JPH0563039A - 半導体素子 - Google Patents

半導体素子

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Publication number
JPH0563039A
JPH0563039A JP22448091A JP22448091A JPH0563039A JP H0563039 A JPH0563039 A JP H0563039A JP 22448091 A JP22448091 A JP 22448091A JP 22448091 A JP22448091 A JP 22448091A JP H0563039 A JPH0563039 A JP H0563039A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fuse
window
resistor
semiconductor device
power supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP22448091A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuyuki Kaburagi
辰行 蕪木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Communication Systems Ltd
Original Assignee
NEC Communication Systems Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 障害発生を簡単に発見できるようにする。 【構成】 ケース11の上面にはヒューズ窓12が設け
られている。窓12の下にはヒューズ13が配置され、
また窓12の部分にはヒューズ13を保護するための透
明な板14が取り付けられている。電気的な構成は次の
ようになっている。半導体素子の電源端子に第1の保護
抵抗の一端が接続され、その抵抗の他端にヒューズ13
の一端が接続されている。そしてヒューズ13の他端は
第2の保護抵抗の一端に、その抵抗の他端はアース端子
にそれぞれ接続されている。このような構成において、
半導体素子に誤って既定値を越える電源電圧が印加さ
れ、機能障害が発生した場合、そのとき同時に、ヒュー
ズ13にはその許容値を越える電流が流れ、ヒューズ1
3は切断する。従って、ヒューズ13が切断しているか
否かを確認することにより、半導体素子の障害発生を発
見することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】半導体素子に既定値以上の電源電圧を印
加して半導体素子に機能障害が発生した場合、従来は通
常、電気的な検査を行って障害発生を検出していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従って、障害発生を検
出するためには、検査のための装置が必要であり、そし
て時間と手間がかかっていた。
【0004】本発明の目的は、このような欠点を除去
し、単に目視するだけで障害発生を発見できる半導体素
子を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体チップ
を所定のケースに収納して成る半導体素子において、電
源が印加される2つの端子の間に、抵抗とヒューズとの
直列回路を接続し、前記ケースに窓を設け、前記ヒュー
ズを前記窓を通じて目視できる位置に配置したことを特
徴とする。
【0006】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。図1(a)は本発明による半導体素子の一例
を示す斜視図、図1(b)は平面図である。この半導体
素子は、半導体ケース11に半導体チップを収納して成
り、ケース11の上面にはヒューズ窓12が設けられて
いる。そして、窓12の下にはヒューズ13が配置さ
れ、また窓12の部分にはヒューズ13を保護するため
の透明な板14が取り付けられている。
【0007】電気的な構成は図2に示すようになってい
る。すなわち、半導体素子の電源端子34に保護抵抗3
1の一端が接続され、抵抗31の他端にヒューズ13の
一端が接続されている。そして、ヒューズ13の他端は
保護抵抗33の一端に、抵抗33の他端はアース端子3
5にそれぞれ接続されている。
【0008】そして、ヒューズ13はアルミを主成分と
し、予め決められた許容電流を越える電流が流れると、
切断するようになっており、抵抗31,33の値は、半
導体素子に既定値を越える電源電圧が印加されたとき、
ヒューズ13に上記許容電流以上の電流が流れるような
値に設定されている。
【0009】このように構成された半導体素子に誤って
既定値を越える電源電圧が印加され、機能障害が発生し
た場合、そのとき同時に、ヒューズ13にはその許容値
を越える電流が流れ、ヒューズ13は切断する。従っ
て、窓12を通じてヒューズ13を目視し、ヒューズ1
3が切断しているか否かを確認することにより、半導体
素子の障害発生を発見することができる。
【0010】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体チ
ップを所定のケースに収納して成る半導体素子におい
て、電源が印加される2つの端子の間に、抵抗とヒュー
ズとの直列回路を接続し、前記ケースに窓を設け、ヒュ
ーズを前記窓を通じて目視できる位置に配置したことを
特徴とする。
【0011】従って、本発明による半導体素子では、半
導体素子に誤って既定値を越える電源電圧が印加され、
機能障害が発生した場合、同時にヒューズは過大電流に
よって切断するので、前記窓を通じてヒューズを目視
し、それが切断しているか否かを確認することによっ
て、障害の発生を発見できる。従って、従来のように検
査装置を準備する必要はなく、また時間も手間もかから
ない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の外観を示す図である。
【図2】本発明の一実施例の電気的構成を示す回路図で
ある。
【符号の説明】
11 半導体ケース 12 ヒューズ窓 13 ヒューズ 14 透明板 31,33 保護抵抗 34 電源端子 35 アース端子

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体チップを所定のケースに収納して成
    る半導体素子において、 電源が印加される2つの端子の間に、抵抗とヒューズと
    の直列回路を接続し、 前記ケースに窓を設け、 前記ヒューズを前記窓を通じて目視できる位置に配置し
    たことを特徴とする半導体素子。
  2. 【請求項2】前記抵抗は、前記ヒューズの一端と第1の
    前記端子との間に接続された第1の抵抗と、前記ヒュー
    ズの他端と第2の前記端子との間に接続された第2の抵
    抗とからなることを特徴とする請求項1記載の半導体素
    子。
  3. 【請求項3】前記ヒューズはアルミを主成分とすること
    を特徴とする請求項1記載の半導体素子。
JP22448091A 1991-09-05 1991-09-05 半導体素子 Pending JPH0563039A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22448091A JPH0563039A (ja) 1991-09-05 1991-09-05 半導体素子

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JP22448091A JPH0563039A (ja) 1991-09-05 1991-09-05 半導体素子

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JPH0563039A true JPH0563039A (ja) 1993-03-12

Family

ID=16814460

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JP22448091A Pending JPH0563039A (ja) 1991-09-05 1991-09-05 半導体素子

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JP (1) JPH0563039A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012038804A (ja) * 2010-08-04 2012-02-23 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置及びその検査方法並びにその設計方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012038804A (ja) * 2010-08-04 2012-02-23 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置及びその検査方法並びにその設計方法

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