伦100的电连接由末端或端口P1、P2、P3和P4描绘。带状线106可以作为端口P1和P2之间的传输线工作；并且如上所述，重要的散射参数是S21，其量化了信号从端口P1到端口P2的传输程度。端口P3和P4之间的第二带状线104可以被配置为耦合来自第一带状线106的功率并将耦合信号提供给端口P3。端口P4端接并接地。以这种方式，耦合线巴伦100可以作为三端口装置工作。
在某些实施方式中，在端口P2和P3之间输出差分信号。因此，端口P2和P3也可以被称为耦合线巴伦100的差分端口。另外，端口P1可以接收单端信号，并且可以被称为耦合线巴伦100的不平衡端口。
在这种实现中，耦合线巴伦100将不平衡信号转换成平衡信号。然而，耦合线巴伦100也可以用于提供平衡信号与不平衡信号之间的转换。例如，耦合线巴伦100可以在端口P2和P3之间接收平衡信号，并在端口P1输出不平衡信号。
图1A描绘了带状线106在带状线104耦合反相电压信号V-时传播电压信号V+的奇数模式信号条件。期望电压信号V-在幅度上相等并且与电压信号V+相差180度。然而，相位平衡可能由于各种因素而降解。
图1A中还示出了电场(E场)线111和112。电场线描绘了由于耦合线巴伦100内的电场而导致的能量传递。为了清楚起见，耦合线巴伦也支持磁场(H场)，图中未示出。例如，电场线112描绘从带状线104到基板102的能量传递，而电场线111描绘带状线104和带状线106之间的能量传递。
能够传递到基板102的能量可以由基板作为接地平面的操作产生。能量传递到接地面的量可以取决于基板的电阻率和带状线的距离。例如，在硅基板具有相对低的电阻率的SiGe工艺中，可以有大量的能量从带状线104、106传递到基板102被附上和/或到基板102的封装焊盘。
耦合线巴伦100可以被设计成操作，使得第一带状线106和第二带状线104在具有最小长度主导频率的指定带宽上提供良好的共模抑制。例如，耦合线巴伦100可以具有十年或更长的带宽。然而，对于在最小长度主导频率操作或附近的较低频率，信号波长与带状线电长度l相当。缺乏补偿，共模抑制可以差。
电感器108和电阻器110串联连接，用作端口P2和地之间的串联RL网络。由电感器108和电阻器110形成的串联RL网络可以通过频域中的归零共模信号将操作的带宽扩展到低于最小长度主导频率的频率。
相位平衡可以在最小长度主导频率下降低，其中带状线电长度相对于信号的波长相对较短。这又可能导致共模抑制差，导致差分端口的共模信号。
尽管图1A示出了串联的电阻器110和电感器108的特定顺序，但是顺序可以颠倒。例如，电阻器110可以位于第二端口P2和电感器108之间。
图1B和1C示出了图1A的耦合线巴伦100的集总电路模型。下面将参照图1B和1C讨论耦合线巴伦100在最小长度主导频率附近频率的某些操作行为。
图1B是沿着图1A的耦合线巴伦100的横截面轴线的局部集总电路模型130的一个示例。局部集总电路模型130包括带状线104和带状线106的横截面，并且还包括电容器105、113、115、116、117和电阻器114和118。电容器105电连接在带状线104和带状线106之间以对带状线104和106之间的电容和/或耦合进行建模。
如图1B所示，电容器117电连接在带状线104和电容器116的第一端之间。电容器116的第二端电连接到地。另外，电阻器118与电容器116并联电连接。电容器117可以对带状线104和基板102之间的薄膜或氧化物电容进行建模，而电容器116和电阻器118可以对基板的电容和电阻建模。电容器116和电阻器118在基板102的顶部和基板102的底部之间建模耦合，其可以连接到管芯附接桨。
继续参考图1B，电容器115被示出为电连接在带状线106和电容器113的第一端之间。电容器113的第二端电连接到地。另外，电阻器114与电容器113并联电连接。电容器115可以对带状线106和基板102之间的薄膜或氧化物电容进行建模，而电容器113和电阻器114可以对与基板相关联的电容和电阻进行建模。电容器113和电阻器114一起可以模拟基板的顶部和连接到桨的基板的底部之间的联接。
图1C是图1A的耦合线巴伦100的多端口集总电路模型150的一个例子。多端口集总电路模型150提供耦合线巴伦100的集总电路模型，用于最小长度主导频率附近的频率。多端口集总电路模型150包括电感器152、172，电容器156、157、162、164、166、167、176、177、186、187和电阻器154、158、168、174、178、188。
电感器152和电阻器154在端口P1和P2之间是串联电连接，并且是带状线106的集总电路模型。类似地，电感器172和电阻器174是串联电连接在端口P4和P3之间，并且是带状线104的集总电路模型。电连接在端口P1和P4之间的电容器162和电连接在端口P2和P3之间的电容器164，模拟带状线104和106之间的电耦合。
由具有电阻器158的电容器156和157形成的集总网络对节点P1处的带状线106与接地平面/桨叶之间的耦合进行建模。电容器157电连接在端口P1和电容器156的第一端之间。电容器156的第二端电连接到地。另外，电阻器158与电容器156并联电连接。电容器157可以对端口P1处的带状线106和基板102之间的薄膜或氧化物电容进行建模，而电容器156和电阻器158可以对与基板相关联的电容和电阻进行建模。电容器156和电阻器158一起可以模拟基板的顶部和连接到桨的基板的底部之间的联接。
由电容器166和167与电阻器168形成的集总网络可以将节点P2处的带状线106与接地平面/桨叶之间的耦合建模。电容器167电连接在端口P2和电容器166的第一端之间。电容器166的第二端电连接到地。另外，电阻器168与电容器166并联电连接。电容器167可以对端口P2处的带状线106和基板102之间的薄膜或氧化物电容进行建模，而电容器166和电阻器168可以对与基板相关联的电容和电阻进行建模。电容器166和电阻器168一起可以模拟基板的顶部和连接到桨的基板的底部之间的联接。
由具有电阻器178的电容器176和177形成的集总网络对节点P4处的带状线104与接地平面/桨叶之间的耦合进行建模。电容器177电连接在端口P4和电容器176的第一端之间。电容器176的第二端电连接到地。另外，电阻器178与电容器176并联电连接。电容器177可以对端口P4处的带状线104和基板102之间的薄膜或氧化物电容进行建模，而电容器176和电阻器178可以对与基板相关联的电容和电阻进行建模。电容器176和电阻器178一起可以建模基板的顶部和连接到桨的基板的底部之间的联接。
另外，由具有电阻器188的电容器186和187形成的集总网络将节点P3处的带状线104与接地平面/桨板之间的耦合模型化。电容器187电连接在端口P3和电容器186的第一端之间。电容器186的第二端电连接到地。此外，电阻器188与电容器186并联电连接。电容器187可以对端口P3处的带状线104和基板102之间的薄膜或氧化物电容进行建模，而电容器186和电阻器188可以对与基板相关联的电容和电阻进行建模。电容器186和电阻器188一起可以模拟基板的顶部和连接到桨的基板的底部之间的联接。
虽然图1B和1C中示出了耦合线巴伦100的局部集总电路模型的一个例子，但其他模型也是可以的。
图1B和1C的多端口集总电路模型可以提供对最小长度主导频率附近较低频率下工艺参数如何影响耦合线巴伦共模抑制的深入了解。例如，电阻器158、168、178和188示出了对于诸如SiGe工艺的低电阻率工艺，可以从带状线104和106到桨叶的更直接的耦合。直接耦合可以进一步降低共模抑制。
图1A的串联RL网络的电阻器110和电感器108用于提供由这些和/或其他效果产生的共模补偿。
图2是根据另一实施例的使用补偿电阻器110和电感器108的具有共模归零的耦合线巴伦的示意图200。在该实施例中，耦合线巴伦布置成不平衡平衡构型。示意图200示出了电压信号源202、源阻抗204、带状线104、带状线106、电阻器110和电感器108。尽管示出了源电阻的情况，源阻抗204一般可以是阻抗ZS。
虽然示意图200被示出用于不平衡到平衡配置，但是本文的教导也适用于以平衡不平衡配置操作的巴伦。例如，巴伦可以实现接收平衡信号并输出不平衡信号和/或接收不平衡信号并输出平衡信号。
在一个实施方案中，图2的耦合线巴伦制造在集成电路或半导体芯片上。在这种实现中，带状线104和106可以对应于在基板上形成的IC的金属化(例如，后端金属化)。另外，电阻器110和电感器108可以在基板上制造(例如，作为薄膜电阻器和由图案化的金属化层构成的电感器)。然而，其他实现也是可能的。
例如，在另一个实施方案中，带状线104和106对应于在PCB基板上形成的迹线，电阻器110和/或电感器108对应于附接到PCB基板的分立元件。在一个实施方案中，带状线104和106对应于封装或模块基板(例如层压体)的迹线，并且电阻器110和/或电感器108对应于诸如表面安装部件的分立模块部件。在某些实施方式中，电感器108全部或部分地使用PCB或模块基板的迹线实现，例如，通过将迹线图案化为螺旋感应结构。
带状线104和带状线106具有带状线长度l并作为与图1A的耦合线巴伦100类似的耦合线巴伦操作。带状线106的第一端对应于端口P1，带状线106的第二端对应于端口P2。另外，带状线104的第一端对应于端口P4，带状线的第二端对应于端口P3。此外，端口P4电连接到诸如地的参考电压，并且电阻器110和电感器108在P4端口P2和地之间串联连接。信号源202和源阻抗204在地与端口P1之间串联电连接。
信号源202通过源阻抗204向单端不平衡端口P1提供电压信号。在本实施例中，电压信号是单端共模信号。耦合线巴伦可以配置为将单端信号变换为差分，并衰减共模信号分量，使得端口P2处的信号V+和端口P3处的信号V-作为具有良好相位和幅度平衡的差分信号。当信号V+和V-具有理想的180度相位差时，相位平衡被称为零度。实际上，相位平衡可以偏离零度，偏差越大，共模抑制越差。幅度不平衡也会降低共模抑制。
另外，可以将共模信号分量的散射参数S21与差模信号分量的散射参数S21进行比较，以评估共模抑制。共模抑制比与被称为差模S21的差模信号分量散射参数S21与被称为共模S21的共模信号分量散射参数S21进行比较有多大。
串联RL网络由电阻器110和电感器108组成，以最小长度主导频率或接近最大长度主导频率的频率来消除共模信号。如下面关于图3A-6B所示的示例所述，电阻器110和电感器108可以通过归零在最小长度主导频率附近的频率归一化共模S21来提高耦合线巴伦中的带宽的下限。
图3A是根据具有共模补偿的另一个实施例，在没有共模补偿的耦合线巴伦和耦合线巴伦的无损介质中比较差模和共模传输散射系数的曲线图300a。材料参数可以基于如图1A和/或图2中所述的耦合线巴伦，并且在诸如SiGe工艺的MMIC工艺中实现。
曲线图300a示出了差分S21的曲线图302a、差分S21的曲线图306a、共模S21的曲线图304a和共模S21的曲线图308a，以分贝(dB)为单位、以赫兹(Hz)为单位的频率函数。另外，差分S21轴被示出具有在0和-3.0dB之间的标度，并且与示出的具有0和-60dB之间的标度的共模S21轴相反。为了比较包括电阻器110和电感器108的相对效果，曲线302a和304a对应于省略串联电阻器110和电感器108的耦合线巴伦，而曲线306a和308a对应于包括电感器108和电阻器110的耦合线巴伦。曲线306a和308a对应于电感器108具有16.1纳秒(nH)的值并且电阻器110的电阻为零或几乎为零欧姆的实施例。
差分S21图302a与差分S21图306a的比较表明，通过添加电感器108，当电阻器110的电阻相对于电感器108的阻抗小或为零时，对差分S21几乎没有影响。共模S21图304a与共模S21曲线308a的比较表明，通过添加串联电感器108，共模S21得到改善。从曲线图300a可以看出，由差分S21幅度截距-1dB确定的曲线302a的差分S21带宽大于十年。然而，曲线304a的共模S21具有大于低于1.2GHz的-20dB的幅度。因此，使用幅度大于20dB的标准，即使差分S21带宽远低于1GHz，共模S21对于小于1.2GHz的频率也是差的。
当差分S21大于其共模S21时，耦合线巴伦被称为共模抑制。差分S21和共模S21之间的分贝幅度差可以用作共模抑制比的量度。曲线图300a示出了与曲线302a和304a的耦合线巴伦相比，曲线306a和308a的耦合线巴伦在共模抑制方面具有一些有限的改进。估计在1GHz以下的改进的共模抑制约为25至30dB。有限的改进可归因于电阻器110的电阻小或可忽略的事实。
图3B是对图3A中考虑的情况比较幅度平衡和相位平衡的曲线图300b。
图300b示出了幅度平衡的曲线302b、幅度平衡的曲线306b、相位平衡的曲线304b和相位平衡的曲线308b。幅度平衡以dB为单位测量，而相位平衡以度(度)为单位测量。另外，幅度平衡轴显示为-4.0和4.0dB之间的刻度，与相位平衡轴相反，其显示的刻度在-20和20度之间。与图300a类似，曲线300b提供了包括电阻器110和电感器108的相对效果的比较。曲线302b和304b对应于省略串联电阻器110和电感器108的耦合线巴伦，而曲线306b和308b对应于包括电感器108和电阻器110的耦合线巴伦。曲线306b和308b对应于电感器108具有16.1纳秒(nH)的值和电阻器110的电阻为零或几乎为零欧姆的实施例。
幅度平衡图302b与幅度平衡图306b的比较表明，随着电感器108的增加，当电阻器110的电阻小或为零时，对于较低的频率，幅度平衡保持在+/-1dB之间。相位平衡图304b与相位平衡图308b的比较也表明，对于较低的频率值，相位平衡保持在0和5度之间。
图4A是根据另一实施例的用于没有共模补偿的耦合线巴伦和耦合线巴伦的无损介质中的差模与共模传输散射系数的曲线图。材料参数可以基于如图1A和/或图2中所述的耦合线巴伦，并且在诸如SiGe工艺的MMIC工艺中实现。
曲线图400a示出了差分S21的曲线图302a，差分S21的曲线406a，共模S21的曲线304a以及以分贝(dB)为单位、以赫兹(Hz)为单位的频率函数的共模S21的曲线408a。另外，差分S21轴被示出具有在0和-3.0dB之间的标度，并且与示出的具有0和-60dB之间的标度的共模S21轴相反。为了比较包括电阻器110和电感器108的相对效果，曲线302a和304a再次对应于省略串联电阻器110和电感器108的耦合线巴伦，而曲线406a和408a对应于包括电感器108和电阻器110的耦合线巴伦。曲线406a和408a也对应于另一实施例，其中电感器108的值为16.1nH，电阻器110的电阻为16.7欧姆。
差分S21图302a与差分S21图406a的比较示出了串联电阻器110和电感器108在较低频率下降低差分S21的1dB带宽；差分S21的这种微小的降级归因于添加了串联RL网络。共模S21图304a与共模S21图408a的比较表明串联电阻器110和电感器108改善了共模S21。如图400a所示，通过包括串联电阻器110和电感器108，在600MHz下，共模S21被减小或消除(零)。通过归零在600MHz的共模S21，共模抑制大大增强。
本文的教导提供了以串联电阻器110和电感器108部分确定的频率提供共模S21的归零的补偿。通过定位归零频率可以将带宽扩展到较低的频率，使得差分S21的幅度比较低频率的共模S21的幅度大得多。
图4B是对图4A中考虑的情况比较幅度平衡和相位平衡的曲线图400b。
图400b示出了幅度平衡的曲线302b、幅度平衡的曲线406b、相位平衡的曲线304b和相位平衡的曲线408b。幅度平衡以dB为单位测量，而相位平衡以度(度)为单位测量。另外，幅度平衡轴显示为-4.0和4.0dB之间的刻度，与相位平衡轴相反，其显示的刻度在-20和20度之间。与图400a类似，曲线图400b提供了包括电阻器110和电感器108的相对效果的比较。曲线302b和304b对应于省略串联电阻器110和电感器108的耦合线巴伦，而曲线406b和408b对应于包括电感器108和电阻器110的耦合线巴伦。曲线406b和408b对应于电感器108具有16.1nH的值且电阻器110的电阻为16.7欧姆的实施例。曲线406b和408b表明，相位平衡和幅度平衡在大约600MHz时均为零，对应于归零频率。因此，归零频率(600MHz)和幅度平衡与相位平衡同时降低到零之间可能存在相关性。
图3A-4B基于无损耦合带状线巴伦模型。参数和设计方程的更多细节如下。
图3A-4B的耦合模式巴伦具有对应于图1A或图2的耦合线巴伦100的带状线104和带状线106的长度为10.7毫米(mm)的带状线长度l，并被设计为以3.5千兆赫(GHz)的中心频率fc工作。另外，尽管带状线长度l为10.7mm，中心频率fc为3.5GHz，但是具有大于或小于10.7mm的带状线长度和/或大于或小于3.5GHz的中心频率的其他配置是可能的。
用于导出图3A-4B的曲线图的参数还包括相位常数β、相速度vp、偶模特性阻抗Z0e和奇模特性阻抗Z0o。另外，图3A-4B中的图的推导是基于无损介质，这意味着信号衰减常数α等于零。对于图3A-4B的耦合线巴伦，偶模特性阻抗Z0e等于500欧姆，奇模特性阻抗Z0o等于25欧姆。相速度vp为1.5×108m/s，相位常数β在600MHz时为25.1rad/m。
当耦合线巴伦是对称的，如图1A所示，耦合线巴伦的性质可以被分析为偶模和奇模激励和阻抗的线性组合。偶模特性阻抗Z0e和奇模特性阻抗Z0o分别与偶模激励和奇模激励下的耦合线的特性阻抗有关。当带状线s104和106都从相等的阻抗和电压源同相驱动并被适当地终止时，偶模特性阻抗Z0e可以被定义为带状线104或带状线106到地面的特征阻抗。另外，当带状线104和106都从相等的阻抗和电压源驱动异相并被适当地终止时，奇数模式特性阻抗Z0o可以被定义为从带状线104或带状线106到地面的特征阻抗。
在无损耦合线巴伦中，串联电阻器110的电阻R和电感器108的电感L的数学设计方程分别由等式1和2给出。
Figure BDA0001451141610000171
Figure BDA0001451141610000172
在等式2中，ω是要舍入的频率的角频率，以弧度/秒为单位。等式1和2在具有非零衰减常数α的有损介质中被修改。对于非零衰减常数等式1和2以等式3和4的形式转换如下。
Figure BDA0001451141610000173
Figure BDA0001451141610000174
在有损介质中，通过包含非零衰减常数α来修改图3A-4B的曲线图。为了研究有损介质中的串联电阻器110和电感器108的优点，衰减常数α的值被设定为等于50分贝/米(dB/m)。
图5A是根据另一实施例的比较用于没有共模补偿的损耗耦合线巴伦和耦合线巴伦的差模和共模传输散射系数的曲线图500a。曲线图500a示出了差分S21的曲线图502a、差分S21的曲线506a、共模S21的曲线504a和共模S21的曲线图508a，以分贝(dB)为单位、以赫兹(Hz)为单位的频率函数。对应于图500a的耦合线巴伦类似于对应于曲线图300a的耦合线巴伦，除了电感器108的电感值为14.2nH、衰减常数α等于50dB/m。曲线图502a、506a、504a和508a示出了与图300a的曲线302a、306a、304a和308a的耦合线巴伦类似的改进。例如，曲线306a和308a示出了与电感器108和电阻器110的耦合线巴伦具有在1GHz以下的共模抑制的一些改进，限于约20至25dB，即使电阻器110的电阻为零或几乎为零。
图5B是比较没有共模补偿的耦合线巴伦的幅度平衡和相位平衡的曲线的曲线图500b，以及具有共模补偿的损耗耦合线巴伦，根据一个实施方案。图500b示出了幅度平衡的曲线502b、幅度平衡的曲线506b、相位平衡的曲线504b和相位平衡的曲线508b。对应于曲线图500b的耦合线巴伦类似于对应于曲线图300b的耦合线巴伦，除了电感器108的电感值为14.2nH、衰减常数α等于50dB/m。曲线图502b、506b、504b和508b示出了相对于图300b的曲线302b、306b、304b和308b所描述的耦合线巴伦的类似改进。
图6A是根据另一实施例的比较用于没有共模补偿的损耗耦合线巴伦和耦合线巴伦的差模和共模传输散射系数的曲线图600a。曲线图600a示出了差分S21的曲线图502a、差分S21的曲线606a、共模S21的曲线图504a以及以分贝(dB)为单位、以赫兹(Hz)为单位的频率函数的共模S21的曲线608a。对应于曲线图600a的耦合线巴伦类似于对应于曲线图400a的耦合线巴伦，除了电感器108的电感值为14.2nH、电阻器110的电阻为28.5欧姆、衰减常数α等于50dB/m。曲线图502a、606a、504a和608a示出了与曲线图400a的曲线302a、406a、304a和408a的耦合线巴伦的类似的改进。特别地，串联电感器108和电阻器110通过归零在600MHz的共模S21来补偿(改善)共模范围。这在较低的频率下产生了优越的共模抑制。
图6B是比较没有共模补偿的耦合线巴伦和具有共模补偿的损耗耦合线巴伦的幅度平衡和相位平衡的曲线图600b，根据一个实施方案。图600b示出了幅度平衡的曲线502b、幅度平衡的曲线606b、相位平衡的曲线504b和相位平衡的曲线608b。对应于曲线图600b的耦合线巴伦类似于对应于曲线图400b的耦合线巴伦，除了电感器108的电感值为14.2nH、电阻器110的电阻为28.5欧姆、衰减常数α等于50dB/m。曲线图502b、606b、504b和608b示出了对于曲线图400b的曲线302b、406b、304b和408b所描述的耦合线巴伦的类似改进。特别地，串联电感器108和电阻器110使相位平衡和幅度平衡在600MHz或其附近导致零或几乎为零。这反过来表明归零频率对应于幅度平衡和相位平衡同时等于或几乎等于零的频率。
图7是根据另一实施例的使用可编程电阻器703和电感器108的共模线巴伦700与共模归零的示意图。耦合线巴伦700包括带状线104和106、可编程电阻器703、电感器108、控制模块704和串行接口702。带状线104、106作为类似于图1A的耦合线巴伦100的耦合线巴伦操作，其端口P4电连接到地。输入信号Vin作为不平衡信号施加到端口P1。耦合线巴伦可以将不平衡信号Vin发送和耦合到端口P2和P3，以提供端口P2处的信号电压V+和端口P3处的信号电压V-的平衡差分信号。
可编程电阻器703和电感器108在端口P2和地之间是串联电连接，并且用作串联RL网络。如图7所示，电感器108的第一端连接到可编程电阻器703，并且电感器108的第二端连接到端口P2。因此，在本实施例中，电感器108连接在端口P2和可编程电阻器703之间。然而，在另一个实施方案中，可编程电阻器703连接在电感器108和端口P2之间。
在所示实施例中，可编程电阻器703包括可选择的电阻元件，以及通过控制电阻元件的选择来控制可编程电阻器703的电阻的开关网络(在本实施例中为晶体管开关)。
例如，可编程电阻器703包括晶体管705、707、709和电阻元件706、708和710。晶体管705和电阻元件706在电感器108的第一端和地之间是串联电连接的。类似地，晶体管707和电阻元件708电连接在电感器108的第一端和地之间，晶体管709和电阻元件710在电感器108的第一端和地之间串联电连接。因此，可编程电阻器703和电感器108在端口P2和地之间串联操作。
尽管可编程电阻器703被示出具有三个电阻元件706、708、710和三个晶体管705、707、709，但是具有更大或更少的晶体管和/或电阻元件的其它配置也是可能的。事实上，一个耦合线巴伦可以包括以各种方式实现的可调组件。例如，在另一个实施方案中，串联RL网络的可编程电感器包括可选择的电感元件和控制电感元件选择的开关网络。
如图7所示，控制模块704可以从串行接口702接收信号，并向晶体管705、705和709的每个栅极提供栅极控制信号。基于由串行接口702接收的控制数据C，控制模块704操作以控制晶体管705、707和709的栅极来控制可编程电阻器703的电阻。控制模块704可以选择性地控制晶体管705、707和709中的一个或多个，作为基于经由串行接口702接收的控制数据C的具有打开(导通)状态和关闭(阻塞)状态的开关操作。以这种方式，可编程电阻器703由一个或多个电阻元件706、708或710的并联电阻给出。
尽管可编程电阻器703显示出通过使用电阻元件和晶体管来提供可变电阻的方法，但是其它配置是可能的。例如，晶体管可以由熔断器和/或反熔断器代替，和/或可以使用修整的电阻器来实现可变电阻器。在某些实施方式中，可调组件的值由存储在可编程存储器中的数据控制，包括但不限于非易失性存储器。
可编程电阻器703示出了图1A和图2的电阻器110的一个实现。另外，可编程电阻器703作为具有由控制模块704控制的电阻的可变电阻器操作。控制可编程电阻器703的电阻的优点在于它允许控制串联RL网络的补偿特性。
例如，通过改变串联RL网络的电阻，可以改变共模S21为零的频率。例如，如图4A的曲线图400a所示，代替具有600MHz的归零频率，归零频率可以被调整到550MHz(在一个示例中)。或者，具有可编程电阻器703允许在MMIC处理中调整归零频率，其中电阻器110的电阻率和电感器108的电感由于工艺变化而变化。因此，在某些实施例中，调整用于共模归零的串联RL网络以提供对过程变化的补偿。
图8A-8C说明了可以包括巴伦的电子系统的三个例子。尽管示出了电子系统的三个示例，但是这里的巴伦可以用于各种各样的应用中。因此，巴伦可用于电子系统的其他实现。
图8A是使用具有共模归零的耦合线巴伦的接收器系统800的示意图，根据一个实施方案.
接收器系统800包括耦合线巴伦200、混频器804、放大器806、抗混叠滤波器808和模数转换器(ADC)810，它们在接收器系统800的信号路径中串联连接。耦合线巴伦200可以是图2的耦合线巴伦200，其使用补偿串联电阻器110和电感器108来改善较低频率的共模抑制。以这种方式，耦合线巴伦200可以将不平衡信号转换为在输入处的差分信号，以在最小长度主导频率处或附近的频率处以增强的性能馈送到混频器804。
接收器系统800的性能规格可以是在接收器系统800的输入处接收的任何不平衡信号的共模抑制。通过混频器804引入的任何不需要的共模信号通过放大器806、抗混叠滤波器808，并进入ADC810。
因此，使用耦合线巴伦200可以在尽可能大的带宽上提供高共模抑制是有利的。通过使用串联电阻器110和电感器108以归零频率使共模S21为零，带宽可以扩展到更低的操作频率，从而在较大的带宽上减少共模馈送到信号路径中。
图8B是使用具有共模归零的耦合线巴接根据一个实施方案的接收器系统811的示意图。接收器系统811包括接收器(RX)集成电路(IC)或管芯812、锁相环(PLL)管芯816和ADC管芯818。PLL管芯816可提供本地振荡器(LO)信号到RX模具812以与接收的信号混合以进行下变频。ADC管芯818可用于将下变频信号转换为数字信号以在数字域中进行处理。RX管芯812可以包括用于在较低工作频率下改善共模抑制的耦合线巴伦200。
图8C是放大器832的示意图，其使用具有共模归零的耦合线巴伦，根据一个实施方案。
放大器832包括耦合线巴伦200和串联连接在不平衡输入和差分输出之间的差分增益级834。放大器832可以在其输入处接收不平衡信号Vin，并提供具有正电压输出Vout+和负电压输出Vout-的差分输出信号，并且具有共模抑制，在一定程度上，由线巴伦200共同抑制。如图1A所示，通过使用具有补偿串联电阻器110和电感器108的耦合线巴伦200，放大器832的共模抑制可以通过减少共模馈通的量引入差分增益级834来扩展到较低频率。
应用
本文讨论的任何原理和优点都可以应用于其他系统，而不仅仅是上述的系统。
因此，本公开的各方面可以在各种电子设备中实现。例如，根据本文讨论的任何原理和优点实现的上述耦合线巴伦中的一个或多个可以包括在各种电子设备中。电子设备的示例可以包括但不限于消费电子产品、诸如半导体芯片和/或封装模块的消费电子产品的部件、电子测试设备，无线通信设备等。电子设备的示例也可以包括通信网络。消费电子产品可以包括但不限于诸如智能电话、膝上型计算机、平板电脑、诸如智能手表或耳机的可穿戴计算设备、汽车、摄像机、相机、数码相机、便携式存储芯片、洗衣机、烘干机、洗衣机/烘干机、复印机、传真机、扫描仪、多功能外围设备等。此外，电子设备可以包括未完成的产品，包括用于工业、医疗和/或汽车应用的产品。
一些实施例可以包括本文所阐述的特征子集和/或优点。上述各种实施例的元件和操作可以组合以提供其他实施例。本文所讨论的方法的作用可以以适当的任何顺序进行。此外，本文讨论的方法的行为可以适当地串行或并行地执行。虽然电路以特定布置示出，但是其他等效布置也是可能的。
上述一些实施例提供了与耦合线巴伦相关的示例。然而，实施例的任何合适的原理和优点可以适用于巴伦。更一般来说，本文讨论的任何原理和优点可以结合从本文任何教导中受益的任何其它系统、装置或方法来实现。例如，本文讨论的任何原理和优点可以结合在MMIC工艺中制造的任何微条形巴伦来实现。
结论
除非上下文另有明确要求，否则在整个描述中，“包括”、“包含”、“含有”、“具有”等词将被排除在一种包容性意义上，而不是排他性或穷尽性；也就是说，在“包括但不限于”的意义上。本文中通常使用的“耦合”或“连接”这两个词是指可以直接连接或以任何方式连接的两个或多个元件的一个或多个中间元件。因此，虽然图中所示的各种原理图描绘了元件和部件的示例性布置，但是在实际实施例中可以存在额外的中间元件、装置、特征或部件(假设所描绘的电路的功能没有受到不利的影响)。另外，在本申请中使用时，“本文”、“上文”、“以下”和类似的词语均应参照本申请作为整体，而不是本申请的任何特定部分。在上下文允许的情况下，使用单数或复数的“具体实施方式”中的词也可以分别包括复数或单数。提及两个或多个项目的列表中的“或”一词旨在涵盖以下所有词语的解释：列表中的任何项目，列表中的所有项目以及列表中的项目的任何组合。本文提供的所有数值或距离旨在包括测量误差内的相似值。
虽然已经根据某些实施例描述了本发明，但是对于本领域普通技术人员显而易见的包括不提供本文所阐述的所有特征和优点的实施例的其他实施例也在本发明的范围内。此外，可以组合上述各种实施例以提供其他实施例。此外，在一个实施例的上下文中示出的某些特征也可以结合到其他实施例中。因此，仅通过参考所附权利要求来限定本发明的范围。

Claims (20)

1.具有共模补偿的电子系统，所述电子系统包括：
基板；和
所述基板上的耦合线巴伦，其中所述耦合线巴伦包括：
第一带状线，包括配置为承载不平衡信号的第一端、和配置为承载平衡信号的第一分量的第二端；
第二带状线，与所述第一带状线相邻并且包括配置为接收参考电压的第一端、和配置为承载平衡信号的第二分量的第二端；和
串联电阻器-电感器(RL)网络，包括在所述第一带状线的第二端和所述参考电压之间串联电连接的电阻器和电感器，其中所述串联RL网络可操作地控制所述耦合线巴伦的共模响应特性。
2.权利要求1所述的电子系统，其中所述电阻器的电阻或所述电感器的电感中的至少一种是可控的。
3.权利要求2所述的电子系统，其中所述电阻器包括多个可选择的电阻元件，其中所述耦合线巴伦还包括通过控制所述可选择的电阻元件的选择来配置为控制所述电阻器的电阻的开关网络。
4.权利要求3所述的电子系统，还包括串行接口，被配置为接收可操作以通过所述开关网络控制所述可选择的电阻元件的选择的数据。
5.权利要求1所述的电子系统，其中所述耦合线巴伦被配置为将所述平衡信号转换为所述不平衡信号。
6.权利要求1所述的电子系统，其中所述耦合线巴伦被配置为将 所述不平衡信号转换为所述平衡信号。
7.权利要求1所述的电子系统，其中所述电阻器电连接在所述参考电压和所述电感器之间。
8.权利要求1所述的电子系统，其中所述电感器电连接在所述参考电压和所述电阻器之间。
9.权利要求1所述的电子系统，其中所述电阻器的电阻在10Ω至100Ω的范围内，并且所述电感器的电感在10nH至30nH的范围内。
10.一种使用共模补偿进行信号变换的方法，该方法包括：
使用耦合线巴伦提供信号变换，包括使用所述耦合线巴伦的第一端处理不平衡信号，使用所述耦合线巴伦的第二端处理所述平衡信号的第一分量，以及使用所述耦合线巴伦的第三端处理所述平衡信号的第二分量，其中所述耦合线巴伦包括具有第一端和第二端的第一带状线和具有第三端和第四端的第二带状线；
在所述耦合线巴伦的第四端接收所述不平衡信号的参考电压；和
使用连接在所述第二端和所述第四端之间的串联电阻器-电感器(RL)网络来控制所述耦合线巴伦的共模响应。
11.权利要求10所述的方法，还包括通过调谐所述电阻器的电阻或所述电感器的电感中的至少一种来改变共模归零频率的频率位置。
12.权利要求10所述的方法，还包括归零所述耦合线巴伦的共模响应以扩展所述耦合线巴伦的低端频率范围。
13.权利要求10所述的方法，还包括使用混频器混合所述平衡信号，并使用所述串联RL网络抑制从所述耦合线巴伦的第一端到所述混频器的输出的共模馈通。
14.权利要求10所述的方法，还包括通过控制所述电阻器的电阻或所述电感器的电感中的至少一种来补偿制造差异。
15.具有共模补偿的耦合线巴伦，所述耦合线巴伦包括
具有第一端和第二端的第一带状线和具有第三端和第四端的第二带状线，其中：
第一端配置为承载不平衡信号；
第二端配置为承载平衡信号的第一分量；
第三端配置为承载平衡信号的第二分量；
第四端配置为接收用于不平衡信号的参考电压；以及
电连接在所述第二端和所述第四端之间的串联电阻器-电感器(RL)网络。
16.权利要求15所述的耦合线巴伦，其中所述串联RL网络的电阻或所述串联RL网络的电感中的至少一种是可调谐以控制所述耦合线巴伦的共模响应。
17.权利要求15所述的耦合线巴伦，其中所述串联RL网络包括多个可选择的电阻元件，其中所述耦合线巴伦还包括通过控制所述可选择的电阻元件的选择来配置为控制所述串联RL网络的电阻的开关网络。
18.权利要求15所述的耦合线巴伦，其中所述串联RL网络可操作地控制所述耦合线巴伦的共模响应的归零频率。
19.权利要求15所述的耦合线巴伦，其中所述耦合线巴伦包括位于基板上的第一带状线和第二带状线，其中所述第一端对应于所述第一带状线的第一端，所述第四端对应于所述第二带状线的第一端，所述第二端对应于所述第一带状线的第二端，并且所述第三端对应于所述第二带状线的第二端。
20.权利要求15所述的耦合线巴伦，在半导体芯片、印刷电路板或模块基板上实施。
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