JPH0563101U - マイクロ波位相調整回路 - Google Patents
マイクロ波位相調整回路Info
- Publication number
- JPH0563101U JPH0563101U JP320092U JP320092U JPH0563101U JP H0563101 U JPH0563101 U JP H0563101U JP 320092 U JP320092 U JP 320092U JP 320092 U JP320092 U JP 320092U JP H0563101 U JPH0563101 U JP H0563101U
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 2つのオープンスタブを使用周波数の1/4
波長の距離をおいて、設けて構成する位相調整回路を多
段接続する場合に回路を小型化する。 【構成】 2つのオープンスタブを使用周波数の1/4
波長の距離をおいて、設けて構成する位相調整回路の2
つのオープンスタブ14,17に他の2つのオープンス
タブ16,19を従属接続する。
波長の距離をおいて、設けて構成する位相調整回路を多
段接続する場合に回路を小型化する。 【構成】 2つのオープンスタブを使用周波数の1/4
波長の距離をおいて、設けて構成する位相調整回路の2
つのオープンスタブ14,17に他の2つのオープンス
タブ16,19を従属接続する。
Description
【0001】
この考案は、マイクロ波信号の位相を微調整する時に用いられるマイクロ波信 号の位相調整回路に関するものである。
【0002】
図2は従来の位相調整回路を示す図であり、1は主線路、2は主線路1にドレ インが接続され、かつソースが直流的に接地された第1のFET、3は主線路1 に垂直で、かつ第1のFET2のソースに接続された第1のオープンスタブ、4 は主線路1にドレインが接続され、かつソースが直流的に接地され、かつ第1の FET2と使用周波数において1/4波長離れた位置に設けられた第2のFET 、5は主線路1に垂直で、かつ第2のFET4のソースに接続され、かつ第1の オープンスタブ3と同じ長さをもち、かつ第1のライン3と使用周波数において 1/4波長離れた位置に設けられた第2のオープンスタブ、6は主線路1にドレ インが接続され、かつソースが直流的に接地され、かつ第2のFET4に隣接す る第3のFET、7は主線路1に垂直で、かつ第3のFET6のソースに接続さ れ、かつ第2のオープンスタブ5に隣接した第3のオープンスタブ、8は主線路 1にドレインが接続され、かつソースが直流的に接地され、かつ第2のFET4 と使用周波数において1/4波長離れた位置に設けられた第4のFET、9は主 線路1に垂直で、かつ第4のFET8のソースに接続され、かつ第3のオープン スタブ7と同じ長さをもち、かつ第3のオープンスタブ7と使用周波数において 1/4波長離れた位置に設けられた第4のオープンスタブ、10は第1のFET 2のソースを直流的に接地し、かつ使用周波数に対し十分高いインピーダンスを 持った第1のインダクタ、11は第2のFET4のソースを直流的に接地し、か つ使用周波数に対し十分高いインピーダンスを持った第2のインダクタ、12は 第3のFET6のソースを直流的に接地し、かつ使用周波数に対し十分高いイン ピーダンスを持った第3のインダクタ、13は第4のFET8のソースを直流的 に接地し、かつ使用周波数に対し十分高いインピーダンスを持った第4のインダ クタである。
【0003】 次に動作について説明する。主線路1と第1のオープンスタブ3及び主線路1 と第2のオープンスタブ5とを第1のFET2及び第2のFET4を同時にオン させることで接続し、主線路1を通過するマイクロ波信号の位相をある位相だけ 変化させることができると共に、主線路1と第1のFET2の接続点における反 射波と、主線路1と第2のFET4の接続点における反射波は互いに逆相で加わ るため、位相設定に伴う反射を緩和することができる。またさらに、主線路1と 第3のオープンスタブ7及び主線路と第4のオープンスタブ9を第3のFET6 及び第4のFET8を同時にオンさせることで接続し、前記位相と異なった値の 位相の変化を得ることができると共に、主線路1と第3のFET6の接続点にお ける反射波と、主線路1と第4のFET8の接続点における反射波は互いに逆相 で加わるため、位相設定に伴う反射を緩和することができる。よってオープンス タブで得られる位相量を段階的に設けておくことで、主線路1を通過するマイク ロ波信号の透過位相を微調整することが出来る。
【0004】
従来の位相調整回路は以上のように構成されているので、位相調整回路を複数 用意する場合、主線路は使用周波数の1/4波長分の長さと調整回路の数をかけ あわせた長さが必要である。そのため調整回路の数を増やすと回路が大型化して しまう課題があった。
【0005】 この考案は上記のような課題を解決するためになされたもので、調整方法を変 えずに回路を小型化することを目的とする。
【0006】
この考案に係る位相調整回路は、透過位相を変化させる1/4波長の距離で設 けられたFETとオープンスタブの従属接続回路の対に、異なる位相量の変化を 得ることができる他のFETとオープンスタブの従属接続回路の対を従属接続す ることで小型化をはかったものである。
【0007】
この考案に係る位相調整回路は、透過位相をある位相量だけ変化させるために 設けられた使用周波数において、1/4波長の距離で設けられたFETとオープ ンスタブの従属接続回路の対に異なる位相量の変化を得ることができる、他のF ETとオープンスタブの従属接続回路の対を従属接続することで調整回路全体を 小型化する。
【0008】
この考案に係る実施例を図1に示す。図1において、1、2、4、10、11 、12、13は従来の実施例と同じ、14は主線路1に垂直に設けられ、一端が 第1のFET2のソースに接続された第1のスタブ用線路、15は第1のスタブ 用線路14にドレインが接続され、かつソースが直流的に接地された第3のFE T、16は主線路1に垂直に設けられ、一端が第3のFET15に接続され、他 端が開放された第1のオープンスタブ、17は主線路1に垂直に設けられ、一端 が第2のFET4のソースに接続され、第1のスタブ用線路14と使用周波数に おいて1/4波長離れた位置に設けられた第2のスタブ用線路と、18は第2の スタブ用線路17にドレインが接続され、かつソースが直流的に接地され、かつ 第3のFET15と使用周波数において1/4波長離れた位置に設けられた第4 のFET、19は主線路1に垂直に設けられ、一端が第4のFET18のソース に接続され、他端が開放され、かつ第1のオープンスタブ16と使用周波数にお いて1/4波長離れた位置に設けられた第2のオープンスタブである。
【0009】 次に実施例の動作について説明する。主線路1と第1のスタブ用線路14及び 主線路1と第2のスタブ用線路17とを第1のFET2及び第2のFET4を同 時にオンさせることで接続し、主線路1を通過するマイクロ波信号の透過位相を ある位相だけ変化させることができると共に、主線路1と第1のFET2の接続 点における反射波と、主線路1と第2のFET4の接続点における反射波は互い に逆相で加わるため、位相設定に伴う反射を緩和することができる。また、第1 のスタブ用線路14と第1のオープンスタブ16及び第2のスタブ用線路17と 第2のオープンスタブ19とを第3のFET15及び第4のFET18を同時に オンさせることで接続し、前記位相と異なった値の位相の変化を得ることができ ると共に、第1のスタブ用線路14と第3のFET15の接続点における反射波 と、第2のスタブ用線路17と第4のFET18の接続点における反射波は互い に逆相で加わるため、位相設定に伴う反射を緩和することができる。よってオー プンスタブで得られる位相量を段階的に設けることで、主線路1を通過するマイ クロ波信号の透過位相を微調整することができる。
【0010】
この考案は以上のように構成されるので、位相調整回路を多段接続する際に小 型化がはかれる効果がある。
【図1】この考案の一実施例による位相調整回路を示す
図である。
図である。
【図2】従来の位相調整回路を示す図である。
1 マイクロ波信号を通す主線路 2 第1のFET 3 第1のオープンスタブ 4 第2のFET 5 第2のオープンスタブ 6 第3のFET 7 第3のオープンスタブ 8 第4のFET 9 第4のオープンスタブ 10 第1のインダクタ 11 第2のインダクタ 12 第3のインダクタ 13 第4のインダクタ 14 第1のスタブ用線路 15 第3のFET 16 第1のオープンスタブ 17 第2のスタブ用線路 18 第4のFET 19 第2のオープンスタブ
Claims (1)
- 【請求項1】 マイクロ波信号を通す主線路と、主線路
にドレインが接続され、かつソースが直流的に接地され
た第1のFETと、主線路に垂直に設けられ主線路に接
続されず、かつ一端が第1のFETのソースに接続され
た第1のスタブ用線路と、主線路にドレインが接続さ
れ、かつソースが直流的に接地され、かつ第1のFET
と使用周波数において1/4波長離れた位置に設けられ
た第2のFETと、主線路に垂直に設けられ一端が第2
のFETのソースに接続され第1のスタブ用線路と同じ
長さをもち、かつ第1のスタブ用線路と使用周波数にお
いて1/4波長離れた位置に設けられた第2のスタブ用
線路と、第1のスタブ用線路にドレインが接続され、か
つソースが直流的に接地された第3のFETと、主線路
に垂直に設けられ一端が第3のFETのソースに接続さ
れ、他端が開放された第1のオープンスタブと、第2の
スタブ用線路にドレインが接続され、かつソースが直流
的に接地され、かつ第3のFETと使用周波数において
1/4波長離れた位置に設けられた第4のFETと、主
線路に垂直に設けられ一端が第4のFETのソースに接
続され、他端が開放され、かつ第1のオープンスタブと
同じ長さをもち、かつ第1のオープンスタブと使用周波
数において1/4波長離れた位置に設けられた第2のオ
ープンスタブで構成されたマイクロ波位相調整回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP320092U JPH0563101U (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | マイクロ波位相調整回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP320092U JPH0563101U (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | マイクロ波位相調整回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0563101U true JPH0563101U (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=11550790
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP320092U Pending JPH0563101U (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | マイクロ波位相調整回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0563101U (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000054362A1 (fr) * | 1999-03-05 | 2000-09-14 | Nec Corporation | Dephaseur |
KR100473117B1 (ko) * | 2002-10-15 | 2005-03-10 | 한국전자통신연구원 | 가변 스위치망을 이용한 위상 천이기의 회로 |
-
1992
- 1992-01-31 JP JP320092U patent/JPH0563101U/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000054362A1 (fr) * | 1999-03-05 | 2000-09-14 | Nec Corporation | Dephaseur |
KR100473117B1 (ko) * | 2002-10-15 | 2005-03-10 | 한국전자통신연구원 | 가변 스위치망을 이용한 위상 천이기의 회로 |
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